JPH0722453U - 荷電粒子ビーム照射装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウェハに均一にイオンビームを量産照
射でき、しかもウェハに損傷を与えることなくウェハを
保持し作業者への被爆を少なくする。 【構成】 加速器で加速されたイオンビームは垂直方向
及び水平方向ビーム電磁石２２及び２３によって掃引ビ
ームとされ、管路２１によって照射位置が規定された照
射チャンバに導かれる。プレートには複数のウェハ３１
がそのエッジ部で保持され、複数のプレートが収納され
た収納ケースが複数ウェハハンドリング装置２７内に配
置されている。ウェハハンドリング装置ではプレートを
照射チャンバに搬送して、各ウェハに掃引ビームを照射
させる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本発明は荷電粒子ビーム照射装置に関し、特に、半導体ウェハ等の基板に高速 イオンを照射するためのイオンビーム照射装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

一般に、サイクロトロン等の加速器で加速された高速軽イオン（例えば、水素 イオン、重水素イオン、又はヘリウムイオン）を半導体ウェハ又はチップに照射 する照射装置では、半導体ウェハ（以下単にサンプルと呼ぶ）上へのイオン照射 面積はサイクロトロンから得られるイオンビーム径で規定される。つまり、イオ ンビームで照射可能な範囲（照射面積）はイオン束の面積で規定されることにな り、このため、イオンビームで照射可能なサンプルは２乃至３ｃｍ角が限界であ る。

【０００３】 従来、サンプルにイオンビームを照射する際には、１回のセットで１サンプル 処理（照射）する枚葉式であり、１照射に約６分かかっている。このため、１日 （稼働時間を８時間とする）当りの処理数は連続照射において約８０サンプルと なる。従来、サンプルにイオンビームを照射する際には、図８に示す枚葉式サン プリングフランジ１１を準備して、サンプルフランジ１１にサンプル（半導体ウ ェハ）１２を装置し、サンプル１２上にエネルギー減衰用Ａｌフォイル１３を重 ねる。そして、サンプルフランジ１１と固定リング１４とをねじ止めすることに よってサンプル１２をサンプルフランジ１１と固定リング１４とで挟持する。こ のようにして、サンプル１２をサンプルフランジ１１に装着した後、エネルギー 減衰用Ａｌフォイル１３を通してイオンビームをサンプル１２に照射する。そし て、サンプル１２をサンプルフランジ１１にセットする際、Ａｌフォイル１３の 厚さを変えることによって、イオンビーム照射の際サンプル１２へのイオン打ち 込み深さを変えることができる。

【０００４】 上述のようなイオン照射に当っては、イオン照射の都度、照射済みサンプルと 未照射サンプルとを照射位置（照射ステーション）で取り替えるため、作業者（ オペレータ）は照射室に入室する必要がある。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

ところで、サンプルへのイオン照射においては、粒子入射量（被照射サンプル 面内１ｃｍ² 当りに打ち込むイオン数）をサンプルの全面内で均一にする必要が あり、従来のように所謂静止イオンビームでサンプルを照射した際には、サンプ ル面内で強度的にばらつきが生じ、均一にイオン照射できないという問題点があ る。

【０００６】 さらに、サンプルフランジにサンプルをセットしてイオン照射を行う際、上述 のように、サンプルを直接Ａｌフォイルとサンプルフランジとで挟み込んでいる ため、サンプルを傷付ける恐れがあるばかりでなく、Ａｌフォイルの損傷が早く しかも使用量が多くなって不経済である。

【０００７】 加えて、前述のようにサンプル取替えのため、作業者が照射室に入室すると、 照射ステーションに配置されたスリット等から発生する残留放射線によって作業 者が被爆することがある。

【０００８】 本考案の目的はサンプルに均一にイオン照射することのできるイオン照射装置 を提供することにある。

【０００９】 本考案の他の目的はサンプルを傷付けることがなくしかも経済的なイオン照射 装置を提供することにある。

【００１０】 本考案のさらに他の目的は作業者への被爆がないイオン照射装置を提供するこ とにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】

本考案によれば、加速器で加速された荷電粒子ビームを照射ビームとして基板 に照射する際に用いられる荷電粒子ビーム照射装置であって、前記荷電粒子ビー ムを掃引して掃引ビームを得る電磁石手段と、前記照射ビームの照射位置が規定 された照射チャンバと、該掃引ビームを前記照射ビームとして前記照射位置に導 く管路と、前記基板が複数配置され前記基板を前記照射チャンバ内に搬送する搬 送手段とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置が得られる。そして 、基板はを複数枚互いに独立してそのエッジ部でプレートに保持され、このプレ ートは互いに独立して複数枚収納ケースに収納される。また、管路にはフォイル チャンバ、スリットチャンバ、及び二次電子抑制用の電極が取り付けられている 。

【００１２】

【作用】

本考案では、掃引ビームによってウェハを照射するようにしたから、広範囲に しかも均一にイオンビームを照射できる。プレートを用いてウェハをそのエッジ 部のみで保持するようにしたため、ウェハの機能部に損傷を与えることがほとん どなく、しかもウェハのセットが容易である。複数のサンプルプレートを収納ケ ースに収納してこれら収納ケースから自動的にウェハを照射チャンバに搬送する ようにしたため、一日当たりの処理数を増加することができるばかりでなく、作 業者の照射室への入室を最小限度に抑えることができる。管路に二次電子抑制用 電極を設けたから、ビーム電流を正確に測定することができる。

【００１３】

【実施例】

以下本考案について実施例によって説明する。

【００１４】 図１を参照して、図示のイオン照射装置は管路２１を備えており、管路２１の 一端はサイクロトロン（図示せず）の出口に接続され、この管路２１によってイ オンビームが通過するビーム通路が規定される。さらに、このイオン照射装置は 垂直方向ビーム掃引電磁石２２、水平方向ビーム掃引電磁石２３、ビームシャッ ター２４、ゲートバルブ２５及び２６、ウェハハンドリング装置２７、及びター ボ分子ポンプ２８乃至３０を備えている。

【００１５】 図示のように、管路２１はゲートバルブ２５及び２６によって実質的に第１乃 至第３の管路２１ａ乃至２１ｃに３分割されおり、第１の管路２１ａにはビーム シャッター２４が備えられている。第１の管路２１ａはターボ分子ポンプ２８に よって排気され高真空状態に保たれ、同様にして、第２の管路２１ｂはターボ分 子ポンプ２９によって排気され高真空状態に保たれている。

【００１６】 ウェハハンドリング装置２７には後述するようにして半導体ウェハ（以下単に ウェハと呼ぶ）３１が配置される。そして、ウェハハンドリング装置２７内は後 述するようにしてターボ分子ポンプ３０によって排気され、これによって、第３ の管路２１ｃを含めてウェハハンドリング装置２７は高真空状態に保たれる。

【００１７】 サイクロトロンから出射したイオンビームは垂直方向ビーム掃引電磁石２２及 び水平方向ビーム掃引電磁石２３によってそれぞれ垂直方向及び水平方向に掃引 され掃引ビームとしてビームシャッター２４、ゲートバルブ２５及び２６を通過 して管路２１の他端に形成された照射口からウェハ３１に照射される。

【００１８】 ところで、ウェハ３１はそのサイズが６インチ（直径１５０ｃｍ）程度であり 、ウェハ３１へのイオンビーム照射に当っては、上述のようにサイクロトロンか ら出射されたイオンビームを垂直方向及び水平方向に掃引して掃引イオンビーム を得て、ウェハ３１の全面にイオンビームを照射するようにしている。つまり、 サイクロトロンから得られる小径ビーム（静止ビーム）を掃引してウェハ３１の 大きさに応じた面積に対して一様にイオンビームを照射するようにしている。

【００１９】 ここで、図２を参照して、垂直方向ビーム掃引電磁石２２の構成について説明 する。

【００２０】 図示のように、電磁石２２は枠状のヨーク２２ａを備えており、このヨーク２ ２ａの内壁面にはケイ素鋼板（０．５ｔケイ素鋼板）が積層されたコア２２ｂが 取り付けられている。このコア２２ｂには巻線（コイル）２２ｃが施されており 、外部導体部２２ｄを介して電源（図示せず）に接続される。さらに、ヨーク２ ２ａの下面には図示のようにフランジ部２２ｅが取り付けられ、これによって、 電磁石２２は、例えば、台（図示せず）等に固定される。そして、コア２２ｂで 規定される空間内には図１に示す第１の管路２１ａが通される。

【００２１】 水平方向ビーム掃引電磁石２３についても垂直方向ビーム掃引電磁石２２と同 様の構成要素を備えている。つまり、図３に示すように、電磁石２３はヨーク２ ３ａ、ケイ素鋼板が積層されたコア２３ｂ、コイル２３ｃ、外部導体部２３ｄ、 及びフランジ部２３ｅを備えている。なお、水平方向ビーム掃引電磁石２３は垂 直方向ビーム掃引電磁石２２に対して９０度回転させた関係にあり、コア２３ｂ で規定される空間内には第１の管路２１ａが通される。

【００２２】 ここで、電磁石２２及び２３の仕様について説明する。

【００２３】 受電電源には３相３線式交流２００ボルトが用いられ、電圧変動は±１０％で ある。また、電源周波数は５０又は６０Ｈｚである。電源からの出力は電圧が± ４０ボルト、電流が±６０アンペアであり、出力波形はファンクションシンセサ イザによって三角波とされる。また、出力周波数は０乃至６０Ｈｚ可変である。

【００２４】 各電磁石２２及び２３はその磁極間隙が８２ｍｍ、最大磁場強度が４９０ガウ ス、起磁力が３６００アンペアターン、磁場均一度が±０．１％／６０ｍｍ、最 大励磁電流６０アンペアである。

【００２５】 次に、図４を参照してウェハハンドリング装置について説明する。

【００２６】 図４（ａ）に示すようにウェハハンドリング装置２７は搬送チャンバ２７ａを 備えており、この搬送チャンバ２７ａには後述するようにして複数のウェハが配 置されている。搬送チャンバ２７ａには照射チャンバ２７ｂが連通して連結され 、この照射チャンバ２７ｂにはウェハへのイオン照射場所である照射位置が規定 されている。そして、搬送チャンバ２７ａ内のウェハは後述するようにして搬送 機構２７ｃによって照射チャンバ２７ｂの照射位置に搬送される。

【００２７】 図４（ａ）において、照射チャンバ２７ｂには照射位置において前述した第３ の管路２１ｃが連結されており、これによって、搬送チャンバ２７ｂに送られた ウェハに掃引ビームが照射される。

【００２８】 図４（ａ）及び（ｂ）を参照して、搬送チャンバ２７ａはターボ分子ポンプ３ ０が収納されたポンプ筐体３０ａ上に載置されており、ターボ分子ポンプ（１０ ００リットル／秒、水冷式）３０は排気ポンプ部（ロータリーポンプ：８４０リ ットル／分）３２に接続されるとともに照射チャンバ２７ｂに接続されている。 これによって、ターボ分子ポンプ３０で搬送チャンバ２７ａ、照射チャンバ２７ ｂ、及び第３の管路２１ｃ内が高真空状態に保たれる。

【００２９】 ここで、図４（ａ）に加えて図４（ｃ）を参照して、第３の管路２１ｃにはス リットチャンバ３３及びデグレーダチャンバ３４が形成されており、スリットチ ャンバ３３にはウェハサイズに応じたスリットが形成されたスリット部（例えば 、グラファイトスリット）３３ａが挿入される。また、グラファイトスリット３ ３ａの後段にはＣｕ電極３３ｂが配置され、このＣｕ電極３３ｂによってイオン ビームによる二次電子放出が抑制される。一方、デグレーダチャンバ３４にはエ ネルギー減衰用のデクレーダフォイル（Ａｌフォイル）３４ａが挿入される。そ して、ゲートバルブを通過した掃引ビームはデクレーダフォイル（Ａｌフォイル ）３４ａ及びグラファイトスリット３３ａを通過して照射チャンバ２７ｂに達し 、照射位置でウェハを照射することになる。

【００３０】 なお、図４（ａ）及び（ｃ）に示すように、搬送チャンバ２７ａには後述する ようにウェハを出し入れするための蓋部２７１が設けられており、この蓋部を密 閉状態とするため搬送チャンバ２７ａには一対のシリンダー部２７２及び２７３ が備えられている。

【００３１】 次に搬送チャンバ２７ａから照射チャンバ２７へのウェハの搬送について説明 する。

【００３２】 まず、図５を参照して、ウェハ３１は図示のサンプルプレート３５に配置され る。このサンプルプレート３５は板体３５ａを備えており、この板体３５ａには 所定の間隔をおいて図中下方向に延びる切り込み部３５ｂが形成されている（図 ４においては合計４個の切り込み部３５ｂが形成されている）。この切り込み部 ３５ｂに対応して板体３５ａの下側にはウェハ固定ブロック３５ｃが取り付けら れている。このウェハ固定ブロック３５ｃはその内周面が円弧状のポケット部３ ５ｄを備えており、このポケット部３５ｄに沿ってウェハ３１の外周面が配置さ れ、これによってウェハ３１がウェハ固定ブロック３５ｃに装置されることにな る。

【００３３】 さらに、ウェハ３１の外周面に当接する位置において、板体３５ａには各ウェ ハ固定ブロック３５ｃに対応してそれぞれ一対のウェハ支持ピン３５ｅが取り付 けられており、ウェハ３１がウェハ固定ブロック３５ｃに配置された際、ウェハ 支持ピン３５ｅによってウェハ３１が支えられることになる。

【００３４】 各ウェハ固定ブロック３５ｃに対応して板体３５ａにはウェハ固定アーム３５ ｆがピン部材３５ｇを軸として回転可能に取り付けられており、さらに、このウ ェハ固定アーム３５ｆの先端部にはウェハ固定ピン３５ｈが取り付けられている 。ウェハ３１をウェハ固定ブロック３５ｃに配置した際、ウェハ固定アーム３５ ｆを実線矢印で示す方向に回転させて、ウェハ固定ピン３５ｈをウェハ３１の外 周面に当接させる。これによって、ウェハ３１はウェハ固定ブロック３５ｃ、ウ ェハ支持ピン３５ｅ、及びウェハ固定ピン３５ｈによって完全にサンプルプレー ト３５にその両面（表面及び裏面）が浮いた状態で、つまり、エッジ部で保持さ れることになる。なお、板体３５ａの右端には逆Ｌ字形状の折り曲げ部３５ｉが 形成されており、この折り曲げ部３５ｉを用いて後述するようにしてサンプルプ レート３５が搬送される。

【００３５】 図６も参照して、図５に示したサンプルプレート３５はウェハ３１が装着され た後、図６に示すプレート収納ケース３６内に収納される。このプレート収納ケ ース３６は上板３６ａ、測板３６ｂ、及び底板３６ｃによって構成されている。 つまり、図６において、プレート収納ケース３６は前面、左端面、及び右端面が 開口されていることになる。上板３６ａには一対の取手部３６ｄが設けられてお り、この取手部３６ｄによってプレート収納ケース３６は運搬される。上板３６ ａ及び底板３６ｃにはその長手方向に沿って予め定められた間隔をおいて複数の 溝部３６ｅが形成されており、この溝部３６ｅに沿ってサンプリングプレート３ ５はウェハ載置面を前面側に向けてプレート収納ケース３６内に収納される。な お、図示の例では、プレート収納ケース３６内には合計５枚のサンプリングプレ ート３５が配置される。

【００３６】 図７を参照して、上述のようにしてサンプルプレート３５が収納されたプレー ト収納ケース３６が複数搬送チャンバ２７ａ内に収納される。この際、プレート 収納ケース３６は前面開口をビーム通路側に向けて配置される。

【００３７】 搬送チャンバ２７ａ内にはプレート収納ケース３６が載置されるための搬送台 ３７が備えられており、この搬送台３７はビーム通路（ビーム中心軸）と平行に 延びる一対のレール部３８上にビーム中心軸方向に移動可能に配置されている。 そして、搬送台３７の側面にはラック３７ａがレール部方向に沿って取り付けら れている。搬送チャンバ３６には複数のプレート収納ケース３６が配置されるこ とになる。

【００３８】 搬送機構２７ｃは搬送台駆動用モータ３９を備えており、この搬送台駆動用モ ータ３９のモータ軸にはピニオン３９ａが取り付けられて、このピニオン３９ａ はラック３７ａと噛み合っている。つまり、ラック３７ａとピニオン３９ａとに よってラック・ピニオン機構が形成される。

【００３９】 搬送機構２７ｃはさらに支持台部４０を備えており、この支持台部４０にはビ ーム中心軸と直交する方向（直交方向）に延びるボールネジ部４１及びプレート 移動軸体４２が取り付けられている。ボールネジ部４１の先端（図中左端）には プーリ４１ａが取り付けられ、このプーリ４１ａはベルト４１ｂを介してプーリ ４３ａに連結されている。そして、プーリ４３ａはプレート移動モータ４３のモ ータ軸に取り付けられている。なお、プレート移動軸体４２の先端部にはＬ字形 状の折り曲げ部４２ａが形成されており、上述したサンプルプレート３５の折り 曲げ部３５ｉと折り曲げ部４２ａとは後述するようにして着脱される。

【００４０】 ウェハ３１にイオンビームを照射する際には、まず、前述のように複数のプレ ート収納ケース３６が搬送台３７上に図示のように載置される。この状態（初期 状態）においては、最前端に位置するプレート収納ケース（第１のプレート収納 ケースと呼ぶ）３６内の最前端にあるサンプルプレート（以下第１のサンプルプ レートと呼ぶ）３５は照射チャンバ２７ｂに対応しているものとし、また、初期 状態において、折り曲げ部４２ａは第１のサンプルプレート３５の側面に対応し ている。

【００４１】 この初期状態において、プレート移動モータ４３を駆動してプーリ４３ａ、ベ ルト４１ｂ、及びプーリ４１ａを介してボールネジ部４１を回転（正回転）させ る。ボールルジ部４１の回転によって支持台部４０は実線矢印で示す方向に移動 する。この結果、支持台部４０に取り付けられたプレート移動軸体４２も同様に 実線矢印方向に移動する。プレート移動軸体４２の移動によって、第１のサンプ ルプレート３５は折り曲げ部４２ａによって押されて図中左方向に移動して、照 射チャンバ２７ｂ内に挿入（搬送）される。照射チャンバ２７ｂ内にはガイド部 ４４が形成されており、第１のサンプルプレート３５はガイド部４４に案内され て照射チャンバ２７ｂ内に搬送されることになる。

【００４２】 前述のように、第１のサンプルプレート３５上には合計４個のウェハ３１が装 置されており（ここでは、左側から右側に向かって第１乃至第４のウェハと呼ぶ ことにする）、第１のウェハ３１が照射チャンバ２７ｂの照射位置に達すると、 プレート移動モータ４３が停止されて第１のサンプルプレート３５の移動も停止 する。そして、図１に示すビームシャッター２４及び２６が開かれて、第１のウ ェハ３１が掃引ビームで照射されることになる。

【００４３】 第１のウェハ３１へのビーム照射が終了すると、再び、プレート移動モータ４ ３が駆動（正回転）されて第１のサンプルプレート３５が左方向に移動する。第 ２のウェハ３１が照射チャンバ２７ｂの照射位置に達すると、プレート移動モー タ４３が停止されて、第２のウェハ３１が掃引ビームで照射されることになる。 以下同様にして、第３及び第４のウェハ３１への掃引ビームの照射が行われる。

【００４４】 第１のサンプルプレート３５上の全てのウェハ３１に対するビーム照射が終了 すると、プレート移動モータ４３が逆回転駆動される。この結果、ボールネジ部 ４１の逆回転によってプレート移動軸体４２は破線矢印で示す方向に移動するこ とになる。この際、折り曲げ部３５ｉが折り曲げ部４２ａに引っ掛けられて第１ のサンプルプレート３５は右方向に移動することになる。これによって、第１の サンプルプレート３５は照射チャンバ２７ｂから引き出され、再び、第１のサン プルプレート３５は第１のプレート収納ケース３６に収納される。

【００４５】 第１のサンプルプレート３５が第１のプレート収納ケース３６に収納されると 、搬送台駆動用モータ３９を駆動制御してラック・ピニオン機構によって搬送台 ３７をレール部３８に沿って前進させる。そして、第１のサンプルプレート３５ の次に位置するサンプルプレート（以下第２のサンプルプレートと呼ぶ）３５が 照射チャンバ２７ｂに対応すると、搬送台駆動用モータ３９は停止する。その後 、第１のサンプルプレート３５について説明した動作と同様にして、第２のサン プルプレート３５上のウェハ３１についてビーム照射が行われる。そして、第１ のプレート収納ケース３６内の全てのサンプルプレート３５上のウェハ３１への ビーム照射が終了すると、同様にして、残りのプレート収納ケース３６内に収納 されたサンプルプレート３５上のウェハ３１へのビーム照射が行われて、全てプ レート収納ケース３６についてビーム照射が終了する。

【００４６】 再び、図１を参照して、電磁石２２の出力をＡＣ６０アンペア、周波数２５． ０Ｈｚの三角波とし、電磁石２３の出力をＡＣ６０アンペア、周波数２４．１Ｈ ｚの三角波として、ウェハ３１にイオンビーム照射を行うと、電磁石２２及び２ ３から約６メートルの距離において３００ｍｍ角の均一照射を行うことができる 。そして、出力電流は１アンペアピッチで６０アンペアまで変化させることがで きるので（１０アンペアの掃引幅は約２５ｍｍ）容易に掃引幅を変えることがで きる。

【００４７】 上述の掃引周波数及び出力波形は計算機シミュレーションによって求められた ものであり、サイクロトロンから得られるビーム形状を測定して、このビーム形 状に対する掃引周波数及び出力波形を仮定し、計算機シミュレーションで照射面 内における粒子入射量分布を計算することによって最良の掃引周波数及び出力波 形を決定した。この計算機シミュレーションの妥当性は「特願平５−８５８９８ 号明細書」に記載されたＸ線フィルムを用いたドーズ量均一性の測定によって実 際の照射において確認できた。

【００４８】 ところで、ウェハにイオンビームを照射する際には、ウェハへの粒子入射量を モニターするため、イオンビームによる電流値を測定する必要がある。上述の実 施例では、サンプルプレート３５にウェハ３１をそのエッジ部で保持するように しているが、このようにウェハ３１をエッジ部で保持するようにしてもウェハ両 面を金属接触させて保持した場合と同様に電流測定ができることが実験によって 確認できた。

【００４９】 さらに、上述の実施例ではリング状のＣｕ電極を設けているから、イオンビー ム照射によるウェハ表面からの二次電子放出にかかわらず二次電子のビーム電流 測定に対する影響を防ぎ、かつ、イオンビームに干渉することなく正確にビーム 電流を測定することができる。そして、Ｃｕ電極に数百ボルトの電圧を印加すれ ば、十分な二次電子抑制効果が得られた。

【００５０】

【考案の効果】

以上説明したように本考案では掃引ビームによってウェハを照射するようにし たから、広範囲にしかも均一にイオンビームを照射できる。さらに、サンプルプ レートを用いてウェハをそのエッジ部のみで保持するようにしたため、ウェハに 損傷を与えることがほとんどなく、しかもウェハのセットが容易である。加えて 、複数のサンプルプレートを収納ケースに収納してこれら収納ケースから自動的 にウェハを照射チャンバに搬送するようにしたため、一日当たりの処理数を増加 することができるばかりでなく、作業者の照射室への入室を最小限度に抑えるこ とができ、その結果、被爆を低減させることができる。また、Ｃｕ電極を設けて いるため、二次電子を実質的に抑制するとこが可能となり、その結果、ビーム電 流を正確に測定することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案によるイオンビーム照射装置の一実施例
を概略的に示す斜視図である。

【図２】図１に示す垂直方向ビーム掃引電磁石を示す図
であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。

【図３】図１に示す水平方向ビーム掃引電磁石を示す図
であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。

【図４】図１に示すウェハハンドリング装置及びその周
辺を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、
（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。

【図５】本考案で用いられるサンプルプレートの一実施
例を示す斜視図である。

【図６】本考案で用いられるプレート収納ケースの一実
施例を示す斜視図である。

【図７】図１に示すウェハハンドリング装置をその一部
分を破断して示す斜視図である。

【図８】従来のイオンビーム照射装置に用いられるサン
プルフランジを説明するための斜視図である。

【符号の説明】

２１ 管路 ２２ 垂直方向ビーム掃引電磁石 ２３ 水平方向ビーム掃引電磁石 ２４ ビームシャッター ２５，２６ ゲートバルブ ２７ ウェハハンドリング装置 ２８，２９，３０ ターボ分子ポンプ ３１ ウェハ

Claims (8)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 加速器で加速された荷電粒子ビームを照
   射ビームとして基板に照射する際に用いられる荷電粒子
   ビーム照射装置であって、前記荷電粒子ビームを掃引し
   て掃引ビームを得る電磁石手段と、前記照射ビームの照
   射位置が規定された照射チャンバと、該掃引ビームを前
   記照射ビームとして前記照射位置に導く管路と、前記基
   板が複数配置され前記基板を前記照射チャンバ内に搬送
   する搬送手段とを有することを特徴とする荷電粒子ビー
   ム照射装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載された前記電磁石手段は
   前記荷電粒子ビームを該ビーム軸に対して直交する第１
   の方向に掃引する第１の電磁石と、前記ビーム軸及び前
   記第１の方向に直交する第２の方向に掃引する第２の電
   磁石とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム照射装
   置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載された荷電粒子ビ
   ーム照射装置において、前記基板を複数枚互いに独立し
   てそのエッジ部で保持するプレートを備えることを特徴
   とする荷電粒子ビーム照射装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載された荷電粒子ビーム照
   射装置において、前記プレートを互いに独立して複数枚
   収納する収納ケースを備えることを特徴とする荷電粒子
   ビーム照射装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載された荷電粒子ビーム照
   射装置において、前記搬送手段は、前記収納ケースが複
   数配置され前記照射チャンバに連結された室と、前記プ
   レートを前記室から前記照射チャンバに搬送する搬送機
   構とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム照射装
   置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載された荷電粒子ビーム照
   射装置において、前記照射チャンバは前記照射ビーム軸
   に直交する方向に延びており、前記室は前記照射ビーム
   軸に延び前記収納ケースは前記室内に前記照射チャンバ
   の延在方向に平行に収納され、前記収納ケースは前記ビ
   ーム軸に直交する面及び前記前記ビーム軸に平行な面が
   開口されており、前記搬送機構は、前記収納ケースを前
   記照射ビーム軸方向に移動させる第１の駆動機構と、前
   記プレートを前記照射チャンバの延在方向に移動させる
   第２の駆動機構とを有することを特徴とする荷電粒子ビ
   ーム照射装置。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載された
   荷電粒子ビーム照射装置において、前記管路にはスリッ
   トが配置されるスリットチャンバと、ビームエネルギー
   減衰用のフォイルが配置されるフォイルチャンバが形成
   されていることを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載された荷電粒子ビーム照
   射装置において、前記管路には二次電子抑制用の電極が
   取り付けられていることを特徴とする荷電粒子ビーム照
   射装置。