JP2006156142A - ウエハ帯電抑制装置及びこれを備えたイオン注入装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本帯電抑制装置30は、イオンビームを特定範囲にわたって往復スキャンさせながらウエハに照射して処理を行うに際し、ウエハへの帯電を抑制するためのものである。帯電抑制装置は、第1引出孔33を有する第1アーク室34と、第1引出孔と連通し、イオンビームのスキャン範囲に望ませた第2引出孔36を有する第2アーク室35とを備える。第1アーク室に第1アーク電圧を印加して第1アーク室にプラズマを生成し、そこから電子を引き出して第2のアーク室に導入し、第2アーク室で再びプラズマを生成してイオンビームとの間にプラズマブリッジを形成する。
【選択図】 図1
Description
31 フィラメント
32 ガス導入口
33 第1引出孔
34 第1アーク室
35 第2アーク室
36 第2引出孔
37 第1引出電極
38 永久磁石
39 アーク室サポート
40 筒体
41 フィラメントフィード
42 フィラメント電源
43 第1アーク電源
44 第1引出電源
45 第2アーク電源
46 第2引出電源
47 バイアス電源
48 バイアス電極
Claims (19)
- イオンビームを含む荷電粒子ビームを特定範囲にわたって往復スキャンさせながらウエハに照射して処理を行うに際し、前記ウエハへの帯電を抑制するための帯電抑制装置において、
少なくとも1つの第1引出孔を有する少なくとも1つの第1アーク室と、
前記第1引出孔と連通し、前記荷電粒子ビームのスキャン範囲に望ませた少なくとも1つの第2引出孔を有する第2アーク室とを備え、
前記第1アーク室に第1アーク電圧を印加して該第1アーク室にプラズマを生成し、そこから電子を引き出して前記第2のアーク室に導入し、該第2アーク室で再びプラズマを生成して前記荷電粒子ビームとの間にプラズマブリッジを形成するようにしたことを特徴とする帯電抑制装置。 - 前記第1アーク室と前記第2アーク室との間に該第2アーク室内でプラズマを生成するための第2アーク電圧を印加することを特徴とする請求項1に記載の帯電抑制装置。
- 前記第2引出孔は、前記荷電粒子ビームのスキャン範囲にわたって延在する1つのスリットあるいは前記荷電粒子ビームのスキャン範囲にわたって間隔をおいて配設された複数の孔で実現されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の帯電抑制装置。
- 前記第2引出孔の開口形状あるいは開口分布を、前記第2アーク室内のプラズマ密度分布に対応させて、プラズマが薄い部分の開口は密になるようにし、濃い部分の開口は疎になるようにしたことを特徴とする請求項3に記載の帯電抑制装置。
- 前記往復スキャンにより荷電粒子ビーム位置が移動しても、常に荷電粒子ビームと前記第2引出孔との間にプラズマブリッジが形成され、自律的電子供給が行なわれるようにしたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の帯電抑制装置。
- 前記第2アーク室は、前記第2引出孔以外からガスが漏れないような構造にされていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の帯電抑制装置。
- 前記第2アーク室には前記第1アーク室と前記第2引出孔以外の領域に永久磁石を設置してコンファインメント磁場を形成し、該第2アーク室にプラズマを閉じ込めて、前記往復スキャン範囲でのプラズマ均一性を高めることを特徴とする請求項請求項1〜6のいずれかに記載の帯電抑制装置。
- 前記第2アーク室には、前記荷電粒子ビームに電子を効率良く供給するための第2引出電圧が印加されることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の帯電抑制装置。
- 前記第2引出孔とその周辺の前記往復スキャン範囲は、筒体で覆われていることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の帯電抑制装置。
- 前記荷電粒子ビームの進行方向に関して前記筒体の上流側にバイアス電極を設け、前記筒体の上流方向への電子の飛散を防止して電子を効率良くウエハ側へ輸送することを特徴とする請求項9に記載の帯電抑制装置。
- 前記筒体を、前記第2アーク室と別電位に設定できる構造としたことを特徴とする請求項9または10に記載の帯電抑制装置。
- 前記筒体の内壁をギザギザにして、該内壁のすべての面に絶縁性の汚れが付着することを防止できる構造としたことを特徴とする請求項9〜11のいずれかに記載の帯電抑制装置。
- アーク電流を計測してフィードバックすることにより前記第2アーク室内のプラズマ電子の量あるいはアーク電流が一定になるように制御することを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の帯電抑制装置。
- 前記第1アーク室を前記往復スキャン範囲で間隔をおいて複数配置することにより、前記第2アーク室内のプラズマ密度増加とプラズマ均一性向上がなされていることを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の帯電抑制装置。
- 前記第1アーク室と前記第2アーク室との間に、前記第1アーク室から電子を引き出すための引出電極を設けたことを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の帯電抑制装置。
- 前記引出電極と前記第1アーク室との間に、電子を引き出すための第1引出電圧を印加することを特徴とする請求項15に記載の帯電抑制装置。
- 前記引出電極と前記第2アーク室との間に、該第2アーク室内でプラズマを生成するための第2アーク電圧を印加することを特徴とする請求項15又は16に記載の帯電抑制装置。
- 前記第2アーク室における前記荷電粒子ビームの進行方向に直角な方向の2つの端面においては、多角形の枠状または環状の複数の前記永久磁石を同心状に配置して前記コンファインメント磁場を生成するように構成されていることを特徴とする請求項7〜17のいずれかに記載の帯電抑制装置。
- 電場、磁場の少なくとも一方によりイオンビームを含む荷電粒子ビームを特定範囲にわたって往復スキャンするスキャン機構と、該スキャン機構の下流側に配置され前記荷電粒子ビームから必要なエネルギー種のイオンのみを選択するための角度エネルギーフィルターとを備えたイオン注入装置において、
前記角度エネルギーフィルターの下流側に、請求項1〜18のいずれかに記載の帯電抑制装置を配置したことを特徴とするイオン注入装置。
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