KR940012599A - 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
접지선에 연결된 제1도전형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상부에 형성되고, 전원선에 연결된 제2도전형 불순물 영역; 상기 제2도전형 불순물 영역의 상부의 일부분에 형성되고 접지선에 연결된 제1도전형 불순물 영역; 상기 제1도전형 불순물 영역에 형성되고, 입출력 신호부에 연결된 제2도전형 제1불순물 영역으로 고성된 정전기 손상 보호 소자가 개시되어 있다. 셀 메모리의 데이터를 손실시키는 종래 기술의 전자 경로가 형성되지 않게 되어 셀 메모리 데이터에 영향이 없게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 P형 반도체 기판을 사용한 본 발명의 반도체 장치의 일예를 나타내고;
제4도는 상기 제3도에 나타낸 본 발명의 반도체 장치의 등가회로도이다.
Claims (5)
- 접지선에 연결된 제1도전형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상부에 형성되고, 전원선에 연결된 제2도전형 불순물 영역; 상기 제2도전형 불순물 영역의 상부의 일부분에 형성되고 접지선에 연결된 제1도전형 불순물 영역; 및 상기 제1도전형 불순물 영역에 형성되고, 입출력 신호선에 연결된 제2도전형 제1불순물 영역을 포함하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 P형이고, 상기 제2도전형은 N형임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 전원선에 연결된 제1도전형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상부에 형성되고, 접지선에 연결된 제2도전형 불순물 영역; 상기 제2도전형 불순물 영역의 상부의 일부분에 형성되고 상기 전원선에 연결된 제1도전형 불순물 영역; 및 상기 제1도전형 불순물 영역에 형성되고, 입출력 신호선에 연결된 제2도전형 제1불순물 영역을 포함하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고, 상기 제2도전형은 P형임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 접지선에 연결된 제1도전형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상부에 형성되고, 전원선에 연결된 제2도전형 불순물 영역; 상기 제2도전형 불순물 영역의 상부에 일부분에 형성되고 접지선에 연결된 제1도전형 불순물 영역; 상기 제1도전형 불순물 영역에 형성되고, 입출력 신호선에 연결된 제2도전형 제1불순물 영역; 및 상기 제2도전형 제1불순물 영역과 격리되어 있고, 상기 제1도전형 불순물 영역의 단자가 함께 접지선에 연결된 제2도전형 제2불순물 영역을 포함하는 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920021652A KR950008245B1 (ko) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920021652A KR950008245B1 (ko) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 반도체 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR940012599A true KR940012599A (ko) | 1994-06-23 |
KR950008245B1 KR950008245B1 (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=19343340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019920021652A KR950008245B1 (ko) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 반도체 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950008245B1 (ko) |
-
1992
- 1992-11-18 KR KR1019920021652A patent/KR950008245B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR950008245B1 (ko) | 1995-07-26 |
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