KR940022579A - 강유전성 메모리 셀과 그 분극 상태를 감지하는 방법 - Google Patents

강유전성 메모리 셀과 그 분극 상태를 감지하는 방법 Download PDF

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Abstract

메모리 셀이 강유전성 캐패시터를 포함하고 있으며 메모리 셀의 메모리 상태는 캐패시터 양단의 전위를 0으로부터 상부의 전계점을 거쳐 다시 0으로 되돌아 오도록 순환함으로써 감지된다. 상기 셀이 상부 영구 잔류 분극점에 머물러 있으면 전하 흐름에 낮은 변화가 일어나고 상기 셀이 하부 영구 잔류 분극점에 머물러 있으면 전하 흐름에 거의 0인 낮은 변화가 일어난다. 전하 흐름이 거의 0값에서 큰 값으로 변화하는 이러한 변화에 의해 매우 정확한 기준 캐패시터가 상기 비교 또는 감지 과정에 사용된다.

Description

강유전성 메모리 셀과 그 분극 상태를 감지하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 강유전성 캐패시터의 히스테리시스 곡선을 도시한 도면,
제2도는 순환된 강유전성 캐패시터의 히스테리시스 곡선을 도시한 도면.
제3도는 기준 셀과 함께 단순화된 하나의 캐패시터 강유전성 메모리 셀을 도시한 도면.

Claims (4)

  1. 삼부 및 하부의 전계점들과 상부 및 하부의 영구 잔류 분극점들로 이루어진 히스테리시스 곡선을 갖는 강유전성 캐패시터를 포함하는 강유전성 메모리 셀의 분극 상태를 감지하는 방법에 있어서, 전계가 0으로부터 상기 상부 및 하부의 전계점들중의 하나에 거의 가까이 가며 다시 0으로 되돌아가도록 순환되는 전계를 상기 강유전성 캐패시터에 인가하는 단계와, 분극의 변화를 측정하는 단계를 구비한 강유전성 메모리 셀의 분극 상태를 감지하는 방법.
  2. 강유전성 메모리 셀의 분극 상태를 감지하는 방법에 있어서, 상부 및 하부의 전계점들과 상부 및 하부의 영구 잔류 분극점들로 이루어진 히스테리시스 곡선을 갖는 강유전성 커패시터를 메모리 셀에 제공하는 단계와, 전계가 0으로부터 상기 상부 및 하부의 전계점들 중의 하나에 거의 가까이 가며 다시 0으로 되돌아 가도록 순환되는 전계를 상기 앙유전성 캐패시터에 인가하는 단계와, 분극의 변화를 측정하는 단계를 구비한 강유전성 메모리 셀의 분극 상태를 감지하는 방법.
  3. 강유전성 메모리 셀의 분극 상태를 감지하는 방법에 있어서, 상부 및 하부의 전계점들과 상부 및 하부의 영구 잔류 분극점들로 이루어진 히스테리시스 곡선을 갖는 강유전성 케패시터와 스위칭 디바이스를 포함하는 강유전성 메모리 셀을 제공하는 단계로서 상기 셀은 상기 강유전성 캐패시터와 스위칭 디바이스를 상호 접속하여 번지 지정가능 메모리 셀을 제공하는 워드 라인(word line) 및 플레이트 라인(plate line)을 포함하고 있는 강유전성 메모리 셀을 제공하는 단계와, 기준 셀에 기준 캐패시터를 제공하며 거기에 기준 전하를 저장하는 단계와, 상기 강유전성 캐패시터에 전계를 인가하고, 상기 전계를 거의 0으로부터 상부 및 하부의 전계점들 중의 한점에 거의 가까이 가며 다시 거의 0으로 돌아가도록 순환하여 전하 흐름을 발생시키며, 상기 전하 흐름은 상기 강유전성 캐패시터가 상부 영구 잔류 분극점에 있을 때 제1양이 되고 하부 영구 잔류 분극점에 있을 때 제2양이 되는 전계 인가 및 순환 단계와, 상기 전계의 순환에 의해 생성된 전하 흐름과 상기 기준 캐패시터에 저장된 기준 전하를 비교하여 상기 전하 흐름이 제1양인지 제2양인지를 결정하는 단계를 구비한 강유전성 메모리 셀의 분극 상태를 감지하는 방법.
  4. 강유전성 메모리 셀과 관련 기준 셀에 있어서, 상부 및 하부의 전계점들과 상부 및 하부의 영구 잔류 분극점들로 이루어진 히스케리시스 곡선을 갖으며 항상 상기 상부 및 하부의 영구 잔류 분극점들중의 하나에 머물러 있는 강유전성 캐패시터를 포함하는 강유전성 메모리 셀과, 기준 캐패시터를 갖는 기준 셀과, 상기 메모리 셀에 부착되어 상기 강유전성 캐패시터를 거의 0인 전기 전위에서, 분극을 상기 상부 및 하부의 전계점들중의 하나로 이동시키기에 충분한 전기 전위로 그리고 다시 거의 0인 전기 전위로 순환시키는 수단과, 상기 강유전성 셀 및 상기 기준셀에 부착되어 상기 순환 동안에 상기 강유전성 캐패시터를 흘러들어가는 전기 전하와 상기 기준 캐패시터내의 전기 전하를 비교하는 수단을 구비한 강유전성 메모리 셀 및 관련 기준 셀.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940004078A 1993-03-08 1994-03-03 강유전성 메모리 셀과 그 분극 상태를 감지하는 방법 KR940022579A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100340066B1 (ko) * 1999-06-28 2002-06-12 박종섭 강유전체 커패시터의 히스테리시스 특성을 측정할 수 있는 강유전체 메모리 장치

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5729488A (en) * 1994-08-26 1998-03-17 Hughes Electronics Non-destructive read ferroelectric memory cell utilizing the ramer-drab effect
US5572459A (en) * 1994-09-16 1996-11-05 Ramtron International Corporation Voltage reference for a ferroelectric 1T/1C based memory
TW378323B (en) * 1994-09-22 2000-01-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ferroelectric memory device
US5498984A (en) * 1994-09-30 1996-03-12 Maxim Integrated Products High side, current sense amplifier using a symmetric amplifier
JPH08329686A (ja) * 1995-03-27 1996-12-13 Sony Corp 強誘電体記憶装置
US5530668A (en) * 1995-04-12 1996-06-25 Ramtron International Corporation Ferroelectric memory sensing scheme using bit lines precharged to a logic one voltage
DE69615457T2 (de) * 1995-06-14 2002-05-29 Motorola Inc Datenspeicherelement und Datenwiederherstellungsverfahren
US5677865A (en) * 1995-09-11 1997-10-14 Micron Technology, Inc. Ferroelectric memory using reference charge circuit
US5638318A (en) * 1995-09-11 1997-06-10 Micron Technology, Inc. Ferroelectric memory using ferroelectric reference cells
US5680344A (en) * 1995-09-11 1997-10-21 Micron Technology, Inc. Circuit and method of operating a ferrolectric memory in a DRAM mode
US5905672A (en) * 1997-03-27 1999-05-18 Micron Technology, Inc. Ferroelectric memory using ferroelectric reference cells
JPH09288891A (ja) * 1996-04-19 1997-11-04 Matsushita Electron Corp 半導体メモリ装置
US5724283A (en) * 1996-06-14 1998-03-03 Motorola, Inc. Data storage element and method for restoring data
KR100313932B1 (ko) * 1997-09-26 2002-01-15 김영환 반도체메모리소자의강유전체제조방법
US5880989A (en) * 1997-11-14 1999-03-09 Ramtron International Corporation Sensing methodology for a 1T/1C ferroelectric memory
KR100548847B1 (ko) * 1998-10-28 2006-03-31 주식회사 하이닉스반도체 수명을 연장시킨 강유전체 메모리 장치
US6282126B1 (en) 1998-12-16 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Flash memory with overerase protection
KR100308188B1 (ko) * 1999-04-27 2001-10-29 윤종용 안정된 감지 마진을 가지는 강유전체 랜덤 액세스 메모리
JP2001093988A (ja) * 1999-07-22 2001-04-06 Sony Corp 半導体記憶装置
JP3928837B2 (ja) * 1999-09-13 2007-06-13 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
JP2001118999A (ja) * 1999-10-15 2001-04-27 Hitachi Ltd ダイナミック型ｒａｍと半導体装置
US6285604B1 (en) * 2000-01-06 2001-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dummy memory cells for high accuracy self-timing circuits in dual-port SRAM
EP1126525A3 (en) * 2000-02-15 2005-10-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory device, method for driving the same and method for fabricating the same
JP2001256774A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置のデータ読み出し方法、データ書き込み方法および駆動方法
KR100379513B1 (ko) 2000-10-24 2003-04-10 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 메모리 장치 및 그의 구동방법
KR100379519B1 (ko) 2000-11-16 2003-04-10 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 메모리 장치의 레퍼런스 플레이트라인의 타이밍 발생회로 및 레퍼런스 셀의 구동방법
KR100379520B1 (ko) 2000-11-16 2003-04-10 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 메모리 장치의 구동방법
TW514918B (en) * 2000-11-17 2002-12-21 Macronix Int Co Ltd Method and structure for sensing the polarity of ferro-electric capacitor in the ferro-electric memory
KR100382546B1 (ko) 2000-12-04 2003-05-09 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 메모리 장치 및 그를 이용한 불량셀검출방법
JP3856424B2 (ja) * 2000-12-25 2006-12-13 株式会社東芝 半導体記憶装置
NO20015735D0 (no) * 2001-11-23 2001-11-23 Thin Film Electronics Asa Barrierelag
KR100460767B1 (ko) * 2001-12-20 2004-12-09 주식회사 하이닉스반도체 강유전체 메모리 소자의 기준전압 발생장치
JP4387407B2 (ja) * 2004-06-08 2009-12-16 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置の検査方法
KR100735748B1 (ko) 2005-11-09 2007-07-06 삼성전자주식회사 가변성 저항체들을 데이터 저장요소들로 채택하는 메모리셀들을 갖는 반도체 소자들, 이를 채택하는 시스템들 및 그구동방법들
KR100735750B1 (ko) * 2005-12-15 2007-07-06 삼성전자주식회사 복수개의 균일한 기준 데이터들을 생성하는 기준 셀 블록및 감지증폭 유니트들을 구비하는 반도체 소자들 및 이를채택하는 시스템들
CN101271728B (zh) * 2008-04-22 2011-05-11 清华大学 一种抑制小信号干扰的铁电存储器存储阵列结构
CN103558475B (zh) * 2013-11-08 2016-05-18 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种用于检测铁电陶瓷储能特性的方法
US10403347B2 (en) * 2018-01-29 2019-09-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for accessing ferroelectric memory including providing reference voltage level

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4873664A (en) * 1987-02-12 1989-10-10 Ramtron Corporation Self restoring ferroelectric memory
DE3887924T3 (de) * 1987-06-02 1999-08-12 Nat Semiconductor Corp Nichtflüchtige Speicheranordnung mit einem kapazitiven ferroelektrischen Speicherelement.
US4893272A (en) * 1988-04-22 1990-01-09 Ramtron Corporation Ferroelectric retention method
US4888733A (en) * 1988-09-12 1989-12-19 Ramtron Corporation Non-volatile memory cell and sensing method
US5086412A (en) * 1990-11-21 1992-02-04 National Semiconductor Corporation Sense amplifier and method for ferroelectric memory
US5031143A (en) * 1990-11-21 1991-07-09 National Semiconductor Corporation Preamplifier for ferroelectric memory device sense amplifier
US5218566A (en) * 1991-08-15 1993-06-08 National Semiconductor Corporation Dynamic adjusting reference voltage for ferroelectric circuits
US5237533A (en) * 1991-12-20 1993-08-17 National Semiconductor Corporation High speed switched sense amplifier

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100340066B1 (ko) * 1999-06-28 2002-06-12 박종섭 강유전체 커패시터의 히스테리시스 특성을 측정할 수 있는 강유전체 메모리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0615247A2 (en) 1994-09-14
JPH0845268A (ja) 1996-02-16
TW240312B (ko) 1995-02-11
EP0615247A3 (en) 1994-10-26
CN1037637C (zh) 1998-03-04
CN1101747A (zh) 1995-04-19
US5432731A (en) 1995-07-11

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