KR940006083A - 내식성 자성막 및 그것을 사용한 자기 헤드 - Google Patents

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Abstract

자기 디스크 장치, 디지탈 VTR등에 사용되는 자기 헤드 및 그러한 자기 헤드에 사용되는 코어 재료에 적합한 내식성 자성막 및 그것을 사용한 자기 헤드로서, 자성막에 센더스트 합금의 내식성과 같은 우수한 내식성, 낮은 자기 변형 및 센더스트 합금이상의 포화 자속 밀도를 마련하고, 그러한 강자성막을 자기 헤드 코더의 적어도 일부로서 사용하여 얻는 자기 헤드를 마련하기 위해, M이 Hf,Zr,Ta,Nb,W,Ti,Mo 및 V로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 원소이고, N이 Cr, Rh 및 Ru로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 원소이고, R이 적어도 하나의 희토류 원소이고, 전체가 100원자%일때 상기 M이 0.5∼20원자%의 농도로 포함되고, 상기 N이 0.5∼12원자%의 농노로 포함되고, C가 2.0∼20원자%의 농도로 포함되고, 상기 R이 0.5∼10원자%의 농도로 포함되는 FeMNC-R의 합금으로 이루어진 내식성 강자성막을 마련한다.
이러한 내식성 자성막 및 그것을 사용한 자기 헤드에 의해, 기록 재생 출력이 우수하고 또한 내식성도 우수한 자기 헤드를 얻을 수 있다.

Description

내식성 자성막 및 그것을 사용한 자기 헤드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. FeMNC-R의 합금으로 이루어진 내식성 강자성막. 단, MHf,Zr,Ta,Nb,W,Ti,Mo 및 V로 이루어진군에서 선택된 적어도 하나의 원소이고, N이 Cr, Rh및 Ru로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 원소이고, R이 적어도 하나의 희토류 원소이며, 전체가 100원자%일때, 상기 M은 0.5~20원자%의 농도로 포함되고, 상기 N은 0.5~12원자%의 농도로 포함되고, C가 2.0~20원자%의 농도로 포함되고, 상기 R은 0.5~10원자%의 농도로 포함됨.
  2. 제1항에 있어서, 상기 FeMNC-R의 합금은 15원자% 이하의 농도로 Co 또는 Ni를 또 포함하는 강자성막.
  3. 제1항또는 제2항에 있어서, 상기 희토류 원소는 Ce,Pr,Nd,Sm,Tb,Dy 및 Gd로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 원소인 강자성막.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 원소 N은 0.5~1.4원자%의 농도로 포함되는 강자성막.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 강기 원소 N은 10.1~20원자%의 농도로 포함되고, 상기 원소 N은 1.5~12원자%의 농도로 포함되는 강자성막.
  6. 제1항또는 제2항에 있어서, 상기 원소 M은 Hf,Zr,Ta,Nb 및 W로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 원소이고 0.5~10원자%의 농도로 포함되고, 사이 원소 N은 1.5~12원자%로 포함되고, 상기 원소 C는 2.0~14원자%의 농도로 포함되고, 상기 원소 R은 0.5~7원자%의 농도로 포함되는 강자성막.
  7. 제1항의 내식성 강자성막을 자기 헤드 코어의 적어도 일부로서 사용하여 얻은 자기 헤드.
  8. 제2항의 내식성 강자성막을 자기 헤드 코어의 적어도 일부로서 사용하여 얻은 자기 헤드.
  9. 제3항의 내식성 강자성막을 자기 헤드 코어의 적어도 일부로서 사용하여 얻은 자기 헤드.
  10. 제5항의 내식성 강자성막을 자기 헤드 코어의 적어도 일부로서 사용하여 얻은 자기 헤드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930014013A 1992-08-03 1993-07-23 내식성 자성막 및 그것을 사용한 자기헤드 KR970011188B1 (ko)

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