KR940016469A - 반도체 제조를 위한 용융 석영 확산 튜브 - Google Patents
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Abstract
반도체에 유용한 실리콘의 제조에 사용되는 용융 석영 확산 튜브는 그의 표면상에 스칸듐, 이트륨, 베릴륨, 희토류 금속 및 이들의 혼합물로 필수적으로 이루어진 금속 중에서 선택된 금속의 금속 실리케이트 피막에 의해 나트륨 확산에 대한 개선된 저항성을 갖는다. 상기 금속 실리케이트 피막은 상기 튜브의 내면 또는 외면, 또는 외면과 내면 모두에 존재할 수 있지만, 대부분의 용도에서는 실리콘이 상기 피막의 금속으로 잠재적으로 오염되는 것을 방지하기 위해서 외면에만 존재할 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (8)
- 내면 및 외면중 적어도 하나가 스칸듐, 이트륨, 베릴륨, 희토류 금속 및 이들의 혼합물로 필수적으로 이루어진 그룹중에서 선택된 금속의 금속 실리케이트 피막으로 피복된, 반도체 소자의 제조에 유용한 용융 석영 확산 튜브.
- 제 1 항에 있어서, 상기 피막이 상기 튜브의 외면에 존재하는 용융 석영 확산 튜브.
- 제 2 항에 있어서, 상기 피막이 상기 튜브의 상기 외면에만 존재하는 용융 석영 확산 튜브.
- 제 2 항에 있어서, 상기 피막이 스칸듐, 이트륨 및 이들의 혼합물로 필수적으로 이루어진 그룹중에서 선택된 금속의 실리케이트인 용융 석영 확산 튜브.
- 반도체 등급의 실리콘을 용융 석영 확산 튜브에 넣고, 상기 튜브의 양끝을 밀폐시키고, 상기 실리콘을 처리하기 위해서 기상 대기를 상기 튜브내로 도입시키고, 상기 실리콘 및 대기-함유 확산 튜브를 상기 실리콘에 대해 목적하는 공정을 수행하기에 충분한 온도로 가열함을 포함하는, 용융 석영 확산 튜브내에서 상기 실리콘을 처리하는 방법에 있어서, 상기 확산 튜브가 적어도 하나의 그의 내면 또는 외면, 또는 내면과 외면 모두에 스칸듐, 이트륨, 베릴륨, 희토류 금속 및 이들의 혼합물로 필수적으로 이루어진 그룹중에서 선택된 금속의 금속 실리케이트 피막을 갖는 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 피막이 상기 튜브의 외면에 존재하는 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 피막이 상기 튜브의 상기 외면에만 존재하는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 피막이 스칸듐, 이트륨 및 이들의 혼합물로 필수적으로 이루어진 그룹중에서 선택된 금속의 실리케이트인 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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