JPH0689692A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH0689692A JPH0689692A JP4241062A JP24106292A JPH0689692A JP H0689692 A JPH0689692 A JP H0689692A JP 4241062 A JP4241062 A JP 4241062A JP 24106292 A JP24106292 A JP 24106292A JP H0689692 A JPH0689692 A JP H0689692A
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Abstract
の供給をイオンビームの電流量の増減に対応できるよう
にしてウエハ表面の帯電を完全に防止することを目的と
する。 【構成】 ウエハに入射するイオンビームの周囲に設け
られ且つ該イオンビームの出入り口が狭められた形状の
筒と，該筒内に電子を放射するフィラメントと，該筒の
外周に該ウエハに対して負のバイアス電圧を印加する電
極とを有するように構成する。
Description
特に，イオンビームによるウエハの帯電を防止する装置
に関する。
が注入されると，正電荷が絶縁膜表面に帯電する。ま
た，イオンビームとウエハとの衝突により二次電子をウ
エハより放射し，ウエハ表面はさらに正電荷が帯電す
る。
ム経路中を取り巻く浮遊電子がウエハ表面に引き寄せら
れ，ビームを取り巻く電子が不足して移動中のビームの
中性化がくずれ，正イオンどうしの反発によりビームは
広がり，結果的にウエハ表面の帯電状態により電荷分布
が変化するため，ウエハ面内の注入量の均一性に悪影響
を与える。
断面図である。図において，１はバイアス電圧を印加す
る電極，２は電子供給用フィラメント，３は電子を反射
させるリフレクタ，４は発生した電子を囲む筒，５はイ
オンビーム，６はウエハである。
より発生させた電子を-200〜-1800Vのバイアス電圧を電
極１に印加してウエハ表面に運んでウエハ表面の帯電を
防止していた。
っても，ウエハ表面に到達する電子量はこれに対応でき
ないため，ウエハ表面が負に帯電したり，または反対に
電子量が不足して正の帯電が残ることがある。
帯電防止方法ではイオンビームの電流量の増減に対応で
きず，ウエハを帯電させ，または帯電による静電破壊を
生ずることがある。
ンビームの電流量の増減に対応できるようにしてウエハ
表面の帯電を完全に防止することを目的とする。
ハに入射するイオンビームの周囲に設けられ且つ該イオ
ンビームの出入り口が狭められた形状の筒と，該筒内に
電子を放射するフィラメントと，該筒の外周に該ウエハ
に対して負のバイアス電圧を印加する電極とを有するイ
オン注入装置により達成される。
電圧を印加する電極を設けている。
れた電子をバイアス電圧によりビームの出入口を絞った
筒内に閉じ込めてビーム経路に浮遊させ，この浮遊電子
をビームの電磁場によりウエハ表面の帯電部に供給する
ようにしている。ビーム周辺の磁界の強さＨは，ビーム
からの距離ａの点では Ｈ＝ビーム電流／２πａ となる。したがって，基板への電子供給量はビーム電流
に比例することになり，ビーム電流に対応して電子を供
給することができる。
置の模式断面図である。図において，１は筒内に放射さ
れた電子を浮遊させるためのバイアス電圧を印加する電
極，２は電子供給用フィラメント，３は電子を反射させ
るリフレクタ（筒とは絶縁），４は浮遊電子を閉じ込め
る筒，５はイオンビーム，６はウエハである。
のバイアス電圧により筒内に浮遊する。また，バイアス
電極および筒の形状を図示のようにビームの出入口を狭
くすることにより電子を筒内に閉じ込めるようにする。
ンビームがつくる磁界により筒内の浮遊電子をウエハ表
面に供給する。この際，電子の供給量はイオンビームが
増加するとそれのつくる磁界も強くなり，ウエハに供給
される電子の量も増加する。
500 〜−1500 V程度である。ここで，実施例においては
従来例と同様に負にバイアスされた電極とウエハ間の電
界により電子はウエハ方向に移動しないで, 電子が電子
発生部の筒内に浮遊するのは以下の理由による。
電子発生部にバイアス電圧が印加されているため，電子
は筒の外へは出にくくなって筒内に浮遊する。これは,
筒内の電界により浮遊電子は筒内中央部に移動しようと
する力がはたらくためである。
極間の電界によるウエハ方向への移動はしなで，イオン
ビームがつくる磁界によりウエハ表面に移動する。そし
て,イオンビームの磁界はビーム電流に比例して増減す
るため，ビーム量の変動に応じて適時にウエハ表面に電
子を供給することができる。
ント電圧を変化させて，フィラメントからの熱電子放射
量を変化させて行う。従来は適時な電子供給がおこなわ
れなかったので通常±10 V程度の帯電があったが, 実施
例ではビームの磁界により適時な制御を行うため帯電は
0 V となった。
供給がイオンビームの電流量に応じて変化される。ま
た，イオンビームといっしょに電子がウエハに供給され
る。この結果，ウエハ表面の帯電を完全に防止すること
ができ，ウエハ表面の絶縁膜の静電破壊の防止およびウ
エハ面内のイオン注入量の均一性が向上する。
式断面図
電圧を印加する電極， ２ 電子供給用フィラメント ３ 電子を反射させるリフレクタ（筒とは絶縁） ４ 浮遊電子を閉じ込める筒 ５ イオンビーム ６ ウエハ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハに入射するイオンビームの周囲に
設けられ且つ該イオンビームの出入り口が狭められた形
状の筒と，該筒内に電子を放射するフィラメントと，該
筒の外周に該ウエハに対して負のバイアス電圧を印加す
る電極とを有することを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24106292A JP3147526B2 (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24106292A JP3147526B2 (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689692A true JPH0689692A (ja) | 1994-03-29 |
| JP3147526B2 JP3147526B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=17068737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24106292A Expired - Lifetime JP3147526B2 (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3147526B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006156142A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sumitomo Eaton Noba Kk | ウエハ帯電抑制装置及びこれを備えたイオン注入装置 |
-
1992
- 1992-09-10 JP JP24106292A patent/JP3147526B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006156142A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sumitomo Eaton Noba Kk | ウエハ帯電抑制装置及びこれを備えたイオン注入装置 |
| JP4533112B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-09-01 | 株式会社Ｓｅｎ | ウエハ帯電抑制装置及びこれを備えたイオン注入装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3147526B2 (ja) | 2001-03-19 |
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