JPS62296357A - イオン注入装置の電荷中和装置 - Google Patents

イオン注入装置の電荷中和装置

Info

Publication number
JPS62296357A
JPS62296357A JP13819486A JP13819486A JPS62296357A JP S62296357 A JPS62296357 A JP S62296357A JP 13819486 A JP13819486 A JP 13819486A JP 13819486 A JP13819486 A JP 13819486A JP S62296357 A JPS62296357 A JP S62296357A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron
ion
electrons
deceleration
energy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13819486A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruhisa Mori
森 治久
Kunihiko Wada
邦彦 和田
Takashi Igarashi
崇 五十嵐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP13819486A priority Critical patent/JPS62296357A/ja
Publication of JPS62296357A publication Critical patent/JPS62296357A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔概 要〕 所定の電子電流以上かつ所定のエネルギ以下の電子によ
りイオンを中和するため、比較的高電圧で電子源から所
定の電子電流を有し、高エネルギの電子を引き出し、該
引出された電子を所定のエネルギ以下に減速するように
した、イオン注入装置の電荷中和装置である。
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン注入装置に関するものであり、より特定
的にはイオン注入装置内の加速段を介して加速されたイ
オンを電気的に中和するための電荷中和装置を有するイ
オン注入装置に関する。
本発明の電荷中和装置を有するイオン注入装置は、半導
体ウェハにイオンを注入するのに用いられる。
〔従来の技術〕
イオン注入装置は、イオン発生源からイオン引出電極を
介してイオンを引出し、質量アナライザを介して所望の
質量のイオン、例えばボロンを抽出し、さらにイオン注
入に必要なエネルギを与えるため加速段で加速される。
加速されたイオンがターゲットディスク上に装着された
ウェハに注入される。ここで、VLS IのCMO5化
が迅速に進む中で、プロセスの簡便化のためのレジスト
マスクイオン注入の使用が増え、さらにゲート酸化膜の
薄層化、イオンビーム電流量の増大化により、イオン注
入電荷によるウェハの絶縁膜の破壊が生ずる。か\る絶
縁膜破壊に伴うチップ歩留りの低下を防止すべく、加速
イオンをウェハに注入する直前で中和するための電荷中
和装置く又は電子シャワー装置)が知られている(例え
ば、電子材料、1984年別冊、第65〜66頁)。
従来の電荷中和装置の構成図を第3図に示す。
電荷中和装置1′は加速イオンIONが射出される加速
段(図示せず)とイオン注入が行なわれるウェハ2との
間に設けられている。ウェハ2はターゲットディスク3
に装着され回転されながら加速イオンIONが注入され
るようになっている。
電荷中和装置1′は、ウェハ3に注入されるイオンを電
流計4で計測するためのファラディケージ(又はファラ
ディカップ)19を用いている。ファラディケージ19
に電源13を接続しファラディケージを電子引出電極と
して用い、電源およびフィラメントから成る電子発生源
11からの熱電子e−を引き出す。引出された電子をフ
ァラディケージの一部に設けた開口からイオンビーム流
中に射出させ、正電荷のイオンと負電荷の電子との相互
作用とでウェハ2に注入するイオンを電気的に中和する
。ウェハ2の表面は入射イオンのみでは正に帯電される
が、上述の熱電子又は熱電子がファラディケージ対向面
に衝突して生ずる二次電子により中和されることにより
酸化膜の破壊が防止される。
尚、マスク21は加速イオンがサプレッサ電極22等、
注入ターゲット以外の部分に照射され悪影響を与えるの
を防ぐためのものである。またサブレフサ22は、イオ
ン注入されることによりウェハ2から叩き出され得る電
子e1により電流計4が恰もビーム電流が流れたとして
計測してしまうことを防止するため、電源23を図示の
極性に接続し、ウェハ側に追い返すものである。
ここで中和のための熱電子e−の電子電流I0は、中和
をするために成る程度大きくなければならない。一般に
電子電流!、は、空間電荷領域において、電源13の電
圧■1とすると次式で表わされる。
1、 OCV、 ’Jet      ・・・(1)空
間電荷領域をこえた温度制限領域においては、■1の増
加によっても1.ははソ′一定となる。従って、電子電
流I、を大きくするには、電源13の電圧■1も大きく
しなければならず、通常、空間電荷領域をこえた温度制
限領域における■1とする。代表的にはV+=50〜5
00■である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら電圧■1を大きくすると、熱電子e−のエ
ネルギも大きくなる。その結果として、充分大きなエネ
ルギが付与された熱電子はファラディケージ内の領域C
でイオンと中和して消滅せず、ファラディケージの対向
する内壁に射突する。
この射突によりファラディケージの内壁から二次電子e
2が叩き出される。この時、低エネルギの二次電子e2
のみでな(、充分大きなエネルギを持った反跳電子も発
生し、これがウェハに射突し、ウェハを損傷させるとい
う問題に遭遇している。
すなわち、イオンを中和するには充分な電子電流を必要
とし、そのためにはそれに見合った高い電圧■、を印加
しなければならず、高い電圧V。
を印加すると過剰なエネルギを熱電子に付与してしまう
という二律背反する問題に遭遇している。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、上述の問題を解決し、イオン中和に充分な電
子電流を有すると共に必要以上のエネルギが付与されな
い熱電子を用いてイオン中和を行う電荷中和装置を実現
することを目的とする。
本発明の上記目的は、電子源、該電子源から所定の電子
電流の電子流が得られるように比較的高電圧で電子を引
出す電子引出系、該電子引出系から引出された電子を所
定のエネルギ以下に減速させ中和すべきイオン流中に射
出させる電子減速系、を具備する、イオン注入装置の電
荷中和装置により達成される。
〔作 用〕
電子引出系によりイオン中和に充分な所定の電子電流の
熱電子を引出し、該熱電子を電子減速系で減速させウェ
ハを損傷させない程度の所定のエネルギ以下にする。
〔実施例〕
本発明の実施例の電荷中和装置を第1図に示す。
図において、電荷中和装置1は、熱電子を発生させるフ
ィラメントおよびフィラメント用電源から成る電子発生
源11、引出電極12と引出電源13とで構成される電
子引出系、および、ファラディカップ16および減速電
源15とで構成される電子減速系14を有している。マ
スク21、サプレッサ22およびサプレッサ電源23は
第3図のものと同様である。同様にウェハ2、ディスク
3およびイオン電流測定用電流計4も前述と同様である
第1図の動作について述べる。
電子発生rA11から熱電子e−が発生され、電子引出
系により所定の電子電流I8の熱電子が引出される。電
子電流■。を得るに必要な引出電源13の電圧V、に応
じたエネルギEIが熱電子e−に付与される。核熱電子
が引出電極12の開口を通過すると、電子減速系14に
より減速され、ファラディカップ16の開口Bを通過し
た熱電子は、電子電流■、の大きさはそのま\で、エネ
ルギE。
より低く、電源15の電圧■2に応じたエネルギE2と
なる。この熱電子がファラディカップ16内の領域Cに
おいて、マスク21、サブレフサ22を通過したイオン
IONのビーム中に取り込まれ、ウェハ上の正電荷を中
和する。熱電子の電子電KIeはイオンを中和するに充
分な値であると共に、そのエネルギE2は、ウェハに損
傷を与えない程度のものとする。
より具体的に述べると、イオンを中和するに必要な電子
電流■8は、例えば30mA以上、エネルギEtは50
eV以下が好適である。このため引出電圧V、は、前述
の如く引出電源V、によりIoが規定される空間電荷領
域をこえた温度制限領域、すなわち電子発生源11のフ
ィラメントから発生される熱電子、換言すれば1!、が
引出電圧■1の増大に拘らずはり一定となる領域におけ
る電圧■1、例えば】00■以上とする。これにより■
哄40mAが得られる。一方、v、=10VとするとE
z=10eVとなる。さらに、減速電極としてのファラ
ディカップ16の開口Bの面積は、減速電圧Vtにより
減速された熱電子が開口部近傍に滞留し、空間電荷を生
じさせ電子電流1.を低下させないような充分な大きさ
、例えば開口面積約400ajとする。すなわち減速電
極はエネルギを低下させるばかりでなく電子電流を低下
させない構造でなければならない。減速電極の開口面積
に応じて、引出電極12の開口面積も規定され、減速電
極のそれと同等程度とする。尚、これらの電極の開口部
はメツシュ構造とすることが熱電子の引出、減速に際し
て安定となり裏通である。ファラディカップの電極間距
離は、例えば5IIIII+である。
以上により、中和に充分な電子電流且つ最小限のエネル
ギの熱電子が得られる。注入イオンにより正に帯電され
たウェハ表面はこれら熱電子により中和され、酸化膜の
破壊は生じない。また、高エネルギの反跳電子は生じ得
ないのでこれによるウェハの破壊も生じない。
上記実施例において、電子電流I8は電aX3の電圧■
、により規定され、エネルギE2は電源15の電圧■2
により規定され、それぞれ独立に設定し得ることに留意
されたい。すなわち、■。。
E2は、独立に、V、、V2を調整することにより自由
に設定し得るのである。
第2図に本発明の他の実施例と電荷中和装置を示す。第
2図の電荷中和装置は電子減速系14′の電源15′と
電子引出系の電源13とを図示の如(直列に接続したも
のである。同じエネルギE2にするためには、電源13
の電圧■1を100■とした場合、電t1.15′の電
圧■2を90V、V、=120 Vとすると■z = 
ll0Vの如く、相互に連続関係をもって電圧V、、V
、を調整する必要がある。
但し、第1図に関連づけて述べた動作原理は同様である
〔効 果〕
以上に述べたように本発明によれば、比較的筒車な構成
で、高いエネルギ電子によるウェハの損傷を生じさせず
、照射イオンビームによるウェハ帯電を防止することが
でき、商品質のイオン注入を可能とするイオン注入装置
の電荷中和装置が得られる。
また本発明の電荷中和装置は、中和用電子の電子電流と
エネルギを独立して設定することができ、イオン中和を
容易かつ確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の実施例の電荷中和装置の
構成断面図、 第3図は従来の電荷中和装置の構成断面図、である。 (符号の説明) 1・・・電荷中和装置、  2・・・ウェハ、3・・・
ターゲットディスク、 4・・・電流計、 11・・・電子発生源、  12・・・引出電極、13
・・・引出電源、    14・・・電子:$i速系、
15・・・減速電源、    16・・・ファラディカ
ップ、21・・・マスク、     22・・・サプレ
ッサ、23・・・サプレッサ電源。 第1図 3・・・ターゲットディスク 15・”・減速電源 16・・・ファラディ・力、プ 2〕・・・マスク 22・・・サプレッサ 23・・・サブレノナ電ぶ 本発明の他の実施例の電荷中和装置の構成断面図第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電子源、 該電子源から所定の電子電流の電子流が得られるように
    比較的高電圧で電子を引出す電子引出系、および、 該電子引出系から引出された電子を所定のエネルギ以下
    に減速させ中和すべきイオン流中に射出させる電子減速
    系、 を具備する、イオン注入装置の電荷中和装置。 2、前記電子引出系が引出電源を有し、前記電子減速系
    が前記引出電源と独立な減速電源を有し前記電子の電子
    電流と前記減速電子のエネルギとがそれぞれ独立に調節
    可能である、特許請求の範囲第1項に記載の電荷中和装
    置。 3、前記電子減速系が前記電子引出系からの電子を減速
    する電極を有し、減速電子が通過する減速電極の開口面
    積が、減速電極近傍における空間電荷を生じさせないよ
    うな大きさである、特許請求の範囲第2項に記載の電荷
    中和装置。 4、前記減速電極がファラディカップの一部を構成する
    、特許請求の範囲第3項に記載の電荷中和装置。
JP13819486A 1986-06-16 1986-06-16 イオン注入装置の電荷中和装置 Pending JPS62296357A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13819486A JPS62296357A (ja) 1986-06-16 1986-06-16 イオン注入装置の電荷中和装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13819486A JPS62296357A (ja) 1986-06-16 1986-06-16 イオン注入装置の電荷中和装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62296357A true JPS62296357A (ja) 1987-12-23

Family

ID=15216277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13819486A Pending JPS62296357A (ja) 1986-06-16 1986-06-16 イオン注入装置の電荷中和装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62296357A (ja)

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01220350A (ja) * 1988-02-26 1989-09-04 Hitachi Ltd 帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線照射装置
JPH0722453U (ja) * 1993-09-28 1995-04-21 住友重機械工業株式会社 荷電粒子ビーム照射装置
EP1550144A1 (en) * 2002-09-23 2005-07-06 Epion Corporation System for and method of gas cluster ion beam processing
US7754588B2 (en) 2007-09-28 2010-07-13 Tel Epion Inc. Method to improve a copper/dielectric interface in semiconductor devices
US7776743B2 (en) 2008-07-30 2010-08-17 Tel Epion Inc. Method of forming semiconductor devices containing metal cap layers
US7794798B2 (en) 2007-09-29 2010-09-14 Tel Epion Inc. Method for depositing films using gas cluster ion beam processing
US7799889B2 (en) 2004-12-22 2010-09-21 Bayer Materialscience Ag Polycarbonates with good wettability
US7825389B2 (en) 2007-12-04 2010-11-02 Tel Epion Inc. Method and apparatus for controlling a gas cluster ion beam formed from a gas mixture
US7834327B2 (en) 2008-09-23 2010-11-16 Tel Epion Inc. Self-biasing active load circuit and related power supply for use in a charged particle beam processing system
US7838423B2 (en) 2004-11-08 2010-11-23 Tel Epion Inc. Method of forming capping structures on one or more material layer surfaces
US7871929B2 (en) 2008-07-30 2011-01-18 Tel Epion Inc. Method of forming semiconductor devices containing metal cap layers
US7883999B2 (en) 2008-01-25 2011-02-08 Tel Epion Inc. Method for increasing the penetration depth of material infusion in a substrate using a gas cluster ion beam
US7905199B2 (en) 2008-06-24 2011-03-15 Tel Epion Inc. Method and system for directional growth using a gas cluster ion beam
US7917241B2 (en) 2007-08-01 2011-03-29 Tel Epion Inc. Method and system for increasing throughput during location specific processing of a plurality of substrates
US7947582B2 (en) 2009-02-27 2011-05-24 Tel Epion Inc. Material infusion in a trap layer structure using gas cluster ion beam processing
US7948734B2 (en) 2008-09-11 2011-05-24 Tel Epion Inc. Electrostatic chuck power supply
US7968422B2 (en) 2009-02-09 2011-06-28 Tel Epion Inc. Method for forming trench isolation using a gas cluster ion beam growth process
US7981483B2 (en) 2007-09-27 2011-07-19 Tel Epion Inc. Method to improve electrical leakage performance and to minimize electromigration in semiconductor devices
US7982196B2 (en) 2009-03-31 2011-07-19 Tel Epion Inc. Method for modifying a material layer using gas cluster ion beam processing
US8048788B2 (en) 2009-10-08 2011-11-01 Tel Epion Inc. Method for treating non-planar structures using gas cluster ion beam processing
US8097860B2 (en) 2009-02-04 2012-01-17 Tel Epion Inc. Multiple nozzle gas cluster ion beam processing system and method of operating
US8169769B2 (en) 2008-09-11 2012-05-01 Tel Epion Inc. Electrostatic chuck power supply
US8173980B2 (en) 2010-05-05 2012-05-08 Tel Epion Inc. Gas cluster ion beam system with cleaning apparatus
US8192805B2 (en) 2007-09-27 2012-06-05 Tel Epion Inc. Method to improve electrical leakage performance and to minimize electromigration in semiconductor devices
US8202435B2 (en) 2008-08-01 2012-06-19 Tel Epion Inc. Method for selectively etching areas of a substrate using a gas cluster ion beam
US8226835B2 (en) 2009-03-06 2012-07-24 Tel Epion Inc. Ultra-thin film formation using gas cluster ion beam processing
US8237136B2 (en) 2009-10-08 2012-08-07 Tel Epion Inc. Method and system for tilting a substrate during gas cluster ion beam processing
US8304033B2 (en) 2009-02-04 2012-11-06 Tel Epion Inc. Method of irradiating substrate with gas cluster ion beam formed from multiple gas nozzles
US8313663B2 (en) 2008-09-24 2012-11-20 Tel Epion Inc. Surface profile adjustment using gas cluster ion beam processing
US8338806B2 (en) 2010-05-05 2012-12-25 Tel Epion Inc. Gas cluster ion beam system with rapid gas switching apparatus
US8372489B2 (en) 2007-09-28 2013-02-12 Tel Epion Inc. Method for directional deposition using a gas cluster ion beam
US8455060B2 (en) 2009-02-19 2013-06-04 Tel Epion Inc. Method for depositing hydrogenated diamond-like carbon films using a gas cluster ion beam
US8481340B2 (en) 2010-06-16 2013-07-09 Tel Epion Inc. Method for preparing a light-emitting device using gas cluster ion beam processing
US8877299B2 (en) 2009-03-31 2014-11-04 Tel Epion Inc. Method for enhancing a substrate using gas cluster ion beam processing
US9103031B2 (en) 2008-06-24 2015-08-11 Tel Epion Inc. Method and system for growing a thin film using a gas cluster ion beam
US9305746B2 (en) 2009-03-31 2016-04-05 Tel Epion Inc. Pre-aligned nozzle/skimmer
US9540725B2 (en) 2014-05-14 2017-01-10 Tel Epion Inc. Method and apparatus for beam deflection in a gas cluster ion beam system

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01220350A (ja) * 1988-02-26 1989-09-04 Hitachi Ltd 帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線照射装置
JPH0722453U (ja) * 1993-09-28 1995-04-21 住友重機械工業株式会社 荷電粒子ビーム照射装置
EP1550144A1 (en) * 2002-09-23 2005-07-06 Epion Corporation System for and method of gas cluster ion beam processing
JP2006500741A (ja) * 2002-09-23 2006-01-05 エピオン コーポレーション ガスクラスタイオンビーム処理システム及び方法
EP1550144A4 (en) * 2002-09-23 2009-07-08 Tel Epion Inc ION BEAM BEAM TREATMENT METHOD AND SYSTEM THEREFOR
US7838423B2 (en) 2004-11-08 2010-11-23 Tel Epion Inc. Method of forming capping structures on one or more material layer surfaces
US7799889B2 (en) 2004-12-22 2010-09-21 Bayer Materialscience Ag Polycarbonates with good wettability
US7917241B2 (en) 2007-08-01 2011-03-29 Tel Epion Inc. Method and system for increasing throughput during location specific processing of a plurality of substrates
US8192805B2 (en) 2007-09-27 2012-06-05 Tel Epion Inc. Method to improve electrical leakage performance and to minimize electromigration in semiconductor devices
US7981483B2 (en) 2007-09-27 2011-07-19 Tel Epion Inc. Method to improve electrical leakage performance and to minimize electromigration in semiconductor devices
US7754588B2 (en) 2007-09-28 2010-07-13 Tel Epion Inc. Method to improve a copper/dielectric interface in semiconductor devices
US8372489B2 (en) 2007-09-28 2013-02-12 Tel Epion Inc. Method for directional deposition using a gas cluster ion beam
US7794798B2 (en) 2007-09-29 2010-09-14 Tel Epion Inc. Method for depositing films using gas cluster ion beam processing
US7825389B2 (en) 2007-12-04 2010-11-02 Tel Epion Inc. Method and apparatus for controlling a gas cluster ion beam formed from a gas mixture
US7883999B2 (en) 2008-01-25 2011-02-08 Tel Epion Inc. Method for increasing the penetration depth of material infusion in a substrate using a gas cluster ion beam
US7905199B2 (en) 2008-06-24 2011-03-15 Tel Epion Inc. Method and system for directional growth using a gas cluster ion beam
US9103031B2 (en) 2008-06-24 2015-08-11 Tel Epion Inc. Method and system for growing a thin film using a gas cluster ion beam
US7871929B2 (en) 2008-07-30 2011-01-18 Tel Epion Inc. Method of forming semiconductor devices containing metal cap layers
US7776743B2 (en) 2008-07-30 2010-08-17 Tel Epion Inc. Method of forming semiconductor devices containing metal cap layers
US8202435B2 (en) 2008-08-01 2012-06-19 Tel Epion Inc. Method for selectively etching areas of a substrate using a gas cluster ion beam
US7948734B2 (en) 2008-09-11 2011-05-24 Tel Epion Inc. Electrostatic chuck power supply
US8169769B2 (en) 2008-09-11 2012-05-01 Tel Epion Inc. Electrostatic chuck power supply
US7834327B2 (en) 2008-09-23 2010-11-16 Tel Epion Inc. Self-biasing active load circuit and related power supply for use in a charged particle beam processing system
US8313663B2 (en) 2008-09-24 2012-11-20 Tel Epion Inc. Surface profile adjustment using gas cluster ion beam processing
US8691103B2 (en) 2008-09-24 2014-04-08 Tel Epion Inc. Surface profile adjustment using gas cluster ion beam processing
US8304033B2 (en) 2009-02-04 2012-11-06 Tel Epion Inc. Method of irradiating substrate with gas cluster ion beam formed from multiple gas nozzles
US8097860B2 (en) 2009-02-04 2012-01-17 Tel Epion Inc. Multiple nozzle gas cluster ion beam processing system and method of operating
US8981322B2 (en) 2009-02-04 2015-03-17 Tel Epion Inc. Multiple nozzle gas cluster ion beam system
US7968422B2 (en) 2009-02-09 2011-06-28 Tel Epion Inc. Method for forming trench isolation using a gas cluster ion beam growth process
US8455060B2 (en) 2009-02-19 2013-06-04 Tel Epion Inc. Method for depositing hydrogenated diamond-like carbon films using a gas cluster ion beam
US7947582B2 (en) 2009-02-27 2011-05-24 Tel Epion Inc. Material infusion in a trap layer structure using gas cluster ion beam processing
US8226835B2 (en) 2009-03-06 2012-07-24 Tel Epion Inc. Ultra-thin film formation using gas cluster ion beam processing
US7982196B2 (en) 2009-03-31 2011-07-19 Tel Epion Inc. Method for modifying a material layer using gas cluster ion beam processing
US9305746B2 (en) 2009-03-31 2016-04-05 Tel Epion Inc. Pre-aligned nozzle/skimmer
US8877299B2 (en) 2009-03-31 2014-11-04 Tel Epion Inc. Method for enhancing a substrate using gas cluster ion beam processing
US8592784B2 (en) 2009-03-31 2013-11-26 Tel Epion Inc. Method for modifying a material layer using gas cluster ion beam processing
US8048788B2 (en) 2009-10-08 2011-11-01 Tel Epion Inc. Method for treating non-planar structures using gas cluster ion beam processing
US8237136B2 (en) 2009-10-08 2012-08-07 Tel Epion Inc. Method and system for tilting a substrate during gas cluster ion beam processing
US8173980B2 (en) 2010-05-05 2012-05-08 Tel Epion Inc. Gas cluster ion beam system with cleaning apparatus
US8338806B2 (en) 2010-05-05 2012-12-25 Tel Epion Inc. Gas cluster ion beam system with rapid gas switching apparatus
US8481340B2 (en) 2010-06-16 2013-07-09 Tel Epion Inc. Method for preparing a light-emitting device using gas cluster ion beam processing
US9540725B2 (en) 2014-05-14 2017-01-10 Tel Epion Inc. Method and apparatus for beam deflection in a gas cluster ion beam system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62296357A (ja) イオン注入装置の電荷中和装置
JP3054302B2 (ja) イオン注入中の半導体ウェハにおける帯電を低減するプラズマ放出システム
JP4178330B2 (ja) プラズマ注入システム
US4914292A (en) Ion implanting apparatus
JP3758520B2 (ja) イオンビーム照射装置および関連の方法
JP2881881B2 (ja) 電子シャワー
JP3460242B2 (ja) 負イオン注入装置
JP2616423B2 (ja) イオン注入装置
JPH11307038A (ja) 不純物遮断装置を備えるイオン注入装置
JP3265987B2 (ja) イオン照射装置
JPH02112140A (ja) 低速イオン銃
JPS63126147A (ja) イオン照射装置の電荷中和装置
JP3105931B2 (ja) 電子ビーム照射装置及び電子ビーム照射方法
JP3341497B2 (ja) 高周波型荷電粒子加速器
JP3265988B2 (ja) イオン照射装置
JP3100006B2 (ja) 放射光発生装置
JPH03233849A (ja) イオン注入機
JPS62103952A (ja) イオン注入装置
JPH0654649B2 (ja) イオン注入装置
JPS63207127A (ja) イオン注入装置
JPH04144050A (ja) イオン注入装置用電子シヤワー装置
JPH02288143A (ja) 低エネルギー電子発生装置
JPH02247970A (ja) イオン注入装置
JPH04144227A (ja) イオン注入装置
JPH0773041B2 (ja) イオン注入装置