KR940006193A - 이온 주입 시스템 - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼에 이온을 주입하는 시스템은, 이온원 장치, 질량분석기, 가속관, 및 처리실의 순서대로 배치된다. 처리실에는 여러 장의 웨이퍼를 지지하는 회전 디스크가 배치된다. 처리실에는 빔 주사위치에 대응하여 패러디 컵이 배열설치된다. 패러디 컵은, 이온주입시에, 이온주입량을 정확하게 측정하기 위하여, 웨이퍼로부터 발생하는 2차전자나 2차이온 등이 외부로 빠져 나가지 않도록 보호하기 위한 것이다. 패러디컵으로부터의 상기 2차전자의 유출을 억제하기 위하여, 서플레스 전극이 배설된다. 서플레스 전극은 카본으로 된 통형상 본체와, 그 내표면에 형성된 SiC 막으로 구성된다. SiC막은 전극표면의 저항체로서 기능하며, 전극 표면에 있어서의 급격한 방전을 방지한다.

Description

이온 주입 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 실시예에 관한 이온 주입 시스템 전체를 나타내는 도면,
제5도는 이온 빔에 전자를 부여하는 플라즈마 발생장치를 나타내는 사시도,
제6도 및 제7도는 이온 빔에 부여된 전자의 작용을 설명하기 위한 그래프,
제8도는 본 발명에 관한 시스템의 패러디 컵 근방을 나타내는 단면도.

Claims (19)

  1. 상기 피처리체를 지지하는 지지수단과, 사용 이온을 포함하는 플라즈마를 생성하는 이온원 장치(1)와, 상기플라즈마로부터 상기 이온을 이온빔으로서 인출하는 수단과, 상기 이온빔을 가속함과 동시에 상기 피처리체상에 조사하는 가이드 수단과, 상기 지지수단에 인접하고 또 상기 피처리체를 포위하도록 배열설치되며, 이온 주입시에 상기 피터리체로부터 발생하는 2차 전자에 의거하여 이온 주입량을 측정하기 위한 패러디 컵 (9)과, 상기 패러디 컵(9)으로부터의 상기 2차 전자의 유출을 억제하는 서플레스 전극(25)과, 상기 서플레스 전극(25)의 상기 피처리체에 면(面)하는 주 표면이, 저항치가 10-2∼105Ωcm의 범위에 있는 저항치의 도체에 의하여 구성되는 것과, 상기 서플레스 전극(25)의 부(負)의 전위를 부여하는 전원을 구비하는 진공분위기내에서 피처리체에 이온을 주입하는 이온 주입 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 서플레스 전극(25)이, 저저항의 도전성 본체와, 상기 본체상 형성되고, 또 상기 부표면을 구성하는 보호막(M2)을 구비하며, 상기 보호막(M2)이 상기 고저항의 도체로 구성되는 이온주입 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 서플레스 전극(25) 전체가 상기 고저항의 도체로 이루어지며, 그 저항치가 10-3∼102Ωcm의 범위에 있는 이온 주입 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 고저항의 도체가 반도체로 이루어지는 이온 주입 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 고저항의 도체가 SiC인 이온 주입 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 고저항의 도체가 도전성의 세라믹스로 이루어지는 이온 주입 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 지지수단, 패러디 컵(9), 및 서플레스 전극(25)이 동일한 진공처리실내에 배열설치되는 이온 주입 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 패러디 컵(9)이, 상기 가이드 수단과 상기 지지수단 사이에 배치되고, 상기 서플레스 전극(25)이 상기 가이드 수단과 상기 패러디 컵(9)사이에 배치되며, 상기 서플레스 전극(25)은 상기 이온빔이 통과하는 원형의 개구를 구비하고, 상기 주표면은 상기 개구를 규정하는 이온 주입 시스템.
  9. 제1항에 있어서, 상기 가이드 수단이, 상기 이온원 장치측에 배치된 질량분석기와, 상기 지지수단측에 배치된 가속수단을 구비하는 이온 주입 시스템.
  10. 제1항에 있어서, 상기 이온원 장치와 상기 가이드 수단 사이에 상기 이온빔에 전자를 공급하여 상기 이온빔의 전하를 중화하기 위한 전자공급수단이 배일 설치되는 이온 주입 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전자공급수단이, 플라즈마 발생장치로 이루어지는 이온 주입 시스템.
  12. 제1항에 있어서, 이온 주입에 의하여 상기 피처리체의 표면에 축적되는 정전하를 중화하는 전자를 공급하기 위한 플라즈마 발생장치(30)가 상기 패러디 컵(9)에 접속되고, 상기 플라즈마 발생장치(30)는 개구를 통하여 상기 패러디 컵(9)에 연결되어 통하는 플라즈마 발생실(31)을 구비하며, 상기 개구는 상기 플라즈마 발생실(31)의 내부로부터 외부로의 관찰영역내에 상기 피처리체가 존재하지 않도록 설정되는 이온 주입 시스템.
  13. 상기 피터리체를 지지하는 지지수단과, 사용 이온을 포함하는 플라즈마를 생성하는 이온원 장치와, 상기 플라즈마로부터 상기 이온을 이온빔으로서 인출하는 수단과, 상기 이온빔을 가속함과 동시에 상기 피처리체상에 조사하는 가이드 수단과, 상기 이온원 장치와 상기 가이드 수단 사이에 배열설치되며, 상기 이온빔에 전자를 공급하여 상기 이온빔의 전하를 중화하는 전자공급수단과, 상기 지지수단에 인접하고 또 상기 피처리체를 둘러 싸도록 배열설치되며, 이온 주입시에 상기 피처리체로부터 발생하는 2차 전자에 의거하여 이온주입량을 측정하기 위한 패러디 컵 (9)과, 상기 패러디 컵(9)으로부터의 상기 2차 전자의 유출을 억제하는 서플레스 전극(25)과, 상기 서플레스 전극(25)의 상기 피처리체에 면(面)하는 주 표면이, 저항치가 10-2∼105Ωcm의 범위에 있는 고저항의 도체에 의하여 구성되는 것과, 상기 서플레스 전극(25)의 부(負)의 전위를 부여하는 전원을 구비하는 진공분위기 내에서 피처리체에 이온을 주입하는 이온 주입 시스템.
  14. 제13항에 있어서, 상기 전자공급수단이, 플라즈마 발생장치로 이루어지는 이온 주입 시스템.
  15. 제14항에 있어서, 상기 이온원 장치와 상기 플라즈마 발생장치(30)가 동일한 진공처리실내에 배열설치되는 이온 주입 시스템.
  16. 제15항에 있어서, 상기 플라즈마 발생장치(30)가, 방전가스 도입구를 가지는 플라즈마 발생실(31)과 그 속에 배치된 필라멘트(32)를 구비하는 이온 주입 시스템.
  17. 상기 피처리체를 지지하는 지지수단과, 사용 이온을 포함하는 플라즈마를 생성하는 이온원 장치와, 상기 플라즈마로부터 상기 이온을 이온빔으로 인출하는 수단과, 상기 이온빔을 가속함과 동시에 상기 피처리체상에 조사하는 가이드 수단과, 상기 지지수단에 인접하고 또 상기 피처리체를 둘러 싸도록 배열설치되며, 이온 주입시에 상기 피처리체로부터 발생하는 2차 전자에 의거하여 이온 주입량을 측정하기 위한 패러디 컵(9)과, 상기 패러디 컵(9)으로부터의 상기 2차 전자의 유출을 억제하는 스플레스 전극(25)과, 상기 서플레스 전극(25)의 상기 피처리체에 면(面)하는 주 표면이, 저항치가 10-2∼105Ωcm의 범위에 있는 저항치의 도체에 의하여 구성되는 것과, 상기 서플레스 전극(25)의 부(負)의 전위를 부여하는 전원과, 이온 주입에 의하여 상기 피처리체의 표면에 축적되는 정전하를 중화하는 전자를 공급하기 위하여 상기 패러디 컵(9)에 접속된 플라즈마 발생장치(30)와, 상기 플라즈마 발생장치(30)는 개구를 통하여 상기 패러디 컵(9)에 접속된 플라즈마 발생장치(30)와, 상기 플라즈마 발생장치(30)는 개구를 통하여상기 패러디 컵(9)에 연결되어 통하는 플라즈마 발생실(31)을 구비하며, 상기 개구는 플라즈마 발생실(31)의 내부로부터 외부로의 관찰영역내에 상기 피처리체가 존재하지 않도록 설정되는 진공분위기내에서 피처리체에 이온을 주입하는 이온 주입 시스템.
  18. 제17항에 있어서, 상기 지지수단, 패러디 컵(9), 서플레스 전극(25), 및 플라즈마 발생장치(30)가, 동일한 진공처리실내에 배열설치되는 이온 주입 시스템.
  19. 제18항에 있어서, 상기 플라즈마 발생실(31)이, 냉각수단을 구비하는 블록으로 덮여지는 이온 주입 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100392039B1 (ko) * 1999-02-22 2003-07-22 가부시끼가이샤 도시바 이온 주입법 및 이온 주입 장치
US7118996B1 (en) 1996-05-15 2006-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus and method for doping
KR100581154B1 (ko) * 1996-05-15 2006-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 이온도핑장치및도핑방법
CN111722263A (zh) * 2020-06-15 2020-09-29 电子科技大学 一种用于大功率电子束束斑测量的法拉第杯设计

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0604011A1 (en) * 1992-12-23 1994-06-29 Advanced Micro Devices, Inc. Ion implantation apparatus and method
WO1996041364A1 (en) * 1995-06-07 1996-12-19 Applied Materials, Inc. Beam stop apparatus for an ion implanter
GB2343546B (en) * 1995-11-08 2000-06-21 Applied Materials Inc An ion implanter with deceleration lens assembly
KR100219411B1 (ko) * 1995-11-24 1999-09-01 윤종용 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리
US5691537A (en) * 1996-01-22 1997-11-25 Chen; John Method and apparatus for ion beam transport
US5949076A (en) * 1996-02-26 1999-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged beam applying apparatus
GB9710380D0 (en) * 1997-05-20 1997-07-16 Applied Materials Inc Electron flood apparatus for neutralising charge build-up on a substrate during ion implantation
US5909031A (en) * 1997-09-08 1999-06-01 Eaton Corporation Ion implanter electron shower having enhanced secondary electron emission
US6037587A (en) * 1997-10-17 2000-03-14 Hewlett-Packard Company Chemical ionization source for mass spectrometry
GB2331179B (en) 1997-11-07 2002-03-20 Applied Materials Inc Method of preventing negative charge build up on a substrate being implanted w ith positive ions and ion implantation apparatus for performing such a method
DE69903539T2 (de) 1998-05-22 2003-06-12 Varian Semiconductor Equipment Verfahren und vorrichtung zur implantation mit ionen niedriger energie
US5959305A (en) * 1998-06-19 1999-09-28 Eaton Corporation Method and apparatus for monitoring charge neutralization operation
US6050218A (en) * 1998-09-28 2000-04-18 Eaton Corporation Dosimetry cup charge collection in plasma immersion ion implantation
JP3934262B2 (ja) * 1998-10-13 2007-06-20 三星電子株式会社 半導体を製造するため使用するイオン注入装置のファラデーカップをモニタする方法
JP2000133197A (ja) * 1998-10-30 2000-05-12 Applied Materials Inc イオン注入装置
US6507033B1 (en) * 1999-03-29 2003-01-14 The Regents Of The University Of California Versatile, high-sensitivity faraday cup array for ion implanters
US6998625B1 (en) 1999-06-23 2006-02-14 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion implanter having two-stage deceleration beamline
JP2001221899A (ja) * 2000-02-07 2001-08-17 Ebara Corp 電子線照射装置
JP3414380B2 (ja) * 2000-11-14 2003-06-09 日新電機株式会社 イオンビーム照射方法ならびに関連の方法および装置
US20030064784A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 William Wells Wide screen gaming apparatus
JP4071494B2 (ja) * 2001-12-28 2008-04-02 松下電器産業株式会社 イオン照射装置
GB2386247B (en) * 2002-01-11 2005-09-07 Applied Materials Inc Ion beam generator
KR100466594B1 (ko) * 2002-06-29 2005-01-24 주식회사 팬택앤큐리텔 연성회로기판의 가이드장치 및 이를 구비한 이동 단말기
JP4188640B2 (ja) * 2002-08-08 2008-11-26 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置、半導体記憶装置の制御方法及び半導体記憶装置の試験方法
KR100485387B1 (ko) 2002-11-26 2005-04-27 삼성전자주식회사 이온 주입 장치의 모니터링 방법 및 이를 수행하기 위한섀도우 지그를 갖는 이온 주입 장치
US6670624B1 (en) * 2003-03-07 2003-12-30 International Business Machines Corporation Ion implanter in-situ mass spectrometer
US6879109B2 (en) * 2003-05-15 2005-04-12 Axcelis Technologies, Inc. Thin magnetron structures for plasma generation in ion implantation systems
US7157718B2 (en) * 2004-04-30 2007-01-02 The Regents Of The University Of Michigan Microfabricated radiation detector assemblies methods of making and using same and interface circuit for use therewith
KR100594272B1 (ko) * 2004-05-07 2006-06-30 삼성전자주식회사 이동형 이온 빔 경사각 측정장치 및 그 장치를 이용한이온 빔 경사각 측정방법
JP4468959B2 (ja) * 2004-11-19 2010-05-26 株式会社アルバック イオン注入装置
JP2009088500A (ja) * 2007-09-14 2009-04-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｓｏｉ基板の作製方法
KR101344019B1 (ko) * 2007-11-01 2013-12-24 삼성전자주식회사 이온 주입 방법
US9336990B2 (en) * 2013-08-29 2016-05-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Semiconductor process pumping arrangements
US9384937B2 (en) * 2013-09-27 2016-07-05 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. SiC coating in an ion implanter
US10081861B2 (en) * 2015-04-08 2018-09-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Selective processing of a workpiece
CN109243958A (zh) * 2018-09-13 2019-01-18 德淮半导体有限公司 离子植入机及离子植入方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2716518B2 (ja) * 1989-04-21 1998-02-18 東京エレクトロン株式会社 イオン注入装置及びイオン注入方法
JP2704438B2 (ja) * 1989-09-04 1998-01-26 東京エレクトロン株式会社 イオン注入装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7118996B1 (en) 1996-05-15 2006-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus and method for doping
KR100581154B1 (ko) * 1996-05-15 2006-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 이온도핑장치및도핑방법
US8003958B2 (en) 1996-05-15 2011-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus and method for doping
KR100392039B1 (ko) * 1999-02-22 2003-07-22 가부시끼가이샤 도시바 이온 주입법 및 이온 주입 장치
CN111722263A (zh) * 2020-06-15 2020-09-29 电子科技大学 一种用于大功率电子束束斑测量的法拉第杯设计
CN111722263B (zh) * 2020-06-15 2022-08-23 电子科技大学 一种用于大功率电子束束斑测量的法拉第杯设计

Also Published As

Publication number Publication date
KR0158235B1 (ko) 1999-02-18
US5343047A (en) 1994-08-30

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