KR940010403A - 광전변환 시스템 - Google Patents

광전변환 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR940010403A
KR940010403A KR1019930021566A KR930021566A KR940010403A KR 940010403 A KR940010403 A KR 940010403A KR 1019930021566 A KR1019930021566 A KR 1019930021566A KR 930021566 A KR930021566 A KR 930021566A KR 940010403 A KR940010403 A KR 940010403A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor layer
gate electrode
voltage
photoelectric conversion
photosensor
Prior art date
Application number
KR1019930021566A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970007134B1 (ko
Inventor
히로야스 야마다
Original Assignee
가시오 가즈오
가시오게이상기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가시오 가즈오, 가시오게이상기 가부시끼가이샤 filed Critical 가시오 가즈오
Publication of KR940010403A publication Critical patent/KR940010403A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970007134B1 publication Critical patent/KR970007134B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
    • H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
    • H01L31/1136—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

본 발명은 포토센서 자체에 광전변환기능과 판독용 선택기능을 갖게 할 수 있는 광전변환 시스템을 제공하기 위한 것으로, 절연기판(2)상에 형성된 포토센서(1)는 광전변환용 반도체층(5)의 상면측에 배치된 투명한 상부게이트전극(10) 및 반도체층(5)의 하면측에 배치된 하부게이트전극(3)을 갖는다. 하부게이트전극(3)에 하부게이트전압 VBG=+20V를, 또한 상부게이트전극(10)에 상부게이트전압 VTG=-20V를 인가한 상태에서 상부게이트전극(17)측으로부터 빛을 조사하면 반도체층(5)에 전자-정공이 발생되고, 상부게이트전압 VTG= -20V의 영향에 의해 정공만이 반도체층(5)에 유지된다. 이로 인해 반도체층(5)에 n채널이 형성되어 드레인전류(IDS)를 얻을수 있다. 이 드레인전류(IDS)는 하부게이트전압 VBG=0V일 때는 광조사를 해도 발생하지 않는 것이 확인되었다.
따라서 하부게이트전압(VBG)에 의해 포토센서(1)의 선택 및 비선택을 제어하는 것이 가능하다.

Description

광전변환 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관련되는 포토센서 시스템의 일실시예에 적용되는 포토센서의 확대단면도,
제2도는 제1도에 도시된 포토센서의 등가회로,
제3도는 제1도에 도시된 포토센서의 각 전극에 인가하는 전압과 그 상태변화를 설명하기 위한 도면.

Claims (14)

  1. 광전변환기능을 갖는 반도체층(5)과, 상기 반도체층(5)상에 상호 사이를 두고 배치된 소스전극(6) 및 드레인전극(7)과, 상기 반도체층(5)의 일면측 및 타면측에 배치되고 또 적어도 한쪽은 투광성재료로 형성된 제1게이트전극(17) 및 제2게이트전극(3)으로 구성되는 포토센서와; 상기 제1 및 제2게이트전극(10,3)의 어느 한쪽에 전압(Øtg)을 인가하고, 조사광에 의해 상기 반도체층(5)에 발생하는 전하를 유지하는 상태와 유지하지 않는 상태를 제어하기 위한 센스상태 제어수단과; 상기 제1 및 제2게이트전극(10,3)의 다른쪽에 전압을 인가하여 조사광에 의해 상기 반도체층(5)에 발생한 전하를 상기 드레인전극(7)에서 판독하는 선택상태와 판독하지 않는 비선택상태를 제어하기 위한 선택제어수단;을 구비하는 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체층(5)과 상기 소스전극(6) 및 상기 반도체층(5)과 상기 드레인전극(7) 사이에는 n형 불순물이 고농도로 도프된 반도체층(11,12)이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 센스상태 제어수단에 의해 상기 게이트 전극(10,3)에 인가되는 전압이 마이너스일때 상기 반도체층에 발생하는 전하를 유지하는 상태가 되는 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 센스상태 제어수단에 의해 상기 게이트 전극(10,3)에 인가되는 전압이 0또는 플러스일 때 상기 반도체층(5)에 축적된 전하를 상기 반도체층(5)에서 방출하는 리셋상태가 되는 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 선택제어수단에 의해 상기 게이트전극(10,3)에 인가되는 전압이 플러스일 때 상기 반도체층(5)에 발생한 전하를 상기 드레인전극(7)에서 판독하는 선택상태가 되는 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
  6. 적어도 하나의 구동선(21)과; 복수의 신호선(22)과: 각각이 상기 복수의 신호선(22) 각각에 대응하여 배치되어 있고, 각각이 다음을 포함하는 포토센서(1)와; 광전변환기능을 갖는 반도체층(5)과, 상기 반도체층(5)상에 상호 사이를 두고 배치되고 또 어느 한쪽은 상기 신호선(22)의 어느 1개에 접속된 소스전극(5) 및 드레인전극(7)과, 상기 반도체층(5)의 일면측에 배치된 투명한 제1게이트전극(10) 및 상기 반도체층(5)의 타면측에 배치되고도 상기 구동선(21)에 접속된 제2게이트전극(3)과; 상기 제1게이트전극(10)에 전압을 인가하여 조사광에 의해 상기 반도체층(5)에 발생하는 전하를 유지하는 상태와 유지하지 않는 상태를 제어하기 위한 센스상태 제어수단과; 상기 제2게이트전극(3)에 전압을 인가하여 조사광에 의해 상기 반도체층(5)에 발생한 전하를 상기 드레인전극(7)에서 판독하는 선택상태와 판독하지 않는 비선택상태를 제어하기 위한 선택제어수단;은 구비하는 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 시스템은 상기 각 신호선(22)이 접속된 컬럼스위치(24)를 포함하는 것을 특징으로하는 광전변환 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 컬럼스위치(24)는 상기 각 신호선(22)에 드레인전압(Ød)을 공급하기 위한 드레인전압공급수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 드레인전압공급수단은 드레인전압 입력측에 설치된 스위칭소자(31)를 갖는 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
  10. 제6항에 있어서, 상기 시스템은 상기 복수의 신호선(22)에 직교하는 방향으로 연장된 복수의 구동선(21)을 포함하고, 상기 포토센서(1)는 상기 신호선(22)과 상기 구동선(21)의 각 교점 부근마다 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
  11. 광전변환 시스템을 갖는 반도체층(5)과, 상기 반도체층(5)상에 상호 사이를 두고 배치된 소스전극(6) 및 드레인전극(7)과, 상기 반도체층(5)의 일면측에 배치된 투명한 제1게이트전극(TG) 및 상기 반도체층(5)의 타면측에 배치된 제2게이트전극(BG)을 갖는 포토센서(1)를 제공하는 준비단계와; 상기 제2게이트전극(BG)에 전압을 인가하여 상기 포토센서(1)를 선택상태로 제어하는 선택단계와; 상기 제1게이트전극(TG)에 전압을 인가하여 상기 포토센서(1)의 상기 반도체층(5)을 센스상태로 제어하는 센스제어단계와; 상기 제1게이트전극(TG)측에서 빛을 조사하는 광조사단계와; 상기 제1게이트전극(TG)에 인가되어 있는 전압을 감소하여 상기 포토센서(1)에 조사된 광량에 대응한 드레인전류(IDS)를 발생하는 판독 단계와; 상기 드레인전류(IDS)를 검출하는 검출단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 선택단계에 있어서 상기 제2게이트 전극(BG)에 인가되는 전압(VBG)과 상기 센스제어단계에 있어서 상기 제1게이트전극(TG)에 인가되는 전압(VTG)과는 극성이 반대인 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
  13. 적어도 하개의 구동선(21)과, 복수의 신호선(22) 및 각각이 상기 복수의 신호선(22) 각각에 대응하여 배치되어 있고 각각이 광전변환 기능을 갖는 반도체층(5)과, 상기 반도체층(5)상에 상호 사이를 두고 배치되고 또 어느 한쪽은 상기 신호선(22)의 어느 1개에 접속된 소스전극(S) 및 드레인 전극(D)과, 상기 반도체층(5)의 일면측에 배치된 투명한 제1게이트전극(TG) 및 상기 반도체층(5)의 타면측에 배치되고 또 상기 구동선(21)에 접속된 제2게이트전극(BG)으로 구성되는 포토센서(1)를 갖는 포토센서배열(20,30)를 제공하는 준비단계와; 상기 각 신호선(22)에 드레인전압(Ød)을 공급하여 상기 각 신호선(22)을 전전하하는 단계와; 상기 제2게이트전극(BG)에 전압을 인가하여 상기 포토센서(1)를 선택상태로 제어하는 선택단계와; 상기 구동선(21)을 개재하여 상기 제1게이트전극(TG)에 전압을 인가하여 상기 포토센서(1)의 상기 반도체층(5)을 센스상태로 제어하는 센스 제어단계와; 상기 제1게이트전극(TG)측에서 빛을 조사하는 광조사단계와; 상기 포토센서(1)에 조사된 광량에 대응한 전하를 상기 반도체층(5)에 발생시켜 드레인전류(IDS)를 발생하는 판독단계와; 상기 드레인전류(IDS)의 발생에 의해 감소한 상기 신호선(22)의 전압을 검출하는 검출단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
  14. 제13항에 있어서, 상기 시스템은 검출단계후 제1게이트전극(TG)에 인가되어 있는 전압을 감소하여 광조사에 의해 반도체층(5)에 축적된 전하를 포토센서(1)에서 방출하는 리셋단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930021566A 1992-10-16 1993-10-16 광전변환 시스템 KR970007134B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-304587 1992-10-16
JP4304587A JP3019632B2 (ja) 1992-10-16 1992-10-16 フォトセンサシステム及びその駆動方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940010403A true KR940010403A (ko) 1994-05-26
KR970007134B1 KR970007134B1 (ko) 1997-05-02

Family

ID=17934795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930021566A KR970007134B1 (ko) 1992-10-16 1993-10-16 광전변환 시스템

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5463420A (ko)
JP (1) JP3019632B2 (ko)
KR (1) KR970007134B1 (ko)
NL (1) NL194314C (ko)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3019632B2 (ja) * 1992-10-16 2000-03-13 カシオ計算機株式会社 フォトセンサシステム及びその駆動方法
US6021172A (en) * 1994-01-28 2000-02-01 California Institute Of Technology Active pixel sensor having intra-pixel charge transfer with analog-to-digital converter
JP3089971B2 (ja) * 1995-01-20 2000-09-18 カシオ計算機株式会社 光電変換素子の駆動方法
JP3416351B2 (ja) * 1995-09-28 2003-06-16 キヤノン株式会社 光電変換装置及びその駆動方法、それを用いたｘ線撮像装置及びその駆動方法
US6310683B1 (en) 1997-08-05 2001-10-30 Casio Computer Co., Ltd. Apparatus for reading fingerprint
EP1040650B1 (en) * 1997-12-18 2001-07-04 Simage Oy Device for imaging radiation
US6020581A (en) * 1998-02-24 2000-02-01 International Business Machines Corporation Solid state CMOS imager using silicon-on-insulator or bulk silicon
JP2000131444A (ja) * 1998-10-28 2000-05-12 Canon Inc 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法
KR100382975B1 (ko) 1999-04-09 2003-05-09 가시오게산키 가부시키가이샤 광센서 시스템에 대한 구동 제어 방법
EA003343B1 (ru) * 1999-08-02 2003-04-24 Касио Компьютер Ко., Лтд. Фотодатчик и система фотодатчиков
US6888571B1 (en) 1999-09-27 2005-05-03 Casio Computer Co., Ltd. Photosensor system and drive control method thereof
AU756561B2 (en) 1999-11-08 2003-01-16 Casio Computer Co., Ltd. Photosensor system and drive control method thereof
US6867811B2 (en) * 1999-11-08 2005-03-15 Casio Computer Co., Ltd. Photosensor system and drive control method thereof
JP3455761B2 (ja) 1999-11-10 2003-10-14 カシオ計算機株式会社 フォトセンサシステムの感度調整装置及びその感度調整方法
US6566685B2 (en) * 2000-04-12 2003-05-20 Casio Computer Co., Ltd. Double gate photo sensor array
ATE506807T1 (de) * 2001-06-18 2011-05-15 Casio Computer Co Ltd Photosensorsystem und ansteuerungsverfahren dafür
US6765187B2 (en) * 2001-06-27 2004-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Imaging apparatus
JP4154874B2 (ja) * 2001-07-30 2008-09-24 カシオ計算機株式会社 指紋読取装置および指紋読取方法
JP4019250B2 (ja) * 2001-11-14 2007-12-12 カシオ計算機株式会社 フォトセンサシステム及びフォトセンサシステムにおけるフォトセンサの駆動制御方法
JP2003332560A (ja) * 2002-05-13 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びマイクロプロセッサ
JP4342774B2 (ja) 2002-07-10 2009-10-14 シャープ株式会社 光電変換量検出方法および光電変換装置、画像入力方法および画像入力装置、２次元イメージセンサおよび２次元イメージセンサの駆動方法
JP4373063B2 (ja) 2002-09-02 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路装置
JP4094386B2 (ja) * 2002-09-02 2008-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路装置
AU2003290429A1 (en) * 2002-12-25 2004-07-22 Casio Computer Co., Ltd. Optical dna sensor, dna reading apparatus, identification method of dna and manufacturing method of optical dna sensor
JP4574118B2 (ja) * 2003-02-12 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
JP2007060070A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Casio Comput Co Ltd 画像読取装置及びその駆動制御方法
US20080070423A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Crowder Mark A Buried seed one-shot interlevel crystallization
US20090078940A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Sharp Laboratories Of America, Inc. Location-controlled crystal seeding
US20120074474A1 (en) * 2009-06-26 2012-03-29 Sharp Kabushiki Kaisha Phototransistor and display device including the same
WO2011089833A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9024367B2 (en) * 2012-02-24 2015-05-05 The Regents Of The University Of California Field-effect P-N junction
CN104576810B (zh) * 2014-08-12 2016-04-20 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 共面电极模拟光电探测器芯片及其制作方法
JP6814429B2 (ja) * 2015-08-10 2021-01-20 天馬微電子有限公司 光センサ素子及び光電変換装置
RU2617881C2 (ru) * 2015-10-22 2017-04-28 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Интегральная схема быстродействующего матричного приемника оптических излучений
CN109860328B (zh) * 2019-03-07 2020-11-24 昆山龙腾光电股份有限公司 光传感器及其制作方法和显示装置
US11830904B2 (en) * 2020-07-08 2023-11-28 Hannstouch Solution Incorporated Light sensing device having offset gate electrode and light sensing panel and light sensing display panel using the same
CN113421942B (zh) * 2021-05-13 2022-11-29 北京大学深圳研究生院 光电探测晶体管及其制造方法及相应的光电探测方法
CN113363343A (zh) * 2021-05-31 2021-09-07 Tcl华星光电技术有限公司 半导体器件和感光装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58120379A (ja) * 1982-01-11 1983-07-18 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
USRE34309E (en) * 1984-12-26 1993-07-13 Canon Kabushiki Kaisha Image sensor device having plural photoelectric converting elements
JPS62104074A (ja) * 1985-10-30 1987-05-14 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子
JPS62198155A (ja) * 1986-02-26 1987-09-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜イメ−ジセンサ
JPS62203365A (ja) * 1986-03-03 1987-09-08 Seiko Epson Corp 固体撮像装置
US4959723A (en) * 1987-11-06 1990-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup apparatus having multi-phase scanning pulse to read out accumulated signal
JP2817246B2 (ja) * 1989-08-25 1998-10-30 カシオ計算機株式会社 フォトセンサ
JP3019632B2 (ja) * 1992-10-16 2000-03-13 カシオ計算機株式会社 フォトセンサシステム及びその駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3019632B2 (ja) 2000-03-13
NL194314C (nl) 2001-12-04
NL194314B (nl) 2001-08-01
JPH06132560A (ja) 1994-05-13
KR970007134B1 (ko) 1997-05-02
NL9301775A (nl) 1994-05-16
US5463420A (en) 1995-10-31
US5583570A (en) 1996-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940010403A (ko) 광전변환 시스템
JPH0412631B2 (ko)
WO1996028806A2 (en) Electronic devices comprising an array
KR860002741A (ko) 광 센서
ES2125242T3 (es) Interruptor optico.
JPH11259638A (ja) 読取装置
DE60137091D1 (de) Displayansteuerungsmethode
KR20180053157A (ko) 빔 스티어링 소자 및 이를 적용한 시스템
US5591963A (en) Photoelectric conversion device with dual insulating layer
US4524391A (en) Two-dimensional solid-state image sensor device
US11383238B2 (en) Microfluidic apparatus, and method of detecting substance using microfluidic apparatus
JPS62145866A (ja) センサ装置、光導電型センサの駆動方法及び駆動装置
JP3804979B2 (ja) アレイを具える電子装置
US4789964A (en) Optoelectronic dynamic random access memory system
US5345094A (en) Light triggered triac device and method of driving the same
JPH06296036A (ja) フォトセンサ
JP3316702B2 (ja) 画像読取装置
US5043719A (en) Matrix circuit
GB1520965A (en) Opto-electronic sensors
KR100392860B1 (ko) 전자소자및전자소자를동작시키는방법
KR870700147A (ko) 비선형 및 쌍안정 광학장치
JPS6091666A (ja) １次元光電変換装置
JPH0378261A (ja) 光制御可能な半導体デバイス
JPH06216359A (ja) フォトセンサシステム
JPS57212878A (en) Solid-state image pickup device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130806

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term