JP2961914B2 - 磁気抵抗効果材料およびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果材料およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気媒体より信号を読み
とるための磁気抵抗効果材料に関するものである。
とるための磁気抵抗効果材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗
センサ−（以下ＭＲセンサ−という）、磁気抵抗ヘッド
（以下ＭＲヘッドという）の開発が進められており、磁
性体には主にNi0.8Fe0.2のパ−マロイが用いられてい
る。ただしこの材料の場合は抵抗変化率（以下ΔＲ／Ｒ
と記す）が2.5％程度であり、より高感度な磁気抵抗素
子をうるにはよりΔＲ／Ｒの大きなものが求められて来
た。
センサ−（以下ＭＲセンサ−という）、磁気抵抗ヘッド
（以下ＭＲヘッドという）の開発が進められており、磁
性体には主にNi0.8Fe0.2のパ−マロイが用いられてい
る。ただしこの材料の場合は抵抗変化率（以下ΔＲ／Ｒ
と記す）が2.5％程度であり、より高感度な磁気抵抗素
子をうるにはよりΔＲ／Ｒの大きなものが求められて来
た。
【０００３】近年[Fe/Cr]人工格子膜で大きな磁気抵抗
効果が起きることが発見された（Physical Review Lett
er Vol.61, p2472, 1988）が、この材料の場合は十数kO
e以上の大きな磁界を印加しないと大きなΔＲ／Ｒが得
られず、実用性に難点があった。
効果が起きることが発見された（Physical Review Lett
er Vol.61, p2472, 1988）が、この材料の場合は十数kO
e以上の大きな磁界を印加しないと大きなΔＲ／Ｒが得
られず、実用性に難点があった。
【０００４】また、超高真空蒸着装置を用いNi0.8Fe0.2
(30Å)／Cu(50Å)／Co(30Å)／Cu(50Å)×１５層の人工
格子膜でΔＲ／Ｒが約10％(3kOeの磁界を印加)の抵抗変
化が観測された報告がある。（１９９０年秋 応用物理
学会 予稿）しかしながら、膜を製作するのに高価な超
高真空蒸着装置が必要なことと、やはり3kOe程度の大き
な磁界を印加しないと大きなΔＲ／Ｒが得られない。
(30Å)／Cu(50Å)／Co(30Å)／Cu(50Å)×１５層の人工
格子膜でΔＲ／Ｒが約10％(3kOeの磁界を印加)の抵抗変
化が観測された報告がある。（１９９０年秋 応用物理
学会 予稿）しかしながら、膜を製作するのに高価な超
高真空蒸着装置が必要なことと、やはり3kOe程度の大き
な磁界を印加しないと大きなΔＲ／Ｒが得られない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決し、実用性のある低磁界でより大きなΔＲ／Ｒを
示す磁気抵抗素子を可能とするものである。
を解決し、実用性のある低磁界でより大きなΔＲ／Ｒを
示す磁気抵抗素子を可能とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明の磁気抵抗効果材料は以下の構成とする。す
なわち、スパッタ装置を用いてCoを主成分とし厚さが10
〜100Åの第一の磁性薄膜層とNiXFeYCoZを主成分とし厚
さが10〜100Åの第二の磁性薄膜層とをCuを主成分とし
厚さが10〜35Åの金属非磁性薄膜層を介して交互に積層
して磁気抵抗効果材料を構成する。（ただしX、Y、Zは
それぞれ、0.6≦X≦0.9、0＜Y≦0.3、0.01≦Z≦0.3）
めに本発明の磁気抵抗効果材料は以下の構成とする。す
なわち、スパッタ装置を用いてCoを主成分とし厚さが10
〜100Åの第一の磁性薄膜層とNiXFeYCoZを主成分とし厚
さが10〜100Åの第二の磁性薄膜層とをCuを主成分とし
厚さが10〜35Åの金属非磁性薄膜層を介して交互に積層
して磁気抵抗効果材料を構成する。（ただしX、Y、Zは
それぞれ、0.6≦X≦0.9、0＜Y≦0.3、0.01≦Z≦0.3）
【０００７】ここでX、Y、Zはそれぞれ、0.6≦X≦0.9、
0≦Y≦0.3、0.01≦Z≦0.3である。
0≦Y≦0.3、0.01≦Z≦0.3である。
【０００８】
【作用】（図１）において、磁性薄膜層１と磁性薄膜層
３は保磁力が異なりかつ金属非磁性薄膜層２によって分
離されているため、（図１ｂ）に示したように弱い磁界
が印加されると軟磁性の磁性薄膜層３のスピンがまずそ
の方向に回転し、半硬質磁性の磁性薄膜層１のスピンは
まだ反転しない状態が生ずる。従ってこの時磁性薄膜層
１と磁性薄膜層３のスピン配列が互いに逆方向となり伝
導電子のスピン散乱が極大となって大きな磁気抵抗を示
す。更に（図１ｃ）に示したように印加磁界を強くする
と磁性薄膜層１のスピンも反転し磁性薄膜層３と磁性薄
膜層１のスピン配列は平行となり伝導電子のスピン散乱
が小さくなり磁気抵抗は減少する。この様にして大きな
ΔＲ／Ｒが得られる訳であるが、金属非磁性薄膜層２が
無いと磁性薄膜層１と磁性薄膜層３は磁気的にカップリ
ングしてしまい（図１ｂ）のような状態が実現できない
ため大きな磁気抵抗効果は得られない。磁性膜層３は軟
磁性を示すこととNi-Fe膜より磁気抵抗効果の大きなこ
とが望ましく、これは磁性膜層３にNi-Fe-Coを用いるこ
とにより可能となり膜全体のΔＲ／Ｒが向上される。
３は保磁力が異なりかつ金属非磁性薄膜層２によって分
離されているため、（図１ｂ）に示したように弱い磁界
が印加されると軟磁性の磁性薄膜層３のスピンがまずそ
の方向に回転し、半硬質磁性の磁性薄膜層１のスピンは
まだ反転しない状態が生ずる。従ってこの時磁性薄膜層
１と磁性薄膜層３のスピン配列が互いに逆方向となり伝
導電子のスピン散乱が極大となって大きな磁気抵抗を示
す。更に（図１ｃ）に示したように印加磁界を強くする
と磁性薄膜層１のスピンも反転し磁性薄膜層３と磁性薄
膜層１のスピン配列は平行となり伝導電子のスピン散乱
が小さくなり磁気抵抗は減少する。この様にして大きな
ΔＲ／Ｒが得られる訳であるが、金属非磁性薄膜層２が
無いと磁性薄膜層１と磁性薄膜層３は磁気的にカップリ
ングしてしまい（図１ｂ）のような状態が実現できない
ため大きな磁気抵抗効果は得られない。磁性膜層３は軟
磁性を示すこととNi-Fe膜より磁気抵抗効果の大きなこ
とが望ましく、これは磁性膜層３にNi-Fe-Coを用いるこ
とにより可能となり膜全体のΔＲ／Ｒが向上される。
【０００９】
【実施例】磁性薄膜層１はCoを主成分とするもので、半
硬質磁性を示す。
硬質磁性を示す。
【００１０】磁性薄膜層３のNi-richのNi-Fe-Co系合金
はその組成比はNiXFe Y CoZを主成分とし、X、Y、Zはそれ
ぞれ原子組成比で、0.6≦X≦0.9、0≦Y≦0.3、0≦Z≦0.
3を満足する組成領域で磁歪が小さく軟磁性を示し、よ
り好ましくは0.6≦X≦0.9、0＜Y≦0.25、0＜Z≦0.25で
ある。又磁気抵抗効果を考慮すると、Ni-Fe系よりもNi-
Fe-Co系の方が膜全体としてのΔＲ／Ｒが大きくなり0.0
1≦Zとする必要がある。これらの条件を満足する代表的
なものはNi0.8Fe0.15Co0.05である。又更に軟磁性を改
良したり耐摩耗性及び耐食性を改良するためにNb,Mo,C
r,W,Ru等を添加しても良い。これら磁性薄膜層はその厚
さが10Å未満ではキュリ−温度の低下による室温での磁
化の低減等が問題となり、又実用上磁気抵抗素子は全膜
厚が数百Åで用いられるため、本発明のように積層効果
を利用するには各磁性薄膜層を少なくとも100Å以下に
する必要がある。従ってこれら磁性薄膜層の厚さは10〜
100Åとすることが望ましい。
はその組成比はNiXFe Y CoZを主成分とし、X、Y、Zはそれ
ぞれ原子組成比で、0.6≦X≦0.9、0≦Y≦0.3、0≦Z≦0.
3を満足する組成領域で磁歪が小さく軟磁性を示し、よ
り好ましくは0.6≦X≦0.9、0＜Y≦0.25、0＜Z≦0.25で
ある。又磁気抵抗効果を考慮すると、Ni-Fe系よりもNi-
Fe-Co系の方が膜全体としてのΔＲ／Ｒが大きくなり0.0
1≦Zとする必要がある。これらの条件を満足する代表的
なものはNi0.8Fe0.15Co0.05である。又更に軟磁性を改
良したり耐摩耗性及び耐食性を改良するためにNb,Mo,C
r,W,Ru等を添加しても良い。これら磁性薄膜層はその厚
さが10Å未満ではキュリ−温度の低下による室温での磁
化の低減等が問題となり、又実用上磁気抵抗素子は全膜
厚が数百Åで用いられるため、本発明のように積層効果
を利用するには各磁性薄膜層を少なくとも100Å以下に
する必要がある。従ってこれら磁性薄膜層の厚さは10〜
100Åとすることが望ましい。
【００１１】これらの磁性薄膜の間に介在させる金属薄
膜はNi-Fe-Co系磁性薄膜と界面での反応が少なくかつ非
磁性であることが必要で、Cuが適している。このCu層の
厚さは20Åぐらいが最適で、10Å未満では２種類の磁性
薄膜層が磁気的にカップリングをして（図１ｂ）のよう
に保磁力の異なる磁性薄膜層１と３のスピンが反平行と
なる状態の実現が困難となる。又理由はさだかでないが
以下に述べる（実施例１）の（図２）のようにΔＲ／Ｒ
の値はCu層の厚さによって（ＲＫＫＹ的な）振動を示
し、35Åを越えると極大の第２ピ−クを越えて磁気抵抗
効果が低減し、極大の第１ピ−クまでを利用する場合は
Cu層の厚さは25Å以下とすることがより望ましい。
膜はNi-Fe-Co系磁性薄膜と界面での反応が少なくかつ非
磁性であることが必要で、Cuが適している。このCu層の
厚さは20Åぐらいが最適で、10Å未満では２種類の磁性
薄膜層が磁気的にカップリングをして（図１ｂ）のよう
に保磁力の異なる磁性薄膜層１と３のスピンが反平行と
なる状態の実現が困難となる。又理由はさだかでないが
以下に述べる（実施例１）の（図２）のようにΔＲ／Ｒ
の値はCu層の厚さによって（ＲＫＫＹ的な）振動を示
し、35Åを越えると極大の第２ピ−クを越えて磁気抵抗
効果が低減し、極大の第１ピ−クまでを利用する場合は
Cu層の厚さは25Å以下とすることがより望ましい。
【００１２】以下具体的な実施例により本発明の効果の
説明を行う。 （実施例１）多元ＲＦスパッタ装置を用いて、タ−ゲッ
トとして、Co、Cu、Ni0.8Fe0.15Co0 .05を用いスパッタ
装置内部を2×10-7Torrに排気した後、Arガスを導入して
8×10 -3Torrとし、スパッタ法により順次以下に示した
構成の磁気抵抗素子をガラス基板上に作製した。
説明を行う。 （実施例１）多元ＲＦスパッタ装置を用いて、タ−ゲッ
トとして、Co、Cu、Ni0.8Fe0.15Co0 .05を用いスパッタ
装置内部を2×10-7Torrに排気した後、Arガスを導入して
8×10 -3Torrとし、スパッタ法により順次以下に示した
構成の磁気抵抗素子をガラス基板上に作製した。
【００１３】 [Co(30)/Cu(0〜50)/NiFeCo(30)/Cu(0〜50)] （( )内は厚さ(Å)を表わす）、又各膜厚はスパッタ時
間とシャッタ−により制御し、総厚約0.2μmの膜を作製
した。
間とシャッタ−により制御し、総厚約0.2μmの膜を作製
した。
【００１４】得られた磁気抵抗材料の特性を（図２）に
示した。なお、ΔＲ／Ｒは３００Oeの印加磁界にて測定
した。（図２）より明らかなように、ΔＲ／Ｒの極大値
はCu層が20Å付近に存在し、次に第２の極大値はCu層が
30Å付近に存在し、更に第３の極大値はCu層が40Å付近
に存在していることが分かった。従って最大のΔＲ／Ｒ
を得ようとすると、Cu層が20Å付近が最適となる。
示した。なお、ΔＲ／Ｒは３００Oeの印加磁界にて測定
した。（図２）より明らかなように、ΔＲ／Ｒの極大値
はCu層が20Å付近に存在し、次に第２の極大値はCu層が
30Å付近に存在し、更に第３の極大値はCu層が40Å付近
に存在していることが分かった。従って最大のΔＲ／Ｒ
を得ようとすると、Cu層が20Å付近が最適となる。
【００１５】（実施例２）ＲＦスパッタ装置を用いて、
タ−ゲットとして、Co、Cu、Ni0.8Fe0.15Co0.05を用いC
u層の厚さを一定とし磁性層の厚さを変えた膜をスパッ
タ法により（実施例１）と同様に作製した。
タ−ゲットとして、Co、Cu、Ni0.8Fe0.15Co0.05を用いC
u層の厚さを一定とし磁性層の厚さを変えた膜をスパッ
タ法により（実施例１）と同様に作製した。
【００１６】得られた膜の特性を（表１）に示した。
【００１７】
【表１】
【００１８】なお、参考までにNo.Bと同じ構成で、Ni
0.8Fe0.15Co0.05の代わりに従来材料であるNi0.8Fe0.2
を使用した試料のΔＲ／Ｒは8.8%であり、又Ni0.8Fe
0.19Co0.01を使用した試料のΔＲ／Ｒは12%であったこ
とより、より大きなΔＲ／Ｒを得る観点からもCoが不可
欠である。
0.8Fe0.15Co0.05の代わりに従来材料であるNi0.8Fe0.2
を使用した試料のΔＲ／Ｒは8.8%であり、又Ni0.8Fe
0.19Co0.01を使用した試料のΔＲ／Ｒは12%であったこ
とより、より大きなΔＲ／Ｒを得る観点からもCoが不可
欠である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は高価な超高
真空蒸着装置を用いず、通常のスパッタ装置により作製
出来る事、又、ΔＲ／Ｒの極大値は従来Cu層が50Å付近
に存在していたのに対し20Å付近に存在し、室温でかつ
実用的な印加磁界で大きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗
素子を可能とするもので、高感度ＭＲヘッドやＭＲセン
サ−等への応用に適したものである。
真空蒸着装置を用いず、通常のスパッタ装置により作製
出来る事、又、ΔＲ／Ｒの極大値は従来Cu層が50Å付近
に存在していたのに対し20Å付近に存在し、室温でかつ
実用的な印加磁界で大きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗
素子を可能とするもので、高感度ＭＲヘッドやＭＲセン
サ−等への応用に適したものである。
【図１】本発明の磁気抵抗材料の動作原理を示す図 （ａ）は印加磁界とΔＲ／Ｒの関係を示す図 （ｂ）はΔＲ／Ｒがピークを示す低い印加磁界近傍にお
ける各磁性層のスピンの配列方向を示す断面図 （ｃ）は十分大きい印加磁界における各磁性層のスピン
の配列方向を示す断面図
ける各磁性層のスピンの配列方向を示す断面図 （ｃ）は十分大きい印加磁界における各磁性層のスピン
の配列方向を示す断面図
【図２】（実施例１）における磁気抵抗材料の特性を示
す図
す図
１ 磁性薄膜層 ２ 金属非磁性薄膜層 ３ 磁性薄膜層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 43/08 G11B 5/39 H01F 10/16 H01F 41/18 H01L 43/12
Claims (5)
- 【請求項１】 Coを主成分とし厚さが10〜100Åの第一
の磁性薄膜層とNiXFeYCoZを主成分とし厚さが10〜100Å
の第二の磁性薄膜層とをCuを主成分とし厚さが10〜35Å
の金属非磁性薄膜層を介して交互に積層してなる磁気抵
抗効果材料。ただしX、Y、Zはそれぞれ、0.6≦X≦0.9、
0＜Y≦0.3、0.01≦Z≦0.3 - 【請求項２】 Coを主成分とし厚さが10〜100Åの第一
の磁性薄膜層とNiXFeYCoZを主成分とし厚さが10〜100Å
の第二の磁性薄膜層とをCuを主成分とし厚さが10〜25Å
の金属非磁性薄膜層を介して交互に積層してなる磁気抵
抗効果材料。ただしX、Y、Zはそれぞれ、0.6≦X≦0.9、
0＜Y≦0.25、0.01＜Z≦0.25 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の磁気抵抗効果材
料を製造するにあたって、金属磁性薄膜層、金属非磁性
薄膜層を多元スパッタ装置を用いて逐次積層して形成す
ることを特徴とする磁気抵抗効果材料の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１又は２に記載の磁気抵抗効果材
料を用いた磁気抵抗センサー。 - 【請求項５】 請求項１又は２に記載の磁気抵抗効果材
料を用いた磁気抵抗ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3043305A JP2961914B2 (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 磁気抵抗効果材料およびその製造方法 |
| US07/840,821 US5277991A (en) | 1991-03-08 | 1992-02-25 | Magnetoresistive materials |
| EP92103874A EP0503499B2 (en) | 1991-03-08 | 1992-03-06 | Magnetoresistive materials |
| DE69200169T DE69200169T3 (de) | 1991-03-08 | 1992-03-06 | Magnetresistive Materialien. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3043305A JP2961914B2 (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 磁気抵抗効果材料およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280483A JPH04280483A (ja) | 1992-10-06 |
| JP2961914B2 true JP2961914B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=12660083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3043305A Expired - Fee Related JP2961914B2 (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 磁気抵抗効果材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961914B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5549978A (en) * | 1992-10-30 | 1996-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
| US5931032A (en) | 1998-04-16 | 1999-08-03 | Gregory; Edwin H. | Cutter and blow resistant lock |
| JP2637360B2 (ja) * | 1992-10-30 | 1997-08-06 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子 |
| US5780176A (en) * | 1992-10-30 | 1998-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
| JP2807398B2 (ja) * | 1993-08-03 | 1998-10-08 | 和明 深道 | 磁気抵抗効果材料、その製造方法および磁気抵抗素子 |
| JPH07192919A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Sony Corp | 人工格子膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子 |
| JPH0877519A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型トランスジューサ |
| JP3952515B2 (ja) * | 1994-09-09 | 2007-08-01 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果素子、磁気記録装置及び磁気抵抗効果素子の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP3043305A patent/JP2961914B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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|---|---|
| JPH04280483A (ja) | 1992-10-06 |
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Legal Events
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