KR101190115B1 - 웨이퍼 대전 억제장치 및 이를 구비한 이온 주입 장치 - Google Patents

웨이퍼 대전 억제장치 및 이를 구비한 이온 주입 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 대전 억제장치는, 이온 빔을 포함하는 하전입자 빔을 특정범위에 걸쳐서 왕복스캔시키면서 웨이퍼에 조사해서 처리를 행할 때, 상기 웨이퍼의 대전을 억제하는 하기 위한 것이다. 대전 억제장치는 제1 인출공을 가지는 제1 아크실과, 제1 인출공과 연통하고, 하전입자 빔의 스캔범위에 대향된 제2 인출공을 가지는 제2 아크실을 구비한다. 제1 아크실에 제1 아크전압을 인가해서 제1 아크실에 플라즈마를 생성하고, 거기에서 전자를 인출해서 제2 아크실로 도입하고, 제2 아크실에서 다시 플라즈마를 생성하고, 상기 하전입자 빔과의 사이에 플라즈마 브리지를 형성한다.
대전, 억제장치, 플라즈마, 웨이퍼

Description

웨이퍼 대전 억제장치 및 이를 구비한 이온 주입 장치{Wafer charge compensation device and ion implantation system having the same}
도 1은 배치식 이온 주입 장치에 사용되는 종래의 플라즈마 샤워의 모식도.
도 2a 및 도 2b는 본 발명이 적용된 이온 주입 장치의 개략 구조를 각각 나타내는 평면도와 측면도.
도 3은 본 발명에 따른 대전 억제장치의 구조를 설명하기 위한 종단면도.
도 4는 도 3의 라인 A-A를 따라 절단한 횡단면도.
도 5는 도 4에 도시된 제2 아크실의 양 단면에 설치되는 컨파인먼트 자기장 형성용 영구자석의 설치형태를 나타내는 도면.
도 6은 도 3에 도시된 제2 아크실의 상하, 좌우의 벽면에 컨파인먼트 자기장 형성용 영구자석의 다른 설치형태를 나타내는 도면.
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
17 : 각도 에너지 필터 18 : 공정 챔버
33 : 제1 인출공 34 : 제1 아크실
35 : 제2 아크실 36 : 제2 인출공
37 : 인출 전극 38 : 영구자석
본 발명은 전기장, 자기장 중 적어도 일방에 의해 이온 빔을 스캔하는 기구를 구비한 이온 주입 장치 및 이에 적용하기에 적합한 웨이퍼 대전 억제장치에 관한 것이다.
반도체 집적 회로를 제조하는 공정에 있어서, 이온 주입 장치는, 표면의 미세 영역에 정밀도 좋게 불순물을 주입할 수 있기 때문에, 널리 사용되고 있다. 이온 주입 장치에서는 전하를 가진 이온을 처리 대상인 웨이퍼에 타입하므로, 웨이퍼 상에 전하의 축적(대전현상; charge-up)이 문제로 된다. 나아가, 빔 라인 내에 생성된 공간 전하로 인해 이온 빔이 발산하는 문제도 발생된다.
주입되는 이온은 통상 양의 전하를 가지고 있으므로, 대전현상의 완화를 위해서는 음의 전하(전자)를 공급하는 것이 행해진다. 일예로서는, 이온이 빔 라인의 벽면에 충돌함으로써 발생하는 전자를 적극적으로 공급하는 방법이나, 웨이퍼 근방에서 전자총을 사용해서 제2 차 전자를 생성하여 공급하는 방법 등이 있다. 이들 중에서, 플라즈마 샤워(plasma shower)(또는 플라즈마 플러드 건(plasma flood gun))가 비교적 저에너지의 전자를 공급할 수 있는 방법으로서 널리 사용되고 있다.
배치(batch)식 이온 주입 장치에서는, 직선왕복운동이 가능한 회전 디스크 상에 웨이퍼를 설치함으로써, 웨이퍼 전면(全面)으로의 이온 주입을 가능하게 하고 있다. 이 때에, 이온 빔의 궤도는 이온 빔 라인에 대하여 고정되어 있고, 플라즈마 샤워는 이온 빔의 근방에 설치되어 이온 빔의 전위에 의해 플라즈마 샤워로부터 전자가 인출된다.
도 1은 대전현상을 제거하기 위한 배치식 이온 주입 장치에 사용되는 종래의 플라즈마 샤워의 모식도이다.
도 1에 있어서, 아크실(115) 내에 플라즈마 형성용 가스(116)를 도입하고, 필라멘트(117)를 전원(118)에 의해 가열하고, 아크실(115)과의 사이에 아크전압(119)을 인가함으로써 플라즈마가 형성된다. 아크실(115)의 근방에 이온 빔(128)이 위치하도록 설정하면, 이온 빔(128)에 의해 형성된 전위에 의해서 전자가 인출되고, 이온 빔(128)에 의한 대전현상이 억제된다. 여기서 이온 빔(128)은 도 1의 종이 앞면으로부터 종이 뒷면 쪽으로 진행하는 것으로 가정된다. 샤워 튜브(137)를 배치하고, 여기에 전위(138)를 인가함으로써, 아크실(115)로부터 이온 빔(128)으로의 전자의 공급을 촉진시키는 것도 가능하다.
한편, 이온 빔 자체를 직선적으로 왕복운동시킴으로써 스캔하는 기구를 가진 이온 주입 장치에서는, 이온 빔과 플라즈마 샤워의 상대적 위치가 항상 변화하므로, 안정한 전자의 공급이 곤란하게 된다. 이 때문에, 플라즈마 샤워로부터 인출된 전자를 스캔되는 이온 빔에 공급하기 위한 다양한 방법이 고려되고 있다.
예로서, 이온 빔의 전하중화장치에 있어서 광범위의 이온 빔에 대해서 전자공급을 촉진하기 위해, 이온 빔의 스캔영역에 자기장을 인가하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 일본국 공개특허공보 평09-147785호). 이 방법에서는, 플라즈마 아크실을 빔 스캔영역의 중앙에 빔과 직교하도록 취부하고, 중심으로부터 빔 스캔영역 전체로 퍼져나가는 자기장을 코일에 의해 인가하고 있다.
그러나, 1개소로부터 인출한 전자를 자기장에 의해 이온 빔의 스캔영역에 퍼지게 하는 방법에서는, 이온 빔 라인 중에 누설 자기장이 존재하기 때문에, 이온 빔이 굴절되어, 이온 빔의 분포나 주입 각도에 악영향을 미친다.
또한, 이온 빔의 스캔영역을 커버할 만큼 충분히 큰 아크실 내부에 필라멘트를 설치하는 방법에서는, 필라멘트 재료(텅스텐 등)에 의해 금속 오염의 염려가 있다.
본 발명의 목적은, 이온 빔의 스캔위치에 상관없이 이온 빔 전위에 의해 자동적으로 전자를 인출할 수 있는 대전 억제장치(플라즈마 샤워)에 의해 이온 주입에 의한 웨이퍼의 양의 대전을 억제하는 것이다.
본 발명에 따른 대전 억제장치는, 이온 빔을 포함하는 하전 입자 빔을 특정범위에 걸쳐서 왕복스캔하면서 웨이퍼에 조사해서 처리를 행할 때, 상기 웨이퍼의 대전을 억제하는 대전 억제장치에 있어서, 적어도 하나의 제1 인출공을 가지는 적어도 하나의 제1 아크실과, 상기 제1 인출공과 연통하고, 상기 하전입자 빔의 스캔범위에 대향된 적어도 하나의 제2 인출공을 가지는 제2 아크실을 구비하고, 상기 제1 아크실에 제1 아크전압을 인가해서 상기 제1 아크실에 플라즈마를 생성하고, 거기에서 전자를 인출해서 제2 아크실로 도입하고, 상기 제2 아크실에서 다시 플라즈마를 생성하여, 상기 하전입자 빔과의 사이에 플라즈마 브리지를 형성하는 것을 특징으로 한다.
대전 억제장치에 있어서는, 상기 제1 아크실과 상기 제2 아크실과의 사이에 상기 제2 아크실 내에서 플라즈마를 생성하기 위한 제2 아크전압이 인가된다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 제2 인출공은, 상기 하전입자 빔의 스캔범위에 걸쳐서 뻗어 있는 하나의 슬릿 혹은 상기 하전입자 빔의 스캔범위에 걸쳐서 간격을 두고 배설된 복수의 홀에 의해서 실현된다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 제2 인출공의 개구 형상 혹은 개구 분포가, 상기 제2 아크실 내의 플라즈마 밀도분포에 대응해서, 플라즈마가 희박한 부분의 개구는 밀도가 높아지도록 하고, 농후한 부분의 개구는 밀도가 낮아지도록 된다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 왕복스캔에 의해 하전입자 빔의 위치가 이동하여도, 항상 하전입자 빔과 상기 제2 인출공과의 사이에 플라즈마 브리지가 형성되어, 자동적 전자 공급이 이루어지도록 된다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 제2 아크실은, 상기 제2 인출공 이외로부터 가스가 누설되지 않는 구조로 된다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 제2 아크실에는 상기 제1 아크실과 상기 제2 인출공 이외의 영역에 영구자석을 설치해서 컨파인먼트 자기장을 형성하여, 상기 제2 아크실에 플라즈마를 폐입해서, 상기 왕복스캔 영역에서의 플라즈마 균일성을 높이도록 된다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 제2 아크실에는, 상기 하전입자 빔에 전자를 효율 좋게 공급하기 위한 제2 인출전압이 인가된다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 제2 인출공과 그 주변의 상기 왕복스캔 범위는, 통체(筒體)에 의해 덮여 있는 것이 바람직하다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 하전입자 빔의 진행 방향에 대하여 상기 통체의 상류측에 바이어스 전극을 설치하고, 상기 통체의 상류 방향으로의 전자의 비산을 방지하여, 전자를 효율 좋게 웨이퍼 쪽으로 수송하는 것이 바람직하다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 통체를, 상기 제2 아크실과 별도 전위로 설정할 수 있는 구조로 하는 것이 바람직하다.
대전 억제장치에 있어서는, 상기 통체의 내벽을 톱니형상으로 해서, 상기 내벽의 전체의 면에 절연성의 오물이 부착하는 것을 방지할 수 있는 구조로 하는 것이 바람직하다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 아크 전류를 계측해서 피드백함으로써 상기 제2 아크실 내의 플라즈마 전자의 양 혹은 아크 전류가 일정하게 되도록 제어된다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 제1 아크실을 상기 왕복스캔 범위 내에서 간격을 두고 복수 배치함으로써, 상기 제2 아크실 내의 플라즈마 밀도 증가와 플라즈마 균일성의 향상이 이루어진다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 제1 아크실과 상기 제2 아크실과의 사이에, 상기 제1 아크실로부터 전자를 인출하기 위한 인출 전극을 설치하는 것도 바람직하다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 인출 전극과 상기 제1 아크실과의 사이에, 전자를 인출하기 위한 제1 인출전압이 인가된다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 인출 전극과 상기 제2 아크실과의 사이에, 상기 제2 아크실 내에서 플라즈마를 생성하기 위한 제2 아크전압이 인가된다.
대전 억제장치에 있어서는 또, 상기 제2 아크실에서 상기 하전입자 빔의 진행 방향에 수직한 방향의 2개의 단면(端面)에서는, 다각형의 프레임 형상 또는 고리 형상의 복수의 상기 영구자석을 동심형으로 배치해서 상기 컨파인먼트 자기장을 생성하도록 구성되어도 좋다.
본 발명에 따르면 또한, 전기장, 자기장 중 적어도 일방에 의해 이온 빔을 포함하는 하전입자 빔을 특정범위에 걸쳐서 왕복스캔하는 스캔기구와, 상기 스캔기구의 하류측에 배치된 상기 하전입자 빔으로부터 필요한 에너지 종류의 이온만을 선택하기 위한 각도 에너지 필터를 구비한 이온 주입 장치에 있어서, 상기 각도 에너지 필터의 하류측에 상기 기재된 어느 하나에 의한 대전 억제장치를 배치한 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치가 제공된다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명이 적용된 웨이퍼 대전 억제장치의 일 실시예에 대해 먼저 상세한 설명을 한다. 본 실시예에 있어서, 본 발명은 대전 입자 빔을 각각 사용하는 빔 처리 시스템 중에서 단일 웨이퍼 이온 주입 장치에 특히 적용된다. 도 2a 및 도 2b는 매엽식 이온 주입 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도와 측면도이다.
예시된 이온 주입 장치는, 이온 소스 유닛(11)(이온 소스와 인출 전극을 포함함)과, 질량 분석 자석 장치(12)와, 빔 정형(整形)장치(13)와, 편향주사장치(14)와, P(평행)-렌즈(15)와, 가속/감속 전극(A/D 컬럼)(16)과, 각도 에너지 필터(AEF)(17)와, 공정 챔버(18)를 포함한다.
이러한 이온 주입 장치에서, 이온 소스(11)에서 발생된 이온은, 인출 전극(미도시)에 의해 이온 빔(이하 “빔”이라고 칭함)으로 인출된다. 인출된 빔은 질량 분석 자석 장치(12)에서 질량 분석되어, 필요한 이온 종류만이 선택된다. 필요한 이온 종류만으로 구성된 빔은, 빔 정형장치(13)에 의해 소망의 단면형상으로 정형된다. 빔 정형장치(13)는 Q(Quadrant)렌즈 등에 의해 구성된다. 정형된 단면형상을 가지는 빔은, 편향주사장치(14)에 의해 도 2a의 면에서 평행한 방향으로 스캔된다. 편향주사장치(14)는, 그의 상류측 및 하류측에 각각 배치된, 적어도 하나의 차폐 전극(14-1, 14-2)을 가진다. 편향 주사 전극이 본 실시예에서 편향주사장치(14)로서 사용되고 있지만, 이 편향 주사 전극 대신에 편향 주사 자석이 사용될 수도 있다.
스캔된 빔은, P-렌즈(15)에 의해 재 평행화 되고, 편향각 0°의 축에 평행하게 된다. 도 2a에서는, 편향주사장치(14)에 의한 빔의 스캔범위를 굵은 실선과 이중 파선으로 표시하고 있다. P-렌즈(15)로부터의 빔은, 하나 이상의 가속/감속 전극(16)을 경유해서 각도 에너지 필터(17)에 보내진다. 각도 에너지 필터(17)에서는 빔의 에너지에 관한 분석을 행하고, 필요한 에너지 종류의 이온 만이 선택된다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 각도 에너지 필터(17)에서는 선택된 이온 종류만이 약간 아래 방향으로 편향된다. 이렇게 선택된 이온 종류만으로 이루어진 빔이 피조사물인 반도체 웨이퍼(19)에 조사된다. 반도체 웨이퍼(19)에 조사되지 않았던 빔은, 빔 스토퍼(18-1)로 입사해서 빔의 에너지가 소비된다. 통상, 이온 소스(11)로부터 반도체 웨이퍼(19)가 수용되어 있는 진공처리실까지의 사이의 구성은 이온 빔 라인이라 한다.
다만, 도 2a에 있어서, 반도체 웨이퍼(19)에 인접해서 표시된 화살표는 빔이 이들의 화살표 방향으로 스캔되는 것을 표시한다. 한편, 도 2b에 있어서 반도체 웨이퍼(19)에 인접해서 표시된 화살표는, 반도체 웨이퍼(19)가 진공처리실에 설치된 플래튼(platen)장치에 의해서 이들 화살표의 방향으로 왕복이동, 즉 기계조사되는 것을 나타내고 있다. 구체적으로, 빔이 예컨대 일축 방향으로 왕복스캔된다고 하면, 반도체 웨이퍼(19)는 플래튼장치에 의해 상기 일축 방향에 수직한 방향으로 왕복되도록 이동한다. 이것에 의해 반도체 웨이퍼(19)의 표면 전체에 빔을 조사할 수 있게 된다.
전술된 바와 같이, 도 2a 및 도 2b에 도시된 이온 주입 장치에 있어서, 일 방향으로 길이가 긴 타원형이나 달걀형의 연속하는 횡단면을 가지는 빔은, 원형의 횡단면이나 타원형 또는 달걀형의 횡단면을 가지는 빔을 편향시켜 얻을 수 있으며, 이후 후단계 에너지 분석기로서 동작하는 각도 에너지 필터를 사용하여 빔의 주사 영역 내 임의의 위치에서 균일한 각도로 굴절될 수 있으며 최종적으로 웨이퍼(19) 내에 주입될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하여 대전 억제장치(30)에 대해서 설명한다. 대전 억제장치(30)는, 필라멘트(31), 가스 도입구(32) 및 하나 이상의 제1 인출공(33)을 구비한 제1 아크실(34)과, 제2 아크실(35)을 가진다. 제2 아크실(35)은 제2 인출공(36)을 가지고, 제2 인출공(36)이 통체(40)의 내부공간을 대향하도록 통체(40)에 설치되어 있다. 통체(40)는 진공처리실의 입구측의 일부에 있어도 되고, 진공처리실에 배치되어도 좋다. 어느 경우에 있어서도, 제2 아크실(35)은 통체(40)의 전폭에 걸친 정도의 길이를 가진다.
도 4에 있어서, 통체(40) 내부에서의 빔의 스캔영역이 기호 "SA"로 표시되어 있다. 본 실시예에서는, 제2 인출공(36)은, 스캔영역(SA) 내에서 제2 아크실(35)의 길이 방향으로 간격을 두고 설치된 복수의 홀에 의해 실현된다.
다만, 제2 인출공(36)은 스캔영역(SA)에 걸쳐 뻗어 있는 하나의 슬릿으로 실현되어도 좋다. 복수의 홀 및 하나의 슬릿 중 어느 하나에 있어서도, 제2 인출공(36)의 개구 형태 혹은 개구 분포는 제2 아크실(35) 내의 플라즈마 밀도분포에 대응시켜서, 플라즈마가 희박한 부분의 개구는 조밀하게 하고, 플라즈마가 농후한 부분의 개구는 소원하게 하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 제2 인출공(36)이 복수의 홀에 의해 실현되는 경우, 플라즈마가 희박한 부분에서는 간격을 짧게 하고, 농후한 부분에서는 간격을 길게 한다. 한편, 제2 인출공(36)을 하나의 슬릿으로 실현되는 경우, 플라즈마가 희박한 부분에서는 개구의 폭을 크게 하고, 농후한 부분에서는 개구의 폭을 작게 한다.
제1 아크실(34)은, 제2 아크실(35)의 길이 방향으로 중간부에 근접한 위치에서 제1 인출공(33)이 제2 아크실(35)을 대향하도록 제2 아크실(35)의 벽체에 설치되어 있다. 다만, 제1 아크실(34)과 제2 아크실(35)과의 경계 부분에는, 제1 인출공(33)에 대응하는 개소에 홀을 가진 제1 인출 전극(37)이 설치되나, 이것은 생략되어도 좋다. 이 경우에, 제1 아크실(34)과 제2 아크실(35)과의 사이에, 제2 아크실(35)에 플라즈마를 생성하기 위한 제2 아크전압(후술함)이 인가된다.
제1 아크실(34)의 설치영역 및 복수의 제2 인출공(36)의 설치영역을 제외하고, 제2 아크실(35)의 벽면에는 복수의 영구자석(38)이 설치되어 있다. 즉, 제2 아크실(35)의 상하 벽면, 좌우측 벽면 및 양측의 단벽면에 각각 영구자석(38)이 간격을 두고 설치되어 있다. 영구자석(38)은, 제2 아크실(35) 내에 컨파인먼트 자기장(한정용 첨단 자기장)을 형성하기 위한 것이다. 이를 위해서, 모든 영구자석(38)은, 자극을 제2 아크실(35) 내부 쪽으로 향하도록 배치되고, 또한 인접한 영구자석(38)의 자극은 서로 반대가 되도록 되어 있다. 도 4에서, 컨파인먼트 자기장을 형성하는 자속의 일부분이 화살표로 표시된다.
도 5는 제2 아크실(35)의 양측의 단벽면에서 영구자석(38)의 배열상태를 표시한다. 여기에서는, 단벽면의 형상이 사각형이므로, 크기가 다른 복수의 사각형 프레임 형상의 영구자석(38)을 동심형으로 배치하고 있다. 최내측의 영구자석(38) 내에도 직사각형 형상의 영구자석(38)이 배치된다. 그래서, 이들 영구자석(38)도 자극을 전부 제2 아크실(35)의 내부 쪽으로 향하도록 하고, 또한 인접한 영구자석(38)의 자극은 서로 반대로 되도록 되어 있다. 영구자석(38)의 형상은 삼각형 이상의 다각형 형상이면 좋고, 단벽면의 형상이 원형이라면, 환형상의 영구자석에 의해 실현되어도 좋다.
제1 아크실(34), 제2 아크실(35)은 아크실 서포트(39)에 의해 지지되어 있다. 필라멘트(31)에는, 아크실 서포트(39)에 설치된 필라멘트 피드(41; filament feed)를 경유해서 전원이 공급된다.
도 2a 및 도 2b에 있어서, 대전 억제장치(30)는, 빔이 약간 하방으로 편향된 개소에 설치되어 있다. 한편, 도 3에서는, 통체(40)가 수평상태로 표시되어 있으나, 도 2a 및 도 2b에 표시된 바와 같이 대전 억제장치(30)를 설치하기 위해, 장치전체를 빔의 편향 각도에 맞추어 기울어지도록 한다.
이하에서는, 상기 구조를 상세하게 설명한다.
제1 아크실(34) 내에는 가스 도입구(32)로부터 아르곤(Ar) 등의 가스가 도입된다. 제1 아크실(34)에 설치된 필라멘트(31)에 필라멘트 전원(42)으로부터 전류를 흘려서 고온으로 함으로써 열전자를 발생시킨다. 열전자는, 필라멘트(31)와 제1 아크실(34)과의 사이에 인가된 제1 아크 전원(43)의 의해 가속되고, 도입된 가스와 충돌하여 제1 아크실(34) 내에서 플라즈마를 생성한다. 제1 아크실(34)에는, 하나 이상의 제1 인출공(33)이 설치되어 있고, 그의 외측에 제1 인출 전극(37)이 설치되어 있다. 제1 인출 전극(37)과 제1 아크실(34)의 사이에 제1 인출 전원(44)의 제1 인출전압을 인가해서 제1 아크실(34)로부터 전자를 인출한다.
스캔폭(SA)에 대응하는 길이를 가진 제2 아크실(35)에는, 제1 아크실(34)내에서 이온화되지 않고 제1 인출공(33)으로부터 분출하는 중성 가스와, 제1 아크실(34)로부터 인출된 전자가 유입된다. 만에 하나, 필라멘트(31)의 재료가 비산되더라도, 제1 인출공(33)의 사이즈가 작으므로, 제1 아크실(34) 내에 머무르고, 제2 아크실(35)에는 도입되지 않는다.
제2 아크실(35)내에 도입된 전자는, 제2 아크실(35)과 제1 인출 전극(37)과의 사이에 인가된 제2 아크 전원(45)의 제2 아크전압에 의해 가속되고, 제1 아크실(34)로부터 도입된 가스와 충돌하여 제2 아크실(35) 내에서 플라즈마를 생성한다.
제2 아크실(35)의 벽면에는 복수의 영구자석(38)이 설치되어 컨파인먼트 자기장이 형성되므로, 벽면으로의 전자의 소실을 억제하는 동시에, 제2 아크실(35) 내의 스캔방향의 플라즈마 균일성을 향상시킨다.
영구자석(38)의 열적 자화 상실을 방지하기 위해, 제2 아크실(35)은 수냉 등에 의해 냉각된다. 제2 아크실(35)에서 빔의 통과영역에 면하는 개소에는, 빔의 스캔폭(SA)에 대응해서 복수의 제2 인출공(36)이 설치되어 있다. 다만, 제2 인출공(36)은, 하나의 슬릿형상의 개구에 의해서 실현되어도 좋다. 제2 아크실(35)은, 제2 인출공(36) 이외로부터 가스가 누설되지 않는 구조이므로, 제2 아크실(35) 내의 가스 압력의 저하를 방지하고, 플라즈마 생성 효율을 높인다.
빔이 제2 인출공(36)의 부근을 통과하면, 빔이 가진 양의 전위에 의해 제2 아크실(35)로부터 전자가 인출된다. 인출된 전자는 제1 아크실(34)이나 제2 아크실(35)에서 이온화되지 않고 제2 인출공(36)로부터 분출된 중성 가스와 충돌하여, 빔(왕복 스윙 빔)과 제2 아크실(35)(정확하게는 제2 인출공(36))과의 사이에 플라즈마(플라즈마 브리지)가 형성된다. 제2 아크실(35) 내의 전자는 플라즈마 브리지를 통해 빔에 대해 자동적으로 공급된다. 제2 인출공(36)은 스캔폭(SA)에 대응한 영역에 존재하므로, 스캔에 의한 빔의 위치가 이동하여도, 항상 빔과 제2 아크실(35)과의 사이에 플라즈마 브리지가 형성되고, 자동적인 전자 공급이 행해진다. 제2 아크실(35)은, 접지 전위와의 사이에 제2 인출 전원(46)의 제2 인출전압을 인가시키는 구조이므로, 이것에 의해 빔의 전자 공급량이나 공급되는 전자의 에너지를 조정하는 것이 가능하다.
다만, 제2 아크 전원(45)과 제2 인출 전원(46)의 사이의 전류값(아크 전류)을 계측해서 피드백함으로써 아크 전류가 일정하게 되도록 전원을 제어하도록 하여도 좋다.
제2 인출공(36)과 그 주변의 빔 스캔 영역은, 통체(40)에 의해 덮여 있다. 통체(40)의 전위는, 제2 아크실(35)로부터 인출되어 웨이퍼로 공급되는 전자량을 조정할 수 있도록, 제2 아크실(35)과는 별도의 전위를 인가해도 좋고, 제2 아크실(35)과 동일 전위로 해서 구성을 단순하게 해도 좋다.
통체(40)의 내벽(빔이 접하는 면)은 톱니형상으로 형성되어, 내벽의 전면(全面)에 절연성의 오염물이 부착하는 것을 방지할 수 있는 구조로 되어 있다. 또한, 통체(40)의 빔 상류 측에는 바이어스 전원(47)에 의한 음의 전압이 인가될 수 있는 바이어스 전극(48)이 설치되어 있다. 이것에 의해, 빔 상류 방향으로의 전자의 비산을 방지하는 동시에, 전자를 효율좋게 하류(웨이퍼 방향)로 운송할 수 있도록 하고 있다. 통체(40)에는 또, 자기쉴드가 실시되어 있어서, 외부 자기장, 예컨대 각도 에너지 필터(17)로부터의 자기장을 차폐할 수 있도록 하고 있다. 이것은, 외부 자기장이 강하면 자력선에 전자가 감겨서, 전자가 웨이퍼에 도달하기 전에 소실되기 때문이다.
이와 같은 구성에 의해, 제2 아크실(35) 내에서 플라즈마가 생성되면, 제2 인출공(36)이 스캔폭(SA)에 대응한 영역에 존재하고 있으므로, 스캔에 의한 빔의 위치가 이동하여도, 항상 빔과 제2 아크실(35)과의 사이에 플라즈마 브리지가 형성되고, 자동적인 전자 공급이 이루어진다. 나아가, 제2 아크실(35) 내부에는 컨파인먼트 자기장이 형성되어 있으므로, 제2 아크실(35)의 내벽면에서의 전자의 소실이 억제됨으로써, 플라즈마 생성 효율이 향상되는 동시에, 제2 아크실(35) 내에서의 플라즈마를 균일하게 하는 것이 가능하고, 스캔위치에 상관없이 충분한 양의 전자를 공급할 수 있게 한다.
이상과 같이, 빔의 스캔위치에 상관없이 빔 전위에 의해 자동적으로 전자를 인출할 수 있는 대전 억제장치(플라즈마 샤워)에 의해, 이온 주입에 의한 웨이퍼로의 양의 대전을 억제하는 것이 가능하다.
본 발명을 바람직한 실시예에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 도 3 내지 도 5의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1 아크실(34)은, 1개로 한정되지 않으며, 제2 아크실(35)의 길이 방향으로 간격을 두고 복수개 설치되어도 좋다. 물론, 제2 아크실(35)의 하나의 벽면만 아니라 별도 벽면에 설치되어도 좋다. 또한, 플라즈마 형성용 가스는, 제1 아크실(34) 뿐만 아니라, 제2 아크실(35) 내에도 도입되어도 좋다. 또한, 상기 실시예에서는, 컨파인먼트 자기장을 형성하기 위한 영구자석(38)을, 도 3에서 말하자면, 상하의 영구자석(38)은 빔의 진행 방향으로 뻗고, 좌우의 영구자석(38)은 상하방향으로 뻗도록 배치하고 있다. 이에 대해서, 도 6에 표시된 바와 같이, 상하, 좌우의 어느 곳의 영구자석(38)도 빔의 진행 방향에 대해서 수직으로 뻗도록 배치되어도 좋다. 물론, 이 경우에도, 영구자석(38)은 자극을 전부 제2 아크실(35)의 내부로 향하고, 또한 인접한 영구자석(38)의 자극은 서로 반대가 되도록 설치된다. 제2 아크실(35)의 양 단면에 대해서는 도 5와 마찬가지로 하여도 좋다.
본 발명은 빔의 단면형상이 원형, 타원형, 달걀형 등의 어느 것이더라도 적용가능하다.
지금까지 본 발명을 바람직한 실시예와 연관하여 서술하였지만, 이 기술 분야에 숙련된 자라면 본 발명을 여러 다른 방식으로 실시할 수 있는 것도 가능하다.
본 발명에 의하면, 빔의 스캔위치에 상관없이, 빔 전위에 의해 자동적으로 전자를 인출할 수 있는 대전 억제장치(플라즈마 샤워)에 의해, 이온 주입에 의한 웨이퍼의 양의 대전을 억제하는 것이 가능하다.

Claims (19)

  1. 빔 발생원으로부터의 하전입자 빔을 특정범위에 걸쳐서 왕복스캔시키면서 웨이퍼에 조사(照射)하여 처리를 행할 때, 상기 웨이퍼에의 대전을 억제하기 위한 대전 억제장치에 있어서,
    적어도 하나의 제1 인출공을 가지는 적어도 하나의 제1 아크실과;
    상기 제1 인출공과 연통하고, 상기 하전입자 빔의 스캔범위에 대향된 적어도 하나의 제2 인출공을 가지는 제2 아크실을 구비하고,
    상기 제1 아크실에 제1 아크전압을 인가하여 상기 제1 아크실에 플라즈마를 생성하고, 거기에서 전자를 인출하여 상기 제2 아크실로 도입하며, 상기 제2 아크실에서 다시 플라즈마를 생성하여, 상기 하전입자 빔과의 사이에 플라즈마 브리지를 형성하도록 구성함과 함께,
    상기 제1 아크실과 상기 제2 아크실 사이에 상기 제2 아크실 내에서 플라즈마를 생성하기 위한 제2 아크전압을 인가하고,
    상기 제1 아크실로부터 제2 아크실 내로 도입된 전자를 상기 제2 아크전압에 의하여 가속하도록 구성하고, 상기 가속된 전자를 제1 아크실로부터 도입된 가스와 충돌시켜서, 상기 제2 아크실 내에서 다시 플라즈마를 생성하도록 구성한 것
    을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 인출공은, 상기 하전입자 빔의 스캔범위에 걸쳐서 뻗어있는 하나의 슬릿 혹은 상기 하전입자 빔의 스캔범위에 걸쳐서 간격을 두고 배치된 복수의 홀에 의해서 실현되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제2 인출공의 개구 형상 혹은 개구 분포를, 상기 제2 아크실 내의 플라즈마 밀도분포에 대응해서, 플라즈마 밀도분포가 낮은 저밀도 부분의 개구밀도는 높게 하고, 플라즈마 밀도분포가 상기 저밀도 부분보다 높은 고밀도 부분의 개구밀도는 상기 저밀도 부분보다 낮게 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 왕복스캔에 의해 하전입자 빔의 위치가 이동하여도, 항상 하전입자 빔과 상기 제2 인출공과의 사이에 플라즈마 브리지가 형성되고, 자동적 전자 공급이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제2 아크실은, 상기 제2 인출공 이외로부터 가스가 누설되지 않는 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제2 아크실에는 상기 제1 아크실과 상기 제2 인출공 이외의 영역에 영구자석을 설치해서 컨파인먼트 자기장을 형성하여, 상기 제2 아크실에 플라즈마를 폐입해서, 상기 왕복스캔 영역에서의 플라즈마 균일성을 높이는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2 아크실에는, 상기 하전입자 빔에 전자의 공급을 촉진하기 위한 제2 인출전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제2 인출공과 그 주변의 상기 왕복스캔 범위는, 통체(筒體)에 의해 덮여 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 하전입자 빔의 진행 방향에 대하여 상기 통체의 상류측에 바이어스 전극을 설치하고, 상기 통체의 상류 방향으로의 전자의 비산을 방지하여, 전자의 웨이퍼 쪽으로의 수송을 촉진하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 통체를, 상기 제2 아크실과 별도 전위로 설정할 수 있는 구조로 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 통체의 내벽을 톱니형상으로 해서, 상기 내벽의 전체의 면에 절연성의 오물이 부착하는 것을 방지할 수 있는 구조로 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    아크 전류를 계측해서 피드백함으로써 상기 제2 아크실 내의 플라즈마 전자의 양 혹은 아크 전류가 일정하게 되도록 제어되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 아크실을 상기 왕복스캔 범위 내에서 간격을 두어 복수 배치함으로써, 상기 제2 아크실 내의 플라즈마 밀도 증가와 플라즈마 균일성의 향상이 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 아크실과 상기 제2 아크실과의 사이에, 상기 제1 아크실로부터 전자를 인출하기 위한 인출 전극을 설치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 인출 전극과 상기 제1 아크실과의 사이에, 전자를 인출하기 위한 제1 인출전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 인출 전극과 상기 제2 아크실과의 사이에, 상기 제2 아크실 내에서 플라즈마를 생성하기 위한 제2 아크전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 제2 아크실에서 상기 하전입자 빔의 진행 방향에 수직한 방향의 2개의 단면에서는, 다각형의 프레임 형상 또는 고리 형상의 복수의 상기 영구자석을 동심형으로 배치해서 상기 컨파인먼트 자기장을 생성하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 대전 억제장치.
  18. 전기장, 자기장 중 적어도 일방에 의해 이온 빔을 포함하는 하전입자 빔을 특정범위에 걸쳐서 왕복스캔하는 스캔기구와, 상기 스캔기구의 하류측에 배치된 상기 하전입자 빔으로부터 필요한 에너지 종류의 이온만을 선택하기 위한 각도 에너지 필터를 구비한 이온 주입 장치에 있어서,
    상기 각도 에너지 필터의 하류측에 청구항 1 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 기재된 대전 억제장치를 배치한 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
  19. 삭제
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5100963B2 (ja) * 2004-11-30 2012-12-19 株式会社Ｓｅｎ ビーム照射装置
US7675730B2 (en) * 2007-06-25 2010-03-09 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for detecting wafer charging in a plasma processing system
US7800083B2 (en) * 2007-11-06 2010-09-21 Axcelis Technologies, Inc. Plasma electron flood for ion beam implanter
US8124946B2 (en) * 2008-06-25 2012-02-28 Axcelis Technologies Inc. Post-decel magnetic energy filter for ion implantation systems
US8227773B2 (en) 2010-07-29 2012-07-24 Axcelis Technologies, Inc. Versatile beam glitch detection system
US8471476B2 (en) * 2010-10-08 2013-06-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Inductively coupled plasma flood gun using an immersed low inductance FR coil and multicusp magnetic arrangement
US9053907B2 (en) * 2012-04-04 2015-06-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method of ion neutralization with multiple-zoned plasma flood gun
WO2015134108A1 (en) * 2014-03-04 2015-09-11 White Nicholas R Ion beam sputter deposition assembly, sputtering system, and sputter method of physical vapor deposition
CN105470084B (zh) * 2014-07-31 2017-12-26 上海凯世通半导体股份有限公司 电子供应系统
KR102041062B1 (ko) * 2015-12-27 2019-11-05 엔테그리스, 아이엔씨. 스퍼터링 가스 혼합물 중 미량의 계내 세정 가스를 사용하여 이온 주입 플라즈마 플러드 건 (prg)의 성능을 개선하는 방법
KR101885568B1 (ko) * 2016-07-29 2018-08-08 세메스 주식회사 코팅 유닛, 이를 포함하는 코팅 장치 및 코팅 방법
JP6814081B2 (ja) 2017-03-29 2021-01-13 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入装置及びイオン注入方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003288857A (ja) * 2002-03-27 2003-10-10 Sumitomo Eaton Noba Kk イオンビームの電荷中和装置とその方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2558362Y2 (ja) * 1991-10-09 1997-12-24 日新電機株式会社 フリーマン型イオン源
US5466929A (en) * 1992-02-21 1995-11-14 Hitachi, Ltd. Apparatus and method for suppressing electrification of sample in charged beam irradiation apparatus
JP3147526B2 (ja) * 1992-09-10 2001-03-19 富士通株式会社 イオン注入装置
JPH08190887A (ja) * 1995-01-11 1996-07-23 Nissin Electric Co Ltd イオン注入装置
JP3417175B2 (ja) * 1995-11-21 2003-06-16 日新電機株式会社 イオン照射装置
JPH10335097A (ja) * 1997-03-31 1998-12-18 Hitachi Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6180954B1 (en) * 1997-05-22 2001-01-30 Eaton Corporation Dual-walled exhaust tubing for vacuum pump
US6313428B1 (en) * 1999-10-12 2001-11-06 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Apparatus and method for reducing space charge of ion beams and wafer charging
JP4351814B2 (ja) * 2000-07-21 2009-10-28 株式会社リコー カラー画像形成装置
JP3690517B2 (ja) * 2002-02-28 2005-08-31 住友イートンノバ株式会社 イオン注入方法及びイオン注入装置
JP2004006109A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Hitachi High-Technologies Corp イオンビーム処理装置
JP5042451B2 (ja) * 2004-11-30 2012-10-03 株式会社Ｓｅｎ ビーム空間電荷中和装置及びこれを備えたイオン注入装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003288857A (ja) * 2002-03-27 2003-10-10 Sumitomo Eaton Noba Kk イオンビームの電荷中和装置とその方法

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Publication number Publication date
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US7304319B2 (en) 2007-12-04
US20060113492A1 (en) 2006-06-01
KR20060060536A (ko) 2006-06-05
JP2006156142A (ja) 2006-06-15
TWI368951B (en) 2012-07-21
EP1662540A2 (en) 2006-05-31

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