JPH01287270A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH01287270A JPH01287270A JP11728488A JP11728488A JPH01287270A JP H01287270 A JPH01287270 A JP H01287270A JP 11728488 A JP11728488 A JP 11728488A JP 11728488 A JP11728488 A JP 11728488A JP H01287270 A JPH01287270 A JP H01287270A
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- Japan
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- electrode
- sputtering
- substrate
- electrodes
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Links
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 12
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- 239000012141 concentrate Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、低温で高速製膜が可能なスパッタリング装置
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
従来、スパッタリング装置としてはマグネトロンスパッ
タリング装置が主に用いられており、第３図に従来のマ
グネトロンスパッタリング装置の概略図を示す。このス
パッタリング装置は次のように構成されている。スパッ
タリングターゲット１をボンディングしたバッキングプ
レート２の背後に所定の極性配置された永久磁石３を配
置している。この従来のスパッタリング装置では次のよ
うに製膜が行われる。作動カス供給系４よりアルゴン等
の不活性ガスを主成分とするスパッタガスが導入され、
この状態でスパッタリングターゲット１と基板５もしく
は基板ホルダー６の間に電圧を印加すると、これらの間
にマグネトロン放電によるプラズマが発生する。そして
、このプラズマから電離したイオンがスパッタリングタ
ーゲット１に衝突した結果、スパッタ粒子がスパッタリ
ングターゲット１から飛び出し製膜を行う。
タリング装置が主に用いられており、第３図に従来のマ
グネトロンスパッタリング装置の概略図を示す。このス
パッタリング装置は次のように構成されている。スパッ
タリングターゲット１をボンディングしたバッキングプ
レート２の背後に所定の極性配置された永久磁石３を配
置している。この従来のスパッタリング装置では次のよ
うに製膜が行われる。作動カス供給系４よりアルゴン等
の不活性ガスを主成分とするスパッタガスが導入され、
この状態でスパッタリングターゲット１と基板５もしく
は基板ホルダー６の間に電圧を印加すると、これらの間
にマグネトロン放電によるプラズマが発生する。そして
、このプラズマから電離したイオンがスパッタリングタ
ーゲット１に衝突した結果、スパッタ粒子がスパッタリ
ングターゲット１から飛び出し製膜を行う。
発明が解決しようとする課題
しかし、このような構成のスパッタリング装置では、製
膜速度が遅いという欠点を有していた。
膜速度が遅いという欠点を有していた。
本発明は上記のような問題点を解決するため製膜速度の
向」−を可能とするスパッタリング装置を提供するもの
である。
向」−を可能とするスパッタリング装置を提供するもの
である。
課題を解決するための手段
本発明のスパッタリング装置は、上記課題を解決するた
め、中央部に電極を持ち、この中央部の電極の周りに中
央部の電極の長さ以」二の電極長を持つ電極を配置し、
この両電極の間にスパッタガスを導入する作動ガス供給
系を備え、また両電極の前方にスパッタリングターゲッ
トと所定の極性配置をした永久磁石を具備した構造を持
つものである。
め、中央部に電極を持ち、この中央部の電極の周りに中
央部の電極の長さ以」二の電極長を持つ電極を配置し、
この両電極の間にスパッタガスを導入する作動ガス供給
系を備え、また両電極の前方にスパッタリングターゲッ
トと所定の極性配置をした永久磁石を具備した構造を持
つものである。
作用
本発明は上記した構成により、電極間で放電を行うこに
よりスパッタガスをプラズマ化し、電極間を流れる放電
電流と、放電電流に起因する自己誘起磁場とのローレン
ツ力により発生したプラズマを径方向内側に圧縮しなが
ら、軸方向に加速する。このためターゲット近傍には高
密度のプラズマが集中する。それと同時に、ターゲット
と基板、もしくは基板ホルダーの間に電圧を印加するこ
とによりマグネトロン放電が起こるため、ターゲット近
傍では従来のスパッタリング装置に較ベプラズマの電離
度が高くなる。このためスパッタ粒子が増加し、従来の
スパッタリング装置より大きな製膜速度が得られるよう
になる。
よりスパッタガスをプラズマ化し、電極間を流れる放電
電流と、放電電流に起因する自己誘起磁場とのローレン
ツ力により発生したプラズマを径方向内側に圧縮しなが
ら、軸方向に加速する。このためターゲット近傍には高
密度のプラズマが集中する。それと同時に、ターゲット
と基板、もしくは基板ホルダーの間に電圧を印加するこ
とによりマグネトロン放電が起こるため、ターゲット近
傍では従来のスパッタリング装置に較ベプラズマの電離
度が高くなる。このためスパッタ粒子が増加し、従来の
スパッタリング装置より大きな製膜速度が得られるよう
になる。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図は本発明のスパッタリング装置の概略図である。
中央部の電極１３とその周りに中央部の電極１３の長さ
以」二の電極長を持つ電極１４を持ち、この電極間に作
動カス供給系１０よりスパッタガスが供給される。この
両電極の前方には中央部電極１３の軸に対し斜めにスパ
ッタリングターゲット７をボンディングしたバッキング
プレート８と所定の極性配置された永久磁石９が配置さ
れている。また基板１１はスパッタリングターゲラ１−
７に対して斜め上方に配置されている。電極１３．１４
間で放電を行うとスパッタガスはプラズマ化する。電極
１３．１４間を流れる放電電流と、放電電流に起因する
自己誘起磁場とのローレンツ力によりプラズマは径方向
内側に圧縮されながら軸方向に加速される。このためス
パッタリングターゲット７表面近傍に高密度のプラズマ
が存在することになる。それと同時にスパッタリングタ
ーゲット７と基板１１もしくは基板ボルダ−１２の間に
電圧を印加すると、これらの間にマグネトロン放電が生
しる。このためスパッタリングターゲット７表面近傍の
プラズマのイオン化率が高くなる。このためスパッタリ
ングターゲット７に衝突するイオンが増加するのでスパ
ッタリングターゲット７から飛び出すスパッタ粒子が増
加し、大きな製膜速度が得られる。
以」二の電極長を持つ電極１４を持ち、この電極間に作
動カス供給系１０よりスパッタガスが供給される。この
両電極の前方には中央部電極１３の軸に対し斜めにスパ
ッタリングターゲット７をボンディングしたバッキング
プレート８と所定の極性配置された永久磁石９が配置さ
れている。また基板１１はスパッタリングターゲラ１−
７に対して斜め上方に配置されている。電極１３．１４
間で放電を行うとスパッタガスはプラズマ化する。電極
１３．１４間を流れる放電電流と、放電電流に起因する
自己誘起磁場とのローレンツ力によりプラズマは径方向
内側に圧縮されながら軸方向に加速される。このためス
パッタリングターゲット７表面近傍に高密度のプラズマ
が存在することになる。それと同時にスパッタリングタ
ーゲット７と基板１１もしくは基板ボルダ−１２の間に
電圧を印加すると、これらの間にマグネトロン放電が生
しる。このためスパッタリングターゲット７表面近傍の
プラズマのイオン化率が高くなる。このためスパッタリ
ングターゲット７に衝突するイオンが増加するのでスパ
ッタリングターゲット７から飛び出すスパッタ粒子が増
加し、大きな製膜速度が得られる。
またスパッタリングターゲット７の形状、バッキングプ
レー１−８の形状、永久磁石９の形状、及びスパッタリ
ングターゲット７、バッキングプレート８、永久磁石９
、基板１１の配置は図１のように電極１３．１４の前方
に中央部電極１３の軸に対して斜めに平板のターゲット
７を配置する場合だけにかぎらず図２のように電極１３
．１４の前方に円筒状のスパッタリングターゲット７と
これをボンディングした円筒状のバッキングプレート８
と所定の極性配置された円筒状の永久磁石９配置し、そ
の前方に基板１１を配置した場合も考えられる。
レー１−８の形状、永久磁石９の形状、及びスパッタリ
ングターゲット７、バッキングプレート８、永久磁石９
、基板１１の配置は図１のように電極１３．１４の前方
に中央部電極１３の軸に対して斜めに平板のターゲット
７を配置する場合だけにかぎらず図２のように電極１３
．１４の前方に円筒状のスパッタリングターゲット７と
これをボンディングした円筒状のバッキングプレート８
と所定の極性配置された円筒状の永久磁石９配置し、そ
の前方に基板１１を配置した場合も考えられる。
発明の効果
本発明のスパッタリング装置は、中央部に電極を持ち、
この中央部の電極の長さ以」二の電極長を持つもう一方
の電極を中央部電極の周りに配置し、両電極の前方にス
パッタリングターゲットをボンディングしたバッキング
プレートと所定の極性配置された永久磁石を配置した構
造を持つことにより製膜速度の向上を可能とするもので
あり、実用上、多大な効果を発揮するものである。
この中央部の電極の長さ以」二の電極長を持つもう一方
の電極を中央部電極の周りに配置し、両電極の前方にス
パッタリングターゲットをボンディングしたバッキング
プレートと所定の極性配置された永久磁石を配置した構
造を持つことにより製膜速度の向上を可能とするもので
あり、実用上、多大な効果を発揮するものである。
第１図は本発明の一実施例のスパッタリング装置の概略
図、第２図は本発明の他の実施例のスパッタリンググ装
置の概略図、第３図は従来例のスパッタリング装置の概
略図である。 １・・・スパン９ ’Ｊングターゲノト、２・ バッキ
ングプレー１・、３・・・永久磁石、４・・・作動ガス
供給系、５・・・基板、６・・・基板ホルダー、７・・
・スパッタリングターゲット、８ ・・バッキングプレ
ート、９・・・永久磁石、１０・・作動カス供給系、１
１・・・基板、１２・・・基板ホルダー、１３・・・中
央部電極、１４・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１８丸
擢 鷹 １ ［ 臥 １ 区 ９ ＼ Ｊ ヰ〈
図、第２図は本発明の他の実施例のスパッタリンググ装
置の概略図、第３図は従来例のスパッタリング装置の概
略図である。 １・・・スパン９ ’Ｊングターゲノト、２・ バッキ
ングプレー１・、３・・・永久磁石、４・・・作動ガス
供給系、５・・・基板、６・・・基板ホルダー、７・・
・スパッタリングターゲット、８ ・・バッキングプレ
ート、９・・・永久磁石、１０・・作動カス供給系、１
１・・・基板、１２・・・基板ホルダー、１３・・・中
央部電極、１４・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１８丸
擢 鷹 １ ［ 臥 １ 区 ９ ＼ Ｊ ヰ〈
Claims (1)
- 中央部に配した第１電極と、前記第１電極の長さ以上
の電極長を持ち前記第１電極の周りに配置した第２電極
と、前記第１電極と第２電極の間にスパッタガスを導入
する作動ガス導入系を具備し、前記両電極の前方にター
ゲットと永久磁石を配置したスパッタリング装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11728488A JPH01287270A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11728488A JPH01287270A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287270A true JPH01287270A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14707937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11728488A Pending JPH01287270A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01287270A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8883217B2 (en) | 2006-03-16 | 2014-11-11 | Tris Pharma, Inc. | Modified release formulations containing drug-ion exchange resin complexes |
| US11590228B1 (en) | 2015-09-08 | 2023-02-28 | Tris Pharma, Inc | Extended release amphetamine compositions |
| US11590081B1 (en) | 2017-09-24 | 2023-02-28 | Tris Pharma, Inc | Extended release amphetamine tablets |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6141764A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-28 | Natl Res Inst For Metals | 真空ア−ク反応性蒸着法及びその蒸着装置 |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP11728488A patent/JPH01287270A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6141764A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-28 | Natl Res Inst For Metals | 真空ア−ク反応性蒸着法及びその蒸着装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8883217B2 (en) | 2006-03-16 | 2014-11-11 | Tris Pharma, Inc. | Modified release formulations containing drug-ion exchange resin complexes |
| US9198864B2 (en) | 2006-03-16 | 2015-12-01 | Tris Pharma, Inc | Modified release formulations containing drug-ion exchange resin complexes |
| US9522191B2 (en) | 2006-03-16 | 2016-12-20 | Tris Pharma, Inc. | Modified release formulations containing drug—ion exchange resin complexes |
| US9549989B2 (en) | 2006-03-16 | 2017-01-24 | Tris Pharma, Inc | Modified release formulations containing drug-ion exchange resin complexes |
| US9675703B2 (en) | 2006-03-16 | 2017-06-13 | Tris Pharma, Inc | Modified release formulations containing drug - ion exchange resin complexes |
| US9675704B2 (en) | 2006-03-16 | 2017-06-13 | Tris Pharma, Inc. | Modified release formulations containing drug-ion exchange resin complexes |
| US10086087B2 (en) | 2006-03-16 | 2018-10-02 | Tris Pharma, Inc. | Modified release formulations containing drug-ion exchange resin complexes |
| US10172958B2 (en) | 2006-03-16 | 2019-01-08 | Tris Pharma, Inc. | Modified release formulations containing drug-ion exchange resin complexes |
| US10668163B2 (en) | 2006-03-16 | 2020-06-02 | Tris Pharma, Inc. | Modified release formulations containing drug-ion exchange resin complexes |
| US10933143B2 (en) | 2006-03-16 | 2021-03-02 | Tris Pharma, Inc | Modified release formulations containing drug-ion exchange resin complexes |
| US11590228B1 (en) | 2015-09-08 | 2023-02-28 | Tris Pharma, Inc | Extended release amphetamine compositions |
| US11590081B1 (en) | 2017-09-24 | 2023-02-28 | Tris Pharma, Inc | Extended release amphetamine tablets |
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