TWI648761B - 用於製造帶狀離子束的改良的離子源組件 - Google Patents

Abstract

本發明是離子源組件獨特的且實質的改良，它能夠產生一帶狀的離子束，其具有一被任意選取的幅寬尺度(breadth dimension)，該被任意選取的幅寬尺度比該離子束的厚度尺度至少大10倍[且通常是大30倍]，該離子束的幅寬尺度及厚度尺度和該離子束的移動的Z軸方向正交(即，成直角)。在它的所有實施例中，該改良的離子源將包含不少於兩個的分開的構件部分：(i)一封閉的、實心壁的、稜柱型電弧放電室，其具有有限的寬度及深度尺度，且其同時具有一被任意地選取的且被預先決定的長度尺度，其大小可以小到80mm或者是超過3000mm；及(ii)一主要電子捕集組件，其包含至少一鄰接地設置之產生磁場的軛次組件，其能夠提供一可識別的四極磁場於一存在於該等電弧放電室壁的可測量的尺度內之被侷限的空穴體積內部。

Description

用於製造帶狀離子束的改良的離子源組件 〔相關申請案〕

本發明最早於2013年12月20日向美國專利局提申為美國暫時申請案第61/964,001號，並在本文中主張此先申請案的法律上利益。

本發明大致上係關於幅寬極大、高電流的帶狀離子束。此等寬大的幅寬離子束可使用在用於積體電路製造、用於LCD及OLED顯示器的平板顯示器製造、以及用於光伏製造的離子佈植系統中，用來用預先選定的離子種類摻雜半導體；且它們可被使用在各種其它材料表面處理應用中，譬如濺鍍、離子束相關的沉積(IBAD)、表面硬化、及表面電荷控制。

因此，本發明係特別關於一種改良的氣體離子源組件，其能夠產生帶狀高電流離子束，該離子束具有預先選定的幅寬尺度，該幅寬尺度比該離子束的厚度尺度至少大30倍，通常大了多達200倍或更多，該離子束的該固定的幅寬尺度及厚度尺度係以和該離子束的Z軸路徑 及移動方向正交的方式來測量的。

本發明提供能夠符合特定的工業需求的離子束源。為了上文中提到的應用，產生許多不同的帶電種類的離子束是必要的，它的範圍及多樣性通常包括磷、硼、碳、氮、氧、氬、矽、鍺、及砷離子。

這些傳統的應用須要高的電流、數十eV至一百keV的能量範圍、穩定性、精確的離子控制、及長的使用壽命。用於離子佈植的高電流須要許多毫安培的所想要的離子種類的離子，通常是大於30mA；且因為本發明係關於製造高達1A或更大之用於生產率的因素的更大型離子束，所以此領域中的從業人員變成只對可擴充的(scalable)離子源架構感興趣，其可在該離子源的出口孔產生超過約10毫安培每平方公分的電流密度，且其較佳地大於30mA/cm²。

而且，單電荷的原子離子在幾乎所有傳統的應用例子中都是所想要的，但有些原子離子是可使用的。關於細節及資訊，尤其可參見兩本標準的教科書：The Physics and Technology of Ion Sources,2nd ed.,Edited by Ian G.Brown,Wiley,2004；及Large Ion Beams,A.Theodore Forrester,Wiley,1988。而且，關於操作範圍的細節可參見美國專利第7,498,572號；第8,723,135號；第6,160,262號；及第8,455,837號。

電漿及可離子化的氣體源

按照一般被接受的定義，‘電漿’被認定為是實體物質的第四種存在樣態：如果吾人漸增地加熱任何以氣體[或固體，或液體]出現的任物質的話，則該物質最終將累積並包含進入電漿狀態之足夠的能量，在電漿狀態中，一些電子從原子中被釋放，且原子、正離子、電子及有時候有負離子的準中性(quasi-neutral)混合物將同時存在。電漿是離子最容易在真空中被擷取的物質狀態。

電漿電子的溫度通常是超過10000°K；且最常以電子伏特(eV)為單位來測量，其中1eV相當於11627K。

雖然在少數特殊用途的例子中，整個電漿可以在均一溫度下熱平衡，但在壓倒性多數的真實世界離子源電漿中，電子在一個溫度建立一熱平衡(典型為1或2eV)。但，離子並沒有和電子平衡，因為離子的質量是電子的質量的數千倍，且它們可保持在一更接近形成它們的氣體的溫度。用於這些碰撞的運動學基本定律透露出來的是，在離子能量開始接近該等電子的平均能量之前，電子和原子/離子之間必須有數百萬次的碰撞。

因此，在最一般化的形式中，一離子源的作用是從一預先選定的材料或物質產生不同帶電離子種類的電漿；然後將這些離子種類擷取出來並加速至高速度成為一被塑形的“離子束”，在此離子束中，該等多種離子係具備km/s等級速度之單能(mono-energetic)離子。

因此，典型的氣體物質離子源將包含至少兩種操作部分：(i)電漿產生系統；及(ii)離子束擷取系統。這些組成系統的每一者係使用有實體的結構及個體以達成其噢定的目的及功能。

該電漿產生器是該來源的操作性子單元，其由一氣體物質產生電漿；且一足夠數量之所想要的或適當的離子種類接著被該來源擷取系統從該子單元擷取出來。有多種方式可從該氣體物質產生一電漿；但現今的焦點則是集中在電子衝擊離子化上，其中離子係藉由電子撞擊來產生，且點子能量係儘可能可實施地低，通常是40至120V。

此種產生電漿的方式典型地須要有一電子源，其具備有比平均電漿電子高很多的能量。因此，該電漿源將典型地包含下列所述：一中性氣體或在環境溫度的蒸汽(其在一些例子中可以是在數百K的溫度下)；一具備有40至120eV能量的電子源，其為一將氣體離子化高很多的電壓(參見圖2)；藉由電子或離子撞擊而從氣體原子釋出的電子，其在數eV的溫度快速地來到熱平衡；及藉由電子狀擊而產生的離子，且其將具有接近環境的溫度，但在離開該電漿時將具有一平均能量值，該平均能量值是該電子溫度的一相當大的部分。離子的目度很高且它們的溫度儘可能地低亦是所想要的。

而與之相對比地，該離子源的擷取系統是操作性的子系統，其將來自該電漿的離子加速，並產生所想 要形狀及正確的發散角度之流動的離子束，用以輸送至其目的地。中性粒子及電子分別被該擷取系統忽視及驅除。用於高電流正離子束的擷取系統運用一最小的三個電極，如先前技術圖1所示。

因此，它在此處被認為是有用的，用以提供一精確的歸納性描述，不只是關於被形塑為帶狀的離子束如何被產生及隨著時間的經過會以哪些主要的優點發生在磁場本身內；而且亦正確地指出是什麼構成現今在此技術領域中工作的人的主流觀點及佔優勢的地位。

受迫電子束引起的電弧放電(FEBIAD)離子源

許多傳統的離子源使用電漿來從一電弧放電室產生及後續地擷取一帶狀離子束。此等離子源典型地包括一電漿侷限室，其具有一用來將一將被離子化成為電漿的氣體引入的入口孔；及一出口開口或射出孔，該帶狀離子束經由它從該電漿被擷取出來。

因此，它在此處是有用的，用來簡短地描述一受迫電子束引起的電弧放電(FEBIAD)離子源的傳統操作理論。為此目的，一典型的FEBIAD離子源的示意圖被例示於先前技術圖1中，其中圖1的該特定的例子是一Bernas式離子源，在該離子源中，磁場及對陰極(anticathode)被限定為該種類型。

FEBIAD離子源的結構

亦將被喚起的是，離子源的功能是要產生帶電離子的流動流，以及擷取該等流動的離子並將它們加速至高速。此目的及目標的一部分是，該被射出的帶電離子流被導向以形成一帶狀離子束，在此離子束中的離子是具備km/s等級速度之單能離子。

如先前技術圖1中所示意地顯示的，該離子束源的結構典型地包括：一堅實的電弧室，該電弧放電將被侷限於其內；至少一陽極；至少一陰極電子發射器；一或多個擷取器柵格或電極；及有時候有中和器。每一個先前技術結構體被簡短地描述於下文中。

基本上，該電弧放電離子源係藉由一開始將一預先選定的氣體引入到該實心壁電弧放電室的內部空穴體積內。一陰極電極發射器(譬如，一細絲(filament))提供運動的電子，其將該氣體離子化成為電漿狀態。

一電壓(對於適當的應用而言，典型地為40至120伏)被施加於該陰極發射器和該空穴體積的一些其它的部件(其被稱為陽極)之間，因此，從該陰極被發射出的電子被加速，用以被充能至40至120eV的範圍，且此能量在電子撞擊氣體原子或分子時是足夠的，該等電子可將氣體原子離子化。

該等離子及電子一起構成該電漿。因為該等電子有較高的速度，所以它們將傾向於較快到達該等壁，這造成該電漿(它是高度導電的)發展出正電位。當此電位足以防止電子的進一步損失時，該電漿會變得穩定。該電 漿相對於該陽極而言通常是稍微正電性的；且標準教科書會更詳盡地描述此條件。

一或多個包含一孔或一狹縫或一陣列的孔或狹縫的擷取電極被設置在該室的正面；和該室內在該空穴體積外部的一匹配的孔洞組對準；並允許該定漿內帶正電的離子流動且被加速至高的速度。一電位差被施加於該等擷取器電極和該電弧室之間。

一中和器有時候被設置在該擷取器柵格的下游，藉此有足夠的電子被添加至該流動的離子流，用以平衡該帶狀離子束內帶正電的離子的電荷密度。一複雜的關係存在於該等電極電位和任何孔動或狹縫附近的電漿的邊緣之間；且如果對的條件被符合的話，則可形成一高度平行的離子束。

在FEBIAD離子源內氣體的離子化

一可在FEBIAD離子源內被離子化成離子狀態的氣體的一例示性例子是磷化氫。當磷化氫被曝露在一電弧放電室內的一電子流中時，該中性的磷化氫氣體分子將分解且產生帶正電的磷(P⁺)離子，以及帶正電的氫(H⁺)離子，即一同時包含磷離子及氫離子這兩者的電漿。所得到的電漿將因而不只包含用來佈植於一工件上之所想要的離子(帶正電的磷(P⁺)離子)，還包含數種不想要的離子種類(帶正電的氫(H⁺)離子、分子離子PHx⁺、及該離子化處理無可避免之可能有P₂ ⁺)。

該等磷離子和氫及其它離子共同存在於該電漿內；且所有正電性的離子種類一起在該被塑形的離子束內被射出，該被塑形的離子束係經由該離子源結構的該前開口或出口孔被該擷取柵格或電極擷取，此種多種帶正電離子種類的製造對於由任何適當的來源氣體所提供之所有其它種類的電漿都適用，每一種來源氣體將產生一想要的離子種類，譬如砷離子(As⁺)及硼離子(B⁺)及一不想要的離子種類(譬如，帶正電的氫離子或帶負電的鹵化物離子)。因此，被瞭解的是，任何電漿可產生多種帶正電的離子或者帶負電及帶正電粒子這兩者及一些一定比例的未被離子化的中性原子種類。負電性離子沒有被擷取，因為該氣體源相對於該擷取電極被施加正電性偏壓。

不同離子源種類的適合性

為了要獲得一具有最佳的電流(安培)值及特殊的離子束品質之被擷取的離子束，將構成該被擷取的離子束的離子種類的密度最佳化，以及提供其它所想要的離子束特性的一有意義的範圍是必要的。為了要在該等帶狀離子束內達到這些特性，下面的實務及技術傳統上已被使用。

1.電子撞擊離子化的技術：

中性原子或分子種類的電子撞擊離子化是最常見的用來增加電漿密度的技術。靠得夠接近地通過而能夠 和繞著一原子種類的軌道運行的電子交互作用之有活力的電子可將能量給予該電子。可讓一最初始的基態(ground-state)的電子完全脫離所需要的能量被稱為離子化能量(或以伏特來表示時則被稱為電位)。

先前技術圖2顯示用於該原子種類的離子化電位對帶電狀態的演化。該離子化電位只是一低限量值(threshold quantum)；離子化效率隨著事件電子能量高達該離子化電位約三倍而增加，然後在更高的能量值處回落。一低的主要電子能量將會讓被產生的高電荷狀態離子的數量最小化，反之亦然，因此藉由明智地調整電壓，可將用於一特定的離子種類的最適條件最佳化。

2.藉由不同的離子源來產生正離子

在此領域工作的從業人員必須考量不同種類的離子源，其在某些規模下可產生可使用在有興趣的應用中的離子束。將被喚起回憶的是，其條件為：在50eV至100keV的能量範圍內，大於1mA/cm²的特定離子種類。從業人員因而可進一步消除某些類別的離子源的考量，該類別的離子源為如下所述：

(i)重離子的負離子源-其為使用固體標靶的濺射源，且沒有該等應用所需的電流密度或尺度。

(ii)固體離子化源-其對於鹼金屬可作用得很好，但對於現今摻雜半導體所使用的離子種類則完全不行。

相反地，從業人員因而可以且將會只專注於 氣體離子源，且將可用的選擇進一步限縮。因此，值得進一步考量的名單只提供下文所列。

冷陰極離子源：這些離子源包括一些Penning離子源、須要高電弧電壓且只產生很低離子流。此外，高放電電壓意指離子能量的範圍很高；且這造成該離子束具有高的發射率(emittance)，使得它無法被輕易地輸送及再聚焦。

雙等離子體(duoplasmatrons)離子源及類似的離子源：這些離子源須要一小的緊緻的管道，一磁場將一電子流壓縮在該管道內。這些離子源可符合電流密度要求；但無法被用於帶狀離子束，且無法被很好地放大。

微波離子源(包括ECR離子源在內)：這些離子源可用高可靠度的某些氣體源產生高離子流；且它們很適合產生高電荷狀態離子的低離子流。但它們產生高電子溫度及相對吵的電漿，這造成相對高的離子束發射率的結果。這些離子源無法被放大至以公尺計的長度，因為這大幅地超出了微波的波長，而這排除了均勻的離子化。

不同種類的RF離子源：這些離子源遭遇類似的缺點。因此，它們最好是被使用於低離子流；且它們造成高的離子及電子能量，因此產生高的離子束發射率。電漿物理給出了為何如此的清楚的原因-即，這些離子源有利於較不緻密的，較高溫度的電漿的製造。

因此，藉由刪除處理，從業人員變成被侷限在使用氣體或蒸汽被電子撞擊所產生的離子化的離子源，其 中該等電子具有範圍在約40至120eV內的能量。為了符合電流密度要求，從業人員需要一數安培電子的高電流；且此需求另一層義意是須要一藉由熱電子(thermionic)發射來產生電子之熱陰極。因此，該陰極必須要浸沒在一電漿中，用以在該被指定的電壓下達到該高電流程度；且這造成了熱陰極電弧放電離子源的結果。

在現今此領域中的先前技術狀態包括了Bernas離子源的變化例，其包括那些被安裝之具備有間接加熱式陰極(IHC)的組件；及在有限的部門中，包括了多尖點(multicusp)限制離子源的變化例。陽極層電漿加速離子源亦是可使用的離子源，其具有一些對於大型帶狀離子束有用的特性，但無法達成製造單能離子束的需求。

Bernas離子源及其類型的變化例

Bernas離子源可產生所想要的種類的高電流帶狀離子束，在商業製造中，離開該離子源的離子束幅寬通常是~100mm或更小，但有時候則高達200mm。在此Bernas離子源中，該電弧室是一截面約35mm，長度為100至250mm的中空穴室，一出口狹縫位在其正面的長方向上(參見先前技術圖1)。在此電弧室內，該熱電子陰極未被設置在一端，而具有大約相同的電位的對陰極(anticathode)被設置在另一端。一約200高斯的均勻磁場從該Bernas離子源的一端傳播至另一端。該電弧電壓(典型地為60至120V)被施加於該陰極電子一發射器和該陽 極之間。

被該Bernas離子源中的該陰極發射出的電子被該磁場限制在一直徑約10mm的圓柱形體積內；且被位在端部的陰極電位回轉回來，因而被侷限住。氣體或蒸汽被流入到該電弧室內，在該電弧室內該等主要電子非常有效率地將它離子化；並形成緻密的且穩定的電漿，其已被測得具有約1eV的電子溫度。

將被瞭解的是，在該被侷限的圓柱形的中心處的數安培的快速電子對於整體的空間-電荷的貢獻很小，而緩慢熱化的電子的密度的貢獻則大許多。然而，只有該等快速的‘主要’電子具有足夠的能量來產生新的離子。電子能量是可調整的，用以在多種離子種類被形成的例子中，將來自於該饋給氣體的一給定的離子種類的製造最大化。為了完整性及對於在此Bernas離子源內的電漿條件更一般性的理解，從業人員應參考The Physics and Technolgy of Ion Sources,2nd ed.,Edited by Ian G.Brown,Wiley,2004；R.Bernas and A.O.Nier,Rev Sci Instr 19：895(1947)；and I.Chavet and R.Bernas,Nucl.Instr.and Meth.51：77(1967)。

關於該Bernas離子源的數個其它的資訊要點是值得注意的：該電漿延伸至該等壁的數德拜長度(Debye length)內，且該德拜長度可在典型的條件下被計算成比1mm小很多。在該電漿內的電位變化約為1/2kT/e，其中T是電子溫度且k是波茲曼(Boltzmann)常數；且此量值已 在1eV被測量(參見被提到的Brown參考文獻)。因此，在該電漿內的電位是非常均勻的，且該電漿亦可從測量被知道其密度是非常均勻的。

此外，該等離子比該等電子涼許多；且從它們的形成位置點被徑向朝外地朝向該等壁被微弱地加速。在該電漿內的加速電位約為0.5V(參見Ito參考文獻)，其介於該電漿和該壁之間的加速度係數伏特。該電漿延伸至該等壁的1mm之內。

來自該熱陰極的該等電子被快速地加速至比該電漿內的該陽極電位高數伏特；且被限制至該等磁場線的緊密螺旋軌道，所以它們在該電弧示上下振盪許多次。它們將在典型的條件下以超過1公尺的平均自由路徑經歷和氣體原子的非彈性碰撞。在這些碰撞中，如果該等電子將該氣體離子化的話，則它們的能量將至少損失該離子化電化，且可能多更多。因此，該等電子慢下來。一但被減慢至約10eV，和其它自由電子的庫倫彈性散射碰撞的機率將增加；且此機率和該電子速度成反比，所以這些電子相互作用愈來愈強且快速地達到熱平衡。過量的電子傾向於離開，所以那些具有較大能量及較大的軌道半徑的電子將傾向於在其它電子之前和處於陽極電位的該等壁碰撞；且此機制發揮作用，用以降低該電漿的溫度。

只有幾個百分比的該等被產生出來的離子會隨機地移動於正確的方向上以直接離開該狹縫。然而，其餘的離子會撞到該等壁然後被回收；且大多數的離子最終 將會在後續的嘗式中離開該狹縫。如果該等所想要的離子種類是非揮發性(如，B⁺)的話，則使用鹵化物氣體將腐蝕該等壁的材料，其將被浪費掉；因此，對於硼離子而言BF₃是常見的饋給氣體。

該Bernas離子源被視為是一非常成功的設計；但它不容易被放大，因為它須要一磁場傳播於其電弧室的整個長度上。一較長的電弧室長度尺度須要更多安培匝數來產生該磁場；但第二個問題快速地抑制了它的發展，即該磁場在中間較弱而在兩端較強。當該尺度大於約200mm的有作用的電弧長度時，須要誇大的測量(heroic measurement)來抵銷此效應；且目前被使用的此抵銷測量只能產生一極有限的好處。

因此，在此技術領域中工作的從事人員將斷定的是，該Bernas離子源不能被放大至1公尺或更大的長度；及即使是如果該Bernas離子源可被如此地放大，相關設備的成本的增加將會是線性尺度增加的三次方。

多極限制式離子源

電漿的密度是由離子製造處理和離子損失處理之間的平衡來主導-額外的限制條件是保持中性，離子電荷密度及電子電荷密度必須相等。充滿活力的電子(其對離子化而言是很有用的)比緩慢的離子更容易損失於室壁上，除非採取步驟來將快的電子回送至該電漿。允許慢的電子具有比用來脫離之最小離子化能量小的能量藉以降 低電子離子重新結合的可能性亦是有利的。

一圍繞該電漿體積之強的多極磁場符合這些要求。該充滿活力的電子之增加的路徑長度提高了離子化的機率。冷的(低能量)電子經歷來自彼此的一高很多的彈性庫倫散射率；因此，它們橫跨該等磁場線的擴散率(這些磁場線在其方面會限制該等電子)極高。因此，冷的電子擴散橫跨該多極磁場，直到它們可到達該等壁且被損失為止。在離子離子化效率方面的改善造成用於相同電漿密度之中性壓力降低的結果，其可作出用於一更開放性的來源及易於真空抽泵要求。

因此，在此處簡短地討論什麼是多極磁場並指出一些它的特性是有用的。在它們的最簡單的形式中，許多種類的磁場具有某些繞著一單一軸線的轉動對稱性，其可被當作柱諧函數(cylindrical harmonics)般地來分析。

在最基本的用詞中，這些用詞可被正確地界定且如下所述地描述：雙極磁場是一種由一對具有相反極性的磁極(pole)所產生的磁場。如果該等相反極性的磁極是類無限(quasi-infinity)平面的話，則整個被產生的雙極磁場在強度及方向上都是均一的。

四極磁場是一種用四個磁極一起產生的磁場，該四個磁極係以串接的方式繞著一軸線對稱地設置。該四個以串接方式被設置的磁極在極性上係相交替的；且在它們最單純的形式中，係被假設為具有右雙曲線表面的 形狀，其係對於一對穿過原點的平面漸近(asymptotic)(參見先前技術圖3a)。

在此四極磁場格式中，如果從事人員在一個以該原點為中心的圓周圍畫出該被產生的四極磁場的量及方向的話，則可發現該磁場量是定值，但該磁場的方向在繞著該圓周圍前進時會轉變。而且，該四極磁場的量和該圓的半徑成正比。

六極磁場是用類似於雙極和四極磁場的方式來建造，但典型地使用了以極性交替的串接方式安排的六個分開的磁極；且該雙曲線係對於彼此傾斜60度而不是90度的平面漸近。一典型的六極磁場被示於先前技術圖3b中。

該六極磁場的量在一圓的周圍亦是常數；但磁場方向在繞著該圓周圍前進時會改變兩次。該六極磁場的量和離該圓心的距離的平方成正比。

更高級數的多極磁場可用相似的方式如所需地或如所想要地加以建造。因此，例如八極磁場典型地使用八個以極性交替的串接方式安排的八個分開的磁極。在這些類似的例子的每一者中，被用來產生更高級數的磁場的分開的磁極的總數典型地是一數學上的偶數。

然而，應被指出及被瞭解的是，被一起用來產生一種磁場的被選取的多極數量將以一複雜的方式整體地互相作用。因此之故，一多極磁場(其為數個不同的磁場被線性地疊置)可藉由一簡單的磁極形狀而被產生，其 中該磁極形狀並不依循該等基本的多極定義，而是保持一些對稱性。該磁極結構的該被保持的對稱性可允許某些種類的多極磁場被產生，同時抑制其它種類，參見先前技術圖3c。

因為一高n層級的多極磁場的特徵在於磁場強度以r^(n/2-1)徑向地增加，它依循的是，對於一相當大比例的可用的總體積而言，在高層級多極磁場的中心空間區域內的磁場非常接近零值，該比例隨著實際使用的磁極數量而增加。在許多離子源中保持低磁場是所想要的，但靠近要將電子回轉回來的邊緣處則除外。

多尖點磁場的配置

被用來產生一磁場的分開的磁極的數目在必要或需要的時候可被增加；且此等磁極大致上無須具有圓柱旋轉對稱性。將該等磁場組成物交替於軸方向上以及方位角方向上構成一種方法，其特徵在於一‘棋盤式’磁極陣列；且此配置被使用在‘多尖點’電漿圍堵裝置中。

以永久磁鐵多極限制為主的離子源是已知的且從約1975年就被開發出來[例如參見：K.N.Leung et.al.,Characteristics of a Multidipole Ion Source,Rev.Sci.Inst.,49：321(1978)；and K.N.Leung,Multicusp Ion Sources,Proc.5th.Int.Conf.Ion Sources,Beijing,1983,Rev.Sci.Inst.,65：1165(1984)]。這些‘多尖點’離子源的主要優點是它們的低操作壓力、穩定的電漿、及可們可被作 成任何大小的能力，且在該多極磁場構造中沒有太多間隙。

此種磁場配置被稱為‘多尖點’是因為一磁場尖點(cusp)會在多個位置點和壁相交會。這是一個磁場非常高的點，通常是在該系統中的最高點，且磁通量的線同時和壁以接近正交的方式相交會。在一尖點處，一沿著正確的線朝向壁移動的電子可沒有偏斜地到達該壁；但如果該電子偏離此路徑一很小的角度的話，它即會被‘磁鏡效應(magnetic mirror effect)’轉回到該室內，藉此，最初被朝向該壁導引的動能隨該螺旋軌道繞著一磁場線繃緊而被重新導向於一直角的方向上。然後，此能量隨著該軌道‘解螺旋’而被重新引導遠離該壁。

一被稱為‘單尖點’的尖點離子源有圓柱形對稱版本，其被認為是此配置的最簡單的版本[參見上文中提到Brown參考資料中描述的Brainard及O'Hagan]。

多尖點限制比完全沒有電漿限制要好很多，但它是不完美的。它將快速電子漏至壁中。在多數多尖點離子源中，其電漿密度是Bearnas離子源的電漿密度的約1%。

陽極層電漿加速離子源

另一種離子源須要討論，因為它具有某些特徵一開始似乎很符合要求：陽極層電漿加速離子源(“ALPA”)[例如參見：V.V.Zhurin,H.R.Kaufman,and R.R. Robinson,Plasma Sources Science and Technology 8,R1(1999)]。

在此ALPA離子源中，電子被一被稱為‘跑道’的通道內彼此成直角的電場及磁場困住，因為該跑道可以是具有有平行側邊的細長卵形的形式。該跑道包含一圓的、橢圓的或其它封閉式曲線通道，其兩側以鐵磁陰極電極為邊界；且一非磁的陽極被置於此通道後方。典型地，該通道是約3mm寬，介於該等壁之間；且繞著該通道的該‘跑道’路徑長0.2至3公尺。

在該ALPA離子源內的該陽極通常是在該通道後方約5mm；且該陽極提供一法線表面，面向穿過該通道進入開放空間。該等陰極通道壁延伸遠離該陽極約5mm至10mm，然後開口於真空。

在該ALPA離子源中，一磁場是藉由永久磁鐵或介於兩個鐵磁陰極電極之間的電磁機構來建立的；且此磁場的一部分朝向該陽極延伸，一些磁場線和該陽極正切且其它磁場線則幾乎和該陰極平行，被如此地形成的電場大致上和該磁場成直角。

此配置是導電的，用以形成一穩定的磁場，在此磁場中會發生下列的事件：

(a)為了任何理由從該陰極表面發射出的電子一開始係朝向該陽極被加速，但被強迫要熱著該等磁場線螺旋；且具有一旋輪線(cycloidal)形式的長的複雜路徑。這些旋輪線在該跑道通道周圍有一漂流速度，它的大小是 由E/B來界定，其中E是電場，及B是磁場。如果沒有散射的話，該等軌道將具有一極長的路徑長度。

(b)被導入此通道中的氣體藉由和任何在此通道內運行的電子碰撞而被離子化，且該等被如此地形成的正離子被朝向該通道的開放面微弱地加速。同時，被如此地形成的電子被進一步朝向該陽極加速；且加入到離子化電子的族群中。一小部分的被形成的正離子會撞擊該陰極；大部分的正離子會逃入到在該離子源前方的開放空間中，其能量取決於它們被離子化的地方的電位。撞擊該陰極的離子將釋放數個自由電子。

(c)藉由這些機構，一穩定的電漿被建立。因為該橫貫的磁場及該被施加的電壓的關係，一電場存在於該電漿內，其將離子加速使其離開該通道遠離該陽極並嘗試將電子朝向該陽極加速。因為電子運動被磁場轉向，所以一實質的電場可存在；該電漿在垂直該磁場的方向上表現的很差。

(d)一環形帶狀離子束被加速離開該狹縫。藉由增加環形擷取電極(其具備先前技術圖1中所示的電位配置)，該環形離子束可被加速至更高的能量。

因此在該ALPA離子源中，該被困住的電子的路徑原則上可以是一纏繞在此通道周圍之無限長的旋輪線。這些電子將被供應至該通道的氣體離子化，產生一非常高的正離子的電流(安培)，其被該電場推出該通道。此ALPA離子源可被輕易地拉長至一或兩公尺的長度；且藉 著增加三極管及擷取電極以及忽略該等圓角化端部可被視為兩個平行帶狀離子束的來源，每一者都符合我們的要求。

然而，測量已顯示出在此離子源的電漿內的電位梯度橫跨100V，讓該等離子有一極大的能量範圍並達成極為困難的質量分析該高電流離子束的任何目標。然而，此離子源的電漿的某些特徵已被用作為設計本發明的一個指南。

在此技術領域中的主要發展的年代表

用於產生高電流的帶狀離子束的可靠離子源首先在曼哈坦計畫(Manhattan project)(1940-1945)的一部分的電磁同位素分離器中被開發出來。這些離子源被浸沒在一強磁場中，其延伸在該移動的帶狀離子束的主要橫貫的尺度的方向上，其中該被產生的磁場亦被用來分析及分離在該離子束中個別的離子種類。

Freeman及Bernas離子源：

該Freeman及Bernas離子源(其使用較小的且獨立產生的磁場)後續發展允許更有效的離子源被單獨使用且獨立於被設置在下游的分析磁鐵之外。

該Freeman型的離子源被完整揭示在Nucl.Instr.and Meth.22：306(1963)中，其揭露出該Freeman結構使用一高電流的電源供應器來提供一加熱電流通過該陰 極細絲(filament)，其向下傳播至該電弧室的中間，平行於一被施加的磁場。一分開的電弧電源供應器施加一最大為約120伏特的電壓於該陰極細絲和該電弧室之間，該等電弧室壁係作為陽極。該熱陰極細絲然後發射出電子，其被該磁場困住、加速穿過在該電弧室空穴體積內的氣體，用以在該電弧室的範圍內產生帶正電的離子種類的電漿。

該Bernas離子源被詳細地揭露在Nucl.Instr.and Meth.51,77(1967)中，且被示於先前技術圖1中。當如美國專利第5,262,652號及第5,497,006號描述般地修改時，該Bernas離子源可具有一被直接加熱或被間接加熱的陰極，其具備一足以提供一加熱電流通過該陰極細絲之分開的電源供應器；但將永遠包含一分開的電弧電源供應器，用以提供一所想要的電弧電位於該陰極細絲和該陽極或電弧室壁之間。

間接加熱式陰極(IHC)離子源

首先，間接加熱式陰極(IHC)離子源已被開發出來且被改進，用以改善在離子佈植機內的離子源壽命。此種改良的IHC離子源的結構及操作特性的詳細描述分別被提供在美國專利第7,138,768號；第6,777,686號；第6,348,764號；第6,259,210號；第5,763,890號；第5,703,372號；第5,497,006號；第4,714,834號；第3,924,134號；及第3,238,414號中，這些專利的個別內容藉此參照而被併於本文中。

間接加熱式陰極包含一相當巨大的陰極結構，它被來自一附近被直接加熱的熱電子細絲的電子轟擊所加熱；然後熱電子地發射出電子。被用於電子轟擊的該細絲和被產生在該電弧室空穴體積內的電漿實體地隔離開來，因此具有一相當長的使用壽命。雖然該被間接加熱的陰極被曝露在該電弧室的腐蝕性環境中，但它的巨大結構確保在一延長的時間期間內有用的操作。

對於從業人員而言有數個值得注意的特性：在該間接加熱的陰極(IHC)離子源內的該細絲必須和它的周圍環境電隔絕開；及它必須被電連接至一600伏特可變負偏壓電源供應器。環繞此細絲的該間接加熱的陰極被離開該細絲之被加速的電子以及被輻射熱所加熱。它必須和它的周圍環境熱隔離開來以防止冷卻(這將會造成該陰極停止發射出電子)。

因此，間接加熱的陰極設計使用一種通常係呈現圓盤形式的陰極格式，且在其外周邊被一薄壁管支撐，該薄壁管具有和該陰極厚度大致相同的直徑。該支撐管具有薄的壁，用以減小其截面積，並藉以降低將熱帶離該熱的陰極的熱傳導。該薄壁管具有沿著它的長度的切口，用以如一絕緣斷點般地作用且其進一步降低將熱帶離該熱陰極的傳導。

被用來支撐該陰極的薄壁管不應發射任何電子；但它具有一大的表面積，該表面積的大部分被保持在高溫。該管子的此大的表面積將因為輻射而散失掉熱，這 亦是該熱陰極損失熱的主要方式。該管子的大的直徑及大的表面積因而增加了被用來夾持及連接該陰極的結構的尺寸及複雜度。一種傳統上習知的陰極支撐件包括三個部件且需要螺紋來組裝。

相較於鎢絲的使用壽命，該間接加熱的陰極(IHC)離子源的發展已提高有用的陰極的使用壽命，單純地因為該陰極可被製造得很巨大，用以增加在腐蝕造成操作故障之前的時間。為了延長使用壽命，陰極電極設計會將厚度最大化，同時將外露的陰極表面積最小化，用以避免需要過多的電力。

此外，許多不同的離子種類係藉由使用鹵化物氣體及蒸汽用間接加熱的陰極(IHC)離子源來產生；且帶電離子材料被高溫的鹵素反應輸送於陰極/陽極電極之間是無可避免的事件，以及是一必要之惡，其伴隨著某些離子種類的有效製造。此等事件及材料輸送通常是操作性使用壽命的真實決定因素。

到目前為止所有這些傳統上習知的且被使用的高電流離子源(以及它們的某些微小的變化，但ALPA離子源除外)沿著一結構上被界定的電弧放電室的線性長度尺度施加一磁場，其中該被施加的磁場會將移動的電子侷限至繞著該電弧室的一中心軸線的螺旋路徑上。該等電子在此中心軸線上被導入到該磁場中，通常是在該電弧室結構的一分離的端部(但應指出的是仍有例外存在)從一被施加典型地介於約-40V至-120V之間之相對於該電弧室的 側壁的負電壓偏壓的被加熱的熱電子陰極導入，該等側壁然後構成且實體地形成該系統的陽極正表面。

帶狀離子束來源的傳統用途及應用

離子佈植系統或離子佈植器被廣泛地用來在積體電路製造中以及在平板顯示器的製造中用雜質摻雜半導體。在此等系統中，一離子源將一所想要的摻質元素離子化，該摻質元件係以一所想要的能量的離子束形式從該離子源中被擷取出來。該離子束然後藉由通過一大的偏斜磁鐵來加以純化，該偏斜磁鐵只將所想要的離子聚焦通過一分辨狹縫，然後被引導至該工件(譬如，一半導體晶圓)的表面，用以用該摻質元素佈植該工件。

該離子束的離子穿透該工件的該表面以形成一區域(其在熱退火之後修補結晶損傷)，其在將電晶體製造於該晶圓中的時候具有所想要的導電性。離子佈植的許多額外的新的及相關的用途已被開發出來。該佈植處理典型地係在高真空處理室中被實施，該真空處理室可防止離子束因為和殘留氣體分子碰撞而分散且可將該工件被空氣傳播的粒子污染的風險最小化。

一典型的離子佈植機包括一用來產生該離子束的離子源；一離子束路徑，其通常包括一用於質量分辨該離子束的質量分析磁鐵；及一真空室，其容納該被該移動的離子束的離子佈植的目標半導體晶圓(或其它基材)。此等組件及系統的一些代表性先前技術例子係分別被描述 在美國專利第4,862,032號；第5,497,006號；第5,558,718號；第6,664,547號；第6,686,595號；第6,744,214號；第6,815,666號；第6,958,481號；第7,838,850號；第7,863,582號；第8,071,958號；第8,330,118號；及第8,368,309號中，它們每一者的描述性內容藉由此參考而被併於本文中。

一個常見的替代先前技術配置藉由平板顯示器佈植機而被簡化，例如參見美國專利第6,160,262號及第8,455,837號。此外，對於高能佈植機而言，一加速度設備可設置在該質量分析磁鐵和該靶材室之間，用來將離子加速至高能量。

一沒有加速度系統的離子源的另一種用途是作為一冷電漿的來源，用來在一高電流離子束被輸送並撞擊在一絕緣的或部分絕緣的靶材上時，抑制高電壓、充電損傷、及相關問題的形成。這發生在市面上的離子佈植機中。

現今在此技術領域中工作的一般從業人員的觀點

雖然有所有上述在相關技術領域中的發展，但傳統上習知的離子源都顯著地不適合用來直接製造高電流密度帶狀離子束，其在線性尺度長度上大了約150mm(雖然該離子束的最初軸向長度可後續地被間接地擴展)，這因為它們所依賴的該軸向磁場的尺寸限制的關係且其為直接後果。

在此技術領域中被良好地建立且長期被認知的是：該電弧室的線性長度尺度愈長，激勵該長軸磁場所需要的安培匝數就愈多。然而，此一長軸磁場具有許多其它嚴重的缺點：隨著它的長度尺度變大，它逐漸地愈來愈難將該磁場保持均勻，也不能讓該磁場在它的其它尺度(寬度及深度尺度)的每一尺度上延伸得更長。此種三為度變大的磁場尺寸是最不想要的，因為它將會造成整個被擷取的離子束的寄生性偏斜增加；且它逐漸變得更難沿著該移動的離子束的長度尺度保持此增加的偏斜均勻。

因此，將被認知的且將被理解的是，即使已有現今既存的所有該等技術創新及設計改良，但對於一種改良的離子源仍存在著相當大且立即性的需求。尤其是，在450mm矽晶圓佈植、平板顯示器佈植、及太陽能電池佈植，以及其它材料修改應用的領域中，將可從一種可以在長度方向上被延伸以製造出450mm或更大的幅寬的高電流均勻帶狀離子束的離子源獲得很大的助益，且該離子源的長度可進一步被延伸至1m、2m或更長。此品質及類型的創新須要在概念上有根本的改變，加上遠離傳統上使用一平行於該擷取狹縫的長的方向的磁場的主要策略。

在此同時，保留間接加熱式陰極的好處，以及傳統White離子源和IHC離子源的某些其它特性及特徵是所想要的。這些將包括容忍高溫的能力；以高效率運作，用以從BF₃氣體產生高電流的B⁺離子，用以大於20mA/cm²的高電流密度下運作；及從鹵化物氣體或氣體蒸 汽獲得其它種類。此外，熱陰極離子源產生的電漿溫度傾向於比RF激勵的離子源產生的電漿溫度低；且此事件對於製造低發射率(即，在一給定的孔徑尺寸下有一最小的橫向動量)的離子束而言是有利的。該離子束的離子用儘可能低的磁場來產生；及該磁場在該離子束的幅寬尺度上不應具有重大的分量是進一步所想要的。

因此，如果吾人能夠開發出一種用來製造一移動的帶狀離子束(其幅寬尺度是其厚度尺度的至少5(0倍)之改良的離子源組件的話，則此成就將被視為是對先前技術的組件的一種出人意表的及預料之外的改良。如果該被擷取的帶狀離子束具有的幅寬尺度比它的厚度尺度大數百倍的話(該幅寬尺度及寬度尺度係在垂直於離子束移動方向的方向上測量的)，則在帶狀離子束幅寬尺度上的此一大幅度的增加將被視為在此技術領域中的一重大的改進及預料之外的進展。

因為本發明的範圍及結構變化性的範圍的關係，本發明可用數種不同的方式來概要性地界定。因此，為了簡化的目的，在本文中只用吉普森類型(Jepson-type)的格式。

在一種能夠製造一具有可測量的幅寬尺度(breadth dimension)的帶狀離子束的離子束源中，該幅寬尺度比該帶狀離子束的厚度尺度至少大10倍，該被製造 出來的離子束的幅寬尺度及厚度尺度係和用於該離子束的移動的Z軸方向垂直，及其中該離子束源包括：(i)一封閉式電弧放電室，其包括一分開的實心前壁，其提供至少一供離子束離開的出口縫隙、一分開的實心後壁、至少兩個側向地設置且相對地放置之實心的鄰接的側壁、兩個分開的實心且被相對地設置的連續的端壁、及一體積和形態可決定的內部空穴，其中該電弧放電室提供一沿著Y軸延伸的預定的寬度尺度，一沿著Z軸延伸之設定好的前到後的尺度，及一任意選定之固定的長度尺度，其沿著X軸延伸且其可測量的尺寸可變化於約80mm至約3000mm，(ii)至少一熱電子陰極，其被設置在該電弧放電室的該內部空穴體積內，每一陰極端子能夠隨選地(on-demand)發射出一束移動的主要電子，(iii)一受控制的孔口，用來將一氣體物質導入到該電弧放電室的該內部空穴體積中，(iv)至少一擷取電極，其被設置在該電弧放電室的該前壁的出口縫隙的外部，及(v)一被設置在遠端的電源，其具有一正端子及一負端子；實質的結構改良在於：一操作性的主要電子捕集組件能夠隨選地產生且安裝至少一可識別的四極磁場於該電弧放電室的該內部空穴體 積內，其中該被安裝的四極磁場主要電子捕集組件造成(α)移動路徑的重新導向，用來將被該陰極端子發射出的主要電子移動於一遠離該空穴體積之靠近該電弧放電室的該二鄰接的側壁及該後壁的內部周邊區域及邊緣的方向上，(β)移動運動的重新導向，用來讓該等主要電子朝向中央空間區域，然後在該電弧放電室的該被侷限的空穴體積的大致中間處離開，及(δ)該等被重新導向的主要電子在該電弧放電室的該被侷限的空穴體積的大致中間處均勻地分佈在該電弧放電室的長度尺度距離上，及其中該主要電捕集組件使用結合的電場及磁場，其沒有重大的分量被指向該X軸方向，及其中該主要電子捕集組件包含(a)至少一可辨別棒形陽極，其被設置在該電弧放電室的一被側向的設置的鄰接的側壁的內面表面上且在該電弧放電室的該空穴體積內延伸在該鄰接的側壁在X軸方向上的長度尺度上，該棒形陽極被浸沒該空穴體積內的該高強度的被安裝的四極磁場內且被其所包圍，使得磁通量線在每一被設置的棒形陽極彎曲並繞過它，該等彎曲的磁通量線有效地阻擋在該空穴體積內運動的該等主要電子到達每一被設置的棒形陽極，(b)一產生磁場的軛次組件，其位在鄰近該電弧放電 室的至少三個分開的壁的外表面及周圍一預定的距離處且圍繞該外表面及周圍，該產生磁場的軛次組件包含一開放式軛骨架，至少三個分開的極性交替的磁極構造物被置於該軛骨架上繞著該X軸被方位角地設置且延伸在該電弧放電室的長度尺度上，該等極性交替的多個磁極構造物共同地產生及安裝一可識別的四極磁場於該電弧放電室的該內部空穴體積的尺度範圍(dimensional confines)內，其中該被安裝的四極磁場沿著該電弧放電室的該前壁的內面表面的磁場強度比在該電弧放電室的該二被相對地設置的鄰接的側壁及該後壁的內面表面的磁場強度弱，但不是零值，及其中該四極磁場的強度在沿著一條線的一空間位置處掉落至一有效的零值，該空間位置在該空穴中線沿著一和該X軸對其的中央平面的前方且居中地位在該電弧放電室的該前壁的該出口縫隙之上，(c)一熱電子陰極，其被空間地設置靠近該電弧放電室的一端壁的內面表面處，使得被該陰極射出的該等主要電子包圍該有效的零值磁場強度的零值軸，然後大致存在於沿著一和該X軸對齊且居中地延伸的中央平面的該空穴體積中線之鄰近該電弧放電室的該前壁的出口縫隙處，及(d)一介於該被空間地設置的熱電子陰極和該電弧放電室之間的電連接，其造成該被設置的陰極的電位相對於該電弧放電室的電位有一小的正值。

如上文界定的，該被顯著地改善的離子源的 該主要電子捕集組件明確地是可運作的且令人意外地有效，使得所有下列的事件在原地(in-situ)發生：(α)從該陰極被射出的該等移動的主要電子被朝向該陽極棒及/或朝向被該電弧放電室內的電子重擊離子化產生的電漿的正電位加速；(β)從該陰極被射出的該等移動的主要電子具有的動能不足以到達該電弧放電室的該被設置的棒形陽極之外的任何構成部件或壁；(γ)從該陰極被射出的該等移動的主要電子被該防護性的四極磁場以回轉半徑(gyro-radius)比該陽極棒離該零值磁場線的距離小很多倍的方式實質地偏斜遠離該被設置的陽極棒，且被重新導向至不會到達該被設置的陽極棒且不會與之相交會的旋輪線的且擺盪的路徑中；(δ)從該陰極被射出的該等移動的主要電子在電場及磁場相交叉的區域中被施加一具備一速度[以E/B來測量]之被導向正X軸或負X軸的運動；(ε)從該陰極被射出的該等移動的主要電子被禁止到達該電弧放電室的內側壁或端壁的任何部分，因為該等鄰接的端壁的靜電電位被設定在相對於該陰極的電位的負值；及()從該陰極被射出的該等移動的主要電子被困在該內空穴空間的一中央十字形區域內且沿著X軸被靜電及磁性侷限的組合均勻地分佈於該空穴體積的長度尺度上。

1‧‧‧電弧放電室

10‧‧‧空穴體積

3‧‧‧前壁

8‧‧‧後壁

6a‧‧‧側壁

6b‧‧‧側壁

12a‧‧‧端壁

12b‧‧‧端壁

5‧‧‧出口縫隙

4a‧‧‧擷取電極

40a‧‧‧擷取電極

4b‧‧‧擷取電極

40b‧‧‧擷取電極

9‧‧‧通道

2a‧‧‧棒型陽極

2b‧‧‧棒型陽極

7‧‧‧熱電子陰極

60‧‧‧分隔屏障

100‧‧‧軛次組件

62‧‧‧正面表面

66‧‧‧反面表面

68a‧‧‧空間凹部

68b‧‧‧空間凹部

61‧‧‧通道

115a‧‧‧磁極

115b‧‧‧磁極

69‧‧‧空間凹部

116‧‧‧第三個細長的磁極

110‧‧‧U型支撐骨架

111‧‧‧中間區段

64‧‧‧空間凹部

102‧‧‧磁極

105a‧‧‧長圓形線圈

105b‧‧‧長圓形線圈

103‧‧‧直立臂區段

215a‧‧‧磁極

215b‧‧‧磁極

216‧‧‧磁極

223‧‧‧U型槽

224‧‧‧水通道

227‧‧‧半部

221‧‧‧磁性側壁

250a‧‧‧電弧放電室

250b‧‧‧電弧放電室

290‧‧‧絕緣體

200‧‧‧軛次組件

222‧‧‧永久磁鐵

225a‧‧‧永久磁鐵

225b‧‧‧永久磁鐵

211‧‧‧鐵磁底板

210a‧‧‧直立臂區段

210b‧‧‧直立臂區段

222a‧‧‧永久磁鐵

222b‧‧‧永久磁鐵

227‧‧‧室半部

226‧‧‧旋入式固持件

360‧‧‧分隔屏障結構

361‧‧‧冷媒通道

364‧‧‧空穴空間

368a‧‧‧空穴空間

368b‧‧‧空穴空間

304a‧‧‧分開式軛骨架區段

304b‧‧‧分開式軛骨架區段

325N‧‧‧鐵磁磁極

325S‧‧‧鐵磁磁極

304a‧‧‧磁極構造

368a‧‧‧凹部

301‧‧‧電弧放電室

310‧‧‧空穴體積

300‧‧‧軛次組件

當與附圖相配合時，本發明可被更佳地瞭解及更容易認識，其中：先前技術圖1是傳統上已知的用來製造高電流正離子束的離子束源的示意圖，其使用三個電極的最小值；先前技術圖2是一圖表，其例示用於不同原子種類的離子化電位及顯示離子化電位和原子種類的電荷狀態的演化；先前技術圖3a是四極磁場的示意代表圖；先前技術圖3b是六極磁場的示意代表圖；先前技術圖3c是不同的多極磁場形態被疊加的方式的示意代表面；圖4是改良的離子源組件的第一功能性實施例的剖面圖；圖5a是圖4所示的第一功能性實施例中的電弧放電室的立體剖面圖；圖5b是圖4所示的第一功能性實施例中的產生磁場的軛次組件的立體圖；圖6是一分解剖面圖，其顯示用於該電弧放電室及該主要電子捕集組件之對準的互連接頭的結構配置，其包含一介於中間的分隔屏障(partition barrier)及圖4所示的第一功能性實施例中的該產生磁場的軛次組件；圖7a是該改良的離子源的第二較佳實施例的部分分 解剖面圖；圖7b是部分拆解之圖7a的第二較佳實施例的立體圖；圖8a是第二較佳實施例的立體圖，其顯示該等擷取電極的適當設置；圖8b是第二較佳實施例的剖面圖，其顯示圖8a的擷取電極的細部安裝；圖9是該離子源的第三替代實施例的部分分解剖面圖；圖10顯示被疊加在圖4所示的第一功能性實施例的電弧放電室的一剖面上的磁通量線；圖11顯示磁場強度的輪廓，及在該磁場內的零值處的零點，該磁場係被疊加在圖4所示的第一功能性實施例的電弧放電室的該剖面上；圖12顯示在該電弧放電室的該空穴體積內的空間區域的一部分，來自該熱電子陰極的主要電子被結合的磁場困在該空間區域內，該結合的磁場係疊加在圖4所示的第一功能性實施例的電弧放電室的一剖面上；及圖13a及13b顯示本發明的該改良的離子束源結合一分析器磁鐵成為一操作系統的用途，其中沒有磁場平行於X軸存在。

I.本發明的範圍 整體來看的本發明

本發明是離子源組件的一重大的實質改良；且能夠產生一具有被任意選取的幅寬尺度之帶狀離子束，該幅寬尺度比該帶狀離子束的厚度尺度至少大10倍[且通常是比大30倍還多]，該離子束的幅寬尺度及厚度尺度和該離子束的移動方向垂直(成直角)。

該改良的離子源包含不少於兩個的分開的構成部件：(1)一封閉的、實心壁、稜型電弧放電室，其具有有限的寬度及深度尺度，且其同時具有一被任意地選取的且被預先決定的長度尺度，其大小可以小到80mm或者是超過3000mm；及(2)一主要電子捕集組件，其包含至少一鄰接地設置的產生磁場的軛次組件，其能夠提供一可識別的四極磁場於一被侷限的空穴體積內，該空穴體積存在於該等電弧放電室壁的可測量的尺度內之。

該改良的離子源非必要地包含的額外的結構特徵為：(3)一介於中間的冷的分隔屏障，其用來在一離該電弧放電室一固定的距離及在該電弧放電室附近的一周圍鄰近的位置將該產生磁場的軛次組件定向、對準、及分離，冷卻該等磁性構件以保護它們免受熱及高溫危害；及(4)三極管或四極管離子束擷取電極系統，其中每一電極包含兩個分開的部件，該離子束的兩側各一個部件，其被電連接至適當的電源供應器且藉由使用絕緣體而被安 裝至該磁性軛次組件或該冷的分隔屏障，用以保持不同電極彼此之間沿著該離子束的整個幅寬在Y軸方向及Z軸方向上的間距的精確控制，即使是有熱輻射所造成的熱膨脹效應及意外的離子束撞擊到該等電極上亦然。

該封閉式電弧放電室是一傳統上用耐火材料製成之細長的稜型的實心壁的殼體；其具有一形態固定及尺度可決定之被侷限的空穴體積；其包括至少一分開的棒型陽極電極及至少一被單獨地設置在該室的被侷限的空間內的壁上的分開的陰極電極；其提供一或多個受控制的輸送埠；及其提供至少一在該電弧放電室的前方之開放的出口縫隙，離子可透過該等出口縫隙被擷取以形成一移動的帶狀離子束。

在該稜型電弧放電室的內部空穴空間中有：(a)至少一熱電子陰極(典型地是一直徑10mm鎢絲迴圈或鎢片，且被加熱超過2000℃)，其被設置在一端壁表面上或接近一端壁表面且被設定在該電弧放電室的電位或相對於該電弧放電室的電位呈稍微正電性；及(b)至少一棒型陽極，且更佳地為兩個細長形的陽極棒，其被個別設置成靠近一被側向地設置之鄰接的側壁的內面表面，且其延伸在該電弧放電室的整個被任意地選定的長度尺度上。該型陽極被連接至一介於40伏至120伏的被認可的電源的正端子；及該陰極被連接至同一電源的負端子，且該電弧放電室可藉由電阻式連接線而被連接成為相對於該陰極呈約0伏至5伏的正電性。

因為該稜型電弧放電室必須位在一真空環境中，而該主要電子捕集組件的該被鄰接地設置的產生磁場的軛次組件通常被設置在周圍空氣環境中，所以這兩個部件被操作地定向、正確地對準且被適當地容納在分開的相鄰位置處。

為了到到此目的，一非磁性的分隔屏障被有形體地設置作為這兩個構件之間的中介分隔件。此分隔屏障被用作為一中介的壁壘(rampart)及分隔防護(bulwark)，用以藉由它來將該電弧放電室適當地定向及對準在和該產生磁場的軛次組件相鄰的一固定的空間距離處，同時保持該真空環境和該周圍空氣環境的實體分隔。

在此種環境分離例子中，最想要的是，該中介的分隔屏障亦提供冷媒路徑來將它保持在室溫或接近室溫，雖然有來自該電弧放電室相當大的輻射熱；且較佳的是，該分隔屏障被相對應的塑形，用以在該電弧放電室的後壁及其至少兩個被相反地設置的鄰接的側壁包圍該電弧放電室結構的外表面。

該主要電子捕集組件該分開的產生磁場的軛次組件因而是一分開的操作性物件且是一實體結構，它可以各種不同的構造形式呈現：第一種操作性格式是一種包含至少三個極性交替之分開的鐵磁性磁極構造的多極陣列，該等鐵磁性磁極被成串地個別設置在一開放式U型軛骨架上。在該多極陣列中的所有這三個鐵磁性磁極被實體地分隔開且彼此分 開成在該軛骨架的一內表面上有一個鐵磁性磁極。

此多極陣列及軛骨架構成該軛次組件，它然後被設置在離該電弧放電室的該等鄰接的側壁和後壁的外表面一被設定的距離且被相鄰地設置在其整個周圍；然後以其磁化方向和該電弧放電室的長度尺度垂直(或成直角，或正交)的方式靜置。關於在該產生磁場的軛次組件的此格式中的三個鐵磁性磁極，這些磁極中的一者只是一用鐵磁物質形成的細長的軸或棒，而這些磁性磁極構造中的兩者則是周圍設置有細長的電線繞組線圈之用鐵磁物質製成的細長的軸或棒。

很不同地，該產生磁場的軛次組件的第二種格式是一種U型鐵磁軛骨架的配置，在其兩個相對側的每一側上安裝了一細長的鐵磁性磁極，其被用磁體的一直線陣列連接至該軛，用以將該兩個相對的鐵磁性磁極磁化成具有相同的極性。第三個鐵磁性磁極被附裝至和該U型的基部相對應的內表面，藉以提供該內部一個極性和該等側鐵磁性磁極相反的鐵磁性磁極。再次地，此軛骨架所提供的磁化方向在每一處都和該電弧放電室的長度尺度實質地垂直(或成直角，或正交)。

在此格式中，至少三個分開的鐵磁性磁極被依序連續地設置在一U型軛骨架上，且這三個中的至少兩個包含永久磁鐵。整個開放式軛次組件然後被放置在離開該電弧放電室內的三個相接在一起的壁的外表面及外周邊但與之相鄰的一已知的距離處，每一磁極的磁化方向都和 該電弧放電室的X軸及長度尺度垂直(或成直角，或正交)。

或者再次地，一四鐵磁性磁極或更多鐵磁性磁極的空間式多極陣列(其藉由連接至被個別地依序連續設置之市面上可獲得的永久磁鐵而被磁化)可被用作為該產生磁場的軛次組件的第三種所想要的結構格式。

此特殊的第三種格式及配置具有的額外好處為，個別永久磁鐵的組數可隨著製造不同強度的四極磁場的需要而被增加。此第三種多極永久磁鐵構造模式係被橫貫地整合在一支撐軛骨架上以形成一次組件；且此軛次組件然後相對於該電弧放電室的該被選定的長度尺度及X軸被橫貫地設置。

目標用途及預期內的應用

本發明的範圍非常地廣且打算被使用在多種、替代性的且顯著不同的使用環境中。本發明的真實規模及範圍被適當地瞭解及理解是必要的及重要的。

在第一種被預期的使用環境中，本發明被用作為現有的離子束源的一種可翻新的(retrofittable)升級，現有的離子束源的例子為現今使用於離子佈植系統、IBAD(離子束輔助的沉積)系統、及各種材料處理系統中的電弧放電室。本發明可以輕易地取代離子源製造的短的帶狀離子束(幅寬在10至100mm之間)，基本的好處在於用小的內部永久磁鐵系統來取代大的外部磁鐵。其它的好處 或缺點在考量特殊的種類、能量、或其它問題後就會知道。

在第二種替代的使用環境中，該離子束源組件的大小尺度及結構對準被顯著地改變，用以提供離子束到目前為止仍達不到的特性的組合，這些特性包括離子束幅寬、電流密度及總電流、易於維修、離子束均勻性、易於控制、易於操作。使用本文中所界定及圖中所顯示的條件，在X軸方向上的離子束幅寬可從約200mm提高至到達2.5m，而在Y方向上在大多束的情況下它最初係小於5mm且偏離±2°或更小。

因為該離子束係如一連續的帶子般地被擷取，而不是一連串的小離子束，所以它可具有一非常低的發射率且因而依據應用提供諸如易於聚焦、質量分析系統中有高分辨能力、及精確地輸送至目標等好處。該等擷取離子束的方法解決了保持均勻度及低偏離等習知的困難，並包括形成適合廣泛的應用：佈植、濺鍍、IBAD、及金屬修改等之極低能量的離子束。

在第三種替代的使用環境中，本發明可被緊密地整合至一形成該真空壁的一部分的凸緣或板子的結構內。該離子源典型地且常規地將被靜置在一體積被侷限的且尺度被限制的封閉的真空環境內，其能夠提供一真空範圍在約10^-2Pa至約10^-4Pa的環境，同時，在該離子源的該電弧放電室內的壓力為1Pa的程度，這些數值是由必須供應至離子源的氣體供應來決定，並假設有提供氣體真空 抽泵。

該電弧放電室可被附裝至整合該真空壁內的結構且被封圍於其內。再者，該磁鐵組件可被套疊在該真空壁的相反側(大氣側)上且將該電弧放電室的三個側邊封圍起來。在可使用的地方，這比許多既有的離子源設計簡單且更精巧。

在第四種替代的使用環境中，唯一想要的處理氣體是氣體元素，即，惰性氣體、氧氣及氮氣，該電弧放電室本身可被水冷卻。

在第五種替代的使用環境中，該所想要的種類包括可在室溫下凝結於表面上的元素，且可在高溫下凝結於表面上的元素是較佳的或是必要的。在一些例子中，一高的壁溫度改變化學性質以有利於氣體/蒸汽的混合物或氣體分子中的一特定的離子。

在第六種被預期的使用環境中，沒有擷取電極或電壓被使用，且該電漿被允許擴散到該離子源外，且被用來控制在一從另一離子源被擷取出來的離子束中的電位，或控制在被外露的材料的表面上的電位。

因此，將被認識及瞭解的是，本發明的應用的適當的範圍及合適的領域是相當廣泛及全面的；本發明整體可容納先前技術的離子束源，以及提供一完全獨特且顯著不同的離子源組件；及本發明的每一原始的及特有的面向呈現且提供在先前技術的傳統離子束源中從未能企及之結構上的優點、特殊的特徵、及功能上的能力。

II.相關的資訊點

為了適當的參考以及為了精確地瞭解重要的對準、不同的平面及軸線、及個別的發明性構件，下面的方位、專業術語及術語被提出作為適當的語言及行話；被當作它適合的且適當的用法被精確地認出及被明確地描述；且在下文中被一貫地及一致地使用。

電弧放電室專業術語

按照定義地，直角稜鏡是一種由兩個多邊形表面(其被一連串側平面接合在一起)所形成及所圍成的三維度構造；且此構造的橫截面將得到和其兩個相同的端部完全一樣的的結果。用數學的稜柱幾何術語來說，每一多邊形傳統上被稱為“底(base)”，及每一被橫側地設置的直線單元被稱為“邊(side)”。

如果該直角稜形形狀的電弧放電室是一規則的且對稱的幾何形式的話，則在該替代例中該室可呈現為三角形稜柱、矩形稜柱、方形稜柱、五角形稜柱、六角形稜柱、八角形稜柱等等。三角形形式不是理想的；矩形形式是討論的基礎，但邊的數目可被增加。因此，當多邊形底的形狀改變時，被並置的側邊的數目亦將隨之改變。此外，雖然兩個側邊是最小的數目，但在任何單一稜柱的格式中現有的側邊的數目經常是多達8或10個被側向地並置的側邊。

因此，對於這些替代的室稜柱形狀的每一者而言，將永遠有：(a)不少於五個外表面，及六個分開的面於矩形稜柱形的電弧放電室中；(b)不少於兩個被橫側地設置的鄰接的側壁於該稜柱形的室中；(c)兩個連續的端壁，其在矩形稜柱形的電弧放電室中是底；及(d)用於該稜柱形的室之可識別的、可測量的尺度及固定的深度、寬度、及長度尺度。

屬於該電弧放電室的方位、尺度及直角座標

很關鍵及很重要的是，此技術領域中的從業人員永遠能夠辨識及區別該電弧放電室的前壁及後壁；以及能夠因為和該電弧放電室結構的每一連續的且鄰接的端壁不同及有區別而分別及正確地指認每一被橫側地設置之鄰接的側壁。

為了適當定向的目的，該矩形電弧放電室的該稜柱形幾何形狀之提供可讓離子束通過的開放式通道、無阻礙式狹縫或孔洞的特定外表面及可辨視的實心壁在本文中被正確地標示為且將被稱為‘前’壁或前向壁；及在該室的直接相對的封閉式壁及外表面則被適當地稱為‘後’壁或後向壁。該稜柱形的室幾何形狀提供多個被相對地設置及被橫側向地並置之實心的可辨識的鄰接的側壁；引及兩 個可識別的實心連續的端壁。

直角座標軸亦經常在本文中被用來識別及描述該電弧放電室的操作性的稜柱形幾何形狀及功能性方位。因此，對於本發明而言，從該稜柱形電弧放電室的後壁延伸至前壁的方向是Z軸且供被擷取的離子束用的移動路徑。存在於第一個被橫側地設置的鄰接的側壁和被相對地設置的第二個被橫側地設置的鄰接的側壁之間的很小的距離尺度是Y軸且提供該電弧放電室的寬度尺度；及從至少一連續的側壁延伸出(且通常係延伸至另一個被相對地設置之連續的端壁)的平面、主要距離尺度及方向是X軸且是該電弧放電室的被任意選定的長度尺度(相當於該被擷取的離子束的幅寬尺度)。

在該電弧放電室內的該稜柱形幾何形狀的主要距離尺度是長度尺寸--它的大小是被任意選定的、永遠沿著該X軸延伸、及是該被擷取的帶狀離子束的該可測量的幅寬的直接函數且與其一致。此長度尺度可被任意地選定且量值被隨意地增加至該打算中的應用所想要的或所需要的幾乎任何有意義的大小；其範圍可在約80mm至大於3000mm；且其大小典型地將會在約500mm至約2000mm之間。

在該電弧放電室內的該稜柱形幾何形狀的次要距離尺度是寬度尺寸--它的大小是固定的且永遠位在Y軸上及沿著Y軸，且其方向係和該被擷取的離子束的厚度一致。

定義、用語及術語

‘雙極磁場’是由一對極性相反的磁極所產生的磁場。如果該等磁極是類無限(quasi-infinity)平面的話，則磁場是均一的。

‘四極磁場’是一種用四個繞著一軸線對稱地設置的磁極所產生的磁場。該等磁極的極性交替，且在最純的形式中係被假設為具有右雙曲線表面的形狀，其係對於一對穿過原點的平面漸近(asymptotic)。在此形式中，如果吾人在一個以該原點為中心的圓周圍畫出該磁場的量及方向的話，則可發現該磁場量是定值，但方向則在繞著該圓周圍前進時會轉變。該磁場的量和該圓的半徑成正比。

‘六極磁場’是用類似的方式來建造，但使用六個極性交替的磁極；且該雙曲線係對於彼此傾斜60度而不是90度的平面漸近。該磁場的量再次地在一圓的周圍亦是常數，但磁場方向在繞著該圓周圍前進時會改變兩次。該磁場的量和離該圓心的距離的平方成正比。

該電弧放電室幾何形狀中的該內部空穴體積的‘內表面’、‘頂角角落’及‘邊緣’等詞是關於可被一致性地識別及認知為可個別地區別的內部空穴體積位置，它們是：存在於一第一被橫側地設置的鄰接的側壁和該後壁之間的空間區域；及一第二分開的內部空間區域，其同時存在於一被相對地設置的第二被橫側地設置的鄰接的側壁和該後壁之間。該角落可以有也可以沒有填角半徑(fillet radius)。

同樣不證自明的是，‘內表面’、‘頂角角落’及‘邊緣’這些用詞係關於在兩個被橫側地設置之鄰接的側壁的每一者分別和前壁及後壁之間的空間關係；且該電弧放電室的端壁並沒有涉入到辨識該內部空穴體積的這些部分之中。

III.操作性被改善的離子源

在所有被預期的應用及替代的使用環境中，本發明是一種改良的離子源，其中一氣體物質在一電弧放電室內被離子化成電漿狀態且一帶狀帶電的離子束被擷取，該離子束然後移動於Z軸方向上。然而，為了要達到此目的，該改良的離子束源將包含且包括不少於至少兩個分開的結構部分-一稜柱形的電弧放電室及一主要電子捕集組件。

在先前技術實務中，離子束可藉由使用傳統的三極管或四極管離子束形成系統來獲得。然而，在這些傳統系統中，因為需要保持極小程度的電極間距變動-其和一離子束幅寬的尺寸在有由離子束撞擊、輻射及其它熱機制產生的實質加熱存在的情況下被作成任意地大的製造相結合-有多項必須直接面對及克服的實質挑戰。這些被充分地認知的多項實質挑戰被揭露於下文中以及被詳細地描述於本文中之不同的實施例舉例及解說的本發明面對及解決。

A.稜柱狀電弧放電室 該室的稜柱幾何形狀

該電弧放電室較佳地是一用導電材料(譬如，一耐火材料)製造之被預先成形為矩形稜柱形的實心壁封閉式箱盒；或者是一被主動式冷卻的結構，譬如被內部的水通道冷卻。

該電弧放電室的幾何形狀較佳地具有矩形稜柱的形狀，一被侷限的空穴空間存在其內；且一離子束將從該室浮現。作為一矩形稜柱，它的箱盒幾何形狀包括一前壁其具有至少一出口縫隙、一後壁、兩個被相對地設置且被橫側地放置的鄰接的側壁、及兩個分開的且被相對地設置的連續端壁。被界定在此幾何構造內的是一內部空穴空間，其體積被限制且其尺度被侷限。

該矩形稜註電弧放電室的整體箱盒幾形狀在X軸方向上是細長的且具有一內部空穴體積，其適合隨意地將一預先選定的氣體物質導入其內，該氣體物質在該處被離子化成電漿狀態。為了氣體離子化的目的，該內部空穴體積構造的橫截面形狀典型地不是矩形就是圓形；但在有需要或想要的時候可被建構成幾乎任何形狀格式。

典型地，該室的該箱盒狀的幾何形狀將具有內部尺寸尺度，其中該室的兩個被相對地設置且被橫側地放置的鄰接的側壁在沿著Y軸方向的寬度上係彼此相距約20-50mm，且在Z軸方向上從該前壁至該後壁的深度上係 延伸約20-50mm；而介於兩個連續的且鄰接的端壁之間在沿著該X軸方向之可測量的長度的內部距離將變化於從約80mm至3m或更多。

傳統上，該電弧放電室之包含該出口縫隙的壁被稱為‘前壁’。該室的該前壁將包含至少一細長的出口縫隙延伸在X軸方向上；且提供來自該電漿的離子用的出口，其為一可讓離子被加速且如一帶狀離子束般浮現的出口。

該電弧放電線箱盒可用多種不同方式來建構；但一較佳的技術是製造兩個相同或幾近相同的分開的半部(halves)或裂開的區段，該裂縫通過該出口縫隙。用一陣列的開口槽或渠道來取代一連續的出口縫隙是可能的。當該電弧放電室的長度超過約1m且一連續的開口槽被使用時，同時保持該開口槽的壁部分平行、被良好地對齊及均勻是項挑戰；因此之故，描述於下文中的特定實施例直接克服此項挑戰。內角落的形狀可被圓角化。

被加熱的陰極

一能夠發射出主要電子的被加熱的陰極被提供且具實體地被設置在該電弧放電室的該空穴體積內的一個可辨識的內端壁表面。

如下文中更完整地被描述地，該四極磁場的形狀將包括四個直線尖點(cusp)，其中的三個尖點接近被設置在外部的磁極。對於該離子捕集器正確地作用而言必 要的是，磁場線在這四個尖點交會，界定電位表面，其係在該陰極電位或相對於該陰極電位是負的；且為了簡化，此電位值可由該等電弧放電室壁來界定及提供。為了符合此要求，該被加熱的陰極將具有相對於該電弧放電室的該可測量的電位介於0至約5伏之正的電位。

陰極操作及功能

典型地，被設置在該電弧放電室的一端壁的該陰極被電加熱直到它發射出一束移動的電子進入該電弧放電室的該空穴體積內為止；且那些一開始被發射出的電子通常被稱為‘主要電子’。其它種類的電子亦存在，其包括那些在和原子的非彈性碰撞中喪失大部分能量的主要電子、在該等碰撞時脫離出來的電子、及因離子撞擊而從該等壁脫離出來的電子；且這些典型地被稱為‘次要電子’。

對於一非常長的電弧放電室而言，一額外的陰極可被置於該相反端，且如果有必要的話，一中間陰極或諸中間陰極可被使用。該陰極可以是一被電加熱的鎢絲或鎢合金絲；或它可以是被間接加熱的陰極、或是一更大型的陰極，譬如圖7b所示者，其為一6mm厚的鎢塊，其被切割以形成可被直接電加熱的指叉形。該陰極被設置成使得該零值磁場軸在接近它的中心處通過它，這是一種確保該等該等主要電子環繞此軸且被正確地捕集的情況。該電弧電流可藉由調整送至該陰極的電力來加以調節。

較佳地，總離子電流被測量，且此訊號被拿 來和一參考訊號比較；且其差異被用來調整該陰極的溫度、該電弧電流、及該離子束電流。該陰極應提供一區域來實質地覆蓋電子會被捕集的區域，如圖11所示。

棒型陽極

該陽極將典型地採用一或多根棒、桿或軸的形式，其沿著X軸延伸且延伸於該電弧放電室的整個長度尺度上。該陽極結構例如可延伸穿過孔到達一對位在該電弧放電室結構的外面的安裝位置。該等棒形陽極被個別地連接至該電弧電源供應器的正端子，它的負端子然後被連接至該陰極及該電弧放電室。此電源供應可被調整，用以在40V至約120V提供許多安培。

在該空穴體積內的陽極設置

很重要的是，從該陰極被射出的該等主要電子不能直接到達該陽極然後被設置在該空穴體積內，使得等主要電子可變成被空間地捕集於該空穴體積的中央空間區內；然後在該空穴的該中央空間區內被重復地來回地傳送直到該等電子遭遇到和氣體原子或分子的非彈性碰撞、喪失能量、及在當地產生帶電離子為止。

該陽極因而必須被有實體地被設置在該室的空穴體積內接近一或多個被橫側地設置的鄰接的側壁的內表面處，其中該等四極磁場線將該陽極棒(或該等陽極棒)和該空穴體積的空間區(即，一最初被該陰極射出的主要 電子被射入的該空間區域)隔離開來。此環境被例示在圖10中，其顯示數條通過該等陽極棒和該中央空間區之間的磁通量線。

棒型的陽極的此特殊的設置及它和可識別的四極磁場的領域互動然後離開該電弧放電室的該空穴體積形成了該磁性電子捕集環境並藉由將移動中的主要電子侷限至一個四葉瓣式中央空間區(如圖12所示)內而啟動該主要電子捕集活動。

該被安裝的四極磁場係藉由防止主要電子到達該棒型陽極及被設置在該電弧放電室的該被橫側地設置的鄰接的側壁的內表面上而扮演一重要的操作角色；且藉由將電子重新導向遠離該棒型陽極並有效地將所有移動中的電子(主要電子及次要電子這兩者)侷限至該空穴體積的該四葉瓣式中央空間區來提供一磁性捕集作用。

由該被設置的棒型陽極所產生的磁場防護非常有效：在該等被捕集的電子損失一些能量之後，來自其它電子之大角度互斥彈性散射的機率將恨它們的速度成反比地上升；且該等被捕集的電子將更快地分享它們的能量並在該空間磁性陷阱的範圍內到達熱平衡。對於移動於該磁性陷阱的可識別的邊界內的電子來說，非彈性碰撞過程亦扮演一重要的角色。

此外，該增加的散射率允許少數該等移動中的電子擴散橫跨該等磁場線並實際上到達該棒型陽極。因此，被供應至該陽極的電子流極大部分地是由已被成功地 離子化為一種離子種類的電子所組成，加上從該等離子脫離出來的電子(它們已損失足以有效地擴散的能量)。該被觀察到的電流大於被產生的離子數量，但和該離子數量成比例。

可離子化氣體的引入

一預先選好的氣體經由該電弧放電室的該等實心壁上多個小孔或受控制的孔口被引入到該內部空穴體積內以進行離子化處理。由此被引到的氣體產生的離子流密度取決於本地的室壓力；且在一具備一開放的出口縫隙之非常長且窄的電弧放電室前壁中，藉由改變通過每一受控制的孔口的氣體流率來改變該室的空穴體積內的壓力是非常可能的。

因此，在從該電弧放電室被擷取的寬的幅寬尺度內的電流密度的均勻性可藉由調整通過每一孔洞路徑的氣體流速來加以調整。然而，氣體總流率將和所需要的總離子流有或多或少的固定關係。

產生在電弧放電室內的熱的移除

被輸送至該電弧放電室的功率可達到或超過每100mm的長度100Vx3A，這是每300mm的電弧放電室長度1kW加上額外的600W。因此，在一般的操作中，該電弧放電室可達到數百℃的熱，除非該室被主動式地冷卻。

從業人員可選擇讓該室變熱，或用冷水路徑主動地冷卻該室。但在本發明中，避免熱到達該等磁鐵永遠都是強制性的，因為如果溫度升高至該電弧放電室溫度的一部分時，永久磁鐵會喪失其磁性且電線圈喪失其電絕緣。

為此，一冷卻金屬殼層(envelope)必須是置在該電弧放電室結構和任何相鄰的周圍磁場產生軛次組件之間。有數種可能的方法來達成此目地，且三種具體的例子被包括在下文中。

擷取電極

一用於離子束擷取的傳統三極管擷取系統於圖4中示出(以及附圖的其它圖中)。關於某些能量及電流範圍等操作要求很高應用，譬如離子佈植，而言，使用四極管及擷取系統具有一些好處：該等電極在X方向上的長度必須超過該離子束幅寬尺度。

熱膨脹讓保持固定的離子束形狀很困難，且電極形狀上的小偏差會因為對於精確的尺度控制(將於下文中討論)的敏感度而在離子束發散度(divergence)上產生大改變。為了保持尺度穩定性，該電極堆可被安裝至在精確接地陶磁絕緣體上的該離子源的前方。

該等絕緣體被金屬杯充分地屏蔽以防至它們的表面被塗覆上導電膜，譬如經由不完美的離子束輸送被 來自該等電極的離子束濺射的導電膜。

每一擷取電極被作成兩個獨立的半部，每一半部被安裝在其自身的絕緣體陣列。該等電極係使用銷槽對準(pin-in-slot alignment)來對準分開的絕緣體，使得該電極之平行於該離子源槽的熱膨脹可被允許，且不會造成顯著的應力或鼓起。

Child Langmuir定理說的是，對於一平的離子發射表面而言，電流密度和其它參數的關係為：J=(4ε₀/9)(2q/M)^1/2V₁ ^3/2/g²其中J是電流密度，ε₀是自由空間的介電常數，q是在每一離子上的電荷，M是其質量，V是橫跨第一加速間距的電壓，及g是介於該離子發射表面和該第一擷取電極之間的間距。

此等式很難應用至一電漿擷取系統，因為該發射表面既不是平的也不在一固定的位置，離子被發射的電漿邊界隨著各種參數而移動，使得該發射表面是擬合參數(fitting parameter)，用來確保該等式是局部正確的。該電流密度亦必須符合在該電漿內的離子製造率。

因此，該離子束的發散度是該等式中的參數的一敏感的函數。如果可從該電漿獲得的該電流密度增加的話，則該電漿邊界將向前移動且最終會從該擷取孔洞或縫隙凸起。該等離子軌道在其最初的方向被此作用強烈地影響。

然而，一直以來幾乎為真的是，發散度最小 的離子束係被稍微內凹的電漿表面形成的，其將在該電流密度稍微低於用於一平面表面的該等式所要求的電流密度的時候形成。在最小發散度下來自一電漿離子源的實際電流密度係稍微小於該Child Langmuir定理在假設一平的電漿邊界時所給出的電流密度。一但一個操作電被明確地建立，其它即可被計算出來。該等式將具有下列的形式：I_max=Iw/g² V₁ ^3/2(4ε₀/9)(2q/M)^1/2其w是縫隙寬度，I是縫隙長度，及g是電極間距，其在實務上不可小於約1.5w，及該數值因素將因幾何形狀的問題而被修改。

如果該離子束流被升高的話，則橫跨該第一擷取間距的電壓必須被升高，用以滿足此等式的比例。該電極間距必須被選擇，使得該等事可在操作條件的範圍內被滿足。如果此範圍很寬的話，則建議使用四電極系統(四極管系統)來取代圖中所示的三極管系統。

對於非常低的離子束能源而言，該擷取電壓(橫跨該第一間距的電壓)，其為圖1的兩個電源供應器上的電壓的總和，可以是1至5kV，但該離子束然後在該第二間距被減速至低到50eV的最終能量。在這些條件下，該等電極間的精確的間距必須被確實控制及定製在特定的條件，且該等電極的形狀的最佳化則建議使用電腦程式碼，譬如OPERA/SCALA來實施。

B.主要電子捕集組件 產生磁場的軛次組件

一在X軸方向上具備均一的橫截面之分開的四極磁場被提供且透過一鄰接地設置之產生磁場的軛次組件而沿著該電漿室的長度尺度及X軸被安裝在該被建構的空穴體積內。

該開放式軛次組件使用至少三個，有時候四個或更多個極性交替之分開的磁極構造的多極陣列。這些磁極構造表現出交替的極性；且一連串地沿著一開放式支撐軛骨架被個別地設置在該骨架上。所得到的軛次組件可隨選地(on-demand)產生一可識別的四極磁場，且將提供一磁場，其有時候因一重要的六極構件的存在而被稍微地扭曲，用以在該離子束擷取的Z軸方向上被弱化。

應在此特別指出的是，一可完全地操作來隨選地產生一可識別的四極磁場之適合的軛次組件可以只使用一連串三個分開的磁極來製造，這些磁極彼此被分開地設置在一實質U形的軛骨架上。此外，使用三個、或四個、或數目更多之一連串極性交替之分開的磁極構造的各種不同的軛結構配置、陣列、及多極陳列可隨心所欲地被使用。

因此，對於這些替代的格式及設計的任何一種而言唯一的必要的要求是該開放式軛次組件功能上可以隨選地產生及安裝一可識別的四極磁場於該電弧放電室的該內部空穴體積內。

而且，必須被牢記於心的是，用於被擷取的 離子束之乾淨的且順暢的路徑的要求是，沒有磁極被設置成靠近或設置在該電弧放電室的前壁的前方。因此，任何可以產生明顯的四極磁場構件及弱的六極磁場構件的三個側邊的軛次組件都將符合及滿足該要求。

移動的電子的不同分類

離子化須要氣體原子和至少具有圖2所示的門檻值能量的充滿能量的電子碰撞。用於離子化的橫截面數值是在某些給定的條件下離子化的機率的測量值。此資料的一個來源被NIST公開。

對於不同的氣體而言，離子化的橫截面在電子能量約60至100eV(即，用於離子化的門檻值的4或5倍)時是最大的。因此之故，主要電子可有效地將該氣體離子化，但次要電子則否。該背景電漿具有1至2eV的電子溫度，且此等電子不能在原地作用於該等氣體分子上且不能將氣體分子離子化。

主要電子的捕集

完全地瞭解主要電子捕集的模式及方式是很重要的，其發生在該電弧放電室的該內空穴體積內。在該空穴空間內的電位的數值是大致上稍微正的電位，因為由陽極棒存在的關係；且因為一但電漿狀態在原地被建立，電漿會完全充滿至離內壁表面<1mm距離的室體積；且如已知的，該電漿傾向於達到一相對於該陽極是稍微正值的 平衡電位。

該四極磁場現被強加於此靜電場配置上：該等四極磁場線平行於Y-Z平面，但均一地沿著X軸方向延伸在該空穴體積的整個長度尺度上；且該磁場具有一零值，其沿著該空穴結構的大致中心線或中線，其延伸在該室的整個可測量的長度上(在圖11中以數字零或“0”所示的位置)，且在本文中其被稱為零值磁場軸。

延伸在該空穴體積的長度尺度上的該高度不均勻的四極磁場如所習知的地具有將該磁場的兩個相反的象限中移動中的帶電粒子朝向該零值軸線聚焦的作用，同時亦具有將兩個相反的象像中的帶電粒子散焦(defocusing)的作用。

有一大致上被朝向遠離該電漿的中心定向的弱電場朝向該電漿的外緣，且這傾向於將電子朝內加速。在某些地點，此電場和該等磁場線垂直(或接近垂直)；因此，該電子的旋輪線(cycloidal)運動將以一可測量的漂流速度(其可被數學地計算為V=E/B)被朝向該電弧放電室的一端推進。

在該磁場的交替的象現中，該漂流速度方向會逆轉。此逆轉的漂流速度傾向於提高主要電子分佈的混合及均勻度。不像ALPA離子源(其電子可獨立地漂流在一封閉的軌道內)，該等漂流的電子在該等電弧放電室壁隨機地被反射離開該等內壁表面。藉由模型化，吾人可知道它們的運動有些混亂且該等漂流的電子有很大的可能性 轉移至該被捕集的分佈的另一個區域，在該區域內它們可漂流於相反方向上。

被引入到此零值線上的一移動中的主要電子在該電漿被建立時遭遇實質的零電場或磁場，所以可自由地在該電弧放電室的整個長度上移動而不被偏斜；但在接近一連續的端壁的內表面時，它將被靜電地朝向該內空穴體積的中心反射、重新導向、及回返。因此，該陰極係永遠被設置成包圍該零值磁場軸。然而，一從該空穴體積的此中央零值線被偏離的移動中的電子將遭遇該四極磁場且被該磁極磁場偏斜。

因此，從該陰極被射出且遭遇該四極磁場的所有主要電子在該電弧放電室的該被侷限的空穴體積內將表現出下面的特徵：(α)該等主要電子被朝向該陽極棒及/或朝向被電子撞擊離子化形成在該電弧放電室內的電漿的中心加速；(β)該等主要電子不具有足夠的動能來到達該等電弧放電室之除了陽極棒之外的所有其它部分；(γ)該等主要電子被該四極磁場偏斜。根據它們在該磁場內的位置，它們可被偏斜朝向或遠離該零值磁場軸線。該些被偏斜離開該零值磁場軸線的主要電子以一比該陽極棒和該零強度磁場線之間的距離小很多倍的迴旋半徑被愈來愈快地偏斜，且引導進入不會和該陽極棒相交的旋輪線路徑及振盪路徑；(δ)該等主要電子在電場和磁場相交的區域內被強加 一在正X軸方向或負X軸方向上的運動[被稱為一大小為E/B的漂流速度]；(ε)該等主要電子被防止到達該等實心室壁，因為該等壁的靜電電位相對於該陰極的電位是負的；及()該等主要電子因為被困在一中央十字形區域內且被靜電及磁性侷限以及被軸向地導向的ExB漂流的組合沿著該空穴空間的該長度尺度均勻地分佈。

因此，在此實施例中，該磁場強度的量值將足以使得該等被散焦的電子被偏斜以運動於一旋輪線路徑中，且無法逃離該中央空間區域。該等場不具有足夠的強度來對較重的離子有顯著的影響，較重的離子因而可以自由地撞擊該等壁或經由該孔洞離開該電弧放電室。而且，該等象現被和該等磁場線共平面且通過該零值線的表面分隔開。

再者，如圖12所示，被困的主要電子的周邊及作用呈現一看得出來的非對稱形狀。此非對稱的形狀應用至該等運動中的電子上然後前進進入到該圖的平面內；該等運動中的電子然後從該平面出來，其變成被困在一具備鏡面影像不對稱的空穴空間區域內。

因為電子從該室的兩個連續的端壁的內表面被重復地反射許多次，所以許多該捕集體積整體的形態是對稱的；且包含該不對稱形狀的空間區域(如圖12所示)，它被疊置在它自己本身在對稱的中心X-Z平面內的反射上。

一進一步的考量是，這些電子移動路徑是高度迴旋的且成迴圈的；及在該電弧放電室內的X軸方向上每前進一公分該等電子將移動一約3公分的距離。此移動距離增加在該電弧放電室的長度尺度上的每一路徑上的離子化撞擊的機率。

磁尖點磁場電漿侷限沒有必要條件

在本文中亦被認知的是，磁尖點磁場電漿侷限已被使用此技術領域中許多年了；但在此例子中，吾人可降低對於高磁場的需求並同時藉由選擇不依賴用於電子反射的多極磁場的磁尖點來改善捕集能量。本發明之改良的離子源因此係根本上不同於傳統已知的構造[譬如被例示於K.N.Leung,Multicusp Ion Sources,Proc.5th.Int.Conf.Ion Sources,Beijing,1983,Rev.Sci.Inst.,65：1165(1984)中者]。

因此，與依賴尖點侷限相反地，本發明亦被配置成使得該磁場的每一弱的磁尖點亦在該電弧放電室的空穴體積內的最負的電位處的實心金屬壁重疊。以此方式，被該陰極射出且從該陰極流出的該等主要電子被靜電地困住，且該四極磁場要求的量值被顯著地減小。

被安裝的四極磁場

該主要電子捕集組件之被安裝的四極磁場(即使是有些被歪曲)將在X軸方向上在該電弧放電室的整個 直線的長度尺度上均勻地延伸在該室的內部空穴體積內。該可識別的四極磁場的真實範圍(extent)因而將直接隨著該電弧放電蝕的直線長度尺度改變；且當該電弧放電室的該預先選定的長度尺度從約80mm被任意地增加至大於3000mm時，在該電弧放電室的該內部空穴體積內的該被安頓的四極磁場的直線長度大小將相應地增加。因為該磁場方位的關係，此情況無需增加用於電線繞組線圈的安培匝數；或如果永久磁鐵被使用的話，則無需增加所使用的永久磁鐵的大小，而只需要增加在一直線陣列內的永久磁鐵的數量。

該被安裝且延伸在該電弧放電室的該空穴體積的有限的範圍內的該可識別的四極磁場有效率地作為磁通量線的空間屏障，其覆蓋並包圍該陽極電位(其具實體地出現作為長的長度的陽極棒)。它在磁尖點區域捕集電子並不是非常有效率；但在這些區域中，吾人選擇提供一負的靜電電位。

透過此配置及以此方式，磁場線的該被安裝的體積屏障結合該被選取的靜電壁電位一起作用且一起如一主要電子捕集器般地有效作用，將主要電子限制至該電弧放電室的該空穴體積的該有限的範圍內的一被界定的體積內。

由該主要電子捕集組件所產生且被安裝在該電弧放電室的該內部空穴體積內的該可識別的四極磁場將表現出及提供下面的特徵及特性： (i)該被安裝的四極磁場將均勻地沿著X軸方向延伸(即，延伸在該電弧放電室的長度尺度上)；(ii)該被安頓的四極磁場具有Y軸及Z軸方向的磁場分量，但沒有顯著的X軸分量；(iii)在Y-Z剖面圖式中，該被安裝的四極磁場具有零強度及一中央零值軸平行於該X軸，其延伸在該電弧放電室的整個長度尺度上並超過，且其被稱為零值磁場軸；(iv)該被安裝的四極磁場的磁場強度隨著從該中央零值軸到該電弧放電室的該等被橫側地設置的鄰接的側壁的距離的增加而連續地增加；(v)該被建立的四極磁場將造成一個別的高強度磁場，用以通過並沿著在該電弧放電室內的該空穴體積的內角落及邊緣處的至少兩個周邊空間區域；(vi)該被設置的四極磁場和任何與該電弧放電室的該被任意選取的長度尺度及X軸正交(即，垂直或成90度)的平面共平面且延伸於其上；及(vii)該被設置的四極磁場將不會產生或造成任何磁場或磁場分量來沿著或平行於該電弧放電室箱盒的該被任意選取的長度尺度及X軸。

C.被擷取的離子束

透過上述該被顯著地改良的離子源，使用者被提供一寬幅寬的離子束，其可被使用在數種不同的應用中。在每一種例子中，一帶狀的離子束流被產生，其具有 一可測量的幅寬尺度，其比寬度尺度至少大10倍，且較佳地比寬度尺度大30倍或更多，該被擷取的寬的離子束的幅寬尺度及寬度尺度和用於該離子束的移動的Z軸方向正交。

除了它的幅寬尺度範圍之外，該被擷取的離子束將提供數種特徵及特性，其可如所想要的或所需要地被事先選定。因此，該離子束流(其可從本發明的離子源被擷取成為一離子束)的一般特性將包括所有列於下面的表1中的因素及變數。

在這些一般的範圍內，用於離子佈植目地之高度偏好的數值組被提供於下面的表2中。

IV.本發明的第一功能性實施例

在此第一實施例中，該改良的離子源可產生一帶狀離子束，其具有200至2500mm的幅寬尺度，且離開該等擷取電極時的厚度約5mm，發散度為±2°，該離子束的幅寬及厚度尺度係垂直於該離子束的Z軸路徑及移動方向來測量的。

然而，由於它的典型操作格式同時在真空環境及大氣環境中，所以該改良的離子源的最低限度的構件亦將包括一分隔環境的、中介的分隔屏障，其結合該電弧放電室及該主要電子捕集組件的該產生磁場的軛次組件。

因此，在該改良的離子源的此一第一實施例中，一分隔環境的分隔屏障被用來分割、分隔及隔離該電弧放電室，然後被內納在高真空環境中；用以實體地分開該被相鄰地設置且圍繞該產生磁場的軛次組件，然後典型地被容納在周圍空氣環境中。

A.結構實體

在分別示於圖4、5及6的此第一實施例中，有兩個被小心地對準及結合在一起的主要的結構實體。它們是：(a)電弧放電室；及(b)主要電子捕集組件，其包含一介於中間的分隔屏障及一產生磁場的軛此組件。

該電弧放電室的結構：

該細長的電弧放電室1是一自行站力的且獨立的製造之物。該電弧放電室的外觀具有一矩形稜柱的形狀，該電弧放電室的內部設有一長的均一的空穴體積。該空穴體積的形態可具有圓角化的輪廓，或具有一不均一的突伸出的形狀。

如圖4及6中所見，該電弧放電室1是實質稜柱形態且具有一細長形之被圈圍的內部空穴體積10。該電弧放電室1是一被六個分開的實心壁封閉的箱盒結構：其包括一前壁3、一後壁8、兩個分開的被橫側地設置且被相對地設置之鄰接的側壁6a及6b、及兩個分開的被相對地設置之連續的且鄰接的端壁12a及12b(但在圖4及6的剖面圖中未示出)。

一單一的開放式狹縫或出口縫隙5(其替代性地可如一陣列的開放式狹縫或槽道般地出現)出現在該前壁3上且和一對擷取電極4a和40a及4b和40b對準，它們被個別地設置成離該前壁3的外表面一很短的距離。該前壁將非必要地包含且由兩個分開的半部構成。

此外，該電弧放電室的後壁8包含被鑽出來的通道9，如圖4中所示。此等通道係當作受控制的孔洞或門口(portal)，其可允許一可離子化的氣體或蒸汽隨意地引入到該空穴體積的內部。該等受控制的孔洞9提供該被引入的氣體或蒸汽在該電弧放電室的該空穴體積內一均勻的分佈。

在此第一實施例中，該電弧放電室被製造來緊貼地插入到一被機械加工在該真空壁的一部分的該底凸緣或底板上的凹部內。該電弧放電室的箱盒形狀可用互鎖的板子或耐火材料(如，石墨、鉬等等)來建造，如圖5a及6所示，且可被彈簧夾保持在定位。該電弧放電室的該等連續的且鄰接的側壁是封閉的板子，其具備有孔洞以允許陽極棒由其中穿過至外部固定夾。

該電弧放電室在操作性使用時將接受大量的功率，其外部被塑形，用以將表面接觸最小化，且其在操作時將達到數百度C。該真空壁必須被冷卻，且提供去除該熱的機構是很重要的，這在下文中說明。

該電弧放電室空穴典型地從前壁至後壁為32mm；側壁至側壁為32mm；且在X軸方向上可以是在約80mm至2000mm或更大的範圍內的任何長度，這是一個直接對應於該被擷取的離子束的幅寬尺度的尺度。

在該電弧放電室1的該有限的空穴體積10內有兩個分開的棒形陽極2a及2b。每一棒形陽極2a及2b個別地被設置成和該電弧放電室1的一個被橫側地設置的 鄰接的側壁6a或6b相鄰；其直線地沿著X軸延伸在該電弧放電室1的整個長度尺度上；且具實體地被設置在該空穴體積10的邊緣空間邊緣的周邊空間區域內，該周邊空間區域位在該等鄰接的側壁6a及6b的一者和後壁8之間。

同樣被設置在該電弧放電室1的該被限制的空穴體積10內的是一單一的熱電子陰極7。此陰極7被設置在該端壁12a的內面表面上。該陰極在此第一實施例中可例如用被纏繞成一小的迴圈之直徑0.090英吋的鎢棒製成；且可經由該電弧放電室的該端壁被安裝。

該主要電子捕集組件：

本發明的第二個主要的必要構件是該主要電子捕集組件。在此第一實施例中，該捕集組件包含兩個分開的結構體：一介於中間的分隔屏障；及一產生磁場的軛次組件。

該介於中間的分隔屏障

因為該電弧放電室在該產生磁場的軛次組件被常規地保持且被使用在一周圍空氣環境中的同時，它必須被操作性地被容納在一封閉的真空環境中(其被保持在範圍從約1Pa至約10⁴Pa的負的壓力)，所以一介於中間的分隔屏障60較佳地被用作為一用來將這兩個結構體定向且將他們對準的結構構件。

然而，在其最廣的應用中，該介於中間的分隔屏障可用作為多達三種不同的功能及目的。它們是：(i)作為一結構上的分隔件，其將一真空環境和一周圍空氣環境有效地分隔開；(ii)作為一結構上的機構，用來將該產生磁場的軛次組件定向及對準於一預先選定的固定距離及在該電弧放電室周圍的一包容的相鄰的配置中；(iii)作為一結構上的實體，其包含用來讓能夠吸收從該電弧放電室發出的熱的冷卻流體(譬如，水)流過並防止該熱到達該磁性軛及其它敏感的構件的通道。

該還境分隔屏障板60的一較佳的形式以剖面圖的形式分別被例示於圖4及6中；且它和電弧放電室1及該被鄰接地設置的軛次組件100這兩者的關係在這些例示圖中被最佳地顯示。

如在圖中所示，該被預先形成的屏障板60係當作一結構上的分隔器使用且如一具有實體的環境分隔隔板般地作用，其中該被預先形成的屏障板(a)是由固體物質構成，其係材料上適合保持其正面表面62於一真空環境中，而同時保持其反面表面66保持在一周圍空氣環境中；(b)提供一具有單一個空間凹部64的正面表面62，該凹部被建構來接受該電弧放電室1的該二個被橫測地設置且被相對地配置之鄰接地側壁6a及6b及該後壁8的外表面並將其保持在真空環境中；及 (c)同時提供一具有兩個大小預先設定的空間凹部68a及68b的反面表面66，該等凹部共同地塑形，用以將該產生磁場的軛次組件接納並保持在該真空環境中的一被適當地對準的位置及方位上。

該介於中間的分隔屏障60典型地被製造成一用鋁或其它高導熱材料製成之厚的板子或壁壘；兩個出現在該大氣側的被對準的空間凹部68a及68b(參見圖6)一個出現在該真空側之被對準的空間凹部64被個別地機械加工至該分隔屏障板內。

藉由此結構，該分隔屏障係用來將該被塑形的軛次組件定向、對準及保持；實體地作用來將分隔該分開的軛次組件，然後被發現在該空氣環境中在一離該電弧放電室一固定的被預先選定的距離處，然後被保持在一真空環境中；且同時亦如一熱屏蔽般地作用，其有效地將從該電弧放電室的內部發出的熱的大部分偏轉。

除了所有以上所述之外，在本發明的此第一實施例中，該介於中間的分隔屏障亦提供用來吸收及去除由該被鄰接地設置的電弧放電室輻射出的熱的結構上的機構，用以防止該熱傷害到包括密封件及該磁性電子捕集軛在內的構件。在此處，該特殊的目的是熱吸收而不是冷卻該電弧放電室。因此，介於該電弧放電室1和該分隔屏障60之間的接觸面積係藉由提供有限的接觸面積而被最小化。

尤其是，為了達到此特殊的目標及目的，多 個分開的水導管及通道61設置在該分隔屏障60的材料物質內。該等水導管、冷卻通道及流體內部連接的細節未被示於圖4及6中，但它們在傳統上是習知的且常被此領域中的從業人員使用。

因此，將被明確地認知及瞭解的是，設置在此第一實施例中的該介於中間的分隔屏障60有三個不同的功能及關鍵的目的，它們是：(i)該結構上的分隔屏障60係用來將該稜柱形電弧放電室定向、對準及適當地鄰接地設置在離該被鄰接地設置的產生磁場的軛次組件一固定的被預先選定的距離處；(ii)該結構上的分隔屏障60係用來將該稜柱形電弧放電室保持及維持在一真空環境中，同時將該產生磁場的軛次組件分隔且保持在一周圍空氣環境中；及(iii)該分隔屏障60係作為一具有實體的熱屏蔽，其護衛及保護該產生磁場的軛次組件(然後被設置在其反面表面及多個凹部上)以防止曝露於極端熱度下的削弱效應。

產生磁場的軛次組件的結構

該主要電子捕集組件的產生磁場的軛次組件100被示於圖5b中。該軛次組件100典型地被設置在該真空環境外面的空氣大氣中；且被容納在該分隔屏障60的反面上的空間凹部68a及68b內。此方位及對準允許該軛次組件的骨架鄰近地部分包圍該電弧放電室1的外表面 及外周邊且離一預設的距離，然後被容納在一真空環境中。

如分別在圖4、5b及6中所示，該軛次組件100在一預設的距離處鄰近地包圍該封閉式電弧放電室的三個分開的外表面和分開的實心壁；且同時沿著該電弧放電室的整個成度尺度延伸並伸展於其上。兩個分開的磁極115a及115b將設置成鄰近該電弧放電室的該被橫側地設置之鄰接的側壁6a及6b，它們實際上被插入到在該分隔屏障60(其在此例子中是該真空封圍壁的一部分)的相反側上的凹部68a及68b內。相似地，該第三個細長的磁極116被插入到在該分隔屏障60的反面上的空間凹部69內。

大致上，該產生磁場的軛次組件的配置及構造可包含纏繞的線圈或使用永久磁鐵作為磁極構造。然而，在圖5b所示的第一功能性實施例中，該軛次組件100包含一用鐵磁材料製成之實質U型的支撐骨架110，在其上依序串聯地設置三個細長的極性交替的鐵磁磁極102，115a及115b。

該單一預先形成的鐵磁磁極116的結構被示於圖5b中。它本質上是一用鐵磁材料或金屬合金製成之細長的實心軸、暗榫(dowel)，或棒；是一預先形成的細長物件，其不包括或提供任何線繞組或線圈此類；且其尺寸被作成和該電弧放電室的該直線長度尺度在可測量的距離上至少是有同樣的規模。

應指出的是，只有單一的鐵磁磁極116出現在該U型軛次組件100中；且在此例子中，該磁極116將永遠被設置在該軛次組件100的骨架的中間區段111上。因此，當U型軛次組件100被嵌入到該環境分隔屏障板60的反面表面內時，該磁極構造116將會位在該空間凹部64內且被設置成和該電弧放電室1的後壁8的外表面相鄰。

相較地，該二個被預先形成的鐵磁磁極115a及115b的每一者係用鐵磁材料製成；且一單一的連續的電線繞組或分開的長圓形的(obround)線圈105a及105b被橫貫地纏繞成一分別在該磁極115a及115b的軸向長度周圍的螺旋迴圈，用以將磁極及該組件100磁化。

每一長圓形線圈105a，105b典型地是用導電材料的連續的電線形成；是一被橫貫地設置的電線繞組，其被形成為一實質跑道形的螺旋環(whorl)；且看起來像是封閉的螺旋迴圈或長圓形線圈，其包含兩個平行的直線長度區段以及兩個分開的彎曲端，其中每一彎曲端彎繞180度。該支撐架及該被橫貫地設置的電線繞組線圈一起形成整個操作性的鐵磁磁極構造。

而且，每一長圓形線圈105a，105b每一者可用上了瓷漆的銅線纏繞而成且當被激勵(excited)時典型地將提供約300至800安培匝。每一線圈被一固定式電流之可程式的電源供應器充電。因此，如果每一長圓形線圈包含約50匝的話，則它可在0至20安培之間被操作。

每一分開的磁極構造115a及115b被個別地安裝在該U型軛骨架110的一個直立的臂區段103上；且它們將共同呈現一對被相對地定向的間隔開的鐵磁磁極，其被設置在該三側邊式軛骨架110的結構臂上。該兩個分開的鐵磁磁極構造115a及115b因而一起被用作為一前後排列的配對；該配對的每一鐵磁磁極構造115在該軛骨架110被鄰接地嵌設自該電弧放電室1的外表面及壁周圍時將被朝向該電弧放電室1的X軸的長度尺度定向並與之平行。

操作上地，被安裝在磁極115a及115b上的該二個長圓形的線圈105a及105b將產生各自的‘北’磁極於該軛骨架110的兩側；而被安裝在該軛骨架110的基部上的該單一的磁極102將在後方產生‘南’磁極；或反之亦可。該特定的磁場方向不會讓該二磁極115a及115b呈現相同的極性。

B.第一實施例的操作特性 產生一電漿：

一用於該電弧放電室之高真空環境被幫浦建立，如圖13a中所示。

該陰極細絲7藉由從一7.5V 200A的電源供應器通入高達200安培的電力而被加熱直到它發射出電子為止。該陰極細絲的負極側被連接至該電弧電源供應器的負極側，且亦被連接至該電弧放電室的該等實心壁；及一 40至120V的電壓被施加至該等陽極和該陰極細絲之間。

藉由安裝在該U型軛次組件的側磁極上的該兩個長圓形鐵磁線圈105a及105b通入約12A的電，該四極磁場被該軛次組件產生且被操作性地安裝於該電弧放電室的該空穴體積內。

氣體然後被引入到該電弧放電室的該空穴體積內，用以將該空穴的內部壓力升高至約1Pa，其中從該陰極細絲發射出的該等主要電子在原地將該氣體離子化並產生電漿。

擷取電極： 電位

整個離子源(即，該電弧放電室和該主要電子捕集組件)被一界定該電子束能量的電位[通常是在1至100kV的範圍內]施加一相對於地極的正值偏壓。

因此，在此第一實施例中，該等擷取電極40a及40b被連接至地極。電極4a及4b(其藉由施加至該等電極的電位及它們和該離子源之間的間距來控制該最初的電場)被-1至-5kV的一加速/減速電壓施加一相對該電極的負值偏壓。如圖4中所示，該間距係用於5keV最終離子束能量的最適化間距。從該電將流出的該等正離子被擷取且通過該出口縫隙5及介於該定電極之間的間距，且這些離子形成具有約±2度的發散度的離子束流。

調整(質量，能量，電流)

Child-Langmuir定理被用來預估產生一給定的電流所需要的電極間距。該電極間距g必須永遠顯著地大於該電極孔寬度，否則幾何效應係指在該孔洞的中心的電場將比該等式暗示性地假設的電場弱很多。使用一窄的縫隙擷取而不是一圓孔擷取的一個很強烈的原因是，該電極間距可被作得很小，同時長的縫隙可允許一大的發射面積。

藉由將該電極間距設定在一用於該所想要的電流密度之適合的距離，一電漿即被建立；且當該所想要的擷取電壓被施加時，一離子束即被擷取。該離子束的發散度可用數種方法來預估，例如被傳送通過一比該離子束窄的縫隙的離子流將在給出最小離子束發散度的條件或接近此條件時被最大化。該減速電壓可被調整，用以在極限值內將此電流最大化。

如果一大範圍的操作條件被預期的話，則該三極管擷取配置可用一四極管(4電極)配置來取代。橫跨該第一間距的電壓現可被自由地調整，用以將該離子束發散度最小化；但總電壓仍界定該能量。被施加至該第三個電極的該加速/減速電壓亦可配合該加速電壓被調整，用以給出該離子束通過該出口縫隙的最佳傳輸。

該被安裝的四極磁場

適當地瞭解在本發明的第一實施例中該四極 磁場被安裝在該電弧放電室的該空穴體積內的模式及方式是如何呈現及作用是很重要的。為此目的，圖10、11及12分別被提供。

如在圖中所件，圖10是該第一實施例的剖面圖，其顯示當磁通量線被產生且流入並通過該電弧放電室的內部空穴體積時，構成該被安裝的四極磁場的磁通量B的線。該等磁場線可被看出來係從N極到S極；而在朝向該出口縫隙時，該等磁場線則彎曲於相反方向上。該磁場零值發生在沒有磁場線通過的區域內。該陰極7被安裝，用以包圍該零值磁場線或與之交叉。

圖11是該第一實施例的剖面圖，其顯示該磁場輪廓線，其中磁場強度值係以高斯(Gauss)來測量。該磁場零值點被標示“0”；且如果該陰極被顯示於圖11中的話，將可看到它環繞通過此點的軸或與之交叉。該磁場可被看到在三個方向上被相當均一地上升；而在該出口縫隙的方向上該磁場在變平之前只上升20至40高斯之間。

圖12是第一實施例的一剖面圖，其顯示被該捕集組件產生在該電弧放電室的該內部空穴體積內用於主要電子限制的空間區域。藉由比較此空間區域的形狀和圖10的磁場線，可被看出來的是，該電子限制是因為該等主要電子無法顯著地跨越該等磁場線所造成的。同樣可從圖12看到的是，四個有限的區域，此區域看起來可到達該等壁。該靜電電位阻擋該等電子在這些點到達該等壁，但只有在1mm的最後一小段可以，其在該圖中是無法識 別的。

V.第二較佳實施例

在此第二較佳實施例中，有數個重大的改變存在且附屬於此實施例，其將此第二實施例和描述於上文中的第一實施例分開及區別開。

第一，本發明的所有必要的構件及操作性部件(即，該稜柱型電弧放電室以及該主要電子捕集組件的大部分)被設置在一負壓區域中且完全被包含在高真空環境內。此情形和描述於上文中的第一實施例顯著地不同之處在於該真空壁包含該磁鐵軛的一部分，且該主要電子捕集組件的磁鐵軛的所有作用表面是在真空中。

第二，該主要電子捕集組件的該產生磁場的軛次組件被建構成使用兩個設置在該骨架的直立臂區段上的永久磁鐵磁極構造。然而，再次地，有三個極性交替的磁極(分別為圖7a中的215a，215b及216)被朝向該電弧放電室設置，其以依序串聯的方式間隔開地設置在一開放式實質方形的支撐骨架上。

第三，位在該電弧放電室和該磁鐵軛之間的該水冷式分隔屏障是一簡單、小型的U型槽(trough)223，其包含水通道224，如圖7a所示。該電弧放電室包含兩個用耐火材料製成之相同的半部227，它們被保持在該槽內。

第四，圖8b例示一變化例，其中該電弧放電 室本身被冷卻，且可被作成兩個半部250a及250b，它們然後被固持在一起。

第五，該開放式軛此組件的磁性側壁221亦作為將該被冷卻的槽223或被冷卻的電弧放電室250a及250b夾在一起的結構性構件之用；且進一步提供給絕緣體290用的錨定點，其將會把分開的擷取電極4a及4b固持在定位，如圖8a及8b所示。

因此，雖然本發明基本上仍保持由相同的必要結構構件(即，該電弧放電室及該主要電子捕集組件)所組成，但和上文所描述的該第一實施例相比，在此第二實施例中仍有數項有意義的改變及可區別的修改。

當完全位在真空環境中時在主要電子捕集組件方面的顯著差異 1.在該介於中間的分隔屏障方面的差異

圖7a所示的第二實施例中，該介於中間的分隔屏障係一用鋁(或其它非磁性金屬或合金)製成的一件式殼體223。該分隔屏障殼體223包含多個封閉式的通道及導管224，以供冷水通過它；其正面表面上被塑形用以設置成和該電弧放電室1的分開的鄰接的側壁及後壁相鄰且在其周圍；且其反面表面被塑形，用以相對於一開放式實質方型的軛次組件200精確地定向、對準及嵌設，該軛次組件包含三個磁極215a，215b及216及兩個直線陣列的永久磁鐵222，其被設置在其開放式骨架的三個內表面 上。

在此第二較佳實施例中，該介於中間的分隔屏障板殼體具有兩個功能：(a)它鄰近地包圍及圍號該電弧放電室的三個分開的實心壁；及(b)作為一熱阻障物及熱屏蔽，其護衛及防護該用久磁鐵之產生磁場的軛次組件不受該電弧放電室釋出的高熱傷害。

2.在開放式軛次組件方面的差異

在此第二較佳實施例中，該軛次組件200的結構有顯著的不同，如圖7a及7b所示。三個細長的磁極再次被設置，其沿著該電弧放電室的長度延伸於x軸方向上，且被安裝在內表面上。兩個直線陣列的永久磁鐵225a，225b被配置成依序的串聯且被個別地設置在該實質方形的開放式骨架200的兩個直立臂區段210a，210b上。

在此第二較佳實施例中最明顯的是，該被塑形的軛次組件200提供一鐵磁底板211，其同時結合該方形的開放式軛骨架的一耐用的真空壁及底部的角色。一適合此鐵磁底板211的材料是430型不鏽鋼，它是有磁性的、抗腐蝕、且適合使用在真空環境中。

該軛骨架200的兩個直立臂區段210a，210b亦可用430型不鏽鋼製成，或更經濟地，可用電鍍的低碳鋼來製造。這些直立臂區段係用螺釘在90度的角度結構地接合至該平的底板211；且共同地形成該開放式方形軛 骨架。這些直立臂區段進一步用作為固持夾，用以將該被冷卻的屏蔽槽固持在一起。

在每一直立臂區段210a，210b(其取代第一實施例中用電線纏繞的長圓形線圈)上的是一分開的永久磁鐵構造，其包含一鐵磁磁極225及呈一直線陣列之多個永久磁鐵222；它們被相對立地設置在每一直立的臂區段上且如對齊的鐵磁磁極般串聯地作用。一第三鐵磁磁216典型地被附裝至該鐵磁底板220上，或者藉由機械加工而被包含在該基板內。雖然可以有額外的永久磁鐵被包含在其結構內，但如果磁鐵222a，222b已被作成適當的大小的話，則它可以在沒有額外的磁鐵之下被充分地充能。

這一組三個被磁化的磁極(其具有交替的極性)在該開放式軛骨架的三個內表面上彼此被分隔開來且一起構成該開放式軛次組件200；且該軛次組件可隨選地產生及將裝一可識別的四極磁場於該電弧放電室內的該內部空穴體積的有限範圍內。該被安裝的四極磁場將具有和上文中所描述的第一實施例相同的被扭曲的四極磁場形狀；但它的磁場強度無法被即時地調整。然而，該被產生的磁性強度可藉由添加至該直線陣列或從該直線陣列減少(相同數量的)永久磁鐵222a及222b來在原地予以調整。

該第二實施例的電弧放電室的結構上的修改 熱的電弧放電室 如圖7b所示的第二較佳實施例，(用耐火材 料，譬如石墨，製成之)該電弧放電室較佳地是藉由將兩個對稱的半部227接合在一起來製造；且其尺寸被小心地製造，用以和該熱屏障的中心壁內的屏蔽槽殼體相嵌合。該電弧放電室被兩個旋入式固持件(screw-in retainer)226固定及固持，該等固持件將每一個電弧放電室半部227抵靠著該屏蔽板殼體所結構性地代表及提供的該熱屏障的一穩定面表面固持在定位。在該電弧放電室的前壁上的該出口縫隙5的邊界因而由兩件分開的耐火導電材料界定；且此種建構該電弧放電室的方法可確保該出口縫隙在該電弧放電室被大幅地增加的長度尺度上的穩定性，而無需依賴只在兩個半部的端部將兩個半部連接起來的一脆弱很多的結構。 冷的電弧放電室選項

圖8b顯示一冷的電弧放電室的另一種格式。此另一種格式取代用於上文所述之具備一較簡單之具有內在及外在皆相同(或實質近似)的2件式水冷的電弧放電室的該熱屏蔽/屏障板殼體；但提供在原地被產生的電漿冷的室壁，即使是在數kW的功率下操作的時候亦然。

在此另一種格式中，該稜柱型的電弧放電室的出口縫隙5再次如上文所述地是藉由將該電弧放電室的兩個分開的半部250a及250b接合在一起來形成。分開的端板12a及12b被附裝，用以將該電弧放電室的端部封閉；且之前所述的，這兩個室半部每一者接包含用於陽極 及可能地用於將被固定於外部的陰極的孔洞。

結構簡化及有效的冷卻

這些修改的部分分解圖被示於圖7b(熱的電弧放電室)及圖8b(冷的電弧放電室)中。如圖中所見，冷卻水的導管及通道作用在該開放式軛次組件的該磁性基板上且顯著地加至該分隔屏障殼體所提供的該熱屏蔽。該磁性底板部分211和該熱屏蔽/屏障板殼體223(或冷的電弧放電室250)具有一大的直接接觸面積且o形密封件被設置在此共用的區域內；且在兩個部件上的凹部允許水的通道和在此區域內的該二部件緊密地接觸(亦參見圖8b)。

因此，藉由這些使用最少數量的構件的機構，從業人員可提供一強健且耐用的真空壁；用於該電弧放電室的一被冷卻的屏障殼體；透過用於電連接線、冷卻水接頭、及氣體接頭的饋通孔來提供用於所有其它想要的特徵的結構性安裝件；一讓該軛次組件能夠產生一四極磁場於該電弧放電室的該空穴體積內的對準的基礎；及一穩固的結構支撐件，用來適當地將該等擷取電極安裝於該電弧放電室的該出口縫隙上(如在圖8a及8b中所詳細顯示)。

VI.第三替代實施例

在此第三替代實施例中，有數種獨一無二的結構上的差異，它們讓此實施例可和上文所描述的第一及 第二實施例有實質的區別。因此，雖然本發明本質上保持是由兩個相同的結構構件(即，該電弧放電室及該主要電子捕集組件)所組成，但在此第三替代實施例中仍有數項有義意的改變及差別。

尤其是，該第三替代實施例提供以下所列的改變：該改良的離子源的整體(包括該電弧放電室及該主要電子捕集組件)完全地被設置在真空環境中。

該介於中間的分隔屏障包含用來設置該二分開的、中斷的磁性軛的凹部。因此，該產生磁場的軛次組件係被設置成緊鄰該電弧放電室，但被一高導電性金屬壁(譬如，鋁)將其和該電弧放電室分隔開，該壁再次地包含用於冷卻流體的通道。

分開式軛骨架

在許多被預期的使用環境中，產生一可識別的四極磁場是極為想要的，該磁場被安裝在該電弧放電室的該空穴體積內的位置及邊界可從上文中描述的第一及第二實施例的磁場方位及對準位置被旋轉45度。再次地分別注意圖10，11及12，它們顯示本發明的第一實施例的該被安裝的四磁場的磁通量線。

因此，為了要達到該被安裝在該電弧放電室的該內部空穴體積內的四極磁場的所想要的45度旋轉改變，兩個被相近似地建構的分開式軛骨架區段被一起使用 結合成該產生磁場的軛次組件，其中每一軛骨架區段被個別設置成一不對稱的圖案緊鄰該電弧放電室的外表面及實心壁，如圖9所示。

‘不對稱(anti-symmetric)’在此處被適當地使用是因為‘對稱’一詞將暗示兩個軛區段係以具有相同極性被安裝；然而，將該次組件內的一個軛骨架區段的極性顛倒(交替)是必要的。

因此，如圖9中所見，一分隔屏障結構360是用鋁合金或其它高導電性金屬製成，且將該環境與真空分隔開。該分隔屏障包含冷媒通道361，及三個分開的空穴空間368a，368b及364於真空側上。

嵌入到該分隔屏障360內的是兩個分開的分開式軛骨架區段304a及304b。這兩個骨架區段已被分開製造；且當被安裝在(非磁性的)分隔屏障360內時，它們將共同構成及形成該完整的開放式軛次組件300。每一分開式軛區段304a及304b包含一對突伸出的鐵磁磁極325N及325S，它們彼此係被一直線陣列的永久磁鐵連接起來。

如圖9所例示，在一個磁極構造304a內的一個被磁化的磁極325N被有目的地置於該凹部368a的內表面上，且被個別地設置成和該電弧放電室301的前壁相鄰地對準且被嵌設成與之緊鄰；而磁極325S則被個別地設置成和該電弧放電室301的後壁相鄰地對準且被嵌設成與之緊鄰。另一個被相對立設置的磁極構造304b被顛倒， 且磁極325N和該電弧放電室1的後壁對準且被嵌設成與之緊鄰。極性被適當地顛倒，如圖9中所示。

因此，當被適當地放置在該分隔屏障360內時，該等磁極構造304a及304b將環抱凹部364，其為該電弧放電室301最終將被置於其內之被準備的空間；且該四個被串聯地排成陣列環繞該電弧放電室301的分開的磁極係以‘N-S-N-S’極性交替方式被設置；且一可識別的四極磁場被產生且被安裝於該電弧放電室301的該內部空穴體積310內，當和第一及第二實施例提供的磁場方位相比較時，該被安裝的四極磁場的方位接著被旋轉約45度。

電弧放電室的結構上改變

在此第三替代實施例中，將陽極棒(或多根陽極棒)的設置重新安排是必要的，因為這些陽極必須讓磁通量線通過它們和該被安裝的四極磁場內的中央零值位置之間。

因此，如圖9所示，一被置於中央的陽極棒302(其現在被設置成更靠近該電弧放電室的該實心的後壁)係用作為結構上足夠的重新安置。如果想要的話，額外的陽極棒亦可被設置在到達該電弧放電室的每一被對立地設置的比鄰的側壁的大致半途處。許多其它類似的陽極棒重新配置已被評估過且可被建造，其係可適當地操作且可使用。

雖然在圖9中被示為一矩形稜柱狀的構造， 但該電弧放電室整個內部形態可以是圓柱形的。此一圓柱形的電弧放電室將讓該等室壁的點更靠近中心點；這接著可減小其內將發生離子化的該空穴體積。

然而，圖9中所示的該矩形稜柱形狀允許且事實上是促進一簡單很多的第三替代實施例。因此，在此例子中，一供該二個分開的軛區段304a及304b用的支撐凸緣360被提供，該等軛區段和基部360構成完整的軛次組件300。該支撐凸緣360是一用彈性材料製成的板子或平的軸環結構；且將包括多個冷卻水導管及通路311。

第三替代實施例的特殊應用

在此第三替代實施例中，離開該電弧放電室的該開孔的離子係垂直於該四極磁場線移動；且該被安裝的磁場將有效地阻擋快速電子離開該電弧放電室。因此之故，此替代實施例作為未被加速的冷電漿的輔助來源係極有價值，例如，在用另一來源實施離子束處理期間作為用來控制表面充電及該環境中的電位的電漿橋。

VII.本發明整體的操作變數，參數及其它考量 溫度變動考量

藉由加熱該陰極以及加熱該電漿而被輸送至該電弧放電室的功率可達數千瓦。電弧電流可以是在40V至120V下每公尺的電弧放電室長度50A；其取決於該電弧放電室箱盒的尺度大小，一相當大的功率量可被儲存 (deposit)。

當某些離子種類被產生時，該電弧放電室的後壁及兩個相鄰的側壁變熱是所想要的。例如，對於可靠地使用砷或磷氣體而言，溫度大於400℃是所想要的，用以防止它們凝結。該等電弧放電室壁可用石墨、鎢、或鉬或其它耐火金屬製成，且可達到1000℃。此熱必須在不將該開放式軛次組件的該等電線繞組線圈或永久磁鐵過度加熱之下予以移除，因此，一重新進入式(re-entrant)結構基部或一插入中間的鋁製槽形熱屏蔽(其包含內部的水通道)被去來移除該熱並將該電弧放電盒和該軛形的磁極配置隔開來。

對於其它種類(如，氧及氬)而言，具有冷的室壁會是所想要的。用鋁或其它金屬來製造該電弧放電室亦是可能的，水通道被包含在該室內來保持該室冷卻。在每一種例子中，水冷式金屬壁被插設在該電弧放電和該磁性軛之間來保持該磁性軛冷卻。

該電弧放電室的內部構造

該電弧放電室箱盒的內部構造通常是矩形、或圓柱形、或一混合形，其係部分圓柱形但具有包圍該等陽極棒的凹部。例如，圖4所示的構造具有一內部形狀，其包含在圖的上半部的一半的圓柱形，及在圖的下半部的一半的方形，且該等陽極棒佔據靠近在此圖的下半部的兩個角落的空間。

影響此形狀的因素為：將截面面積最小化、允許陽極棒被磁通量線屏蔽而和近零磁場隔開、及允許磁通量線在其曲率作得到的地方和室壁幾乎平行，因為如上文所述地，這可提高該等電子的ExB漂流速度並提升均勻的離子化。其它為了方便、補強、尺度穩定性、或易於製造之微小的形狀變化是可預見的。

離子束輸出的控制

有效地產生某些種類的離子會需要高達120eV的電子能量；在其它例子中，較低的能量是較佳的。陽極電壓控制此能量。

被產生的離子被成功地擷取的比例絕大部分係取決於該出口狹縫的寬度對該電弧放電室的周長的比例，其約為3%。當離子撞到該電弧放電室的牆壁時，有很高的機率會被中和掉；且許多離子種類將會汽化並回返至該離子化區域。因此，有很高的百分比的該被供應的氣體最終會變成被離子化的離子束，雖然每一離子已經歷此循環三十次或更多次。

對於某些離子種類而言(例如，來自BF₃的硼離子)該來源氣體是一氟化物分子，且在這些例子中，使用氟化物氣體可藉由將被沉積的未被有效地利用的離子從室壁上蝕刻掉並將它們送回至排放口來改善輸出。調整該氣體流可改變不同離子種類的比例。

離子的產生速率是由主要電子的電流、被引 入到該電弧放電室內的氣體的流率、電弧電壓(其決定主要電子能量)、及在一些例子中的還有諸如最大磁場強度及壁溫度等其它因素來決定。該離子源輸出係藉由在一封閉式的控制迴路中比較一所想的參數和一參考訊號以產生一被用來調整供應至該熱電子陰極的電力來予以調節。

一開始，此控制迴路可調整該陰極的電力以輸送一特定的電流，但所想要的是，當一離子束被輸送時，即調節總離子束電流。當該控制迴落維持一固定的離束電流時，在該等電極上的電壓可以很方便地被調整，用以將離子束發散度最小化，且該氣體流可被調整，例如用以將該真空系統內的壓力最小化，同時保持穩定的離子束製造，或將該離子束中的一特定的離子種類的產量最佳化。

離子束形成

離子種類從該離子源擷取以形成一離子束這是傳統的方式，且其典型地使用一加速/減速電極結構來防止電子的回流(back-streaming)。該離子源相對於地極被正電壓地偏壓例如20000V以產生一20keV的離子束。

該改良的離子源組件能夠在施加至該電弧放電室之相對於地極的電位所決定的能量下產生數百毫安培的離子。該離子束是一相當均勻的帶狀流，它的幅寬尺度(及該電弧放電室的Y軸尺度)只由該電弧放電室之被任意選定的長度尺度決定且只受其侷限；且其大小經常是1至 2公尺或更大。該離子束寬度(及該出口狹縫的X軸尺度)窄很多，其典型地只有2至3mm且其發散度約為±2°，假設該等擷取電極的光學(optics)被良好地設計。

氣體物質的引入

該預先選定的氣體物質較佳地係透過使用數個被均勻地散佈之被鑽設的入口孔而被引入到該電弧放電室的該內部空穴體積內。這些入口孔是被設計及設置來避免在該空穴的中央離子化部分內有太大的壓力變動的開口。

氣體流較佳地是用市面上可獲得的質量流控制器來測量及控制，其流率典型地在每20至100mm的入口孔長度1sccm的範圍內。氣體流分佈的微調校正在該離子束電流量變曲線(profile)的不均勻性。

陰極材料的變化

該陰極材料最佳地是鎢或鎢合金。因為被使用在該電弧放電室內的該內部空間體積內的氣體的關係，其它化學成分及材料具有一相對短的使用壽命。直接或間接被加熱的陰極可被使用，如現今此技術領域中所習知的。

較佳的電位

整個離子源較佳地被偏壓於一正的電位，其 界定最終的離子能量，使得正的離子將從該電弧放電室的該狹縫被朝向地極電位被加速。

對於多數用途而言，其使用的是包含該電弧放電室的出口狹縫加上兩個額外的電極(每一電極包含兩個相連接的半部)的三極電極配置，其包括一被負值地偏壓的電極，其被用來抑制電子回流，如此技術領域中所習知的且如圖2中所示。添加一額外的電極於該電弧放電室和該被負值地偏壓的電極之間可允許一較寬範圍的控制，而無需使用可動態地活動的電極。使用活動的電極是很常見的，但正如吾人所擔心地，其所引起的精確度及熱膨脹問題對於大型系統而言是難以克服的。

VIII.第一、第二及第三實施例的特殊特徵及特性的總結

最明顯地，在每一例子及實施例中，該改良的離子源提供下面的特徵及特性：

1.可以沒有沿著該電弧放電室的主要直線長度的方向或軸線的磁場分量。相反地，重要的是，任何被產生的磁場或電場必須和一正交於(即，垂直地或成90度角度地延伸)該電弧放電室的該主要軸線長度尺度(及X軸)的平面或軸線共平面。對於此關鍵的要件沒有例外可以超出很小的意外的變化及在端部的終止細節；對於該改良的離子源的每一實施例而言，在不考慮任何其它的特徵之下，這是一不能違反的規定。

2.該被安裝的磁場的截面必須具有多極的輪 廓，其具有一條位在該電弧放電室的出口縫隙後方一段短的距離的零磁場的線。該磁場強度應隨著離開此零值磁場軸線的距離增加而或多或少地增加，但所想要的是，它在該被擷取的離子束的方向上保持相對弱的磁場強度。滿足此要求的最佳磁場輪廓是一具有很小的六極輪廓混合物(其可只用三個磁極來產生)的四極磁場。四極磁場需要的是，相對立的磁極是相同類型(如，北極對北極)。

3.一多側邊開放型的軛次組件被用來滿足主要電子捕集組件的關鍵要求。結構上地，為了此目的，至少三個分開的鐵磁磁極被個別地設置在一開放式軛骨架內且彼此分隔開，其為一被建構的結構配置，其將被嵌設至且相鄰地圍繞該電弧放電室的該實心後壁的外表面及可測量的周邊以及被相對地設置的鄰接側壁。該開放型軛次組件並沒有伸入到該電弧放電室的前壁上該離子束被擷取的空間內。該等磁極必須和X軸平行及該電弧放電室的長度尺度。

4.該陽極或該等陽極是和X軸對準的棒，其延伸於該電弧放電室的整個長度尺度上。該等陽極被設置在磁通量線彎繞於它們周圍且將它們與該磁場的強度是零值的區域分隔開來的地方。

5.為了要在使用相對小且便宜的磁場強度的同時強化捕集來自該陰極的主要電子，該電子捕集組件及該等陽極被定向，使得該四個磁場尖點和電弧放電室表面交會，該等室表面是在熱電子陰極的電位或相對於熱電子陰 極是負的電位。

IX.離子佈植系統的代表及示範例

一使用本發明的改良式離子源且緊密地耦合至一適合處理第8代平板顯示器之新的分析磁鐵的離子佈植系統的代表及示範例於下文中被詳細的描述。

用於數種不同應用的平板顯示器包含一層被沉積在一玻璃基板上的低溫多晶矽膜中的電晶體，用來控制在每一畫素中的光線發射及透射。該等基板可以是非常大。該等俗稱的第8代顯示器須要離子佈植至尺寸約2.2公尺×2.5公尺的分離的平板中。為了摻雜這些在此等平板內的電晶體，需要使用離子能量在15至80keV的範圍內的高及低電流的磷及硼粒子的離子束。離子束電流被預期是每公分的離子束長度1至4mA；且較高的電流值將提高產率。而且，該離子束必須被質量分析，用以去除掉不想要的污染物，譬如來自磷化氫的磷，及氟/來自氟化物的硼。

顯然地，質量分析寬幅的帶狀離子束是很困難的，因為教科書中教導的傳統的扇形磁鐵方式隱含地假設介於磁極之間的間距距離在可測量的尺寸上比其它尺度小很多。然而，如果該離子束幅寬尺度的尺寸現在是>2.2公尺的話，則該磁極間距距離必需至少一樣大，且另一磁鐵尺度的尺寸將變成不可能地大。

傳統上被認知的是，有數項改良被達成，其 包括Aoki、White、及Glavish等入所達成的改良。然而，雖然所有這些改良已讓相當幅寬的離子束的分析變成可能，但它們全部仍然遵守及按照基本的比例定律(scaling law)，其假設所有下列事項：(a)用來製造一給定的磁場的安培匝數和磁極間距成正比；(b)磁鐵的重量和該磁極間距大致成正比；及(c)所不想要的散射場(fringe field)及像差的程度係隨著磁極間距變大而變大。

然而，用傳統的雙極磁鐵來額外磁性分析一任意長的尺度、大幅寬離子束是很困難的，且所需的設備非常的大且取得很昂貴。相反地，一可操作的且實用的離子純化系統必需使用一被獨特地建構的磁性分析裝置，在此分析裝置中，被產生的磁場只完全被侷限及限制至y-z平面。

一種結合本發明的改良式離子源組件和被鄰接地設置之用來產生只被侷限於該y-z平面且所有磁場及電場都實質地共平面於一單一平面(其包括該離子束的移動的輸入及輸出方向)的磁性分析設備的新穎且未被預見的系統整體而言是本發明的一息息相關的延伸及直接擴展。因此，此一離子束純化系統及方法被認為是一個整體的部分且被適當地界定於本發明的真實範圍內。

此一被獨特地建構的磁性分析設備被詳細地描述於共同繫屬中的專利申請案中；且如該系統的一構件 般地被示於圖13a中。

如圖所示，圖13a例示此一完整且可操作的離子束純化系統及離子束純化方法。該被例示的圖式包括真空室壁的草圖。應指出的是，用於該改良式離子源的該軛式次組件的磁極配置的結構以及該磁性分析設備的電線線圈這兩者可被安裝在空氣氛圍中。此一能夠置於空氣環境中的能力讓製造大幅簡化且有效維修持續時間更長。

圖13b顯示在一和通過此系統的軌道正交的方向上的投影，其示出該等離子所經歷的複雜的三維度軌道。進一步的資訊可參見該故同被提申的申請案。

該被例示的離子佈植系統的線性覆蓋區尺度是多數傳統系統的1/3，重量是傳統系統的1/20，且具有提供更大產出量的能力。

本發明在形式上不受侷限且在範圍上亦不受限，而是由隨附的申請專利範圍來界定。

Claims (14)

1. 一種用來製造帶狀離子束的改良的離子源組件，該帶狀離子束具備一尺寸在約80mm至約3000mm或更大的範圍內之被任意選定的幅寬尺度，該離子束的幅寬尺度及厚度尺度係垂直於用於該離子束的移動的Z軸方向，該改良的離子源組件包含一電弧放電室(1)，其適合用來將一氣體物質離子化成為電漿狀態，該電弧放電室包括：(i)一封閉式箱盒結構，其包括一分開的實心前壁(3)，其提供至少一供離子束離開的出口縫隙(5)、一分開的實心後壁(8)、至少兩個側向地設置且相對地放置之實心的鄰接的側壁(6a，6b)、兩個分開的實心的且被相對地設置的連續的端壁(12a，12b)、及一體積和形態可決定的空穴體積(10)，其中該封閉式箱盒提供一沿著Y軸延伸之預定的寬度尺度、一沿著Z軸延伸之設定好的深度尺度、及一任意選定之固定的長度尺度，其沿著X軸延伸且其可測量的尺寸可變化於約80mm至約3000mm或更大，具有一實心頂壁，(ii)至少一可辨別的棒形陽極(2a，2b)，其被設置在該封閉式箱盒的一被側向地設置的鄰接的側壁(6a，6b)的內面表面上，該棒形陽極係實質地平行於且延伸在該封閉式箱盒的該空穴體積(10)內在該鄰接的側壁在X軸方向的長度尺度上，且被一相對於該封閉式箱盒的該等實心壁的正電位施加偏壓，(iii)至少一熱電子陰極(7)，其被設置在該封閉式箱盒 的該空穴體積(10)內，每一個該陰極端子能夠隨選地射出一束移動的主要電子流且具有一電位值，其類似於該封閉式箱盒的該等實心壁的電位值，(iv)一受控制的孔口(9)，用來將一氣體物質導入到該封閉式箱盒的該空穴體積(10)中，(v)至少一擷取電極(4a，4b，40a，40b)，其被設置在鄰接該封閉式箱盒的該前壁(3)的該出口縫隙(5)的外部，每一個該擷取電極隨選地作用，用以將一流動的帶電離子流從該封閉式箱盒的該空穴體積(10)擷取出來作為一帶狀離子束，及(vi)一被設置在遠端的電源，其具有一電連接至該棒形陽極(2a，2b)的正端子及一電連接至該熱電子陰極(7)的負端子；及一操作性的主要電子捕集組件，其可隨選地產生並安裝至少一可識別的四極磁場於該電弧放電室(1)的該空穴體積(10)中，該主要電子捕集組件包含：一產生磁場的軛次組件(100)，其可隨選地產生並安裝一高強度的多極磁場於該電弧放電室(11)的該空穴體積(10)內，其中該產生磁場的軛次組件(α)是一形狀被預先形成的配件，其可和該電弧放電室(1)內的該封閉式箱盒的該實心後壁(8)及該等被相對地設置的鄰接的側壁(6a，6b)的外表面對準且和它們相鄰地設置以包圍它們，(β)可產生並安裝一可識別的多極磁場於該電弧放電 室(1)的該空穴體積(10)內，其中該被安裝的多極磁場具有一支配性的(dominant)四極分量，其具備一沿著該空穴體積的大致中心線的零值，且該被安裝的多極磁場係實質平行於該封閉式箱盒的X軸，及其中該被安裝的多極磁場沿著該封閉式箱盒的該固定的長度尺度是實質均勻的且提供一磁通量，其垂直於該電弧放電室(1)的X軸且在該電弧放電室的X-Z平面內是對稱的，(γ)提供一高強度之被安裝的多極磁場於該封閉式箱盒的該空穴體積(10)內，其被建構成使得該棒形陽極(2a，2b)被浸沒於磁通量線內且被它們包圍，該等磁通量線在每一被設置的棒形陽極彎曲且繞過它，該等彎曲的磁通量線有效地阻擋運動於該空穴體積(10)內的該等主要電子到達每一個被設置的棒形陽極(2a，2b)，及一尺度及形態被固定之預先形成的分隔屏障(60)，其至少當作和該電弧放電室(1)相鄰的該產生磁場的軛次組件(100)的一適當的定向及對準配件使用，其中該預先形成的分隔屏障(60)(a)提供一正面表面(62)，其具有一尺寸預先設定的空間凹部(64)，其在尺寸上足以接受該電弧放電室(1)的外實心壁並將其容納於一既有的環境內，及(b)提供一反面表面(66)，其具有多個尺寸預先設定的空間凹部(68a，68b)，其輪廓被建造來在一被適當地對準 的位置及方位接受該產生磁場的軛次組件(100)並將其容納在一既有的環境中。
2. 如申請專利範圍第1項之改良的離子源組件，其中一介於該熱電子陰極(7)和該電弧放電室(1)之間的電連接造成該熱電子陰極具有一相對於該電弧放電室(1)的電位為小的正值的電位。
3. 如申請專利範圍第1項之改良的離子源組件，其中該產生磁場的軛次組件(100)進一步包含一用鐵磁材料製成之被塑形的支撐用開放式骨架，三個細長的極性交替的鐵磁性磁極(115a，115b，116)以連續串連的方式被設置在該骨架上。
4. 如申請專利範圍第1項之改良的離子源組件，其中該產生磁場的軛次組件(100)進一步包含一用鐵磁材料製成之被塑形的支撐用開放式骨架，四個細長的極性交替的鐵磁性磁極(115a，115b)以連續串連的方式被設置在該骨架上。
5. 如申請專利範圍第3項之改良的離子源組件，其中該等被設置的鐵磁性磁極(115a，115b)中的兩個鐵磁性磁極被個別地建造成繞組線圈(105a，105b)及第三個該被設置的鐵磁性磁極被建造成一細長的鐵磁軸。
6. 如申請專利範圍第3或4項之改良的離子源組件，其中每一個該等被設置的鐵磁性磁極(115a，115b)都是用永久磁鐵材料製成的。
7. 如申請專利範圍第1項之改良的離子源組件，其中 該預先形成的分隔屏障(60)進一步包含多個分開的運水導管及冷卻通道(61)。
8. 如申請專利範圍第1項之改良的離子源組件，其中該預先形成的分隔屏障(60)是由至少一吸熱金屬成分製成的。
9. 如申請專利範圍第1項之改良的離子源組件，其中供離子束離開的該出口縫隙(5)是一單一的平行邊緣式狹縫。
10. 如申請專利範圍第1項之改良的離子源組件，其中每一個該等擷取電極(4a，4b，40a，40b)都包含一單一的平行邊緣式狹縫。
11. 如申請專利範圍第1項之改良的離子源組件，其中每一個該等熱電子陰極(7)都是一用鎢絲製成的細絲、或是一用鎢製成的塊體，其被切割成相互交叉的圖案且被電流直接加熱、或是一用鎢製成的塊體，其被來自一位在該電弧放電室(1)外面的來源的電子撞擊間接地加熱。
12. 如申請專利範圍第1項之改良的離子源組件，其更包含一擷取電極陣列，其係選自於由三極管電極陣列及四極管電極陣列所組成的群組。
13. 如申請專利範圍第12項之改良的離子源組件，其中在該電弧放電室(1)中的該出口縫隙(5)包括一第一擷取電極，且每一後續的電極都被製造成兩個類似的半部(halves)，及其中所有在該離子束的一側的電極半部係被安裝在一 疊絕緣體上且被附裝至該離子源，及其中所有在該離子束的另一側的電極半部係被安裝在一疊類似的絕緣體上且被附裝至該離子源，藉此確保電極邊緣在該帶狀離子束之均勻性的整個X軸長度都保持被對準及平行。
14. 如申請專利範圍第1項之改良的離子源組件，其中將被離子化的該氣體或蒸汽在沿著該電弧放電室的X軸及長度尺度的多個孔口被導入，且通過每一該等孔口的個別的氣體流被調整以回應在每一孔口的離子束下游的諸點的離子束流密度的測量值，藉此允許所得到的離子束之均勻性被調整，且不均勻性被最小化。