KR20060060536A - 웨이퍼 전하 보상장치 및 이를 구비한 이온 주입 시스템 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 전하 보상장치는, 빔 생성 소스 유닛으로부터 빔을 웨이퍼에 조사할 때 웨이퍼의 대전현상을 억제하기 위한 것이다. 이 전하 보상장치는, 적어도 하나의 제 1 인출홀을 구비하는 적어도 하나의 제 1 아크 챔버와 소정의 주사 범위에 걸쳐 왕복 스윙하는 빔으로 향한 적어도 하나의 제 2 인출홀을 가지는 제 2 아크 챔버를 구비한다. 제 1 아크 챔버에 제 1 아크 전압이 인가되어 제 1 아크 챔버 내에 제 1 플라즈마를 생성한다. 생성된 제 1 플라즈마는 상기 제 1 아크 챔버로부터 인출되어 제 2 아크 챔버로 유입된다. 제 2 아크 챔버에 제 2 플라즈마가 생성되고, 제 2 아크 챔버로부터 인출된 제 2 플라즈마는 제 2 인출홀과 왕복 스윙 빔 사이에서 플라즈마 브리지를 형성한다.
전하, 보상장치, 플라즈마, 웨이퍼
Description
도 1은 일괄 이온 주입 시스템에 사용되는 종래의 플라즈마 샤워기의 모식도.
도 2a 및 도 2b는 본 발명이 적용된 이온 주입 시스템의 개략 구조를 각각 나타내는 평면도와 측면도.
도 3은 본 발명에 따른 전하 보상장치의 구조를 설명하기 위한 종단면도.
도 4는 도 3의 라인 A-A를 따라 절단한 횡단면도.
도 5는 도 4에 도시된 제 2 아크 챔버의 양 단면에 설치되는 한정 자계 형성용 영구 자석의 설치형태를 나타내는 도면.
도 6은 도 3에 도시된 제 2 아크 챔버의 상하좌우 측 벽면에 한정 자계 형성용 Z영구 자석의 다른 설치형태를 나타내는 도면.
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
17 : 각도 에너지 필터 18 : 공정 챔버
33 : 제 1 인출홀 34 : 제 1 아크 챔버
35 : 제 2 아크 챔버 36 : 제 2 인출홀
37 : 인출 전극 38 : 영구 자석
본 발명은 전계와 자계 중 적어도 하나를 사용함으로써 이온 빔을 편향시키는 각도 에너지 필터를 구비한 이온 주입 시스템에 관한 것이며, 나아가 이 이온 주입 시스템에 적용하기에 적합한 웨이퍼 전하 보상장치에 관한 것이다.
이온 주입 시스템은 처리 대상의 표면의 미세 영역 내로 불순물을 고 정밀도로 주입할 수 있는 능력 때문에, 반도체 집적 회로를 제조하는 공정에 널리 사용되고 있다. 이러한 이온 주입 시스템에서는 전하를 가진 이온이 처리 대상인 웨이퍼에 주입되므로, 웨이퍼에 전하의 축적(대전현상; charge-up)이 문제로 된다. 나아가, 빔 라인 내에 생성된 공간 전하로 인해 이온 빔이 발산하는 문제도 발생된다.
주입되는 이온은 통상적으로 양의 전하를 가지고 있으므로, 음의 전하(전자)가 대전현상을 제거하고 이온 빔의 발산을 억제하기 위해 공급된다. 일예로서, 빔 라인의 벽에 이온을 충돌시킴으로써 생성된 전자를 적극적으로 공급하는 방법이 있다. 대안적으로, 웨이퍼 부근에 전자총을 사용하여 제 2 차 전자를 생성하고 이 전자를 공급하는 방법이 있다. 이들과 같은 다양한 방법 중에서, 상대적으로 낮은 에너지 전자를 공급할 수 있는 방법으로서 플라즈마 샤워기(plasma shower)(또는 플라즈마 플러드 건(plasma flood gun))가 널리 사용된다.
일괄 이온 주입 시스템에 있어서, 웨이퍼는 직선왕복운동이 가능한 회전 디스크 상에 설치됨으로써 각각의 웨이퍼의 전면에 걸쳐 이온 주입이 가능하게 된다. 이 경우에, 이온 빔의 궤적은 빔 라인에 대하여 고정되어 있다. 플라즈마 샤워기는 이온 빔의 궤적 부근에 설치되어 이온 빔의 전위에 의해 플라즈마 샤워기로부터 전자가 인출된다.
도 1은 대전현상을 제거하기 위한 일괄 이온 주입 시스템에 사용되는 종래의 플라즈마 샤워기의 예시 도면이다.
도 1에 있어서, 플라즈마 형성 가스(216)는 아크 챔버(215) 내로 유입된다.필라멘트(217)와 아크 챔버(215) 사이에 아크 전압(219)을 인가하는 동안, 전원(218)으로부터의 전력을 사용하여 필라멘트(217)를 가열함으로써 플라즈마가 형성된다. 이온 빔(228)이 아크 챔버(215) 부근에 설치되도록 구성함으로써, 이온 빔(228)에 의해 생성된 전위로 인해 전자가 인출되어 이온 빔(228)에 의해 발생된 대전현상이 억제된다. 여기서 이온 빔(228)은 도 1의 종이 앞면으로부터 종이 뒷면 쪽으로 진행하는 것으로 가정된다. 아크 챔버(215)에서 이온 빔(228)으로의 전자의 공급은 이온 빔(228)을 둘러싸기 위해 분사 튜브(237)를 배치하여 전위(238)를 분사 튜브(237)에 인가함으로써 용이하게 이루어질 수 있다.
한편, 이온 빔 자체의 직선왕복운동시킴으로써 주사하는 빔 편향을 수행하는 주사용 편향 메커니즘을 가지는 이온 주입 시스템에서, 이온 빔과 플라즈마 샤워기 사이의 상대적 위치는 항상 변화하여 전자의 안정적인 공급이 어려워진다. 이런 점에서, 플라즈마 샤워기로부터 인출된 전자를 주사를 위해 편향되는 이온 빔에 공급 하는 다양한 방법이 제안되어 있다.
일예로서, 이온 빔의 편향 영역에 자계를 인가하고 이온 빔의 궤도를 넓은 범위로 변화시켜 전자를 이온 빔 전하 보상장치(예를 들면, 일본국 공개특허공보 평09-147785호)내에 이온 빔으로 용이하게 공급하는 방법이 제안되어 있다. 이 방법에 있어서, 플라즈마 아크 챔버는 빔에 수직하도록 빔 편향 영역의 중심에 배치되며, 전체 빔 편향 영역에 걸쳐 플라즈마 아크 챔버의 중심으로부터 발산하는 자계가 코일에 의해 인가된다.
그러나, 자계를 사용하여 이온 빔의 편향 영역에 걸쳐 하나의 부분으로부터 인출된 전자를 발산시키는 방법에서는, 누설 자계가 빔 라인에 존재하는 것으로 인해, 이온 빔이 굴절되어, 이온 빔의 분배 및 주입 각도에 악영향을 미친다.
또한, 이온 빔의 주사 영역을 커버할 만큼 충분히 큰 아크 챔버 내부에 필라멘트를 설치하는 방법에서는 필라멘트 재료(텅스텐 등)에 의해 금속 오염이 유발될 염려가 있다.
본 발명의 목적은, 이온 빔의 주사 위치에 상관없이 이온 빔의 전위에 의해 자발적으로 전자를 인출할 수 있는 전하 보상장치(플라즈마 샤워기)를 사용함으로써 이온 주입에 의한 웨이퍼의 양의 대전을 억제하는 것이다.
본 발명에 따른 전하 보상장치는, 빔 라인 상에 소정의 주사 범위에 걸쳐 왕복 스윙 빔에 의해 왕복 주사하는 동안 빔 생성 소스 유닛으로부터 웨이퍼로 인출된 이온 빔을 포함하는 대전된 입자 빔으로 웨이퍼를 조사할 때 웨이퍼의 대전을 억제하기 위한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따라, 전하 보상장치는, 제 2 아크 챔버와 연통된 적어도 하나의 제 1 인출홀을 구비하는 적어도 하나의 제 1 아크 챔버와, 빔 라인 상에 소정의 주사 범위의 왕복 스윙 빔에 접하는 적어도 하나의 제 2 인출홀을 구비하는 제 2 아크 챔버를 포함한다. 제 1 아크 전압이 제 1 아크 챔버에 인가되어, 제 1 아크 챔버에 제 1 플라즈마를 생성한다. 생성된 제 1 플라즈마는 제 1 아크 챔버로부터 인출된 후 제 2 아크 챔버로 유입되며, 제 2 아크 챔버에서 다시 제 2 플라즈마가 생성되고, 제 2 아크 챔버로부터 제 2 인출된 플라즈마는 제 2 인출홀과 왕복 스윙 빔 사이에 플라즈마 브리지를 형성한다.
전하 보상장치에 있어서, 제 1 아크 챔버와 제 2 아크 챔버 사이에 제 2 아크 챔버 내에 제 2 플라즈마를 생성하기 위한 제 2 아크 전압이 공급된다.
전하 보상장치에 있어서, 제 2 인출홀은 소정의 주사 범위에 걸쳐 연장하는 하나의 슬릿 형태이거나 소정의 주사 범위에 걸친 구간에 배열된 복수의 홀 형태인 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 제 2 인출홀의 개구 분포나 개구 형상이 상기 제 2 아크 챔버 내의 플라즈마 밀도 분포에 대응하여, 플라즈마 밀도 분포가 낮은 부분에서는 개구 밀도가 높아지고, 플라즈마 밀도 분포가 높은 부분에서는 개구 밀도가 낮아지도록 하는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 빔의 위치가 왕복 스윙 빔에 의해 왕복 주사로 인해 변화하는 경우에도, 플라즈마 브리지는 항상 왕복 스윙 빔과 제 2 인출홀 사이에 형성되어, 자발적인 전자 공급이 이루어지는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 제 2 아크 챔버는 제 2 인출홀 이외에서 가스의 누설이 없도록 구성되는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 제 2 아크 챔버는 제 1 아크 챔버와 제 2 인출홀이 각각 형성된 영역 이외의 영역에 영구 자석을 구비하여 한정 자계를 형성하고, 이에 의해 제 2 아크 챔버에 플라즈마를 한정하여 소정의 주사 범위에 걸쳐 플라즈마 균일성을 증가시키는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 제 2 인출 전압은 빔에 전자를 효과적으로 공급하기 위해 상기 제 2 아크 챔버에 인가되는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 제 2 인출홀과 그 주변의 소정의 주사 범위는 중공의 원통형 또는 직사각형 부재로 덮여 있는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 빔의 진행 방향에 대하여 중공의 원통형 또는 직사각형 부재의 상류 측에 바이어스 전극이 설치되어, 중공의 원통형 또는 직사각형 부재의 상류측 방향으로의 전자의 비산을 방지함으로써, 전자를 효과적으로 웨이퍼 쪽으로 전송하는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 중공의 원통형 또는 직사각형 부재의 전위는 제 2 아크 챔버의 전위와 다르게 설정될 수 있는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 중공의 원통형 또는 직사각형 부재의 내벽은 톱니형상으로 형성되어 내벽의 전체면에 절연 오염물의 부착을 방지하는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 제 2 아크 챔버 내의 플라즈마 전자의 양 또는 아 크 전류를 일정하게 제어하기 위해 아크 전류를 측정하고 피드백하는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 소정의 주사 범위 내에 간격을 두어 복수의 제 1 아크 챔버들을 배열하여, 제 2 아크 챔버 내의 플라즈마 밀도를 증가시키고 제 2 아크 챔버 내의 플라즈마 균일성을 향상시키는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 제 1 아크 챔버로부터 전자를 인출하기 위해 제 1 아크 챔버와 제 2 아크 챔버 사이에 인출 전극이 설치되는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 제 1 아크 챔버로부터 전극을 인출하기 위해 인출 전극과 제 1 아크 챔버 사이에 제 1 인출 전압이 인가되는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 제 2 아크 챔버 내에 플라즈마를 생성하기 위해 인출 전극과 제 2 아크 챔버 사이에 제 2 아크 전압이 인가되는 것이 바람직하다.
전하 보상장치에 있어서, 제 2 아크 챔버의 빔 진행 방향에 수직인 방향에 위치된 2개의 단면에, 다각형의 프레임 형상 또는 원형 형상을 각각 가진 복수의 영구 자석이 한정 자계를 생성하도록 동심형으로 배치되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 이온 주입 시스템은, 전계와 자계 중 적어도 하나를 사용하여 소정의 주사 범위에 걸쳐 이온 빔을 포함하는 대전된 입자 빔을 왕복 스윙시킴으로써 웨이퍼를 왕복 주사하는 주사 메커니즘과, 이온 빔으로부터 필요한 에너지를 가진 이온 종류만을 선택하기 위해 주사 메커니즘의 하류 측에 설치된 각도 에너지 필터를 포함한다. 본 발명의 다른 면에 따르면, 전술한 전하 보상장치는 각도 에너지 필터의 하류 측에 설치된다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 전하 보상장치가 채용된 일 실시예에 대해 먼저 상세한 설명을 한다. 본 실시예에 있어서, 본 발명은 대전 입자 빔을 각각 사용하는 빔 처리 시스템 중에서 단일 웨이퍼 이온 주입 시스템에 특히 적용된다. 도 2a 및 도 2b는 단일 웨이퍼 이온 주입 시스템의 개략 구조를 각각 나타내는 평면도와 측면도이다.
예시된 이온 주입 시스템은, 이온 소스 유닛(11)(이온 소스와 인출 전극을 포함함)과, 질량 분석 자석 장치(12)와, 빔 성형기(13)와, 주사용 편향기(14)와, P(평행) 렌즈(15)와, 가속/감속 전극(A/D 컬럼)(16)과, 각도 에너지 필터(AEF)(17)와, 공정 챔버(18)를 포함한다.
이러한 이온 주입 시스템에서, 이온 소스(11)에서 생성된 이온은, 이온 빔(이하 “빔”이라고 칭함)으로서 인출 전극(미도시)을 통해 인출된다. 이 인출된 빔은 질량 분석 자석 장치(12)에서 질량 분석되어, 필요한 이온 종류만이 선택된다. 이 필요한 이온 종류만으로 구성된 빔은 빔 성형기(13)에 의해 횡단면이 성형된다. 빔 성형기(13)는 Q(사분면이나 4극)렌즈 등으로 형성된다. 성형된 횡단면을 가지는 빔은 주사용 편향기(14)에 의해 도 2a에서 상하방향으로 편향된다. 편향기(14)는, 상류측 및 하류측의 각각의 편향기(14) 부근에 배치된, 적어도 하나의 차폐 전극(14-1)과 적어도 하나의 차폐 전극(14-2)을 구비한다. 편향 주사 전극이 본 실시예에서 주사용 편향기(14)로서 사용되고 있지만, 이 편향 주사 전극 대신에 편향 주사 자석이 사용될 수도 있다.
주사용 편향기(14)에 의해 편향된 빔은 0°의 편향각으로 축에 평행하도록 자석이나 전극에 의해 형성된 P-렌즈(15)에 의해 평행하게 된다. 도 2a에 있어서, 편향기(14)에 의한 왕복 스윙 빔의 주사 범위는 굵은 실선과 이중 파선으로 나타나 있다. P-렌즈(15)로부터의 빔은 하나 이상의 가속/감속 전극(16)에 의해 가속 또는 감속되며, 이후 각도 에너지 필터(17)에 송신된다. 이 각도 에너지 필터(17)는 이 빔의 에너지에 관한 분석을 수행하여 필요한 에너지를 가지는 이온 종류만을 선택한다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 선택된 이온 종류만이 각도 에너지 필터(17)에서 약간 아래 방향으로 편향된다. 이렇게 선택된 이온 종류만으로 구성된 빔은 공정 챔버(18)에 도입된 피조사물인 웨이퍼(19)에 조사된다. 웨이퍼(19)에서 벗어난 빔은 공정 챔버(18)에 설치된 빔 스토퍼(18-1)로 입사해서 빔의 에너지가 소비된다.
도 2a에 있어서, 웨이퍼(19)에 인접하게 도시된 화살표는 이 빔이 이들 화살표 방향으로 주사를 위해 편향되는 것을 나타내는 반면, 도 2b에 있어서 웨이퍼(19)에 인접하게 도시된 화살표는 웨이퍼(19)가 이들 화살표 방향으로 이동된다는 것을 나타낸다. 구체적으로, 예를 들어 빔이 주사를 위해 x축 방향으로 왕복 편향된다고 가정하면, 이 웨이퍼(19)는 x축 방향에 수직인 y축 방향으로 왕복하도록 구동 메커니즘(미도시)에 의해 구동된다. 이것에 의해 웨이퍼(19)의 표면 전체에 빔을 조사할 수 있게 된다.
전술된 바와 같이, 도 2a 및 도 2b에 도시된 이온 주입 시스템에 있어서, 일 방향으로 길이가 긴 타원형이나 달걀형의 연속하는 횡단면을 가지는 빔은 원형의 횡단면이나 타원형 또는 달걀형의 횡단면을 가지는 빔을 편향시켜 얻을 수 있으며 이후 후단계 에너지 분석기로서 동작하는 각도 에너지 필터를 사용하여 빔의 주사 영역 내 임의의 위치에서 균일한 각도로 굴절될 수 있으며 최종적으로 웨이퍼(19) 내에 주입될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하여 전하 보상장치(30)에 대해서 설명한다. 전하 보상장치(30)는, 필라멘트(31), 가스 도입구(32) 및 하나 이상의 제 1 인출홀(33)을 구비한 제 1 아크 챔버(34)와, 제 2 아크 챔버(35)를 포함한다. 제 2 아크 챔버(35)는 제 2 인출홀(36)을 구비하여 튜브형, 중공의 원통형 또는 직사각형 부재(flood box)(40)에 부착되고, 제 2 인출홀(36)이 중공의 원통형 또는 직사각형 부재(40)의 내부공간에 노출되고 주사 영역의 왕복 스윙 빔에 접촉된다. 중공의 원통형 또는 직사각형 부재(40)는 입구 측에서 공정 챔버(18)의 일부에 또는 공정 챔버(18) 내에 설치될 수 있다. 어느 경우에 있어서도, 제 2 아크 챔버(35)는 중공의 원통형 또는 직사각형 부재(40)의 전체 폭에 걸쳐 거의 연장해 있는 길이를 가진다.
도 4에 있어서, 기호 "SA"는 중공의 원통형 또는 직사각형 부재(40)에서 빔에 의한 주사 범위 또는 영역(편향 범위 또는 영역)을 나타낸다. 본 실시예에 있어서, 제 2 인출홀(36)은 주사 영역(SA) 내에 제 2 아크 챔버(35)의 길이 방향으로의 구간에 배열된 복수의 홀에 의해 실현된다.
이와 달리, 제 2 인출홀(36)은 주사 영역(SA)에 걸쳐 연장하는 하나의 슬릿으로 실현될 수도 있다. 복수의 홀 및 하나의 슬릿 중 어느 하나의 경우에 있어서, 제 2 인출홀(36)의 개구 분포나 개구 형상은 제 2 아크 챔버(35) 내의 제 2 플라즈마 밀도 분포에 대응하도록 구성된다. 즉, 플라즈마 밀도가 낮은 부분에서는 개구 밀도가 높아지는 반면, 플라즈마 밀도가 높은 부분에서는 개구 밀도는 낮아지는 것이 바람직하다. 구체적으로, 제 2 인출홀(36)이 복수의 홀에 의해 실현되면, 홀의 간격은 플라즈마 밀도가 낮은 부분에서는 좁아지는 반면, 플라즈마 밀도가 높은 부분에서는 홀의 간격이 넓어진다. 한편, 제 2 인출홀(36)이 하나의 슬릿으로 실현되는 경우, 슬릿의 폭이 플라즈마 밀도가 낮은 부분에서는 커지는 반면, 플라즈마 밀도가 높은 부분에서는 슬릿의 폭이 작아진다.
제 1 아크 챔버(34)는 제 2 아크 챔버(35)의 벽에 부착하여, 제 2 아크 챔버(35)의 길이 방향으로 중간 부분 근처 위치에서 제 1 인출홀(33)이 제 2 아크 챔버(35)에 노출되거나 개방된다. 제 1 및 제 2 아크 챔버(34, 35) 사이의 경계 부분에는, 제 1 인출홀(33)에 대응하는 위치에 홀을 가진 제 1 인출 전극(37)이 설치된다. 그러나, 제 1 인출 전극(37)은 생략될 수 있다. 이 경우에, 후술되는 제 2 아크 전압이 제 2 아크 챔버(35)에 제 2 플라즈마를 생성하기 위해 제 1 및 제 2 아크 챔버(34, 35) 사이에 공급된다.
복수의 영구 자석(38)이 제 1 아크 챔버(34)와 제 2 인출홀(36)이 각각 형성된 영역을 제외한 제 2 아크 챔버(35)의 벽면에 설치된다. 즉 영구 자석(38)은 제 2 아크 챔버(35)의 상하 벽면, 좌우측 벽면 및 양측의 단벽면에 간격을 두고 각각 설치된다. 영구 자석(38)은 제 2 아크 챔버(35) 내에 한정 자계(한정용 첨단 자계)를 형성하기 위한 것이다. 그러므로, 모든 영구 자석(38)은, 그 자극이 제 2 아크 챔버(35) 내부 쪽으로 향하도록 배치되고, 이와 인접한 영구 자석(38)의 자극은 서로 반대가 되도록 배치된다. 도 4에는 한정 자계를 형성하는 자속의 일부분이 화살 표로 도시되어 있다.
도 5는 제 2 아크 챔버(35)의 양측의 단벽면 중 하나에 영구 자석(38)의 배열상태를 도시한다. 여기서 단벽면의 형상은 정사각형이므로, 서로 다른 사이즈의 복수의 사각형 프레임 형상의 영구 자석(38)이 동심형으로 배치되고, 사각형 영구 자석(38)이 최내측 프레임 형상의 영구 자석(38) 내에도 배치된다. 이들 영구 자석(38)도 자극이 제 2 아크 챔버(35)의 내부 쪽으로 향하도록 배치되며, 이와 인접한 영구 자석(38)의 자극은 서로 반대가 되도록 배치된다. 영구 자석(38)은 삼각형 형상을 포함하는 다른 다각형 형상을 가질 수 있다. 만일 단벽면의 형상이 원형이라면, 영구 자석(38)은 환형 형상을 가질 수도 있다.
제 1 및 제 2 아크 챔버(34, 35)는 아크 챔버 지지부(39)에 의해 지지된다. 필라멘트(31)에는 아크 챔버 지지부(39)에 설치된 필라멘트 피드(41; filament feed)를 경유해서 전원이 공급된다.
도 2a 및 도 2b에 있어서, 전하 보상장치(30)는 빔이 약간 하방으로 편향된 위치에 설치된다. 한편, 도 3에 있어서, 중공의 원통형 또는 직사각형 부재(40)는 수평 상태로 도시되어 있다. 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 전하 보상장치(30)를 설치하기 위해, 전체 장치는 빔의 편향 각도에 맞추도록 기울어져 있다.
이하에서는, 상기 구조를 상세하게 설명한다.
아르곤(Ar) 등의 가스는 가스 유입구(32)를 통해 제 1 아크 챔버(34)에 도입된다. 제 1 아크 챔버(34)에 설치된 필라멘트(31)에 필라멘트 전원(42)으로부터 전류가 공급되어 필라멘트(31)를 고온으로 가열시켜 열전자를 발생시킨다. 열전자는 제 1 아크 전원(43)으로부터 제 1 아크 챔버(34)와 필라멘트(31) 사이에 인가되는 제 1 아크 전압에 의해 가속된다. 가속된 열전자는 유입된 가스와 충돌하여 제 1 플라즈마가 제 1 아크 챔버(34) 내에 생성된다. 제 1 아크 챔버(34)는 하나 이상의 제 1 인출홀(33)을 구비하고, 제 1 인출 전극(37)가 제 1 아크 챔버(34)의 외부에 설치된다. 제 1 인출 전원(44)으로부터 제 1 아크 챔버(34)와 제 1 인출 전극(37) 사이에 제 1 인출 전압을 인가함으로써, 제 1 전자가 제 1 아크 챔버(34)로부터 인출된다.
주사 영역(SA)에 대응하는 길이를 가진 제 2 아크 챔버(35)에는 제 1 아크 챔버(34)에 이온화를 발생시키지 않고 제 1 인출홀(33)로부터 배출된 중성 가스와, 제 1 아크 챔버(34)로부터 인출된 제 1 전자가 유입된다. 필라멘트(31) 재료가 증발 등으로 인해 비산되는 경우에도, 제 1 인출홀(33)의 사이즈가 작으므로, 제 1 아크 챔버(34) 내에는 비산된 재료가 남아있어 제 2 아크 챔버(35) 내로 유입되지 않는다.
제 2 아크 챔버(35)에 유입된 제 1 전자는 제 2 아크 전원(45)으로부터 제 1 인출 전극(37)과 제 2 아크 챔버(35) 사이에 인가된 제 2 아크 전압에 의해 가속된다. 가속된 전자는 제 1 아크 챔버(34)로부터 도입된 가스와 충돌하여 고밀도의 제 2 플라즈마가 제 2 아크 챔버(35) 내에 생성되게 한다.
복수의 영구 자석(38)이 제 2 아크 챔버(35)의 벽면에 설치되어 한정 자계를 형성하기 때문에, 이들 벽면에서 전자의 손실을 억제하고 제 2 아크 챔버(35)에서 주사 방향으로의 플라즈마 균일성을 증가시킬 수 있다.
영구 자석(38)의 열적 자화 상실을 방지하기 위해, 제 2 아크 챔버(35)는 수냉 등에 의해 냉각된다. 제 2 아크 챔버(35)는 빔이 통과하는 영역에 접하는 장소에 제 2 인출홀(36)을 구비한다. 본 실시예에 있어서, 전술된 바와 같이, 제 2 인출홀(36)은 빔의 주사 영역(SA)에 대응하여 배열된 복수의 홀 형상이다. 대안적으로, 상기에도 언급한 바와 같이 제 2 인출홀(36)은 전술된 주사 영역(SA)에 걸쳐 연장하는 단일 슬릿 형상으로 형성된 개구에 의해 실현될 수 있다. 제 2 아크 챔버(35)는 제 2 인출홀(36) 이외에는 가스의 누설이 없도록 구성되어, 제 2 아크 챔버(35) 내 가스 압력의 저하를 방지하여 플라즈마 생성 효율을 증가시킨다.
빔이 제 2 인출홀(36) 부근을 통과하면, 제 2 전자는 빔의 양의 전위에 의해 제 2 아크 챔버(35)로부터 인출된다. 인출된 제 2 전자는 제 1 및 제 2 아크 챔버(34, 35)에 이온화를 발생시키지 않고 제 2 인출홀(36)로부터 배출된 중성 가스와 충돌한다. 그 결과, 빔(왕복 스윙 빔)과 제 2 아크 챔버(35)(정확하게는 제 2 인출홀(36)) 사이에 플라즈마(플라즈마 브리지)가 형성된다. 제 2 아크 챔버(35) 내의 제 2 전자는 플라즈마 브리지를 통해 빔으로 자발적으로 공급된다. 제 2 인출홀(36)이 주사 영역(SA)에 대응하는 영역에 존재하므로, 빔의 위치가 주사를 위한 편향에 의해 이동하는 경우에도, 플라즈마 브리지는 빔과 제 2 아크 챔버(35) 사이에 항상 형성되어, 자발적인 전자 공급이 달성된다. 제 2 아크 챔버(35)는, 제 2 인출 전원(46)으로부터 접지 전위와 제 2 아크 챔버 사이에 제 2 인출 전압이 인가되도록 구성된다. 이러한 구성에 의해 빔에 공급되는 전자량 및 전자의 에너지를 조정할 수 있다.
제 2 아크 전원(45)과 제 2 인출 전원(46) 사이의 전류값(아크 전류)은 측정되고 피드백되어 일정한 아크 전류를 달성하도록 전원을 제어할 수 있다.
제 2 인출홀(36)과 홀 주위의 빔에 의한 주사 영역은 중공의 원통형 또는 직사각형 부재(40)로 덮여 있다. 중공의 원통형 또는 직사각형 부재(40)의 전위는 제 2 아크 챔버(35)로부터 인출되어 웨이퍼로 공급되는 제 2 전자의 양을 조정할 수 있도록 제 2 아크 챔버(35)의 전위와는 다른 전위로 설정되거나 간단한 구조를 이루도록 제 2 아크 챔버(35)의 전위와 동일하게 설정될 수도 있다.
중공의 원통형 또는 직사각형 부재(40)의 내부 벽(빔과 접촉하는 면)은 내벽의 전체 표면에 절연 오염물이 부착하는 것을 막기 위해 톱니형상으로 형성된다. 나아가, 중공의 원통형 또는 직사각형 부재(40)의 빔 상류 측에는 바이어스 전원(47)으로부터 음의 전압이 인가될 수 있는 바이어스 전극(48)이 설치된다. 이것은, 빔 상류 방향으로 전자의 비산을 방지할 수 있게 하며, 하류 측(웨이퍼 쪽)으로 전자를 효율적으로 전달할 수 있게 한다. 중공의 원통형 또는 직사각형 부재(40)는 자기차폐 기능을 더 구비하고 있어, 외부 자계, 예를 들어, 각도 에너지 필터(17)로부터의 자계를 차폐한다. 이것은, 외부 자계가 강할 때, 외부 자계의 자력선 주위로 전자가 감겨서 웨이퍼에 도달하기 전에 전자가 소실되기 때문이다.
이상의 구조에 의해, 제 2 인출홀(36)은 주사 영역(SA)에 대응하는 영역에 존재한다. 따라서, 플라즈마가 제 2 아크 챔버(35) 내에 생성되면, 빔의 위치가 주사용 편향에 의해 이동하는 경우에도, 플라즈마 브리지는 빔과 제 2 아크 챔버(35) 사이에 항상 형성되어, 자발적인 전자 공급이 이루어진다. 나아가, 한정 자계가 제 2 아크 챔버(35) 내부에 생성되므로, 제 2 아크 챔버(35)의 내벽면에서 전자의 손실이 억제된다. 이것은, 플라즈마 생성 효율을 증가시키고 제 2 아크 챔버(35) 내에 플라즈마를 균일화하여, 빔에 의한 주사 위치에 상관없이 충분한 양의 전자를 빔에 공급할 수 있게 한다.
빔에 의한 주사 위치에 상관없이 빔 전위에 의해 전자를 자발적으로 인출할 수 있는 전하 보상장치(플라즈마 샤워기)를 사용함으로써, 이온 주입으로 인한 웨이퍼의 양의 대전이 억제될 수 있다.
바람직한 실시예 측면에서 본 발명에 대해 상세한 설명을 제공하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 하나의 제 1 아크 챔버(34)가 전술되어 있지만, 그 수는 하나로 제한되지 않으며, 복수의 제 1 아크 챔버가 제 2 아크 챔버(35)의 길이 방향에 간격을 두고 배열될 수 있다. 당연히, 제 1 아크 챔버는 제 2 아크 챔버(35)의 하나의 벽 뿐만 아니라 다른 벽에도 설치될 수 있다. 나아가, 플라즈마 형성 가스는 제 1 아크 챔버(34) 뿐만 아니라 제 2 아크 챔버(35) 내에도 도입될 수 있다. 나아가, 예를 들어, 도 3을 참조하여, 한정 자계를 형성하기 위한 영구 자석(38)은, 상하측 영구 자석(38)이 각각 빔 진행 방향으로 연장하는 반면, 좌우측 영구 자석(38)은 각각 상하방향으로 연장하도록 배열된다. 한편, 도 6에 도시된 바와 같이, 상하좌우측 영구 자석(38)은 각각 빔 진행 방향에 수직인 방향으로 연장하도록 배열될 수 있다. 당연히, 이 경우에도, 영구 자석(38)은 자극이 제 2 아크 챔버(35)의 내부 쪽으로 향하도록 배치되고 이와 인접한 영구 자석(38)의 자극은 서로 반대가 되도록 배치된다. 제 2 아크 챔버(35)의 양 단부 면에 대하여 이 영구 자석(38)의 배열은 도 5에 도시된 배열과 마찬가지 이다.
본 발명은 원형, 타원형, 달걀형 등 중에서 임의의 빔 횡단면 형상에도 적용가능하다.
지금까지 본 발명을 바람직한 실시예와 연관하여 서술하였지만, 이 기술 분야에 숙련된 자라면 본 발명을 여러 다른 방식으로 실시할 수 있는 것도 가능하다.
전술된 바와 같이, 본 발명은 빔의 주사 위치에 상관없이 빔 전위에 의해 자발적으로 전자를 인출할 수 있는 전하 보상장치(플라즈마 샤워기)를 사용함으로써 이온 주입으로 인한 웨이퍼의 양의 대전을 억제하는 등의 효과가 있다.
Claims (19)
- 빔 라인 상에 소정의 주사 범위에 걸쳐 왕복 스윙 빔에 의해 왕복 주사를 하면서 빔 생성 소스 유닛으로부터 웨이퍼로 인출된 이온 빔을 포함하는 대전된 입자 빔을 상기 웨이퍼에 조사할 때, 웨이퍼의 대전을 억제하는 전하 보상장치에 있어서,제 2 아크 챔버로 개방되어 있는 적어도 하나의 제 1 인출홀을 가진 적어도 하나의 제 1 아크 챔버와;빔 라인 상에 상기 소정의 주사 범위의 상기 왕복 스윙 빔과 접하는 적어도 하나의 제 2 인출홀을 가진 제 2 아크 챔버를 포함하여 이루어지고,상기 제 1 아크 챔버에는 제 1 아크 전압이 인가되어 상기 제 1 아크 챔버에 제 1 플라즈마를 생성하고, 생성된 제 1 플라즈마는 상기 제 1 아크 챔버로부터 인출되어 상기 제 2 아크 챔버 내로 도입되며, 상기 제 2 아크 챔버 내에서 다시 제 2 플라즈마가 생성되고, 상기 제 2 아크 챔버로부터 제 2 인출된 플라즈마는 상기 제 2 인출홀과 상기 왕복 스윙 빔 사이에 플라즈마 브리지를 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 아크 챔버와 상기 제 2 아크 챔버 사이에 제 2 아크 전압이 인가되어 상기 제 2 아크 챔버에 제 2 플라즈마를 생성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 2 인출홀은 상기 소정의 주사 범위에 걸쳐 연장하는 하나의 슬릿 형태 또는 상기 소정의 주사 범위에 간격을 두어 설치된 복수의 홀 형태인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 인출홀의 개구 분포 또는 개구 형상은 상기 제 2 아크 챔버 내의 플라즈마 밀도 분포에 대응하여, 플라즈마 밀도 분포가 낮은 부분에서는 개구 밀도가 높아지는 반면, 플라즈마 밀도 분포가 높은 부분에서는 개구 밀도가 낮아지도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 4 항에 있어서,빔의 위치가 왕복 스윙 빔에 의한 왕복 주사에 의거해서 변화하는 경우에도, 상기 플라즈마 브리지는 왕복 스윙 빔과 상기 제 2 인출홀 사이에 항상 형성되어, 자발적인 전자 공급이 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 아크 챔버는 상기 제 2 인출홀 이외에서 가스의 누설이 없도록 구 성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 2 아크 챔버는 상기 제 1 아크 챔버와 상기 제 2 인출홀이 각각 설치된 영역 이외의 영역에 영구 자석을 구비하여, 한정 자계를 형성하도록 함으로써, 상기 제 2 아크 챔버에 플라즈마를 한정하여, 상기 소정의 주사 범위에 걸쳐 플라즈마 균일성을 증가시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 7 항에 있어서,제 2 인출 전압은 빔에 전자를 효과적으로 공급하기 위해 상기 제 2 아크 챔버에 인가되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 2 인출홀과 이 홀 주변의 상기 소정의 주사 범위는 중공의 원통형 또는 직사각형 부재로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 중공의 원통형 또는 직사각형 부재의 빔의 진행 방향에 대하여 상류 측에는 바이어스 전극이 설치되며, 이에 의해 상기 중공의 원통형 또는 직사각형 부재의 상류 방향으로 전자의 비산을 방지하여, 전자를 웨이퍼 쪽으로 효과적으로 전 송하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 중공의 원통형 또는 직사각형 부재의 전위는 상기 제 2 아크 챔버의 전위와 다르게 설정될 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 중공의 원통형 또는 직사각형 부재의 내벽은 톱니형상으로 형성되어 상기 내벽의 전체면에 절연 오염물의 부착을 방지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 12 항에 있어서,아크 전류가 측정되고 피드백되어, 상기 제 2 아크 챔버 내의 플라즈마 전자의 양 또는 상기 아크 전류가 일정하게 되도록 제어되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 소정의 주사 범위 내에 간격을 두어 복수의 제 1 아크 챔버들이 배열되어, 상기 제 2 아크 챔버 내의 플라즈마 밀도를 증가시키고 상기 제 2 아크 챔버 내의 플라즈마 균일성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 아크 챔버로부터 전자를 인출하기 위해 상기 제 1 아크 챔버와 상기 제 2 아크 챔버 사이에 인출 전극이 설치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 제 1 아크 챔버로부터 전극을 인출하기 위해 상기 인출 전극과 상기 제 1 아크 챔버 사이에 제 1 인출 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 2 아크 챔버 내에 플라즈마를 생성하기 위해 상기 인출 전극과 상기 제 2 아크 챔버 사이에 제 2 아크 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 2 아크 챔버의 빔 진행 방향에 수직인 방향에 위치된 2개의 단면에, 다각형의 프레임 형상 또는 원형 형상을 각각 가지는 복수의 상기 영구 자석은 한정 자계를 형성하도록 동심형으로 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 전하 보상 장치.
- 전계와 자계 중 적어도 하나를 사용하여 소정의 주사 범위에 걸쳐 이온 빔을 포함하는 대전된 입자 빔을 왕복 스윙시켜 웨이퍼를 왕복 주사하기 위한 주사 메커니즘과, 상기 이온 빔으로부터 필요한 에너지를 가진 이온 종류만을 선택하기 위해 상기 주사 메커니즘의 하류측에 배치된 각도 에너지 필터를 포함하는 이온 주입 시스템으로서,상기 각도 에너지 필터의 하류측에는 청구항 1 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 따른 전하 보상장치가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009002737A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-31 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for detecting wafer charging in a plasma processing system |
| KR20180014336A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-08 | 세메스 주식회사 | 코팅 유닛, 이를 포함하는 코팅 장치 및 코팅 방법 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5100963B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-12-19 | 株式会社Ｓｅｎ | ビーム照射装置 |
| US7800083B2 (en) * | 2007-11-06 | 2010-09-21 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma electron flood for ion beam implanter |
| US8124946B2 (en) * | 2008-06-25 | 2012-02-28 | Axcelis Technologies Inc. | Post-decel magnetic energy filter for ion implantation systems |
| US8227773B2 (en) | 2010-07-29 | 2012-07-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Versatile beam glitch detection system |
| US8471476B2 (en) * | 2010-10-08 | 2013-06-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Inductively coupled plasma flood gun using an immersed low inductance FR coil and multicusp magnetic arrangement |
| US9053907B2 (en) * | 2012-04-04 | 2015-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method of ion neutralization with multiple-zoned plasma flood gun |
| WO2015134108A1 (en) * | 2014-03-04 | 2015-09-11 | White Nicholas R | Ion beam sputter deposition assembly, sputtering system, and sputter method of physical vapor deposition |
| CN105470084B (zh) * | 2014-07-31 | 2017-12-26 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | 电子供应系统 |
| US20180337020A1 (en) * | 2015-12-27 | 2018-11-22 | Entegris, Inc. | Ion implant plasma flood gun performance by using trace in situ cleaning gas in sputtering gas mixture |
| JP6814081B2 (ja) | 2017-03-29 | 2021-01-13 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2558362Y2 (ja) * | 1991-10-09 | 1997-12-24 | 日新電機株式会社 | フリーマン型イオン源 |
| US5466929A (en) * | 1992-02-21 | 1995-11-14 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for suppressing electrification of sample in charged beam irradiation apparatus |
| JP3147526B2 (ja) * | 1992-09-10 | 2001-03-19 | 富士通株式会社 | イオン注入装置 |
| JPH08190887A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
| JP3417175B2 (ja) * | 1995-11-21 | 2003-06-16 | 日新電機株式会社 | イオン照射装置 |
| JPH10335097A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-12-18 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US6180954B1 (en) * | 1997-05-22 | 2001-01-30 | Eaton Corporation | Dual-walled exhaust tubing for vacuum pump |
| US6313428B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-11-06 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for reducing space charge of ion beams and wafer charging |
| JP4351814B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2009-10-28 | 株式会社リコー | カラー画像形成装置 |
| JP3690517B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2005-08-31 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
| JP3680274B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2005-08-10 | 住友イートンノバ株式会社 | イオンビームの電荷中和装置とその方法 |
| JP2004006109A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム処理装置 |
| JP5042451B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-10-03 | 株式会社Ｓｅｎ | ビーム空間電荷中和装置及びこれを備えたイオン注入装置 |
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2004
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-
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009002737A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-31 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for detecting wafer charging in a plasma processing system |
| US7675730B2 (en) | 2007-06-25 | 2010-03-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for detecting wafer charging in a plasma processing system |
| KR20180014336A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-08 | 세메스 주식회사 | 코팅 유닛, 이를 포함하는 코팅 장치 및 코팅 방법 |
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