KR940010354A - 독출전용 메모리장치의 결함 구제방법 - Google Patents
독출전용 메모리장치의 결함 구제방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940010354A KR940010354A KR1019920018832A KR920018832A KR940010354A KR 940010354 A KR940010354 A KR 940010354A KR 1019920018832 A KR1019920018832 A KR 1019920018832A KR 920018832 A KR920018832 A KR 920018832A KR 940010354 A KR940010354 A KR 940010354A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- read
- defect
- beam lithography
- lithography technique
- memory device
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 독출전용 메모리장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 상기 메모리장치의 결함구제 방법에 관한것으로서, 종래기술에서 결함구제시에 별도의 리던던시셀 어레이 또는 ECC회로를 사용하기 때문에 발생되는 칩면적의 증가 및 액세스 타임의 지연등의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 별도의 결함 구제회로를 채용하지 않고, 결함이 발생된 셀 부위를 전자빔 리소그라피 기술 또는 이온 빔 리소그라피기술을 이용하여 직접 노출시켜, 데이타 기록불량에 기인된 결함일 때에는 이온주입을 실시하여 결함 구제를 실시하고, 워드라인간 또는 비트라인간의 단락에 기인된 불량일 때에는 단락된 부위를 식각하여 서로 분리시켜 결함구제를 실시하므로, 종래기술에서 결함구제용 리던던시셀 또는 ECC회로를 채용하기 위해 칩의 면적이 증가되는 문제점을 제거하고, 결함 구제되는 비트(bit)의 수에 제한을 받지 않으므로 결함구제가 가능한 모든셀의 결함구제를 실시할 수 있는 독출전용 메모리장치의 결함 구제방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 결함 구제방법의 제1실시예,
제6도는 제1실시예에 따른 다른 실시예,
제7도는 본 발명에 따른 결함구제 방법의 제2실시예,
제8도는 제2실시예에 따른 다른 실시예.
Claims (7)
- 반도체 기판상에 형성되며 채널영역으로 서로 분리되는 다수개의 액티브영역과, 상기 채널영역상면과 게이트절연막으로 이격되는 게이트전극으로 이루어진 다수개의 메모리셀 트랜지스터와, 상기 메모리셀 트랜지스터들의 상부에 신장하는 층간절연막과 그 상부의 보호막층을 구비하며, 상기 채널영역에 이온을 주입하여 데이타를 기록하는 독출전용 메모리 장치의 데이타기록 결합 구제방법에 있어서, 데이타기록 공정중 불량발생된 메모리셀 트랜지스터의 위치를 찾아내는 제1공정과, 상기 불량발생된 메모리셀 트랜지스터의 상부 보호막층은 한정식각하여 이온주입용 개구를 형성하는 제2공정과, 상기 개구를 통하여 이온을 주입하여 채널영역에 데이타를 기록한후 보호막층을 형성하는 제3공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 독출전용 메모리장치의 데이타기록 결함 구제방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2공정이 기판전면에 감광막을 형성한 후 전자-빔 리소그라피 기술 또는 이온 빔리소그라피 기술을 이용하여 감광막을 한정제거하여 식각 개구를 형성하는 1단계와, 상기 식각 개구를 통하여 상기 보호막층을 식각하여 이온주입용 개구를 형성하는 제2단계로 이루어짐을 특징으로 하는 독출전용 메모리장치의 데이타기록 결함 구제방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2공정이 기판전면에 감광막을 형성한 후 전자-빔 리소그라피 기술 또는 이온 빔리소그라피 기술을 이용하여 감광막을 한정제거하여 식각 개구를 형성하는 1단계와, 상기 식각 개구를 통하여 상기 보호막층과 층간절연막을 차례로 식각하여 게이트전극 상면을 노출시켜 이온주입용 개구를 형성하는 제2단계로 이루어짐을 특징으로 하는 독출전용 메모리장치의 데이타기록 결함 구제방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이온 주입이 500 Kev이상의 에너지로 실시됨을 특징으로 자는 독출전용 메모리장치의 데이타기록 결함 구제방법.
- 제1항에 있어서, 주입되는 이온이 3가 이온 또는 5가 이온임을 특징으로 하는 독출전용 메모리장치의 데이타기록 결함 구제방법.
- 워드라인과 비트라인으로 이루어진 매트릭스내에 다수개의 메모리셀과, 상기 워드라인, 비트라인들의 상부에 신장하는 보호막을 구비하는 독출전용 메모리장치의 결함 구제방법에 있어서, 워드라인간 또는 비트라인간에 단락이 발생되어 불량이 발생된 부위를 찾아내는 제1공정과, 상기 단락된 부위 상부의 보호막층을 한정식각하여 단락된 부위를 노출시키는 제2공정과, 상기 라인간의 단락된 부위를 식각하여 라인들을 서로 분리시킨후 보호막을 형성하는 제3공정으로 이루어짐은 특징으로 하는 독출전용 메모리장치의 결함 구제방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제2공정이 기판전면에 감광막을 형성한 후 전자-빔 리소그라피 기술 또는 이온 빔리소그라피 기술을 이용하여 감광막을 한정제거하여 식각 개구를 형성하는 1단계와, 상기 식각 개구를 통하여 상기 보호막층을 식각하여 단락된 부위를 드러내는 제2단계로 이루어짐을 특징으로 하는 독출전용 메모리장치의 결함 구제방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920018832A KR960010074B1 (ko) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 독출전용 메모리장치의 결함 구제 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920018832A KR960010074B1 (ko) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 독출전용 메모리장치의 결함 구제 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940010354A true KR940010354A (ko) | 1994-05-26 |
| KR960010074B1 KR960010074B1 (ko) | 1996-07-25 |
Family
ID=19341107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920018832A KR960010074B1 (ko) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 독출전용 메모리장치의 결함 구제 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960010074B1 (ko) |
-
1992
- 1992-10-13 KR KR1019920018832A patent/KR960010074B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960010074B1 (ko) | 1996-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5442932B2 (ja) | Ｎｏｒフラッシュメモリ及びその消去方法 | |
| CN209785927U (zh) | 芯片 | |
| JP2009032735A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
| JP2659283B2 (ja) | 半導体記憶装置の製造方法 | |
| JPH0222546B2 (ko) | ||
| US4891327A (en) | Method for manufacturing field effect transistor | |
| US5736433A (en) | Double mask hermetic passivation method providing enhanced resistance to moisture | |
| KR940010354A (ko) | 독출전용 메모리장치의 결함 구제방법 | |
| US8274107B2 (en) | Exposure system, semiconductor device, and method for fabricating the semiconductor device | |
| JPH08148658A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
| JP3285016B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、プログラムパターン径設定方法及びプログラムパターン径設定プログラムを記録した記録媒体 | |
| KR100578224B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 제조방법 | |
| KR100334388B1 (ko) | 반도체소자의 안티퓨즈 제조방법 | |
| KR100850368B1 (ko) | 노광 시스템, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2916034B2 (ja) | 半導体集積回路、及び半導体集積回路の製造方法 | |
| JPS62165340A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6369406B1 (en) | Method for localizing point defects causing leakage currents in a non-volatile memory device | |
| KR20070078216A (ko) | 반도체 소자의 퓨즈 및 그의 형성방법 | |
| KR100909753B1 (ko) | 반도체소자의 퓨즈 및 그 형성방법 | |
| JPH05166935A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS59224168A (ja) | Ｒｏｍの製造方法 | |
| KR20100002673A (ko) | 반도체 소자의 퓨즈 및 그 형성 방법 | |
| JP3395720B2 (ja) | 半導体記憶装置のマスク構造及び半導体記憶装置の製造方法 | |
| KR19990004368A (ko) | 반도체 소자 | |
| CN111834333A (zh) | 芯片及其形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20010607 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |