RU2004115753A - Магниторезистивная слоистая система и чувствительный элемент на основе такой слоистой системы - Google Patents

Магниторезистивная слоистая система и чувствительный элемент на основе такой слоистой системы Download PDF

Info

Publication number
RU2004115753A
RU2004115753A RU2004115753/28A RU2004115753A RU2004115753A RU 2004115753 A RU2004115753 A RU 2004115753A RU 2004115753/28 A RU2004115753/28 A RU 2004115753/28A RU 2004115753 A RU2004115753 A RU 2004115753A RU 2004115753 A RU2004115753 A RU 2004115753A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layered system
magnetoresistive
layer
magnetic material
alloy
Prior art date
Application number
RU2004115753/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2316783C2 (ru
Inventor
Хенрик ЗИГЛЕ (DE)
Хенрик ЗИГЛЕ
Майк РАБЕ (DE)
Майк РАБЕ
Ульрих МАЙ (DE)
Ульрих МАЙ
Original Assignee
Роберт Бош ГмбХ (DE)
Роберт Бош Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE10256246A external-priority patent/DE10256246A1/de
Application filed by Роберт Бош ГмбХ (DE), Роберт Бош Гмбх filed Critical Роберт Бош ГмбХ (DE)
Publication of RU2004115753A publication Critical patent/RU2004115753A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2316783C2 publication Critical patent/RU2316783C2/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Claims (9)

1. Магниторезистивная слоистая система, у которой рядом с магниторезистивной многослойной структурой (14), работа которой основана прежде всего на гигантском магниторезистивном эффекте или на анизотропном магниторезистивном эффекте, предусмотрена слоистая структура (15), которая создает магнитное поле, действующее на магниторезистивную многослойную структуру (14), и которая имеет по меньшей мере один слой (12) из магнитотвердого материала и один слой (13) из магнитомягкого материала.
2. Магниторезистивная слоистая система по п.1, отличающаяся тем, что между слоем (12) из магнитотвердого материала и слоем (13) из магнитомягкого материала имеется ферромагнитная обменная связь.
3. Магниторезистивная слоистая система по п.1 или 2, отличающаяся тем, что слоистая структура (15) расположена на многослойной структуре (14) и/или под ней и/или рядом с ней.
4. Магниторезистивная слоистая система по п.1 или 2, отличающаяся тем, что слоистая структура (15) имеет несколько слоев (13) из магнитомягкого материала и слоев (12) из магнитотвердого материала, которые компонуются прежде всего парами, каждую из которых составляют слой (12) из магнитотвердого материала и соседний с ним слой (13) из магнитомягкого материала.
5. Магниторезистивная слоистая система по п.1 или 2, отличающаяся тем, что слой (13) из магнитомягкого материала выполнен из сплава Co-Fe, из Со, из Fe, из Ni, из сплава Fe-Ni или из содержащих эти материалы магнитных сплавов.
6. Магниторезистивная слоистая система по п.1 или 2, отличающаяся тем, что толщина слоя (13) из магнитомягкого материала составляет от 1 до 50 нм, прежде всего от 1 до 10 нм.
7. Магниторезистивная слоистая система по п.1 или 2, отличающаяся тем, что слой (12) из магнитотвердого материала выполнен из сплава Co-Cr-Pt, из сплава Co-Sm, из сплава Со-Cr, из сплава Со-Cr-Та, из сплава Co-Pt или из сплава Fe-Pt.
8. Магниторезистивная слоистая система по п.1 или 2, отличающаяся тем, что толщина слоя (13) магнитотвердого материала составляет от 20 до 100 нм.
9. Чувствительный элемент, прежде всего для определения напряженности и/или направления магнитных полей, имеющий магниторезистивную слоистую систему (5) по одному из предыдущих пунктов.
RU2004115753/28A 2002-07-26 2003-06-26 Магниторезистивная слоистая система и чувствительный элемент на основе такой слоистой системы RU2316783C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10234349.7 2002-07-26
DE10234349 2002-07-26
DE10256246.6 2002-12-02
DE10256246A DE10256246A1 (de) 2002-07-26 2002-12-02 Magnetoresistives Schichtsystem und Sensorelement mit diesem Schichtsystem

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004115753A true RU2004115753A (ru) 2006-01-10
RU2316783C2 RU2316783C2 (ru) 2008-02-10

Family

ID=31889085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004115753/28A RU2316783C2 (ru) 2002-07-26 2003-06-26 Магниторезистивная слоистая система и чувствительный элемент на основе такой слоистой системы

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7498805B2 (ru)
EP (1) EP1527351A1 (ru)
JP (1) JP2005534198A (ru)
CN (1) CN100504425C (ru)
AU (1) AU2003250761B2 (ru)
RU (1) RU2316783C2 (ru)
WO (1) WO2004017085A1 (ru)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100452471C (zh) * 2005-09-27 2009-01-14 中国科学院物理研究所 一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法
US8486545B2 (en) * 2005-09-28 2013-07-16 Southwest Research Institute Systems and methods for flaw detection and monitoring at elevated temperatures with wireless communication using surface embedded, monolithically integrated, thin-film, magnetically actuated sensors, and methods for fabricating the sensors
CN101775644B (zh) * 2010-02-10 2012-10-03 中国科学技术大学 具有各向异性磁阻效应的锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用
US8761987B2 (en) * 2010-10-05 2014-06-24 Checkpoint Llc Automatic guided vehicle sensor system and method of using same
RU2483393C1 (ru) * 2011-10-27 2013-05-27 Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН Магниторезистивный преобразователь
RU2607672C1 (ru) * 2015-08-14 2017-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "ЭНЕРГОКОМСЕРВИС" (ООО "ЭКС") Индикатор воздействия магнитным полем
KR102451098B1 (ko) 2015-09-23 2022-10-05 삼성전자주식회사 자기 메모리 장치 및 이의 제조 방법
CN113884956B (zh) * 2020-07-02 2024-01-19 华润微电子控股有限公司 锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器及其制造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2648942B1 (fr) 1989-06-27 1995-08-11 Thomson Csf Capteur a effet magnetoresistif
JP2856856B2 (ja) * 1990-07-25 1999-02-10 東芝タンガロイ株式会社 仕上げ用のエンドミル
US5206590A (en) 1990-12-11 1993-04-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
DE4243358A1 (de) * 1992-12-21 1994-06-23 Siemens Ag Magnetowiderstands-Sensor mit künstlichem Antiferromagneten und Verfahren zu seiner Herstellung
TW265440B (ru) * 1993-04-30 1995-12-11 Ibm
JPH06318515A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Hitachi Ltd 磁気抵抗素子およびその製造方法並びに磁気ヘッドおよび磁気記録装置
JPH0766033A (ja) * 1993-08-30 1995-03-10 Mitsubishi Electric Corp 磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ
US5841611A (en) * 1994-05-02 1998-11-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect type head, memory device, and amplifying device using the same
JP3990751B2 (ja) * 1995-07-25 2007-10-17 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
JPH09282612A (ja) * 1996-04-09 1997-10-31 Hitachi Metals Ltd 磁気抵抗効果型ヘッド
US6690553B2 (en) * 1996-08-26 2004-02-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect device, magnetic head therewith, magnetic recording/reproducing head, and magnetic storing apparatus
US6144534A (en) 1997-03-18 2000-11-07 Seagate Technology Llc Laminated hard magnet in MR sensor
JP3253556B2 (ja) 1997-05-07 2002-02-04 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
JP3234814B2 (ja) * 1998-06-30 2001-12-04 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
US6452204B1 (en) * 1998-12-08 2002-09-17 Nec Corporation Tunneling magnetoresistance transducer and method for manufacturing the same
DE19949713C2 (de) * 1999-10-15 2001-08-16 Bosch Gmbh Robert Magnetoresistives Schichtsystem
JP2001176028A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP2001312803A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法
US20020076579A1 (en) * 2000-10-27 2002-06-20 Showa Denko Kabushiki Kaisha Magnetic recording medium, production process thereof, magnetic recording and reproducing apparatus, and medium substrate
DE10128135A1 (de) 2001-06-09 2002-12-19 Bosch Gmbh Robert Magnetoresistive Schichtanordnung und Gradiometer mit einer derartigen Schichtanordnung
US7248446B2 (en) * 2001-11-27 2007-07-24 Seagate Technology Llc Magnetoresistive element using an organic nonmagnetic layer

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003250761A1 (en) 2004-03-03
CN1623100A (zh) 2005-06-01
CN100504425C (zh) 2009-06-24
JP2005534198A (ja) 2005-11-10
US20050270022A1 (en) 2005-12-08
AU2003250761B2 (en) 2008-07-24
RU2316783C2 (ru) 2008-02-10
EP1527351A1 (de) 2005-05-04
US7498805B2 (en) 2009-03-03
WO2004017085A1 (de) 2004-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3180027B2 (ja) スピン・バルブ磁気抵抗センサと、このセンサを使用した磁気記録システム
EP0687917B2 (en) Spin valve magnetoresistive sensor with self-pinned laminated layer and magnetic recording system using the sensor.
EP0498344B1 (en) Magnetoresistance effect element
EP0863406B1 (en) Magnetoresistive sensor
US7601443B2 (en) Perpendicular magnetic recording media with laminated soft magnetic underlayer
KR960011854A (ko) 자기저항효과 박막 및 그 제조방법
JPH0766033A (ja) 磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ
US6331773B1 (en) Pinned synthetic anti-ferromagnet with oxidation protection layer
WO2002039511A1 (fr) Element a effet de magnetoresistance et tete magnetique de type a effet de magnetoresistance
US20030011948A1 (en) Spin-valve thin film magnetic element and thin film magnetic head
JP2001014616A (ja) 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法
RU2004115753A (ru) Магниторезистивная слоистая система и чувствительный элемент на основе такой слоистой системы
JP2001118217A (ja) スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法
US7099122B2 (en) Spin polarization enhancement artificial magnet
JPH07296340A (ja) 磁気抵抗効果素子およびその素子を使用した薄膜磁気ヘッド
KR970003289A (ko) 거대 자기저항소자 및 그 제조방법
KR950021832A (ko) 인공격자막 및 이것을 사용한 자기저항효과소자
JP3653442B2 (ja) 磁気メモリおよびその記録方法
JP2002133614A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6735056B2 (en) Electron device composed of laminated layers with a region between two of the layers composed of metal or metal alloy selected to be a combination of materials from which the layers are made with a cover film over end faces of the layers
JP2003249700A5 (ru)
KR100363462B1 (ko) 스핀밸브형 자기저항 효과소자와 그 제조방법
JP2008299995A (ja) 磁気再生素子
JPH0779034A (ja) 磁気抵抗効果素子
JP3264600B2 (ja) 磁気抵抗効果素子用多層膜および磁性層の磁化の調整方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140627