JP5650461B2 - 通気型ファラデーカップ及びガスクラスタイオンビーム処理システム - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 39
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 35
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 21
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 16
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 15
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000005591 charge neutralization Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-RKEGKUSMSA-N lead-214 Chemical compound [214Pb] WABPQHHGFIMREM-RKEGKUSMSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0812—Ionized cluster beam [ICB] sources
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
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Description
電現象(space charge effect)の発生が予期される。N/q比5000である400μAビ
ームの場合、ポアザンスは正確な作動条件に応じてGCIB加速電圧と共に約0.3程度
まで変動する。従って、いくらかの空間荷電ビーム拡大が予測され、観測されるであろう。特に低加速電圧では、低エネルギー電子源を提供することでビームを空間荷電中和化することは高ガスクラスタイオンビーム電流を運搬する能力を高め、ビームのスポットサイズを減少させる。実際的な発生GCIB処理機械のビームラインにおいて、ビームの空間荷電拡大によるビーム損失を最小とするには、ビームラインを実用的に可能な限り短く(50cmまで)することが有益であり、それでも対象物でのビームサイズは比較的に大きい(6cmまで)。従来技術においては、ビーム周辺にて単純な熱イオン電子発生器が使用され、空間荷電中和化電子を提供してきた。さらに高いビーム電流(実用的な従来のGCIB機械では典型的には数百μA程度)を達成するため、GCIB内でさらに効果的な空間荷電中和化を達成することが望まれる。
ビーム電流400μAでN/q比5000のとき、ビームは27SCCMのガス流を運搬する。典型的なGCIB処理機械の場合には、イオナイザーと処理対象物は典型的にはそれぞれ別々のチャンバ内に含まれる。これで基板処理圧力の制御が改善される。しかし、大量ガスを運搬するビームにおける大部分の困難性はビーム電流測定に関して起きる。クラスタビームがファラデーカップの内側に照射されるとき全ガスが放出される。ファラデーカップ内でのビームによる電荷交換とガスイオン化は極端となり、従来型ファラデーカップでは大きな測定誤差が起きる。
荷電中和化電子を運搬する。従って、高GCIB電流を対象物に送る能力を規制するようなビーム拡大問題を含んだGCIB空間荷電現象を減少させるのにその電子は特に有効である。さらに、低エネルギー電子は、対象物で発生するような電荷を中和させるのに対象物にまでビーム電位井戸(potential-well)により運搬される。多量の電子が利用できるため、ビームによる荷電は最低限となる。その加速/減速発生によって電子は非常に低いエ
ネルギーを有するため、電子はビームが瞬間的に変動しても対象物を過剰に負状態に荷電することはない。よって、正及び負の対象物荷電は数ボルト以内に限定される。GCIB内の効果的な空間荷電中和化はさらに大きなGCIB電流を運搬させる。大きなGCIB電流は対象物及びビーム電流測定装置へのガスクラスタ量を増加させる。
”)をGCIB128方向に戻し、加速させ、続いてビーム通路内に減速させる。それはビームを通過し、反対側のグリッドに入り、ビームを通過して再循環されて戻される。
流IEMISを測定する。2本または3本の約10cm長のフィラメントで、低エネルギー電子の数ミリアンペアの放出電流が達成できる。これは少なくとも数百マイクロアンペアのGCIBを効果的に空間荷電中和させるに充分である。中和装置内での軌道巡回後にこれら電子は中和装置シリンダの端部を通過して逃避してビーム電位井戸に沿って移動し、上下流で空間荷電中和化を提供する。下流電流はGCIB処理中の対象物荷電を最小とするのにも利用できる。
08からの二次電子がファラデーカップから逃避することが防止され、ファラデーカップの外側の電子が進入することを防止する。開口部320を定義する入口とリング群322は全てケーブル362のリードを介して接地され、抑制リング群318からの電界を終結させる。
GCIB128に沿って改良中和装置から逃避して上下流方向に移動し、GCIB空間荷電中和処理を施してビーム運搬を改善し、対象物で得られるビーム電流を増加させる。電子(366等)は下流方向にGCIB128に沿って移動し、対象物へ低エネルギー移動し、低エネルギー中和化電子の大量源(GCIB電流より大のこともある)を提供し、ビーム処理時に対象物荷電を減少または排除する。対象物に移動する電子の実際量は対象物荷電の開始によってビームから電子を静電的に引き付けることで決定される。
Claims (11)
- 通気型ファラデーカップであって、
ガスクラスタイオンビームを受領する表面を有した導電性衝撃プレートと、
該衝撃プレートを包囲し、その前方で延びてカップ形状を提供し、間隔を開けて配置された複数の同軸導電リング電極を含んだ通気型容器と、
該衝撃プレートからのガスクラスタイオンビーム電流を電流測定システムに導く導電手段と、
を含んで構成されており、前記導電リング電極は少なくとも2体のリング電極で成る少なくとも3群で構成されて電気的に接続されており、それぞれの群は独立的にバイアスされており、本カップの内から外への荷電粒子漏出又は外から内への荷電粒子漏入を防止することを特徴とするファラデーカップ。 - 導電性衝撃プレートの表面は鋸状溝を含んでいることを特徴とする請求項1記載のファラデーカップ。
- 導電性衝撃プレートに最も接近した導電リング電極群は該衝撃プレートに対して負にバイアスされており、少なくとも3つの導電リング電極群の1以上は導電性衝撃プレートの電位でバイアスされることを特徴とする請求項1記載のファラデーカップ。
- 導電性衝撃プレートに最も接近した導電リング電極群は該衝撃プレートに対して第1負電位にバイアスされており、少なくとも3つの導電リング電極群の1以上はその導電性衝撃プレートの電位でバイアスされ、少なくとも3つの導電リング電極群の1つ以上はその導電性衝撃プレートに対して第2負電位にバイアスされることを特徴とする請求項1記載のファラデーカップ。
- 導電性衝撃プレートは円形であり、複数の導電リング電極は円形であり、鋸状溝は円形であり、前記導電リング電極と前記鋸状溝はガスクラスタイオンビーム軸と同心であることを特徴とする請求項2記載のファラデーカップ。
- 隣接する導電リング電極の間隔は、該導電リング電極の環状放射方向の長さよりも小さいことを特徴とする請求項1記載のファラデーカップ。
- 対象物表面のガスクラスタイオンビーム処理のためのシステムであって、
真空チャンバと、
該真空チャンバ内に設置され、ビーム軸を有したガスクラスタイオンビームを形成させるガスクラスタイオンビーム源と、
該真空チャンバ内で対象物を保持し、該対象物をガスクラスタイオンビーム内に配置して処理させ、処理を終了させるために該対象物を該ガスクラスタイオンビームから取り出す対象物ホルダーと、
該真空チャンバ内に設置され、該ガスクラスタイオンビームの空間荷電を中和させるエネルギー電子源と、
該真空チャンバ内に設置され、該ガスクラスタイオンビームを受領して、ガスクラスタイオンビーム電流を測定し、前記対象物の処理を制御するためのファラデーカップと、
を含んで構成され、
前記ファラデーカップは、
ガスクラスタイオンビームを受領する表面を有した導電性衝撃プレートと、
該衝撃プレートを包囲してその前方で延びており、且つ、間隔を開けて配置された複数の導電リング電極を備える通気型容器と、
前記導電性衝撃プレートからのガスクラスタイオンビーム電流を電流測定システムに導く導電手段と、を備え、
前記複数の導電リング電極は、独立的にバイアスされた少なくとも3群で構成されて電気的に接続されており、前記ファラデーカップの内から外への荷電粒子漏出又は外から内への荷電粒子漏入を防止し、該少なくとも3群の電気的に接続されたリング電極のそれぞれは複数のリング電極を含んでいることを特徴とするシステム。 - エネルギー電子源は、
電子放出用のフィラメントと、
該フィラメントから離れる方向で、軸を有したガスクラスタイオンビーム方向に向けて該電子を加速させる正電極と、
前記加速電子を減速させる減速電極と、
前記フィラメントをバイアスして電子放出を促すフィラメント電源と、
該フィラメントに対して前記正電極をバイアスする加速電源と、
該フィラメントに対して前記減速電極をバイアスする手段と、
を含んで構成されていることを特徴とする請求項7記載のシステム。 - ガスクラスタイオンビーム電流は300マイクロアンペア以上であり、あるいはガスクラスタイオンビームは前記ファラデーカップの前記衝撃プレートで20立方センチ/分以上のガス流を放出することを特徴とする請求項7記載のシステム。
- 対象物表面のガスクラスタイオンビーム処理のためのシステムであって、
真空チャンバと、
該真空チャンバ内に設置され、ビーム軸を有したガスクラスタイオンビームを形成させるガスクラスタイオンビーム源と、
該真空チャンバ内にて該対象物をガスクラスタイオンビーム通路内に保持する対象物ホルダーと、
該真空チャンバ内に設置され、該ガスクラスタビームの空間荷電を中和させるエネルギー電子源と、
該真空チャンバ内に設置され、該ガスクラスタイオンビームを受領して、ガスクラスタイオンビーム電流を測定し、前記対象物の処理を制御するためのファラデーカップと、
を含んで構成され、
前記ファラデーカップは、
ガスクラスタイオンビームを受領する表面を有した導電性衝撃プレートと、
該衝撃プレートを包囲して、その前方で延びており、且つ、間隔を開けて配置された複数の同軸導電リング電極を備える通気型容器と、
該衝撃プレートからのガスクラスタイオンビーム電流を電流測定システムに導く導電手段と、
を備え、
前記複数の導電リング電極は、少なくとも2体のリング電極で成る少なくとも3群で構成されて電気的に接続されており、それぞれの群は独立的にバイアスされており、前記ファラデーカップの内から外への荷電粒子漏出又は外から内への荷電粒子漏入を防止することを特徴とするシステム。 - エネルギー電子源は、
電子放出用のフィラメントと、
該フィラメントから離れる方向でガスクラスタイオンビーム方向に向けて該電子を加速させる正電極と、
前記加速電子を減速させる減速電極と、
前記フィラメントをバイアスして電子放出を促すフィラメント電源と、
該フィラメントに対して前記正電極をバイアスする加速電源と、
該フィラメントに対して前記減速電極をバイアスする手段と、
を含んで構成されていることを特徴とする請求項10記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US41293102P | 2002-09-23 | 2002-09-23 | |
US60/412,931 | 2002-09-23 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004537918A Division JP2006500741A (ja) | 2002-09-23 | 2003-09-19 | ガスクラスタイオンビーム処理システム及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011018653A JP2011018653A (ja) | 2011-01-27 |
JP5650461B2 true JP5650461B2 (ja) | 2015-01-07 |
Family
ID=32030941
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004537918A Ceased JP2006500741A (ja) | 2002-09-23 | 2003-09-19 | ガスクラスタイオンビーム処理システム及び方法 |
JP2010184767A Expired - Lifetime JP5650461B2 (ja) | 2002-09-23 | 2010-08-20 | 通気型ファラデーカップ及びガスクラスタイオンビーム処理システム |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004537918A Ceased JP2006500741A (ja) | 2002-09-23 | 2003-09-19 | ガスクラスタイオンビーム処理システム及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7377228B2 (ja) |
EP (1) | EP1550144A4 (ja) |
JP (2) | JP2006500741A (ja) |
AU (1) | AU2003267263A1 (ja) |
WO (1) | WO2004027813A1 (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1735809A2 (en) | 2004-03-17 | 2006-12-27 | Epion Corporation | Method and apparatus for improved beam stability in high current gas-cluster ion beam processing system |
JP4926067B2 (ja) | 2004-10-25 | 2012-05-09 | ティーイーエル エピオン インク. | ガスクラスターイオンビーム形成のためのイオナイザおよび方法 |
US7521691B2 (en) * | 2006-12-08 | 2009-04-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Magnetic monitoring of a Faraday cup for an ion implanter |
US7670964B2 (en) * | 2007-03-22 | 2010-03-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and methods of forming a gas cluster ion beam using a low-pressure source |
US7772110B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-08-10 | Tokyo Electron Limited | Electrical contacts for integrated circuits and methods of forming using gas cluster ion beam processing |
DE102009005200B4 (de) | 2009-01-20 | 2016-02-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Strahlrohr sowie Teilchenbeschleuniger mit einem Strahlrohr |
US8981322B2 (en) * | 2009-02-04 | 2015-03-17 | Tel Epion Inc. | Multiple nozzle gas cluster ion beam system |
US20100243913A1 (en) | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Tel Epion Inc. | Pre-aligned nozzle/skimmer |
JP5311140B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2013-10-09 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム測定方法 |
US9251837B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-02-02 | Seagate Technology Llc | HAMR NFT materials with improved thermal stability |
US8427925B2 (en) | 2010-02-23 | 2013-04-23 | Seagate Technology Llc | HAMR NFT materials with improved thermal stability |
US11698582B2 (en) * | 2010-08-23 | 2023-07-11 | Exogenesis Corporation | Method for modifying the wettability and/or other biocompatibility characteristics of a surface of a biological material by the application of gas cluster ion beam technology and biological materials made thereby |
US20130164453A1 (en) * | 2011-04-07 | 2013-06-27 | Seagate Technology Llc | Methods of forming layers |
CN102426173A (zh) * | 2011-10-20 | 2012-04-25 | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 | 一种弱电子束的测试装置及方法 |
US9275833B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-03-01 | Seagate Technology Llc | Methods of forming layers |
US9280989B2 (en) | 2013-06-21 | 2016-03-08 | Seagate Technology Llc | Magnetic devices including near field transducer |
US8830800B1 (en) | 2013-06-21 | 2014-09-09 | Seagate Technology Llc | Magnetic devices including film structures |
US9245573B2 (en) | 2013-06-24 | 2016-01-26 | Seagate Technology Llc | Methods of forming materials for at least a portion of a NFT and NFTs formed using the same |
US9281002B2 (en) | 2013-06-24 | 2016-03-08 | Seagate Technology Llc | Materials for near field transducers and near field transducers containing same |
JP6038843B2 (ja) | 2013-06-24 | 2016-12-07 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーSeagate Technology LLC | 少なくとも1つの相互混合層を含む装置 |
US9058824B2 (en) | 2013-06-24 | 2015-06-16 | Seagate Technology Llc | Devices including a gas barrier layer |
US9570098B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-02-14 | Seagate Technology Llc | Methods of forming near field transducers and near field transducers formed thereby |
US9697856B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-07-04 | Seagate Techology LLC | Methods of forming near field transducers and near field transducers formed thereby |
CN104134604B (zh) * | 2014-04-18 | 2016-10-05 | 北京大学 | 一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法 |
US9540725B2 (en) | 2014-05-14 | 2017-01-10 | Tel Epion Inc. | Method and apparatus for beam deflection in a gas cluster ion beam system |
US9552833B2 (en) | 2014-11-11 | 2017-01-24 | Seagate Technology Llc | Devices including a multilayer gas barrier layer |
US9620150B2 (en) | 2014-11-11 | 2017-04-11 | Seagate Technology Llc | Devices including an amorphous gas barrier layer |
US9822444B2 (en) | 2014-11-11 | 2017-11-21 | Seagate Technology Llc | Near-field transducer having secondary atom higher concentration at bottom of the peg |
US10510364B2 (en) | 2014-11-12 | 2019-12-17 | Seagate Technology Llc | Devices including a near field transducer (NFT) with nanoparticles |
US20160275972A1 (en) | 2015-03-22 | 2016-09-22 | Seagate Technology Llc | Devices including metal layer |
US9824709B2 (en) | 2015-05-28 | 2017-11-21 | Seagate Technology Llc | Near field transducers (NFTS) including barrier layer and methods of forming |
US9672848B2 (en) | 2015-05-28 | 2017-06-06 | Seagate Technology Llc | Multipiece near field transducers (NFTS) |
US9852748B1 (en) | 2015-12-08 | 2017-12-26 | Seagate Technology Llc | Devices including a NFT having at least one amorphous alloy layer |
JP6632937B2 (ja) * | 2016-06-27 | 2020-01-22 | アールエムテック株式会社 | ガスクラスタービーム装置 |
US10416199B2 (en) | 2017-01-17 | 2019-09-17 | International Business Machines Corporation | Measuring flux, current, or integrated charge of low energy particles |
JP6998664B2 (ja) | 2017-03-23 | 2022-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスクラスター処理装置およびガスクラスター処理方法 |
US11251075B2 (en) * | 2018-08-06 | 2022-02-15 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for workpiece processing using neutral atom beams |
TW202129682A (zh) * | 2019-10-04 | 2021-08-01 | 漢辰科技股份有限公司 | 藉由偏壓電壓來減少顆粒汙染的裝置和方法 |
CN112578426B (zh) * | 2020-11-26 | 2022-09-20 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 一种可调节型阵列式法拉第筒 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4361762A (en) | 1980-07-30 | 1982-11-30 | Rca Corporation | Apparatus and method for neutralizing the beam in an ion implanter |
JPS62296357A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-23 | Fujitsu Ltd | イオン注入装置の電荷中和装置 |
JPS63230875A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | イオンビ−ム照射装置 |
JPS63225456A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | イオンビ−ム中性化装置 |
JPS63224139A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | イオンビ−ム照射装置 |
US4916311A (en) * | 1987-03-12 | 1990-04-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion beaming irradiating apparatus including ion neutralizer |
JPS63230876A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | イオンビ−ム照射装置 |
JPH0754678B2 (ja) * | 1987-07-20 | 1995-06-07 | 三菱電機株式会社 | イオンビ−ム照射装置 |
JPS63146962U (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-28 | ||
US4886971A (en) * | 1987-03-13 | 1989-12-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion beam irradiating apparatus including ion neutralizer |
JPH0754689B2 (ja) * | 1988-11-26 | 1995-06-07 | 株式会社日立製作所 | イオン打込み装置 |
JP3569323B2 (ja) * | 1994-10-07 | 2004-09-22 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | クラスタービームの強度とクラスターサイズ 分布の測定方法 |
US5814194A (en) | 1994-10-20 | 1998-09-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Substrate surface treatment method |
US5959305A (en) | 1998-06-19 | 1999-09-28 | Eaton Corporation | Method and apparatus for monitoring charge neutralization operation |
JP4003308B2 (ja) | 1998-08-17 | 2007-11-07 | 日新イオン機器株式会社 | ビーム量計測装置 |
EP1238406B1 (en) | 1999-12-06 | 2008-12-17 | TEL Epion Inc. | Gas cluster ion beam smoother apparatus |
US6613240B2 (en) | 1999-12-06 | 2003-09-02 | Epion Corporation | Method and apparatus for smoothing thin conductive films by gas cluster ion beam |
US6331227B1 (en) | 1999-12-14 | 2001-12-18 | Epion Corporation | Enhanced etching/smoothing of dielectric surfaces |
US6723998B2 (en) * | 2000-09-15 | 2004-04-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Faraday system for ion implanters |
DE60122379T2 (de) | 2000-12-26 | 2007-08-09 | Epion Corp., Billerica | Ladungskontroll- und dosimetriesystem sowie verfahren für einen gas-cluster-ionenstrahl |
JP3690517B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2005-08-31 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
-
2003
- 2003-09-19 JP JP2004537918A patent/JP2006500741A/ja not_active Ceased
- 2003-09-19 EP EP03749734A patent/EP1550144A4/en not_active Withdrawn
- 2003-09-19 US US10/667,006 patent/US7377228B2/en active Active
- 2003-09-19 WO PCT/US2003/029240 patent/WO2004027813A1/en active Application Filing
- 2003-09-19 AU AU2003267263A patent/AU2003267263A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-08-20 JP JP2010184767A patent/JP5650461B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2003267263A1 (en) | 2004-04-08 |
WO2004027813A1 (en) | 2004-04-01 |
US20040113093A1 (en) | 2004-06-17 |
JP2006500741A (ja) | 2006-01-05 |
JP2011018653A (ja) | 2011-01-27 |
EP1550144A1 (en) | 2005-07-06 |
US7377228B2 (en) | 2008-05-27 |
EP1550144A4 (en) | 2009-07-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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