CN109243958A - 离子植入机及离子植入方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体设备制造技术领域，公开了一种离子植入机及离子植入方法，其中，离子植入机包括：离子源，用于射出离子束；磁场装置，接收从离子源射出的离子束并改变该离子束的方向；工艺腔，用于接收从磁场装置射出的离子束。并且，离子植入机还包括设置在磁场装置和工艺腔之间的金属离子吸收部件。本发明提供的离子植入机，通过设置金属离子吸收部件，将离子束中的金属离子分离并吸收，使得离子束中只包含需要掺杂的离子，减少晶圆表面形成金属沾污的概率，从而降低晶圆的暗电流并提高离子植入的良品率。

Description

离子植入机及离子植入方法

技术领域

本发明涉及半导体设备制造技术领域，特别涉及一种离子植入机及离子植入方法。

背景技术

目前，离子植入机广泛应用于半导体器件的生产制造，能够通过在晶圆中掺杂少量杂质，使得晶圆的结构和导电率发生改变，从而使半导体器件具有更好的性能，通常掺入的杂质为ⅢA族和ⅤA族的元素。一般来说，通过离子源产生特定价态的等离子体，并形成离子束，离子束经过选择和加速最终轰击到晶圆上，从而实现特定离子的植入。

然而，在离子源产生等离子体以及对离子束进行离子选择的过程中，可能会引入其他离子，常见的杂质离子为离子束碰撞到离子植入机内部的金属腔壁，而轰击飞溅出的金属离子。在现有技术中，离子植入机内部通常设置有石墨覆盖层，对离子植入机进行保护，可以减少离子束对离子植入机的损伤。

但是，石墨覆盖层会因不断受到离子束的扫描而损耗，尤其是对离子束进行选择的部位。当石墨覆盖层被击穿后，会露出离子植入机的金属部分，并由于离子束的撞击会飞溅产生如金属离子等的金属污染。这些金属污染会随着离子束一起被掺杂进晶圆中，并形成金属沾污而影响晶圆的导电率等性能，降低离子植入的良品率。

并且，部分半导体器件例如CMOS图像传感器等，对于金属沾污极为敏感，微量的金属沾污也会严重影响图像传感器的性能，因此如何减少离子植入过程中形成金属沾污成为亟待解决的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种离子植入机，大幅降低离子束中可能混杂的金属离子，从而减少金属沾污。

根据本发明，通过在离子植入机内设置金属离子吸收部件，能够在离子束扫描到晶圆表面之前，将其中的金属离子去除，从而减少晶圆上的金属沾污，进而提高离子植入的良品率，确保半导体器件的性能。

本发明提供了一种离子植入机，包括：离子源，用于射出离子束，磁场装置，接收从离子源射出的离子束并改变该离子束的方向；工艺腔，用于接收从磁场装置射出的离子束，并且，离子植入机还包括设置在磁场装置和工艺腔之间的金属离子吸收部件。

相较于现有技术而言，本发明提供的离子植入机，通过设置金属离子吸收部件，将金属离子从离子束中的分离并吸收，使得离子束中只包含需要掺杂的离子，确保减少晶圆表面形成的金属沾污，从而降低晶圆的暗电流并提高离子植入的良品率。

作为优选，金属离子吸收部件为带有负向偏压的管状部件。

负向偏压用于吸收带正电的金属离子，使金属离子的运动轨迹发生偏转，从而脱离离子束被金属离子吸收器吸收。并且，将金属离子吸收部件设置为管状部件，使离子束能够沿着管状部件的轴向通过，使得吸收过程更加充分，从而降低晶圆上的金属沾污。

进一步地，作为优选，在管状部件的内壁设置有石墨层，能够吸收离子束中的金属离子。

石墨层用于吸收从离子束中偏转的金属离子。并且，石墨层完全覆盖管状部件的内壁，因此能够保护管状部件免受离子的轰击。

进一步地，作为优选，在管状部件上设置有电极，电极通过导线连接偏压电源。

通过电极和导线向管状部件施加恒定、可调节的负向偏压，能够有效使金属离子发生偏转并被管状部件吸收。

另外，作为优选，管状部件的长度范围为7cm～8cm。

将管状部件的长度设置在7cm～8cm的范围内，能够在有效吸收金属离子的同时减少负向偏压对离子束的尺寸的影响。

另外，作为优选，管状部件所设置的负向偏压处于-2Kv～-0.5Kv范围内。

将管状部件的负向偏压设置在-2Kv～-0.5Kv的范围内，能够根据离子束和金属离子的特征选择不同的负压，能够提高对不同种类的离子束中混有的不同金属离子的吸收率，进一步减少金属沾污的形成。

进一步地，作为优选，负向偏压设置在-1.2～-0.8Kv的范围内。

采用-1.2～-0.8Kv范围内的负向偏压，能够有效吸收大部分的金属离子，并且能够将离子束的尺寸控制在预设的范围内，从而保证离子植入的效果，并提高离子植入的品质。

另外，作为优选，管状部件为波纹管。

波纹管为常用于离子植入机的器件，因此获取容易且加工难度较低。

本发明还提供了一种离子植入方法，包括如下步骤：离子源射出离子束，磁场装置接收从离子源射出的离子束并改变该离子束的方向；利用金属离子吸收部件来吸收从磁场装置射出的离子束中包括的金属离子；将被所述金属离子部件吸收金属离子后的离子束，导入工艺腔。

与现有技术相比，本发明提供的离子植入方法，通过在离子束到达晶圆前进行金属离子吸收步骤，对经过磁场装置选择的离子束中的金属离子进行吸收。利用吸收步骤消除可能在磁场装置进行选择时产生或仍然存在的金属离子，从而确保离子植入的良品率。

进一步地，作为优选，还包括如下步骤：在吸收了金属离子之后、离子源射出下一次离子束之前，根据金属离子吸收部件吸收金属离子后的离子束宽度来调整应射出的离子束宽度。

由于经过金属离子吸收的步骤，因为离子束中的离子也会发生偏转而使得离子束的尺寸变大，因此，通过调节步骤能够对离子束的尺寸进行调整，从而使离子植入在预设的范围内进行。

附图说明

图1是现有技术中的离子植入机的示意图；

图2是扫描系统的结构示意图；

图3是本发明的第一实施方式的离子植入机的示意图；

图4是本发明的第一和第二实施方式中金属离子吸收部件的示意图；

图5是本发明的第一和第二实施方式中采用设置有法兰凸缘盘的金属离子吸收部件的示意图；

图6是本发明的第一和二实施方式中金属离子吸收部件的另一视角的示意图

图7是本发明的第一实施方式和第二实施方式中设置波纹管的金属离子吸收部件的示意图

图8是本发明第三实施方式中离子植入方法的流程图。

附图标记说明：

1-离子源；2-吸出组件；3-磁场装置；4-工艺腔；4a-晶圆；4b-扫描系统；4c-第四法兰凸缘盘；5-金属离子吸收部件；5a-管状部件；5a1-第二法兰凸缘盘；5a2-第三法兰凸缘盘；5a3-绝缘部件；5b-石墨层；5c-电极；5d-偏压电源；5e-波纹管；6-加速器；7-管道；7a-第一法兰凸缘盘。

具体实施方式

实施方式一

本实施方式提供了一种离子植入机，参见图1所示，包括离子源1，用于产生等离子体；磁场装置3，能够对离子束中的离子进行选择；工艺腔4，用于安放晶圆并进行离子植入。

简单来说，常用的离子源1有射频离子源和热灯丝离子源等。具体地，以热灯丝离子源为例，在热灯丝离子源中灯丝通电产生的热电子，并且热电子在电场的作用下轰击气体分子，使之电离。其中，待植入的杂质源如果是气态，便可以直接引入到离子源1的电场中，如果是固态，则还需加热蒸发，变为气相后引入到电场中。气体分子在电场中被电离后变为离子(即带电的原子或分子)。由于灯丝通常会采用钨丝，因此在产生离子的过程中也可能产生金属离子。

离子源1产生的离子，通常会通过离子植入机的吸出组件2进行收集。吸出组件2为带有负压的阴极，因此，能够吸引离子源1中产生的正离子，并且正离子被离子源1阳极的正压排斥，之后从一个狭缝中被引出，此时等离子体中的电子被阴极排斥而被阻止，由此形成了由正离子组成的离子束。

热电子轰击杂质源气体分子会产生多种离子，以三氟化硼气体源为例，在离子源1中，三氟化硼气体被热电子轰击会形成B⁺、BF⁺、F⁺和等多种离子，每种离子的质荷比不同，从而将所需要的杂质离子从混合的离子束中分离出来。在通过磁场装置3时，离子的运动轨道会不同。其中，轻离子的转动半径较小，重离子的转动半径较大，因此会运动到磁场装置3侧壁上的不同位置，从而被侧壁上的石墨内衬吸收，仅使所需要的离子通过磁场装置3。

离子注入机的工艺腔4内设置有扫描系统4b。参见图2所示，扫描系统4b使离子束与晶圆4a之间进行相对运动，从而使晶圆4a上的杂质呈均匀分布，避免离子长时间的轰击局部一点过热，对晶圆4a造成不可恢复的损伤。在一些实施方式中，扫描系统可以采用机械式扫描、电磁式扫描或两种结合的扫描方式，其中，机械式扫描采用的是晶圆移动的方法，即靶盘带动晶圆运动。电磁式扫描是用电磁场将离子束偏转实现扫描。

然而，随着使用时间增加，石墨内衬会不停受到轻离子、重离子和中性离子的扫描而损耗，最终使石墨内衬破损，离子能够撞击到离子植入机的金属部分，从而激发产生金属离子，这些金属离子会混入离子束且最终扫描到晶圆4a表面，而植入晶圆4a并形成金属沾污。

当晶圆4a表面存在金属沾污时，会严重影响半导体器件的性能。以图像传感器为例，金属沾污会导致晶圆4a衬底的热产生加快，而暗电流主要来源于晶圆衬底和界面的热量产生，因此金属沾污会导致暗电流进一步变大从而使器件背景发白等。并且，金属沾污本身就会导致图像上呈现出亮条或亮点。

在此基础上，本发明的第一实施方式提供了一种离子植入机，参见图3和图4所示，除了包括：用于射出离子束的离子源1、对离子束中的离子进行选择的磁场装置3、安放晶圆4a并进行扫描的工艺腔4之外，离子植入机还包括设置在磁场装置3和工艺腔4之间的金属离子吸收部件5。

金属离子吸收部件5能够对离子束中混杂的金属离子进行吸收。金属离子吸收部件5可以设置有多个，并安装在多处，对于在各个步骤中可能产生的金属离子进行多次吸收，从而防止晶圆4a表面形成金属沾污，进一步降低暗电流，从而确保由晶圆4a形成的半导体器件的性能。

当然，出于控制成本的角度考量，在本实施方式中，金属离子吸收部件5也可以设置一个，且设置在磁场装置3与工艺腔4之间，能够在离子束扫描晶圆4a之前、通过金属离子吸收部件5时，吸收其中的金属离子，从而防止金属沾污。并且，当设置有多个磁场装置3时，金属离子吸收部件5设置在最靠近工艺腔4的磁场装置3和工艺腔4之间。

为了使发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细的说明。

在本实施方式中，金属离子吸收部件5为带有负向偏压的管状部件5a。

简单来说，参见图4所示，采用管状部件5a形成金属离子吸收部件5，并使离子束能够沿着管状部件5a的轴向通过，使得金属离子的吸收过程更加充分，从而进一步降低晶圆4a上的金属沾污。使管状部件5a带有负向偏压能够使带正电的金属离子的运动轨迹发生偏转，从而被管状部件5a的侧壁吸收。

具体来说，离子束通过设置在磁场装置3上的缝隙离开磁场装置3，再通过管道7和工艺腔4上的离子束入口到达晶圆4a上，为了减少管状部件5a对离子束的影响，管状部件5a与管道7对接设置，并且两者同轴地设置。为了尽可能减少离子束中的金属离子混杂，提高植入良品率，在本实施方式中，管状部件5a一端连接管道7，另一端连接工艺腔4的离子束入口。当离子束从磁场装置3射出后，沿着管道7和管状部件5a的轴线继续前进，离子束到达管状部件5a后，其中的金属离子偏转并被吸收，再通过离子束入口的中心进入工艺腔4。其中，管状部件5a的截面形状可以是矩形或圆形等，只要能够吸收离子束中的金属离子并方便安装即可。

并且，在本实施方式中，参见图4所示，在管状部件5a上设置有电极5c，电极5c通过导线连接偏压电源5d。

简单来说，通过电极5c和导线向管状部件5a施加恒定、可调节的负向偏压，形成稳定的电场，能够有效对金属离子进行吸收。

具体地，偏压电源5d的正极通过导线接地，负极通过导线与管状部件5a连接，从而使管状部件5a带上负向偏压。由于金属离子为正离子，能够很容易地被负向偏压吸引，因此，当金属离子通过带有负向偏压的管状部件5a时会发生偏转，由直线运动变为朝着管状部件5a侧壁偏转的曲线运动，最终留在管状部件5a内，植入工艺所需要离子则能够通过管状部件5a和离子束入口，最终到达工艺腔4内的晶圆4a表面。

当金属离子到达管状部件5a的侧壁后，若直接轰击在管状部件5a上可能会产生新的金属离子并混入离子束中，导致晶圆4a的表面形成金属沾污，并且离子束长期的轰击会导致管状部件5a的损坏。因此，在本实施方式中，参见图6所示，管状部件5a的内壁设置有石墨层5b，能够吸收偏转后的金属离子。

石墨材料能够吸收从离子束中偏转的金属离子，并且不产生新的杂质离子。因此，石墨层5b完全覆盖管状部件5a的内壁，能够保护管状部件5a免受金属离子的轰击，并且吸收从离子束中运动到管状部件5a内侧壁附近的离子。

考虑到设置在管状部件5a内的石墨层5b也具有相应的使用寿命，长时间的使用同样会损耗管状部件5a内的石墨层5b，最终导致金属离子吸收部件5失效，因此需要定期更换金属离子吸收部件5。具体来说，管状部件5a通过可拆卸的方式安装在工艺腔4和管道7之间，通过定期更换管道7部件，确保金属离子吸收部件5能够有效吸收金属离子，从而提高离子植入的质量。

另外，在本实施方式中，在管状部件5a的两端分别设置有第一安装部和第二安装部，并且第一安装部的截面形状同管道7的截面的形状对应，第二安装部的截面形状同工艺腔4上的离子束入口对应。设置第一安装部和第二安装部能够对离子束的形状变化起到过渡和约束的作用。

通常，参见图5所示，管道7可以通过法兰进行连接，以确保连接的强度。具体来说，在本实施方式中，在管道7上设置有第一法兰凸缘盘7a，在所述第二安装部上设置有与第一法兰凸缘盘7a对应的第二法兰凸缘盘5a1，在第一法兰凸缘盘7a和第二法兰凸缘盘5a1上设置有供螺栓穿过的安装孔。同理，在工艺腔4的离子束入口上设置有第三法兰凸缘盘5a2，在管状部件5a的第二安装部还设置有第四法兰凸缘盘4c。将不同的法兰凸缘盘的安装孔对齐后，将螺栓从安装孔穿过，再将螺母旋上，使得管状部件5a牢固地安装在管道7和工艺腔4之间，能够承受离子束的轰击。

由于管道7和工艺腔4通常都采用金属材料作为侧壁，因此向管状部件5a通电时，同样可能使管道7和工艺腔4带电，从而进一步改变了离子束的尺寸，最终影响离子植入的效果。因此，优选地，在本实施方式中，参见图5所示，在金属离子吸收部件5和工艺腔4之间以及金属离子吸收部件5和管道7之间还设置有绝缘部件5a3，通过绝缘部件5a3防止管道7和工艺腔4带上负向偏压。其中，常用的绝缘部件5a3为橡胶圈。

具体来说，橡胶圈设置在第一法兰凸缘盘7a和第二法兰凸缘盘5a1之间，并且在橡胶圈上还设置有与各自的法兰凸缘盘的安装孔位置对应的开孔，使得螺栓能够顺利通过。并且，橡胶圈的尺寸与法兰凸缘盘的尺寸相同。同时，橡胶圈还能提供良好的密封效果，当安装完成后橡胶圈还会受到法兰凸缘盘的挤压，从而产生形变，因此能够提高连接处的密封性，保证离子植入机内洁净程度，从而提高离子植入的品质。值得一提的是，橡胶圈为耐高温橡胶圈。

更加优选地，在本实施方式中，为了进一步防止其他部位带上负向偏压而对离子束的尺寸产生影响进而提高离子植入的品质，因此在安装螺栓时，可以在螺栓与法兰凸缘盘之间以及螺母与法兰凸缘盘之间也设置相应绝缘垫圈，进一步防止其他部件带上负向偏压。

值得一提的是，由于离子束沿着管状部件5a的轴线射入，因此，离子束到管状部件5a侧壁的距离同样会影响管状部件5a对金属离子的吸收。如果离子束到管状部件5a的侧壁的距离较大，则可能导致对金属离子吸收不够充分，若距离较小，则会在吸收金属离子的同时，将部分所需要的离子也吸收掉，影响离子效果的效果。

简单来说，影响离子植入的参数包括剂量和射程。其中，剂量是单位面积硅片表面注入的离子数，射程指的是离子植入过程中，离子植入晶圆4a的深度。

具体地，离子束剂量与离子束的参数有关，剂量的计算公式为：

其中，Q为剂量，I为离子束的束流，t为离子植入的时间，e为电子电荷，n为离子电荷，A为离子植入面积。

通常，离子由于电势差加速时，会获得能量从而影响离子植入晶圆4a的深度，因此射程通常会用动能表示，具体的计算公式为：

KE＝nV

其中，KE为动能，n为离子的电荷状态，V为电势差。在离子植入机中，为了离子有确保足够的动能，通常会设置加速器6，对离子进行加速，从而提高离子束的能量。常用的加速器6为加速管，加速管为一种线性设计，由一系列被介质隔离的电极组成，且电极上的负压依次增大。

当离子束到管状部件5a的内壁距离过近时，在负向偏压的作用下，离子的运动发生偏转，离子束的尺寸改变，甚至有部分所需要的离子可能会被管状部件5a吸收，从而导致离子束的束流以及离子植入面积发生改变，导致无法达到预期的离子注入的效果。因此，在本实施方式中，离子束沿着管状部件5a的轴线发射，并且管状部件5a的截面形状与狭缝的截面形状相似，从而使得离子束位于管状部件5a的中心位置，从而确保离子植入的效果。

另外，参见图7所示，在本实施方式中，管状部件5a可以优选为波纹管5e。

由于波纹管5e为常用于离子植入机的器件，因此获取容易且加工难度较低。当然管状部件5a也可以采用其他管材，只要能够顺利安装在离子植入机上，并能够有效吸收金属离子即可。

相较于现有技术而言，本发明提供的离子植入机，通过设置金属离子吸收部件5，将离子束中的金属离子分离并吸收，使得离子束中只包含需要掺杂的离子，减少晶圆4a表面形成金属沾污的概率，从而降低晶圆4a的暗电流并提高离子植入的良品率。

实施方式二

本发明的第二实施方式提供了一种离子植入机，本实施方式是对第一实施方式的进一步改进，主要改进之处在于，在本发明的第二实施方式中，将管状部件5a的长度设置在7cm～8cm的范围内，从而能够在有效吸收金属离子的同时，合理减少负向偏压对离子束的尺寸的影响。

本发明能够通过带有负向偏压的管状部件5a，吸收离子束中混杂的金属离子，是由于负向偏压对带正电的离子的吸引。然而离子束同样是由带有正电的离子组成的，因此，离子束中的进行离子植入所需要的离子同样会在负向偏压的作用下发生偏转。因此，为了减少金属离子吸收部件5对离子束的影响，金属离子吸收部件5需要有选择的作用，能够使金属离子偏转较大而被石墨层5b吸收，所需要植入的离子偏转较小，因此能顺利通过管状部件5a。

具体来说，本发明的发明人在试验中发现，通过调节负向偏压的大小以及管状部件5a的长度，可以对进行离子束的尺寸进行调节。具体的，本发明的发明人发现：管状部件5a设置在7cm～8cm的范围内较为合适，既能够有效地吸收离子束中混杂的金属离子，又能够控制负向偏压对离子束中所需要的离子的影响，从而减少对剂量和射程的改变，确保离子植入能够达到预设的要求。

此外，在本实施方式中，管状部件5a所设置的负向偏压处于-2Kv～-0.5Kv范围内。

将管状部件5a的负向偏压设置在-2Kv～-0.5Kv的范围内，能够根据离子束和金属离子的特征选择不同的负压，能够提高金属离子吸收部件5的泛用性，提高对离子束中混有的不同金属离子的吸收率，进一步减少金属沾污的形成。

更加优选地，在本实施方式中，负向偏压为-1Kv。

本发明的发明人经过试验发现将管状部件5a带有的负向偏压设置为-1Kv时，能够有效吸收大部分的金属离子，并且能够将离子束的尺寸控制在预设的范围内，从而保证离子植入的效果，并提高离子植入的品质。

实施方式三

本发明还提供了一种离子植入方法，包括如下步骤：离子源1射出离子束，磁场装置3接收从离子源1射出的离子束并改变该离子束的方向；利用金属离子吸收部件5来吸收从磁场装置3射出的离子束中包括的金属离子；将被所述金属离子部件5吸收金属离子后的离子束导入工艺腔4。

具体来说，参见图8所示，本发明提供的离子植入方法包括：

离子束产生步骤：给离子源1通电，从而在离子源1的腔体内产生等离子体，并通过吸出组件2从离子源1中引出离子束；

离子选择步骤：离子束通过磁场装置3时调节磁场，使离子束内质荷比不同的离子发生不同偏转，从而选择需要进行离子植入的离子离开磁场装置；

离子束加速步骤：离子束通过加速器6，通过电压加速，从而提高离子束的能量；

金属离子吸收步骤：离子束通过金属离子吸收部件5，调节金属离子吸收部件5上的负向偏压，而吸收金属离子；

植入步骤：通过金属离子吸收部件5后的离子束扫描到晶圆4a表面，完成杂质离子的掺杂。

值得一提的是，离子选择步骤可以进行两次或以上，确保扫描到晶圆4a表面的离子束中只包含所需要的离子，提高离子植入的品质。

此外，由于经过金属离子吸收的步骤可能会使得离子束的尺寸变大，因此，通过调节步骤能够对离子束的尺寸进行调整，从而使离子植入在晶圆4a上的预设的范围内。在本实施方式中，还可以包括优化步骤，该优化步骤具体为：在吸收了金属离子之后、离子源1射出下一次离子束之前，根据金属离子吸收部件5吸收金属离子后的离子束宽度来调整下次应射出的离子束宽度。

其中，首次吸收金属离子的负向偏压调节为-1Kv，并根据设置在工艺腔4内的测量器具，对离子束的参数，如离子束的电流读数等进行测量，从而能够更加精确地调节负向偏压，通常采用的测量器具为法拉第杯。常用的调节方法为通过二分法调节负向偏压，使离子束的参数满足离子植入的要求，从而获取适应不同所需要的离子的负向偏压的范围，并对应进行记录，当再次植入之前已经植入过的离子时可以直接调用记录的范围，提高工作效率。

本实施方式提供的离子植入方法，通过在离子束到达晶圆4a前进行金属离子吸收步骤，对经过磁场装置3选择后的离子束中的金属离子进行吸收。利用金属离子吸收步骤消除可能在磁场装置3进行选择时产生或者之前产生的金属离子，从而确保离子植入的良品率。

本领域的普通技术人员可以理解，在上述的各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于上述各实施方式的种种变化和修改，也可以基本实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。因此，在实际应用中，可以在形式上和细节上对上述实施方式作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (10)

1.一种离子植入机，包括：

离子源，用于射出离子束，

磁场装置，接收从所述离子源射出的离子束并改变该离子束的方向；

工艺腔，用于接收从所述磁场装置射出的离子束，

其特征在于，所述离子植入机还包括设置在所述磁场装置和所述工艺腔之间的金属离子吸收部件。

2.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于，所述金属离子吸收部件为带有负向偏压的管状部件。

3.根据权利要求2所述的离子植入机，其特征在于，在所述管状部件的内壁设置有石墨层，能够吸收离子束中的金属离子。

4.根据权利要求2或3所述的离子植入机，其特征在于，在所述管状部件上设置有电极，所述电极通过导线连接偏压电源。

5.根据权利要求2或3所述的离子植入机，其特征在于，所述管状部件的长度范围为7cm～8cm。

6.根据权利要求2或3所述的离子植入机，其特征在于，所述管状部件所设置的所述负向偏压处于-2Kv～-0.5Kv范围内。

7.根据权利要求6所述的离子植入机，其特征在于，所述负向偏压设置在-1.2～-0.8Kv的范围内。

8.根据权利要求2或3所述的离子植入机，其特征在于，所述管状部件为波纹管。

9.一种离子植入方法，其特征在于，包括如下步骤：

离子源射出离子束，

磁场装置接收从所述离子源射出的离子束并改变该离子束的方向；

利用金属离子吸收部件来吸收从所述磁场装置射出的离子束中包括的金属离子；

将被所述金属离子部件吸收金属离子后的离子束，导入工艺腔。

10.根据权利要求9所述的离子植入方法，其特征在于，还包括如下步骤：在吸收了金属离子之后、离子源射出下一次离子束之前，根据金属离子吸收部件吸收金属离子后的离子束宽度来调整应射出的离子束宽度。