KR950021832A - 인공격자막 및 이것을 사용한 자기저항효과소자 - Google Patents

인공격자막 및 이것을 사용한 자기저항효과소자 Download PDF

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KR950021832A
KR950021832A KR1019940034298A KR19940034298A KR950021832A KR 950021832 A KR950021832 A KR 950021832A KR 1019940034298 A KR1019940034298 A KR 1019940034298A KR 19940034298 A KR19940034298 A KR 19940034298A KR 950021832 A KR950021832 A KR 950021832A
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magnetoresistive element
same
artificial lattice
lattice film
artificial grid
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히로시 가노
아쓰꼬 스즈끼
기요시 가가와
아끼히꼬 오까베
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오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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    • H10N50/85—Magnetic active materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

높은 MR비를 나타내고, 또한 보자력(保磁力)이 억제된 인공격자막 및 이것을 사용한 자기저항효과소자를 제공한다.
Cu를 1~50원자%함유하고, 또한 Fe, Ni, Co에서 선택되는 최소한 1종을 함유하는 자성층과 도체층이 교호로 적층되어 인공격자막을 된다. 또, 이 인공격자막이 비자성기판상에 형성되어 자기저항효과소자를 구성한다.
본 발명을 적용하면, 자기헤드나 자기센서용으로서 우수한 특성을 가진 자기 저항효과소자를 얻을 수 있다.

Description

인공격자막 및 이것을 사용한 자기저항효과소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 자기저항효과소자의 구조를 나타낸 모식적 단면도.
제2도는 본 발명의 자기저항효과소자의 제조에 사용하는 스퍼터장치의 구성을 모식적 단면도.
제3도는 자성층에 있어서의 Cu의 함유량과 MR비와의 관계를 나타낸 특성도.
제4도는 자성층에 있어서의 Cu의 함유량과 보자력 Hc과의 관계를 나타낸 특성도.

Claims (2)

  1. 자성층과 도체층이 교호로 적층되어 이루어지는 인공격자막에 있어서, 상기 자성층은 Cu를 1~50원자%함유하고, 또한 Fe, Co, Ni, 에서 선택되는 최소한 1종을 함유하는 것임을 특징으로 하는 인공격자막.
  2. 제1항 기재의 인공격자막이 비자성기판상에 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기저항효과소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940034298A 1993-12-27 1994-12-15 인공격자막 및 이것을 사용한 자기저항효과소자 KR950021832A (ko)

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JP93-329,317 1993-12-27
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EP0660341A1 (en) 1995-06-28
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