JP2007060070A - 画像読取装置及びその駆動制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 画像読取装置は、複数のダブルゲート型フォトセンサDPSをマトリクス状に配列した透過型のフォトセンサアレイ110と、相互に隣接する行(i行目と(i+1)行目)に配列されたダブルゲート型フォトセンサDPS(i)のボトムゲート端子BGとダブルゲート型フォトセンサDPS(i+1)のトップゲート端子TGに接続され行方向に伸延するゲートラインGLと、各ゲートラインGLに接続されたゲートドライバ120と、を有している。
【選択図】 図1
Description
図7は、ダブルゲート型フォトセンサの素子構造を示す概略構成図である。ここで、図7(a)は、ダブルゲート型フォトセンサの構成例を示す概略断面図であり、図7(b)は、図7(a)に示したダブルゲート型フォトセンサの等価回路図である。
図8は、従来技術における画像読取装置(フォトセンサアレイ及びその周辺回路)の一例を示す概略構成図である。
ここで、フォトセンサアレイ110Pに配列された各ダブルゲート型フォトセンサPSのソース端子Sは、ソースライン(コモンライン)SLを介して、共通の低電位電圧(例えば、接地電位)Vssに接続されている。
図9は、従来技術における画像読取装置(フォトセンサアレイ)の駆動制御方法の一例を示すタイミングチャートである。
この電荷蓄積期間Taにおいては、例えば、透明な絶縁性基板SUBの背面側に設けられた光源から放射された光が、絶縁性基板SUB及びフォトセンサアレイ110Pの素子間領域(ブルゲート型フォトセンサPSが形成されていない領域)を透過して、フォトセンサアレイ110Pの上面に設けられた検知面DTCに密着して載置された被写体に照射され、当該被写体の画像パターン(明暗パターン)に応じて反射した光(反射光)が、図7に示したダブルゲート型フォトセンサPSを構成するトップゲート電極TGx、上部ゲート絶縁膜15及びブロック絶縁膜14を通過して半導体層11に入射する。
ここで、被写体の画像パターン(明暗パターン)に応じて、フォトセンサアレイ110Pに配列されたダブルゲート型フォトセンサPSの各々に入射する光量が異なることになるので、蓄積される電荷量も異なることになる。
(1)図7に示したように、ダブルゲート型フォトセンサPSは、単一の半導体層11に対して、上方及び下方にトップゲート電極TGx(制御端子)及びボトムゲート電極BGx(制御端子)が設けられた複数の制御端子を備える素子構造を有していることにより、図8に示したように、フォトセンサアレイ110Pの各行ごとに、トップゲートラインTL及びボトムゲートラインBLからなる2本一組(一対)のゲートラインを配設する必要があり、行方向に配設されるゲートライン数が多く装置構造が複雑であるため、製造歩留まりの低下や、フォトセンサアレイを透過する光量(すなわち、絶縁性基板及びフォトセンサアレイからなるセンサパネルの光透過率)の低下に起因して、被写体の読取画像が不鮮明になるという問題を有しいていた。
まず、本発明に係る画像読取装置の全体構成(フォトセンサアレイ及びその周辺回路)について説明する。
図1は、本発明に係る画像読取装置(フォトセンサアレイ及びその周辺回路)の一実施形態を示す概略構成図である。ここで、上述した従来技術(図8参照)と同等の構成については、同一又は同等の符号を付して説明する。
図2は、本実施形態に係る画像読取装置に適用可能なダブルゲート型フォトセンサの素子構造を示す概略構成図である。ここで、図2(a)は、隣接するダブルゲート型フォトセンサ相互の接続関係を示す平面図(上面図)であり、図2(b)、(c)は、図2(a)に示した素子構造の断面図である。なお、図2(a)、(b)においては、説明の都合上、1行目(i=1)と2行目(i=2)のダブルゲート型フォトセンサのみを示し、図2(a)においては、電極や配線間に形成される絶縁膜を省略して示した。また、従来技術に示したダブルゲート型フォトセンサ(図7参照)と同等の素子構造については、同一又は同等の符号を付して説明する。
すなわち、図2(c)に示すように、各ダブルゲート型フォトセンサDPSは、概略、励起光(可視光)の入射により電子−正孔対が生成されるアモルファスシリコン等の半導体層(チャネル領域)11と、該半導体層11の両端に、各々n+シリコンからなる不純物層(オーミックコンタクト層)17、18を介して形成され、クロム、クロム合金、アルミニウム、アルミニウム合金等から選択された導電性材料からなり、可視光に対して不透明なドレイン電極12(ドレイン端子D)及びソース電極13(ソース端子S)と、半導体層11の上方(図面上方)にブロック絶縁膜(ストッパ膜)14及び上部ゲート絶縁膜15を介して形成され、酸化スズ膜やITO膜(インジウム−スズ酸化膜)等の透明電極層からなり、可視光に対して透明なトップゲート電極TGx(第2のゲート電極;トップゲート端子TG)と、半導体層11の下方(図面下方)に下部ゲート絶縁膜16を介して形成され、クロム、クロム合金、アルミニウム、アルミニウム合金等から選択された導電性材料からなり、可視光に対して不透明なボトムゲート電極BGx(第1のゲート電極;ボトムゲート端子BG)と、を有して構成されている。
ゲートドライバ120は、例えば、図3に示すように、概略、図示を省略したシステムコントローラ等からゲート制御信号として供給されるスタート信号、基準クロック信号、出力イネーブル信号等に基づいて、スタート信号を基準クロック信号に基づくタイミングで順次次段へシフトしつつ、出力イネーブル信号等に基づくタイミングで、各行のゲートラインGL(i)(GL(1)、GL(2)、・・・GL(n))及びGL(n+1)に対応するシフト信号SG(i)(SG1、SG2、・・・SGn)及びSG(n+1)として出力するシフトレジスタ回路部121と、該シフトレジスタ回路部121から順次出力されるシフト信号SG(i)及びSG(n+1)を、所定の信号レベルに増幅して読み出し/リセットパルス(単一の制御信号)φG(i)及びφG(n+1)として、各ゲートラインGL(i)及びGL(n+1)に出力する出力バッファ部122と、を有して構成されている。
また、読み出し/リセットパルスφG(n+1)は、n行目のダブルゲート型フォトセンサDPS(n)に対して、詠み出しパルスとしての機能のみを有するパルス信号として、ゲートラインGL(n+1)に印加される。
ドレインドライバ140は、例えば、図4に示すように、概略、図示を省略したシステムコントローラ等からドレイン制御信号として供給されるスタート信号、基準クロック信号、出力イネーブル信号等に基づいて、スタート信号を基準クロック信号に基づくタイミングで順次次段へシフトしつつ、出力イネーブル信号等に基づくタイミングで各ドレインラインDLに対応するシフト信号SD1、SD2、・・・SDmとして出力するシフトレジスタ回路部141と、ドレイン制御信号として供給されるプリチャージ信号φpgに基づくタイミング(後述するプリチャージ期間)で、各ドレインラインDLに所定のプリチャージパルス(プリチャージ電圧Vpg)を一斉に印加するプリチャージ回路部145と、ドレイン制御信号として供給されるサンプリング信号に基づくタイミング(後述する読み出し期間)で、各ドレインラインDLを介して各ダブルゲート型フォトセンサDPSに蓄積されたキャリヤに対応するドレインライン電圧VD(データ電圧Vrd)を並列的に読み出して保持するサンプリング回路部144と、上記サンプリング回路部144により読み出された(保持された)ドレインライン電圧VDを所定の信号レベルに増幅するソースフォロワ回路部143と、上記シフトレジスタ回路部141から順次出力されるシフト信号SD1、SD2、・・・SDmに基づくタイミングで、ソースフォロワ回路部143から出力されるデータ電圧を時系列的に取り出してシリアル信号に変換し、読取データ信号Vdataとして出力するパラレル−シリアル変換回路部142と、を有して構成されている。
図5は、本実施形態に係る画像読取装置(フォトセンサアレイ)における隣接する行間での駆動制御方法の一例を示すタイミングチャートであり、図6は、本実施形態に係る画像読取装置(フォトセンサアレイ)における先頭行及び最終行での駆動制御方法の一例を示すタイミングチャートである。ここでは、上述したフォトセンサアレイ(図1)及びダブルゲート型フォトセンサ(図2)の構成を適宜参照しながら説明する。また、従来技術に示した駆動制御方法(図9参照)と同等の動作期間及びパルス信号については、同一又は同等の符号を付して説明する。なお、以下に示す一連の画像読取装置の駆動制御動作は、例えば、図示を省略したシステムコントローラ等により制御される。
各行のダブルゲート型フォトセンサDPSにおける駆動制御方法は、図5に示すように、従来技術に示した駆動制御方法と同様に、所定の処理動作期間(1処理サイクル)に、リセット期間Trst、電荷蓄積期間Ta、プリチャージ期間Tprch及び読み出し期間Treadを設定することにより実現される。
ここで、被写体の画像パターン(明暗パターン)に応じて、フォトセンサアレイ110に配列された各ダブルゲート型フォトセンサDPSに入射する光量が異なるので、各ダブルゲート型フォトセンサDPSに蓄積される電荷量も異なることになる。
120 ゲートドライバ
140 ドレインドライバ
SUB 絶縁性基板
DPS、DPS(i) ダブルゲート型フォトセンサ
TGx、TG(i) トップゲート電極
BGx、BG(i) ボトムゲート電極
GL、GL(i) ゲートライン
HL コンタクトホール
Claims (6)
- 入射した光の量を検出する複数のフォトセンサが2次元配列されたセンサアレイを備えた画像読取装置において、
前記各フォトセンサは、複数の制御端子を有し、
前記センサアレイは、相互に隣接する行のうち、一方の行の前記各フォトセンサの前記複数の制御端子における第1の制御端子と他方の行の前記各フォトセンサの前記複数の制御端子における第2の制御端子に共通に接続された制御ラインが複数配設された構成を有していることを特徴とする画像読取装置。 - 前記フォトセンサは、半導体層の下方及び上方に各々、第1のゲート電極及び第2のゲート電極が配置されたダブルゲート型の薄膜トランジスタ構造を有し、前記第1のゲート電極が前記第1の制御端子に接続され、前記第2のゲート電極が前記第2の制御端子に接続されていることを特徴とする請求項1記載の画像読取装置。
- 前記画像読取装置は、
前記複数の制御ラインに接続され、前記隣接する行の前記フォトセンサに対して、前記各制御ラインを介して、単一の制御信号を一括して印加する動作を、各行ごとに順次実行する走査ドライバと、
前記センサアレイに配列された各列の前記フォトセンサごとに配設された複数の読み出しラインと、
前記複数の読み出しラインに接続され、前記各列の前記各フォトセンサにより検出された前記光の量に応じた電気信号を、前記複数の読み出しラインを介して、一斉に読み出す読み出しドライバと、
を、さらに備えたことを特徴とする請求項1又は2記載の画像読取装置。 - 前記画像読取装置は、前記センサアレイ上に被写体が載置される検知面を有し、
前記フォトセンサは、前記被写体に照射されて反射した光を検出することにより、前記被写体の画像パターンを読み取ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の画像読取装置。 - 複数の動作状態を経て、入射した光の量を検出する複数のフォトセンサが2次元配列されたセンサアレイを備え、該センサアレイ上に設けられた検知面に載置された被写体に照射されて反射した光を、前記フォトセンサにより検出することにより、前記被写体の画像パターンを読み取る画像読取装置の駆動制御方法において、
前記センサアレイに配列された相互に隣接する行に、単一の制御信号を印加して、一方の行の前記各フォトセンサを第1の動作状態に設定し、同時に、他方の行の前記フォトセンサを第2の動作状態に設定する動作を、前記各行ごとに順次実行することを特徴とする画像読取装置の駆動制御方法。 - 前記フォトセンサは、半導体層の下方及び上方に各々、第1のゲート電極及び第2のゲート電極が配置されたダブルゲート型の薄膜トランジスタ構造を有し、
前記一方の行の前記フォトセンサの前記第1のゲート電極に前記単一の制御信号を印加することにより、前記被写体に照射されて反射した前記光の量に応じた電気信号を、前記一方の行の前記フォトセンサから読み出す読み出し動作状態に設定し、
前記他方の行の前記フォトセンサの前記第2のゲート電極に前記単一の制御信号を印加することにより、前記他方の行の前記フォトセンサに蓄積された電荷を放出して初期化するリセット動作状態に設定することを特徴とする請求項5記載の画像読取装置の駆動制御方法。
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