JPH0384838A - 電子ビーム発生機用イオントラップ - Google Patents
電子ビーム発生機用イオントラップInfo
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- JPH0384838A JPH0384838A JP2139559A JP13955990A JPH0384838A JP H0384838 A JPH0384838 A JP H0384838A JP 2139559 A JP2139559 A JP 2139559A JP 13955990 A JP13955990 A JP 13955990A JP H0384838 A JPH0384838 A JP H0384838A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 24
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/40—Traps for removing or diverting unwanted particles, e.g. negative ions, fringing electrons; Arrangements for velocity or mass selection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/84—Traps for removing or diverting unwanted particles, e.g. negative ions, fringing electrons; Arrangements for velocity or mass selection
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は一般的にイオンが電子銃中の陰極の方へ加速さ
れ且つそれに衝突し得るところの電子銃領域中へ陽イオ
ンがドリフトするのを妨げるための電子射出器系用イオ
ントラップに関する。
れ且つそれに衝突し得るところの電子銃領域中へ陽イオ
ンがドリフトするのを妨げるための電子射出器系用イオ
ントラップに関する。
従来の技術
作動中、電子銃からの電子ビームは気体の分子が電子ビ
ームによって打たれる時にイオンを装置中の残留気体か
らその経路に沿って発生する。電子ビームによって発生
された陽イオンは、それらがおそらく銃電極の電位によ
って集束され、陰極の方へ加速され且つ陰極に衝突する
ところの銃電極領域中へドリフトすることがある。
ームによって打たれる時にイオンを装置中の残留気体か
らその経路に沿って発生する。電子ビームによって発生
された陽イオンは、それらがおそらく銃電極の電位によ
って集束され、陰極の方へ加速され且つ陰極に衝突する
ところの銃電極領域中へドリフトすることがある。
どんな電子射出系でも陰極の寿命は蒸発及びスパッタリ
ング作用によって制限される。もし陰極が高エネルギイ
オンで衝撃を受けるならば、陰極材料はスパッター作用
を受け、陰極の有効作動寿命を制限する損害を生じる。
ング作用によって制限される。もし陰極が高エネルギイ
オンで衝撃を受けるならば、陰極材料はスパッター作用
を受け、陰極の有効作動寿命を制限する損害を生じる。
それ故、イオントラップはイオンが銃陰極加速領域中へ
入る前にイオンを補足するために多くの系で使用されて
いる。これは、板をイオンの経路中に配置し、それによ
りイオンが銃電極領域中へドリフトするよりは板と衝突
することによってなされることができる。電子が発生し
たイオンと同じ経路に沿って反対方向へ移動しなければ
ならない応用例では、イオンは静電的のような他の手段
によって板上へ偏向されねばならない。
入る前にイオンを補足するために多くの系で使用されて
いる。これは、板をイオンの経路中に配置し、それによ
りイオンが銃電極領域中へドリフトするよりは板と衝突
することによってなされることができる。電子が発生し
たイオンと同じ経路に沿って反対方向へ移動しなければ
ならない応用例では、イオンは静電的のような他の手段
によって板上へ偏向されねばならない。
米国特許第４，７４３，７９４号は陰極線管のためのイ
オントラップの１つの形式を例示している。この形式の
管では、半導体の陰極が管の中実軸線を取囲む環状放出
領域を有する。陰極に近接する第１の電極グリッドは環
状領域から放出された電子を通すに充分なだけ軸線から
遠方で延びる開口を有する。
オントラップの１つの形式を例示している。この形式の
管では、半導体の陰極が管の中実軸線を取囲む環状放出
領域を有する。陰極に近接する第１の電極グリッドは環
状領域から放出された電子を通すに充分なだけ軸線から
遠方で延びる開口を有する。
別の電極、即ちスクリーングリッドが陰極から更に遠方
に配置され且つ第１の電極よりも高い電位で作動され、
電子ビームが通過するスクリーングリッド中の開口の領
域近くでクロスオーバ中へ環状電子ビームを収斂させる
正レンズを形成する。
に配置され且つ第１の電極よりも高い電位で作動され、
電子ビームが通過するスクリーングリッド中の開口の領
域近くでクロスオーバ中へ環状電子ビームを収斂させる
正レンズを形成する。
スクリーングリッド中の開口は環状放出領域よりも小さ
い直径を有するので、軸線近くで発生されてスクリーン
グリッドの開口を通過する陽イオンは軸線と平行に加速
され且つ陰極の中心領域に当たる。それらは環状放出領
域に当たらない。更に、軸線から更に離れて発生された
陽イオンは軸線及びスクリーングリッドの開口から離れ
る方へ加速される。この設計は管中で発生された陽イオ
ンの大部分が陰極の環状放出領域に衝突するのを阻止す
る。環状放出領域に当たる陽イオンだけが陰極及び第１
の電極の間の小さい領域中で発生された陽イオンである
。しかしながら、これらの特別の゛イオンは比較的低い
エネルギを有するので、非常に少ない損害が放出領域に
なされる。
い直径を有するので、軸線近くで発生されてスクリーン
グリッドの開口を通過する陽イオンは軸線と平行に加速
され且つ陰極の中心領域に当たる。それらは環状放出領
域に当たらない。更に、軸線から更に離れて発生された
陽イオンは軸線及びスクリーングリッドの開口から離れ
る方へ加速される。この設計は管中で発生された陽イオ
ンの大部分が陰極の環状放出領域に衝突するのを阻止す
る。環状放出領域に当たる陽イオンだけが陰極及び第１
の電極の間の小さい領域中で発生された陽イオンである
。しかしながら、これらの特別の゛イオンは比較的低い
エネルギを有するので、非常に少ない損害が放出領域に
なされる。
米国特許第３，５８６，９０１号は陽イオンが電子銃の
陰極に衝突する速度を低下させるためのイオントラップ
の別の形式を例示する。この特別のイオントラップは陽
極からの電子ビームが通過する孔と縦に一列に並んだ状
態にある一対の密接して離間したチタン陰極を含む。陰
極に最も近い陽極はより小さい孔を有し且つ他の陽極よ
りも陰極に関してより高い正電位で作動される。これは
電位丘を作り、且つ陰極及び陽極の間の領域の外側に形
式された各陽イオンは陰極へ吸引されるためにその丘を
乗り越えねばならない。
陰極に衝突する速度を低下させるためのイオントラップ
の別の形式を例示する。この特別のイオントラップは陽
極からの電子ビームが通過する孔と縦に一列に並んだ状
態にある一対の密接して離間したチタン陰極を含む。陰
極に最も近い陽極はより小さい孔を有し且つ他の陽極よ
りも陰極に関してより高い正電位で作動される。これは
電位丘を作り、且つ陰極及び陽極の間の領域の外側に形
式された各陽イオンは陰極へ吸引されるためにその丘を
乗り越えねばならない。
米国特許第４，７２０，８３２号は不純物イオンがレー
ザー中の光学的窓を汚染するのを防止するための装置の
別の形式を説明している。この米国特許での装置は光学
的軸線の各側に磁石の対を備え、該磁石の対は窓の方へ
軸線に沿って移動する荷電された粒子へ磁場を印加して
荷電された粒子を軸線から離れる方へ偏向させる。軸線
に沿って開口を有する多数の環状円板が磁石から離間さ
れてあり、それにより偏向された荷電粒子は環状円板上
へ堆積される。
ザー中の光学的窓を汚染するのを防止するための装置の
別の形式を説明している。この米国特許での装置は光学
的軸線の各側に磁石の対を備え、該磁石の対は窓の方へ
軸線に沿って移動する荷電された粒子へ磁場を印加して
荷電された粒子を軸線から離れる方へ偏向させる。軸線
に沿って開口を有する多数の環状円板が磁石から離間さ
れてあり、それにより偏向された荷電粒子は環状円板上
へ堆積される。
発明が解決しようとする課題
電子射出系中で電子ビームによって発生されたイオンが
該第のための電子銃の加速領域へ入るのを阻止する改良
され且つ有効なイオントラップを提供することは本発明
の目的である。
該第のための電子銃の加速領域へ入るのを阻止する改良
され且つ有効なイオントラップを提供することは本発明
の目的である。
通過する電子ビームによって有効に自己励起され得るイ
オントラップを提供することは本発明の別の目的である
。
オントラップを提供することは本発明の別の目的である
。
大きい範囲の低エネルギイオンを捕捉し得るイオントラ
ップを提供することは本発明の別の目的である。
ップを提供することは本発明の別の目的である。
課題を解決するための手段
本発明によれば、イオントラップは円筒体のセクターの
形をしている少なくとも２つの要素からなり、該要素は
互いに離間されており且つ円筒形の形を一緒に形成し、
各要素は端板と円筒形の形の中心まで端板に対して実質
的に平行に内方へ延びる多数のフィンとを有し、円形の
セクターの形をした凹部が前記中心に近接して端板及び
フィン中に配置され、電子銃からの電子ビームが通過す
る中心孔を形成し、該要素は導電性を有し且つ絶縁要素
によって外方包囲体へ取付けられ、導電性リードが各要
素へ電気的に連結されてその要素を所定の電位に維持す
る。
形をしている少なくとも２つの要素からなり、該要素は
互いに離間されており且つ円筒形の形を一緒に形成し、
各要素は端板と円筒形の形の中心まで端板に対して実質
的に平行に内方へ延びる多数のフィンとを有し、円形の
セクターの形をした凹部が前記中心に近接して端板及び
フィン中に配置され、電子銃からの電子ビームが通過す
る中心孔を形成し、該要素は導電性を有し且つ絶縁要素
によって外方包囲体へ取付けられ、導電性リードが各要
素へ電気的に連結されてその要素を所定の電位に維持す
る。
本発明の好適な実施例では、中心孔は電子ビームと本質
的に同じ直径を有する。
的に同じ直径を有する。
本発明の別の好適な実施例では、要素の数は２つであり
、それぞれが半円画形の構造を有する。
、それぞれが半円画形の構造を有する。
本発明の別の実施例では、要素の数は４つであり、それ
ぞれが円筒形構造の四分の−の形をしており、各セクタ
ーの電圧は異なる電位に保たれる。
ぞれが円筒形構造の四分の−の形をしており、各セクタ
ーの電圧は異なる電位に保たれる。
本発明の次に添付図面を参照してより詳細に説明される
。
。
実施例
第１図に示した装置で、電子ビームは陰極１によって発
生され且つ陽極２によって中心軸線１２に沿って加速器
５の方へ加速される。電子ビームはコイル３及び４によ
って集束され、イオントラ・ノブがコイルの間に配置さ
れる。イオントラップは２つの一半円筒形の要素１０及
び１１からなり、該要素は互いに離間され且つ互いに絶
縁されている。半円筒形要素１０及び１１はそれらの対
向する側部に中心の半円筒形開口を有し、その開口は中
心線１２を取囲む中心孔を形成し、中心線１２に沿って
電子ビームが移動する。要素１０は絶縁性セラミック碍
子６によって支持体１５へ取付けられると同時に要素１
１は絶縁性セラミック碍子７によって支持体１５へ取付
けられる。支持体１５は装置のための外方包囲体の一部
分であることができる。
生され且つ陽極２によって中心軸線１２に沿って加速器
５の方へ加速される。電子ビームはコイル３及び４によ
って集束され、イオントラ・ノブがコイルの間に配置さ
れる。イオントラップは２つの一半円筒形の要素１０及
び１１からなり、該要素は互いに離間され且つ互いに絶
縁されている。半円筒形要素１０及び１１はそれらの対
向する側部に中心の半円筒形開口を有し、その開口は中
心線１２を取囲む中心孔を形成し、中心線１２に沿って
電子ビームが移動する。要素１０は絶縁性セラミック碍
子６によって支持体１５へ取付けられると同時に要素１
１は絶縁性セラミック碍子７によって支持体１５へ取付
けられる。支持体１５は装置のための外方包囲体の一部
分であることができる。
各半円筒形要素はチタンで作られており且つバッフルを
形式するために多数の内方へ延びるフィンを有する。要
素１１は陰極に最も近い端板２１とその反対端にあるべ
つの端板２５とを有する。
形式するために多数の内方へ延びるフィンを有する。要
素１１は陰極に最も近い端板２１とその反対端にあるべ
つの端板２５とを有する。
内方へ延びるフィン２２．２３及び２４が端板２１及び
２５の間に配置される。同様に、要素１０は端板２１′
及び２５′ と中間フィン２２’ 、２３’ 及び
２４′とを有する。フィン及び端板のそれぞれは前記中
６孔を形成するように一緒に協働するそれらの内方縁部
上に中心半円筒形凹部を設けている。端板２１（２１’
）及び隣接するフィン２２（２２’ ）中の半円筒形
凹部１６，１６’ 、１７及び１７′ は同じ寸法を
有し且つ軸線と平行にある平らな内方縁部を有する。し
かしながら、次のフィン２３（２３’ ）は僅かに犬き
ｌ／）中心凹部１８（１８’ ）を有し、次のフィン２
４（２４’ ）は更に僅かに大きい中心凹部１９（１９
’ ）を有し、端板２５（２５’ ）中の中心四部２０
（２０’ ）は−層大きい。これらの最後に述べた中心
凹部は２１（２１’ ）及び２２（２２′）の中心孔の
ような円筒形の中心孔に形成されておらず、僅かに円錐
形の形状を有する中心孔を形成する。円錐形状の基部は
陰極から最も遠方にある位置に配置される。フィン２３
（２３’ ）、２４（２４’ ）及び端板２５（２５’
）の開口の内方縁部は、それらが約７°のテーパを有
する円錐形状の表面と平行にあるように傾斜されている
。、 端板２１（２１’ ）及びフィン２２（２２’ ）によ
って形成された中心孔の内径は僅かなビーム削成りが起
こるように寸法付けられる。要素１０及び１１は絶縁体
６及び７によってそれぞれ絶縁される。要素１０及び１
１はビーム削成りのためにビーム中の電子によって荷電
される。トラップ要素１０を約−１５００ボルトに保つ
ために、適当なプリード抵抗体及び火花ギャップが要素
１０と接地との間で電気リード８によって連結される。
２５の間に配置される。同様に、要素１０は端板２１′
及び２５′ と中間フィン２２’ 、２３’ 及び
２４′とを有する。フィン及び端板のそれぞれは前記中
６孔を形成するように一緒に協働するそれらの内方縁部
上に中心半円筒形凹部を設けている。端板２１（２１’
）及び隣接するフィン２２（２２’ ）中の半円筒形
凹部１６，１６’ 、１７及び１７′ は同じ寸法を
有し且つ軸線と平行にある平らな内方縁部を有する。し
かしながら、次のフィン２３（２３’ ）は僅かに犬き
ｌ／）中心凹部１８（１８’ ）を有し、次のフィン２
４（２４’ ）は更に僅かに大きい中心凹部１９（１９
’ ）を有し、端板２５（２５’ ）中の中心四部２０
（２０’ ）は−層大きい。これらの最後に述べた中心
凹部は２１（２１’ ）及び２２（２２′）の中心孔の
ような円筒形の中心孔に形成されておらず、僅かに円錐
形の形状を有する中心孔を形成する。円錐形状の基部は
陰極から最も遠方にある位置に配置される。フィン２３
（２３’ ）、２４（２４’ ）及び端板２５（２５’
）の開口の内方縁部は、それらが約７°のテーパを有
する円錐形状の表面と平行にあるように傾斜されている
。、 端板２１（２１’ ）及びフィン２２（２２’ ）によ
って形成された中心孔の内径は僅かなビーム削成りが起
こるように寸法付けられる。要素１０及び１１は絶縁体
６及び７によってそれぞれ絶縁される。要素１０及び１
１はビーム削成りのためにビーム中の電子によって荷電
される。トラップ要素１０を約−１５００ボルトに保つ
ために、適当なプリード抵抗体及び火花ギャップが要素
１０と接地との間で電気リード８によって連結される。
ビームがオフに転じられると、要素１０はプリード抵抗
体を通して僅かに放電し且つ成る時間の開成る程度まで
作用状態にとどまる。それ故、要素１０上の負電荷によ
って、陰極１の方ヘトリフトしている陽イオンは第１図
に示したように変更された軌道を有する。トラップの第
２の要素１１はリード９によって接地へ連結されること
ができ、又はもし要素１１を一２００ボルトのような一
定の電位に保つことが所望されるならば第２のプリード
抵抗体及び火花ギャップを介して連結されることができ
る。後者の場合、第２の要素１１に近接して来る陽イオ
ンは要素１１中のチタンバッフニルの１つと衝突する。
体を通して僅かに放電し且つ成る時間の開成る程度まで
作用状態にとどまる。それ故、要素１０上の負電荷によ
って、陰極１の方ヘトリフトしている陽イオンは第１図
に示したように変更された軌道を有する。トラップの第
２の要素１１はリード９によって接地へ連結されること
ができ、又はもし要素１１を一２００ボルトのような一
定の電位に保つことが所望されるならば第２のプリード
抵抗体及び火花ギャップを介して連結されることができ
る。後者の場合、第２の要素１１に近接して来る陽イオ
ンは要素１１中のチタンバッフニルの１つと衝突する。
リード８及び９は絶縁体２６及び２７によって支持体１
５からそれぞれ電気的に絶縁される。
５からそれぞれ電気的に絶縁される。
つまり、イオントラップは２つより多い要素に区分され
ることができる。例えば、イオントラップは異なる電位
に配置され得る４つの四分の一断面の要素からなること
ができる。これはトラップされ得るよりも大きい範囲の
低エネルギイオンを生ずる。
ることができる。例えば、イオントラップは異なる電位
に配置され得る４つの四分の一断面の要素からなること
ができる。これはトラップされ得るよりも大きい範囲の
低エネルギイオンを生ずる。
全体を通しての孔直径及びイオントラップは作動ポンプ
作用系の単一段を形成するように一緒に設計される。電
子ビームのための入口孔は特別の電子ビームの直径と注
意深く適合されねばならない。しかしながら、端板２１
及びフィン２２によって削成るビームの程度は集束コイ
ル３を用いて調節されることができる。系がビーム削成
りを必要とされない系である時、高電圧電力供給が必要
な電位を要素１０上に維持するためにリード８へ連結さ
れることができる。
作用系の単一段を形成するように一緒に設計される。電
子ビームのための入口孔は特別の電子ビームの直径と注
意深く適合されねばならない。しかしながら、端板２１
及びフィン２２によって削成るビームの程度は集束コイ
ル３を用いて調節されることができる。系がビーム削成
りを必要とされない系である時、高電圧電力供給が必要
な電位を要素１０上に維持するためにリード８へ連結さ
れることができる。
イオンポンプ４０及び４１が陰極の近くに配置され且つ
その領域における気体分子の数を低い値に維持する助け
をする。
その領域における気体分子の数を低い値に維持する助け
をする。
種々の修正が特許請求の範囲で規定されるような本発明
の精神及び範囲から逸脱せずに好適な実施例へなされる
ことができる。
の精神及び範囲から逸脱せずに好適な実施例へなされる
ことができる。
第１図は本発明による改良されたイオントラップを有す
る電子ビーム装置の好適な実施例の線図である。 １・・・陰極、２・・・陽極、３，４・・・コイル、５
・・・加速器、６．７・・・碍子、８，９・・・リード
、１０，１１・・・要素、１２・・・中心線、１５・・
・支持体、１６．１６’ 、１７．１７’ 、１８．１
８’ 、１９．１９’ 、２０．２０’・・・凹部、 ２１．２１’ 、２５．２５’ ・・・端板、２２．２
２’ 、２３，２３’ 、２４．２４’ ・・・フィン
、２６、２７・・・絶縁体。
る電子ビーム装置の好適な実施例の線図である。 １・・・陰極、２・・・陽極、３，４・・・コイル、５
・・・加速器、６．７・・・碍子、８，９・・・リード
、１０，１１・・・要素、１２・・・中心線、１５・・
・支持体、１６．１６’ 、１７．１７’ 、１８．１
８’ 、１９．１９’ 、２０．２０’・・・凹部、 ２１．２１’ 、２５．２５’ ・・・端板、２２．２
２’ 、２３，２３’ 、２４．２４’ ・・・フィン
、２６、２７・・・絶縁体。
Claims (14)
- （１）円筒体のセクターの形をしている少なくとも２つ
の導電性要素からなり、該要素は互いに離間されており
且つ円筒形の形を一緒に形成し、各要素は端板と円筒形
の形の中心まで端板に対して実質的に平行に内方へ延び
る多数のフィンとを有し、円形のセクターの形をした凹
部が前記中心に近接して端板及びフィンのそれぞれに配
置され、電子銃からの電子ビームが通過する中心孔を形
成し、該要素は絶縁要素によって外方包囲体へ取付けら
れ、導電性リードが各要素へ電気的に連結されてその要
素を所定の電位に維持し、且つ前記中心孔が電子ビーム
と本質的に同じ直径を有する、電子ビーム発生機用イオ
ントラップ。 - （２）電子銃に最も近い端板とそれら端板に隣接するフ
ィンとが円筒形の中心孔を形成する同一の寸法の凹部を
有し、他のフィン及び他の端板の凹部が僅かに寸法を増
加し、最小のものが電子銃に最も近く且つ最大寸法の凹
部が電子銃から最も遠方にある端板にあり、僅かなテー
パを有する円錐形の中心孔を形成し、円錐形の中心孔が
電子銃から最も遠方にある端体に配置された基部を有す
る請求項１に記載されたイオントラップ。 - （３）円錐形の中心孔のテーパが約７゜である請求項２
に記載されたイオントラップ。 - （４）電子銃に最も近い端板及び隣接のフィンの凹部に
よって形成された内方縁部が中心軸線と平行であり、且
つ他のフィン及び端板の凹部によって形成された内方縁
部が前記テーパと平行になるように傾斜されている請求
項３に記載されたイオントラップ。 - （５）円筒形の孔がその位置における電子ビームよりも
僅かに小さい直径を有し、それによりビームの外方縁部
が前記内方縁部に対して擦れて要素を負荷し、少なくと
も１つの要素への導電性リードがプリード抵抗体及び空
隙を介して接地へ連結されてその要素を所定の電位に維
持する請求項４に記載されたイオントラップ。 - （６）円筒形の孔がその位置における電子ビームよりも
僅かに大きい直径を有し、且つ少なくとも１つの要素へ
の導電性リードが高電圧源へ連結されて関連した要素を
所定の電圧に維持する請求項４に記載されたイオントラ
ップ。 - （７）端板及びフィンを含む要素がチタンで作られた請
求項５に記載されたイオントラップ。 - （８）端板及びフィンを含む要素がチタンで作られた請
求項６に記載されたイオントラップ。 - （９）前記要素が数で２個あり且つ要素が半円筒形であ
る請求項５に記載されたイオントラップ。 - （１０）前記要素が数で４個あり且つ要素が円筒体の四
分の一断面の形をしており、要素へのリードが異なる所
定の電位に維持された請求項５に記載されたイオントラ
ップ。 - （１１）少なくとも１つの要素への導電性リードが接地
へ連結された請求項５に記載されたイオントラップ。 - （１２）前記要素が数で２個あり且つ要素が半円筒形で
ある請求項６に記載されたイオントラップ。 - （１３）前記要素が数で４個あり且つ要素が円筒体の四
分の一断面の形をしており、要素へのリードが異なる所
定の電位に維持された請求項６に記載されたイオントラ
ップ。 - （１４）少なくとも１つの要素への導電性リードが接地
へ連結された請求項６に記載されたイオントラップ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CA601265 | 1989-05-29 | ||
| CA601265 | 1989-05-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384838A true JPH0384838A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=4140131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2139559A Pending JPH0384838A (ja) | 1989-05-29 | 1990-05-29 | 電子ビーム発生機用イオントラップ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5028837A (ja) |
| JP (1) | JPH0384838A (ja) |
| DE (1) | DE4017288A1 (ja) |
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| GB (1) | GB2233148A (ja) |
| SE (1) | SE9001778L (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019050141A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子装置、荷電粒子描画装置および荷電粒子ビーム制御方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5475227A (en) * | 1992-12-17 | 1995-12-12 | Intevac, Inc. | Hybrid photomultiplier tube with ion deflector |
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-
1990
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- 1990-05-29 GB GB9011969A patent/GB2233148A/en not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
| JP2019050141A (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子装置、荷電粒子描画装置および荷電粒子ビーム制御方法 |
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| SE9001778L (sv) | 1990-11-30 |
| FR2647593A1 (fr) | 1990-11-30 |
| US5028837A (en) | 1991-07-02 |
| GB9011969D0 (en) | 1990-07-18 |
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