KR940020178A - 감광성 수지 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 2몰 이하의 1가 포화 알콜을 1몰의 테트라카복실산 이무수물에 가하여 형성된 이의 유도체 또는 테트라 카복실산 이무수물 A몰, 디아민 B몰 및 하기 일반식(1)의 아미노실리콘 화합물 C몰을 하기 식(2) 및 (3)의 관계가 성립되도록 사용하여 수득한 실리콘 함유 폴리이미드 전구체(a), 전구체(a)를 1가 포화 알콜로 에스테르화하여 수득한 실리콘함유 폴리암산 에스테르(b) 및 전구체(a)를 1가 포화 알콜로 부분 에스테르화 하여 수득한 부분 에스테르화 실리콘 함유 폴리암산 에스테르(c)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 폴리이미드 전구체와 광 조사에 의해 산을 생성하는 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
상기식에서, R1은 -(CH2)s-,-(CH2)5
(여기서, s는 1내지 4의 정수이다)이고, R2는 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 페닐 그룹 또는 탄소수 7 내지 12의 알킬 그룹에 의해 치환된 페닐 그룹이며, X는 가수분해성 알콕시 그룹이고, k는 1 내지 3이다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 명세서에 기술된 방법에 의해 용이하게 제조할 수 있고, 네가티브형의 선명한 릴리프 패턴(relief pattern)을 조성물 위에 형성할 수 있다. 또한, 소성에 의한 경화시 필름의 감소가 적어지고 기판에 대한 필름의 밀착성이 우수하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (11)
- 2몰 이하의 1가 포화 알콜을 1몰의 테트라카복실산 이무수물에 가하여 형성된 이의 유도체 또는 테트라카복실산 이무수물 A몰, 디아민 B몰 및 하기 일반식(1)의 아미노실리콘 화합물 C몰을 하기 식(2) 및 (3)의 관계가 성립되도록 사용하여 수득된 실리콘 함유 폴리이미드 전구체(a), 전구체(a)를 1가 포화알콜로 에스테르화하여 수득한 실리콘 함유 폴리암산 에스테르(b) 및 전구체(a)를 1가 포화 알콜로 부분 에스테르화하여 수득한 부분 에스테르화 실리콘 함유 폴리암산 에스테르(c)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 폴리이미드 전구체와 광 조사에 의해 산을 생성하는 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물.상기식에서, R1은 -(CH2)s-.-(CH2)s-(여기서, s는 1 내지 4의 정수이다)이고, R2는 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 페닐 그룹 또는 탄소수 7 내지 12의 알킬 그룹에 의해 치환된 페닐 그룹이며, X는 가수분해성 알콕시 그룹이고, k는 1 내지 3이다.
- 제1항에 있어서, 실리콘 함유 폴라이미드 전구체(a)가 실리콘 함유 폴리암산의 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 실리콘 함유 폴리이미드 전구체(a)가 폴리암산 에스테르인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 폴리이미드 전구체가 실리콘 함유 폴리암산 에스테르(b)인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 실리콘 함유 폴리이미드 전구체(a)가 부분 에스테르화 폴리암산 에스테르인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 폴리이미드 전구체가 부분 에스테르화 실리콘 함유 폴리암산 에스테르(c)인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 부분 에스테르화 실리콘 함유 폴리암산 에스테르(c)가 부분적으로 40% 미만으로 이미드된 부분 에스테르화 실리콘 함유 폴리암산 에스테르(c)인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 1가 포화 알콜이 탄소수 1 내지 7의 1가 포화 알콜인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 일반식(Ⅰ)의 아미노실리콘 화합물 중의 X가 탄소수 1 내지 4의 알콕시 그룹이고 R1이 페닐렌 그룹 또는 트리메틸렌 그룹인 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 테트라카복실산 이무수물이 하기 일반식(4)로 표시되며, 디아민은 하기 일반식(5)로 표시되고, 폴리이미드 전구체의 주쇄가 하기 일반식(6),(7),(8),(9),(10) 및 (11)의 구성 단위를 각각 e몰, f몰, n몰, m몰, h몰 및 ⅰ몰(여기서, e,f,n,m,h 및 ⅰ는 각각 0 또는 양의 정수이고, 하기 식(12)에 부합된다)로 포함하는 감광성 수지 조성물.상기식에서, R3은 각각 독립적으로 4가 카보사이클릭 방향족 그룹, 헤테로 사이클릭 그룹, 지환족 그룹 또는 지방족 그룹이고, R5는 각각 독립적으로 탄소수 2 이상의 2가 지방족 그룹, 지환족 그룹, 방향지방족 그룹, 카보사이클릭 방향족 그룹, 헤테로사이클릭 그룹 또는 폴리실옥산 그룹이며, R6은 탄소수 1 내지 7의 알킬 그룹이다.
- 제1항에 있어서, 광 조사에 의해 산을 생성하는 화합물의 양이 폴리이미드 전구체 100중량부를 기준으로 하여 0.5 내지 15중량부인 감광성 수지 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
KR100360709B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2003-01-24 | 제일모직주식회사 | 실록산폴리이미드전구체조성물및그제조방법 |
KR100366260B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2003-03-04 | 제일모직주식회사 | 절연보호막용 폴리이미드 조성물의 제조방법 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6342333B1 (en) * | 1999-09-23 | 2002-01-29 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, L.L.C. | Photosensitive resin composition, patterning method, and electronic components |
KR100548625B1 (ko) * | 2003-03-24 | 2006-01-31 | 주식회사 엘지화학 | 고내열성 투명 폴리이미드 전구체 및 이를 이용한 감광성수지 조성물 |
WO2008029816A1 (fr) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Nec Corporation | Composition de résine photosensible, procédé de contrôle d'indice de réfraction, et guide d'ondes optique et composant optique l'utilisant |
TWI370833B (en) * | 2006-12-29 | 2012-08-21 | Ind Tech Res Inst | Composition with high transparency, high thermal-resistant, and low coefficient of thermal expansion, and flexible transparent film and optoelectronic device employing the same |
FR2935977B1 (fr) * | 2008-09-15 | 2010-12-17 | Centre Nat Rech Scient | Procede d'hydrolyse-polycondensation photochimique de chromophores reticulables a encombrement sterique, catalyse par un acide photogenere et ses applications. |
US20230275057A1 (en) * | 2020-09-10 | 2023-08-31 | Mitsui Chemicals, Inc. | Composition, multilayer body and method for producing multilayer body |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61108627A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-27 | Chisso Corp | 可溶性ポリイミドシロキサン前駆体及びその製造方法 |
JPH0617474B2 (ja) * | 1985-05-31 | 1994-03-09 | チッソ株式会社 | 高接着性シリコン含有ポリアミド酸の製造法 |
JPH0768347B2 (ja) * | 1985-09-25 | 1995-07-26 | 株式会社日立製作所 | 有機ケイ素末端ポリイミド前駆体とポリイミドの製造方法 |
JPS62266537A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | マイクロカプセル及びそれを使用した感光性記録材料 |
JPS6416831A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-20 | Chisso Corp | Solution of heat-resistant photosensitive material |
JPH0749482B2 (ja) * | 1988-02-26 | 1995-05-31 | チッソ株式会社 | 低吸湿性かつ高接着性のシリコン含有ポリイミド及びその前駆体の製造方法 |
EP0378156A3 (en) * | 1989-01-09 | 1992-02-26 | Nitto Denko Corporation | Positively photosensitive polyimide composition |
JP3015430B2 (ja) * | 1990-09-10 | 2000-03-06 | 株式会社東芝 | 感光性組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
JP2890213B2 (ja) * | 1991-02-25 | 1999-05-10 | チッソ株式会社 | 感光性重合体組成物及びパターンの形成方法 |
US5302489A (en) * | 1991-10-29 | 1994-04-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive photoresist compositions containing base polymer which is substantially insoluble at pH between 7 and 10, quinonediazide acid generator and silanol solubility enhancer |
JP2674415B2 (ja) * | 1992-01-27 | 1997-11-12 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物及び電子部品用保護膜 |
JPH06308730A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Chisso Corp | 感光性ポリイミド前駆体組成物 |
JP3306843B2 (ja) * | 1996-02-05 | 2002-07-24 | 日本電信電話株式会社 | マイクロセルを用いた移動通信方法 |
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-
1996
- 1996-11-26 US US08/756,440 patent/US6664021B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100366260B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2003-03-04 | 제일모직주식회사 | 절연보호막용 폴리이미드 조성물의 제조방법 |
KR100360709B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2003-01-24 | 제일모직주식회사 | 실록산폴리이미드전구체조성물및그제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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