JPS6269575A - ガスレ−ザ管の汚損防止装置 - Google Patents
ガスレ−ザ管の汚損防止装置Info
- Publication number
- JPS6269575A JPS6269575A JP60207796A JP20779685A JPS6269575A JP S6269575 A JPS6269575 A JP S6269575A JP 60207796 A JP60207796 A JP 60207796A JP 20779685 A JP20779685 A JP 20779685A JP S6269575 A JPS6269575 A JP S6269575A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- contamination
- diaphragms
- preventing device
- laser tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
- H01S3/0346—Protection of windows or mirrors against deleterious effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔詑栗上の利用分野〕
この発明は、放電励起型エキシマレーザ等のガスレーザ
管に係シ、特にレーザ管のレーザ窓、ミ輝 ラー等の光学素子の汚べ防止装置に関するものである。
管に係シ、特にレーザ管のレーザ窓、ミ輝 ラー等の光学素子の汚べ防止装置に関するものである。
昭和４０年代後半から精力的に開発が進められてきた放
電励起型エキシマレーザは、その高繰返し化、長寿命化
等が急速に実現されてきておシ、半導体プロセスへの応
用等、種々の分野で利用され、その有用性が実証されて
きている。
電励起型エキシマレーザは、その高繰返し化、長寿命化
等が急速に実現されてきておシ、半導体プロセスへの応
用等、種々の分野で利用され、その有用性が実証されて
きている。
放電励起型エキシマレーザは、通常２〜３気圧の希ガス
ハライド系のガス中でのパルス放電によシ発振され、放
電時に衝撃波を発生する。このため、放電時に発生した
電極材料等からのイオン、例えハＡｔ”、 （３４＋等
のイオンが光軸方向の成分を持ち、レーザミラーやレー
ザ窓に飛来し、レーザガス成分のａｔ２等と結合し、Ａ
ｔａｔ、、ｃ Ｃｔ。
ハライド系のガス中でのパルス放電によシ発振され、放
電時に衝撃波を発生する。このため、放電時に発生した
電極材料等からのイオン、例えハＡｔ”、 （３４＋等
のイオンが光軸方向の成分を持ち、レーザミラーやレー
ザ窓に飛来し、レーザガス成分のａｔ２等と結合し、Ａ
ｔａｔ、、ｃ Ｃｔ。
等として、ミラーや窓に白い薄膜として付着する。
この薄膜はレーザ発振を妨げ、出力低下をもたらすので
、使用状況によシかなシの頻度でミラーや窓を洗浄する
必要が生ずることになる。
、使用状況によシかなシの頻度でミラーや窓を洗浄する
必要が生ずることになる。
そこで、従来は第２図に示されるような汚染防止方法が
採用されている。レーザ管２１内に発生した不純物ガス
イオンを含むガスを別容器２３に導入し、靜を除塵器２
４によって不純物を静電捕獲する。このようにして清浄
となったガスをミラーあるいは窓２２の近傍に、光釉と
直角方向から吹き付けることにより、ミラーあるいは窓
２２に薄膜が付着することを防止している。しかし、こ
の方法では、装置が犬がかシとなシ、かつ高価となって
好ましくない。
採用されている。レーザ管２１内に発生した不純物ガス
イオンを含むガスを別容器２３に導入し、靜を除塵器２
４によって不純物を静電捕獲する。このようにして清浄
となったガスをミラーあるいは窓２２の近傍に、光釉と
直角方向から吹き付けることにより、ミラーあるいは窓
２２に薄膜が付着することを防止している。しかし、こ
の方法では、装置が犬がかシとなシ、かつ高価となって
好ましくない。
また、エキシマレーザとは別のタイプのレーザ管の汚染
防止として、窓の外面側に付加電極を取シ付け、この付
加電極とレーザ管のアノードまたはカソード電極との間
に交流電圧を印加して、放電を行わせることにより、付
着された汚染物を除去する方法もある（特開昭５４−７
４３８９号公報）。しかし、これは付着した汚染物を除
去するものであって、窓等に汚染物が付層すること自体
を防止するものではないので、汚染防止は不充分なもの
である。また装置の扱いも複雑になる。
防止として、窓の外面側に付加電極を取シ付け、この付
加電極とレーザ管のアノードまたはカソード電極との間
に交流電圧を印加して、放電を行わせることにより、付
着された汚染物を除去する方法もある（特開昭５４−７
４３８９号公報）。しかし、これは付着した汚染物を除
去するものであって、窓等に汚染物が付層すること自体
を防止するものではないので、汚染防止は不充分なもの
である。また装置の扱いも複雑になる。
このように、従来のガスレーザ管においては、レーザ窓
等に汚染物質が付着することを防止する手段として、安
価にしてかつ取シ扱い易い装置で効果的に汚染防止を行
うことができるものがなかった。特に、放電励起型エキ
シマレーザの場合には、大きな問題となっている。
等に汚染物質が付着することを防止する手段として、安
価にしてかつ取シ扱い易い装置で効果的に汚染防止を行
うことができるものがなかった。特に、放電励起型エキ
シマレーザの場合には、大きな問題となっている。
この発明は、こうした問題点に鑑みて、安価かつ単純な
装置で、効果的にレーザ窓等の汚染を防止して、放電励
起型エキシマレーザ等のガスレーザ管の効率向上と長寿
命化を図ることを目的とするものである。
装置で、効果的にレーザ窓等の汚染を防止して、放電励
起型エキシマレーザ等のガスレーザ管の効率向上と長寿
命化を図ることを目的とするものである。
この目的を達成するために、この発明では、ガスレーザ
管のレーザ窓等の光学素子の近傍に、一連のダイヤスラ
ムとダイヤフラム間の複数か所に配置された永久磁石対
とをレーザ窓等の近傍に配置させて、汚損防止装置を構
成した。
管のレーザ窓等の光学素子の近傍に、一連のダイヤスラ
ムとダイヤフラム間の複数か所に配置された永久磁石対
とをレーザ窓等の近傍に配置させて、汚損防止装置を構
成した。
この発明においては、放電領域がらＡｔ３＋笠の不純物
イオンがレーザ窓等の方向Ｖｃ池んで行ったとしても、
レーザ窓等の近傍（即ち、レーザ窓等と放電領域の間）
に配置された永久磁石対にょ）不純物イオンはローレン
ツ力を受け、その軌道を曲げられる。従って、不純物は
レーザ窓等には到達せずに、ダイヤフラム等に付着する
ことにな）、汚染が防止される。
イオンがレーザ窓等の方向Ｖｃ池んで行ったとしても、
レーザ窓等の近傍（即ち、レーザ窓等と放電領域の間）
に配置された永久磁石対にょ）不純物イオンはローレン
ツ力を受け、その軌道を曲げられる。従って、不純物は
レーザ窓等には到達せずに、ダイヤフラム等に付着する
ことにな）、汚染が防止される。
プ１
１は、一連のダイヤフラム４と、ダイヤスラム４間に配
置された永久磁石対２からなシ、円筒状に構成されてい
る。ダイヤフラム４は、Ｎｉあるいはテフロン等の円板
状の環で形成されている。永久磁石対２は、市販のフェ
ライト・マグネットでよく、その表面はハロゲンとの反
応を防止するためテフロンでコーティングされている。
置された永久磁石対２からなシ、円筒状に構成されてい
る。ダイヤフラム４は、Ｎｉあるいはテフロン等の円板
状の環で形成されている。永久磁石対２は、市販のフェ
ライト・マグネットでよく、その表面はハロゲンとの反
応を防止するためテフロンでコーティングされている。
また、永久磁石対２は、ＡＡ’−ＢＢ’間の間隙におけ
る磁界強度を大きくするために、Ｎｉ板６により連結す
る。このようにして、６０〜４０謔の間隙に、０．５〜
１にエールステッドの磁界を発生することが容易に可能
となる。
る磁界強度を大きくするために、Ｎｉ板６により連結す
る。このようにして、６０〜４０謔の間隙に、０．５〜
１にエールステッドの磁界を発生することが容易に可能
となる。
このように構成された円筒状の汚染防止装置をレーザ窓
５の近傍に、円筒の中心線とレーザ光軸とを一致させて
、配置する。
５の近傍に、円筒の中心線とレーザ光軸とを一致させて
、配置する。
ここで、右側の放電領域から不純物イオンが、音速程度
（Ｖ ＝ ３００ ｍ ／ ｓｅｃ ）で、光軸方向と
平行に飛び出したと仮定すると、永久磁石対２の近傍で
ローレンツ力により軌道を曲げられる。今、磁界Ｂを数
百〜１キロＧａｕｓｓ１不純物イオンとしてはＡＬ３＋
、 ０４＋を考えると、ラーモア半径αは、α＝ｍＶ
／ｑＢ≦１０咽 となる。ここにｑはイオンの電気量、ｍはイオンの質量
である。
（Ｖ ＝ ３００ ｍ ／ ｓｅｃ ）で、光軸方向と
平行に飛び出したと仮定すると、永久磁石対２の近傍で
ローレンツ力により軌道を曲げられる。今、磁界Ｂを数
百〜１キロＧａｕｓｓ１不純物イオンとしてはＡＬ３＋
、 ０４＋を考えると、ラーモア半径αは、α＝ｍＶ
／ｑＢ≦１０咽 となる。ここにｑはイオンの電気量、ｍはイオンの質量
である。
光軸に対して傾く方向に飛ぶ不純物イオンの多くのもの
は、永久磁石対２に到る前に、ダイヤフラム４によシト
ラップされるであろうことは明らかである。
は、永久磁石対２に到る前に、ダイヤフラム４によシト
ラップされるであろうことは明らかである。
このようにして、不純物はレーザ窓５に到達せずに、ダ
イヤフラム４等に付着することになシ、汚染が防止され
る。
イヤフラム４等に付着することになシ、汚染が防止され
る。
以上の説明から明らかなように、この発明によう、極め
て簡単な構成のもので、レーザ窓等の汚染防止が確実に
行われる。しかも大がかシな装置も必要でなく、電子回
路も必要としないので、安価で、取シ扱いも簡単である
。
て簡単な構成のもので、レーザ窓等の汚染防止が確実に
行われる。しかも大がかシな装置も必要でなく、電子回
路も必要としないので、安価で、取シ扱いも簡単である
。
示す図である。
図において、１は汚損防止装置、２は永久磁石対、３は
Ｎｉ板、４はダイヤフラム、５はレーザ窓である。
Ｎｉ板、４はダイヤフラム、５はレーザ窓である。
Claims (1)
- ガスレーザ管における光軸上の光学素子の汚損防止装置
において、光軸方向に進行する荷電粒子を偏向させる磁
界発生器と、光軸方向に対して垂直方向の速度成分を有
する粒子を遮蔽するスクリーンとを具備したことを特徴
とするガスレーザ管の汚損防止装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207796A JPS6269575A (ja) | 1985-09-21 | 1985-09-21 | ガスレ−ザ管の汚損防止装置 |
| US06/883,805 US4720832A (en) | 1985-09-21 | 1986-07-09 | Gas laser including means for magnetic deflection of ions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207796A JPS6269575A (ja) | 1985-09-21 | 1985-09-21 | ガスレ−ザ管の汚損防止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269575A true JPS6269575A (ja) | 1987-03-30 |
Family
ID=16545634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60207796A Pending JPS6269575A (ja) | 1985-09-21 | 1985-09-21 | ガスレ−ザ管の汚損防止装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4720832A (ja) |
| JP (1) | JPS6269575A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5028837A (en) * | 1989-05-29 | 1991-07-02 | Atomic Energy Of Canada Limited | Low energy ion trap |
| DE3918050A1 (de) * | 1989-06-02 | 1990-12-13 | Honeywell Regelsysteme Gmbh | Ringlaserkreisel |
| US4972420A (en) * | 1990-01-04 | 1990-11-20 | Harris Blake Corporation | Free electron laser |
| US5359620A (en) * | 1992-11-12 | 1994-10-25 | Cymer Laser Technologies | Apparatus for, and method of, maintaining a clean window in a laser |
| US7425517B2 (en) * | 2003-07-25 | 2008-09-16 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Nonwoven fabric with abrasion resistance and reduced surface fuzziness |
| DE102004023382B4 (de) * | 2004-05-13 | 2006-08-03 | Tuilaser Ag | Staubabscheider für Laser und Laser mit Staubabscheider |
| DE102007019982B4 (de) * | 2007-04-23 | 2011-02-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung zur Ausbildung von Beschichtungen auf Substraten im Vakuum |
| US10582603B2 (en) * | 2018-05-22 | 2020-03-03 | The Boeing Company | Optical resonators that utilize plasma confinement of a laser gain media |
| CN109687264B (zh) * | 2019-01-16 | 2024-04-19 | 核工业理化工程研究院 | 有效去带电粒子污染的腔镜保护装置、激光器及控制方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4827666U (ja) * | 1971-08-02 | 1973-04-03 | ||
| JPS56619U (ja) * | 1979-06-18 | 1981-01-07 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3678409A (en) * | 1965-12-17 | 1972-07-18 | Litton Systems Inc | Deflectable light maser |
| US3500242A (en) * | 1967-05-22 | 1970-03-10 | Sanders Associates Inc | Static co2 gas laser |
| US4672615A (en) * | 1982-07-20 | 1987-06-09 | Unisearch Limited | Ion and electron beam steering and focussing system |
-
1985
- 1985-09-21 JP JP60207796A patent/JPS6269575A/ja active Pending
-
1986
- 1986-07-09 US US06/883,805 patent/US4720832A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4827666U (ja) * | 1971-08-02 | 1973-04-03 | ||
| JPS56619U (ja) * | 1979-06-18 | 1981-01-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4720832A (en) | 1988-01-19 |
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