JP4910289B2 - 画像読取装置 - Google Patents
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図14は、従来技術における静電気除去機構を備えた画像読取装置の一構成例を示す概略構成図である。なお、ここでは、指紋読取装置に適用される画像読取装置について示す。また、図示の都合上、素子構造の断面を示すハッチングを省略する。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2に記載の画像読取装置において、前記有機膜層は、概ね10μm以下の膜厚に設定されていることを特徴とする。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至4のいずれかに記載の画像読取装置において、前記透明導電層は、所定の電位に接続され、前記検知面に載置された前記被写体に帯電した静電気を、前記所定の電位に放電することを特徴とする。
まず、本発明に係る画像読取装置に適用して良好なフォトセンサについて説明する。
本発明に係る画像読取装置に適用可能なフォトセンサアレイ(フォトセンサシステム)としては、CCD(Charge Coupled Device)等の周知の固体撮像デバイスを良好に用いることができる。
ダブルゲート型フォトセンサやこれを適用したフォトセンサシステムの具体的な構成や動作は、概ね、以下に示す通りである。
図1は、本発明に係る画像読取装置に適用可能なダブルゲート型フォトセンサの素子構造を示す断面構造図である。
次いで、上述したダブルゲート型フォトセンサを絶縁性基板上に2次元配列して構成されるフォトセンサアレイを備えたフォトセンサシステムについて説明する。
図2は、ダブルゲート型フォトセンサを適用したフォトセンサシステムの概略構成図である。なお、ここでは、複数のダブルゲート型フォトセンサをマトリクス状に2次元配列して構成されるフォトセンサアレイを示して説明するが、複数のダブルゲート型フォトセンサを、例えば、直線状(X方向)に1次元配列してラインセンサアレイを構成し、該ラインセンサアレイを延在方向と垂直方向(X方向に直交するY方向)に移動させて被写体の画像パターン(2次元領域)を走査(スキャン)するものであってもよい。
次いで、上述したフォトセンサシステム(ダブルゲート型フォトセンサ)の駆動制御方法について、図面を参照して簡単に説明する。
図3は、ダブルゲート型フォトセンサを適用したフォトセンサシステムの駆動制御方法の一例を示すタイミングチャートである。また、図4は、ダブルゲート型フォトセンサを適用したフォトセンサシステムを指紋読取装置に適用した場合の被写体の画像パターン(指紋画像)の読み取り動作を示す概念図である。ここで、図4においては、図示の都合上、フォトセンサアレイ100周辺の断面部分を表すハッチングを省略する。
まず、リセット期間Trstにおいては、トップゲートドライバ110によりトップゲートラインLtを介して、i行目(iは1≦i≦nの任意の整数)のダブルゲート型フォトセンサPSのトップゲート端子TGにリセットパルス(例えば、トップゲート電圧Vtg=+15Vのハイレベル;リセット電圧)φTiを印加して、半導体層11に蓄積されているキャリア(ここでは、正孔)を放出するリセット動作(初期化動作)を実行する。
次に、上述したダブルゲート型フォトセンサの素子構造を適用した画像読取装置の実施形態について、図面を参照して詳しく説明する。
図5は、本発明に係る画像読取装置に適用されるフォトセンサアレイを含む積層構造の第1の実施形態を示す概略断面図である。ここで、図1に示したダブルゲート型フォトセンサの素子構造に対応する構成については、同一又は同等の符号を付して説明する。
図6は、本実施形態に係る画像読取装置における有機膜層の保護効果の検証実験の結果(引っ掻き荷重とフォトセンサの不良発生率の関係)を示す図である。
図7は、本実施形態に係る画像読取装置における読取画像の鮮明さの検証実験の結果を示す図であり、図8は、本実施形態に係る画像読取装置における読取画像のコントラストと有機膜層の膜厚との関係を示す図である。ここでは、本発明に係る画像読取装置を、図4に示したように、指紋読取装置に適用した場合において、被写体(指)の画像パターン(指紋)を250階調で読み取った場合の読取画像(指紋画像)の実画像、及び、該画像の階調データに基づくコントラストについて、具体的に検証する。
また、本実施形態に係る画像読取装置においては、フォトセンサアレイ上に設けられた静電気除去用の透明導電層を被覆するように、比較的膜厚の大きい有機膜層(感光性有機膜)が形成された構成を有しているが、この場合の静電気除去機能について検証すると、被写体(例えば、指)が直接透明導電層に接触する構成を有していないものの、帯電した被写体から有機膜層に侵入した静電気は下層の透明導電層を介して、接地電位等に放電されることになるので、被写体が直接透明導電層に接触した場合と同程度の静電気除去効果を得ることができる。
次に、本発明に係る画像読取装置の第2の実施形態について、図面を参照して説明する。
図9は、本発明に係る画像読取装置に適用されるフォトセンサアレイの第2の実施形態を示す概略断面図である。ここで、上述した第1の実施形態と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
図10は、本実施形態に係る画像読取装置における有機膜層及び透明導電層の保護効果の検証実験の結果(引っ掻き荷重とフォトセンサの線欠陥発生率の関係)を示す図である。なお、本検証実験の手法や条件については、上述した第1の実施形態における検証実験と同等である。
次に、本発明に係る画像読取装置の第3の実施形態について、図面を参照して説明する。
図11は、本発明に係る画像読取装置に適用されるフォトセンサアレイの第3の実施形態を示す概略断面図である。ここで、上述した第1及び第2の実施形態と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
図12は、本実施形態に係る画像読取装置に適用される製造プロセスの一例を示すプロセス断面図である。なお、ここでは、絶縁性基板SUB上に複数のダブルゲート型フォトセンサPSからなるフォトセンサアレイ100が形成された状態から後の工程について説明する。
次いで、図12(c)に示すように、フォトセンサアレイ100の周辺領域であって、絶縁性基板SUBの縁辺部近傍(図右方領域)に、フォトセンサアレイ100と図2に示した各ドライバ等と電気的に接続するための端子パッド部PAD(詳しくは後述する)上の保護絶縁膜19をエッチングしてコンタクトホール19hを形成して、第3パッド層TMの上面を露出させる。
次に、本発明に係る画像読取装置の第4の実施形態について、図面を参照して説明する。
図13は、本発明に係る画像読取装置に適用されるフォトセンサアレイの第4の実施形態を示す概略断面図である。ここで、上述した第1乃至第3の実施形態と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
15 トップゲート絶縁膜
16 ボトムゲート絶縁膜
19 保護絶縁膜
21、22 透明導電層
30 有機膜層
100 フォトセンサアレイ
PS ダブルゲート型フォトセンサ
TGx トップゲート電極
BGx ボトムゲート電極
SUB 絶縁性基板
DTC 検知面
Claims (5)
- 絶縁性基板の一面側に複数のフォトセンサが2次元配列されたフォトセンサアレイを備え、該フォトセンサアレイ上に設けられた検知面上に載置された被写体の画像パターンを読み取る画像読取装置において、
前記画像読取装置は、前記フォトセンサアレイ上に、少なくとも、前記フォトセンサアレイの全域を被覆するよう形成された、透明な絶縁膜と、第1の透明導電層と、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂からなる透明な有機膜層と、前記有機膜層の上面に積層されて所定の形状パターンを有するように形成された静電気除去用の第2の透明導電層と、が順次積層された構成を有し、前記第2の透明導電層の上面が前記検知面に設定されていることを特徴とする画像読取装置。 - 前記有機膜層は、透明な感光性有機材料からなることを特徴とする請求項1記載の画像読取装置。
- 前記有機膜層は、概ね10μm以下の膜厚に設定されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の画像読取装置。
- 前記フォトセンサは、光の入射によりキャリアが生成、蓄積される半導体層と、該半導体層を挟んで形成されたドレイン電極及びソース電極と、前記半導体層の上方に透明な上部絶縁膜を介して形成された透明な上部ゲート電極と、前記半導体層の下方に透明な下部絶縁膜を介して形成された不透明な下部ゲート電極と、を有するダブルゲート型の薄膜トランジスタ構造を有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の画像読取装置。
- 前記透明導電層は、所定の電位に接続され、前記検知面に載置された前記被写体に帯電した静電気を、前記所定の電位に放電することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の画像読取装置。
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