KR940003065A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 미세접촉구를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 반도체기간과, 상기 반도체기판상에 형성된 제1차 접촉구를 갖는 제1절연막, 상기 제1절연 막상에 형성되며 상기 제1차 접촉구상부에 제2차 접촉구를 갖는 제2절연막, 상기 제1차 접촉구를 매립하는 콘택 플러그, 및 상기 제2절연막상에 형성되며 상기 제2차 접촉구를 통해 상기 콘택플러그에 접속되는 도전층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치가 제공된다.
이에따라 본 발명에 의하면, 미세 금속배선에서의 접촉구형 성시의 미스얼 라인 방지를 위한 마진확보가 가능하고, 접속구보다 금속배선의 선폭을 작게 형성할 수 있으므로 집적도 향상이 가능하며, 또한 동일한 선폭에서는 상대적으로 접촉구부위의 폭이 증대되므로 접촉저항이 개선되는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제8도는 본 발명의 제1실시예에 의란 반도체장치의 콘택형성방법을 나타낸 단면도들.
Claims (28)
- 반도체기판과, 상기 반도체기판상에 형성된 제1차 접촉구를 갖는 제1절연막, 상기 제1절연막상에 형성되며 상기 제1차 접촉구상부에 제2차 접촉구를 갖는 제2절연막, 상기 제1차 접촉구를 매립하는 콘택플러그, 및 상기 제2절연막상에 형성되며 상기 제2차 접촉구틀 통해 상기 콘택플러그에 접속되는 도전층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2차 접촉구의 크기가 상기 제1차 접촉구의 크기보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 BPSG막임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 산화막임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택플러그 아래에 장벽금속층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택플러그는 상기 제1차 접촉구 내부를 완전히 매립하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택플러그는 상기 제 1차 접촉구 내부를 완전히 매립 함과 동시에 제1차 접촉구 윗부분으로 돌출되어 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택플러그는 알루미늄, 구리 또는 텅스텐 중의 어느 하나로 형성된 것임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 산화막임을 특징으로 하는 반도체 장치,
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 배리어막임을 특징으로 하는 반도체 장치
- 제10항에 있어서, 상기 배리어막은 질화막임을 특징으로 하는 반도체 장치,
- 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성된 접촉구를 갖는 절연막, 상기 접촉구 내부를 1/3-2/3 매립하는 콘택플러그, 상기 콘택플러그상부의 상기 접촉구측벽에 형성된 스페이서, 및 상기 스페이서상부에 형성되며 상기 콘택플러그와 접속된 도전층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 콘택플러그는 텅스텐, 알루미늄 또는 구리중의 어느 하나로 형성된 것임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 콘택플러그와 도전층사이에 상기 접촉구를 완전히 매립하는 도전물질층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제14항에 있어서, 상기 도전물질층은 상기 콘택플러그와 동일한 물질로 형성된 것임을 특징으로 하는 반도체장치.
- 반도체기판상에 형성된 제1차 접촉구를 갖는 제1절연막을 형성하는 공정, 상기 제1차 접촉구를 도전성물질로 매립하여 콘택플러그를 형성하는 공정, 상기 결과물상에 제2절연막을 형성한후 이를 식각하여 상기 제1차 접촉구 상부에 제2차 접촉구를 형성하는 공정, 및 상기 결과물상에 도전층을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제16항에 있어서, 상기 콘택플러그를 형성하는 공정은 상기 제1차 접촉구가 형성된 반도체기판상에 장벽금속층 및 도전물질층을 차례로 형성한 다음 에치백하여 접촉구 내부를 완전히 매립하는 공정임을 륵징으로 하는 반도체 장치의 제조방법,
- 제 16항에 있어서, 상기 콘택플러그를 형성하는 공정은 상기 제1차 접촉구가 형성된 반도체기판상에 장벽금속층 및 도전물질층을 증착한 다음 식각공정을 통하여 제1차 접촉구 내부와 윗부분을 제외한 부분에 형성된 상기 장벽금속층 및 도전물질층을 제거하는 공정임을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제16항에 있어서, 상기 콘택플러그를 형성하는 공정은 PVD법 또는 CVD법에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 반도체 기판상에 절연막을 형성하고 상기 절연막상에 배리어막을 형성한 후 상기 배리어막 절연막을 건식 식각하여 접촉구를 형성하는 공정, 상기 절연막을 습식식각하여 접촉구 하부를 넓히는 공정, 상기 접촉구내를 도전물질로 매립하여 콘택플러그를 형성하는 공정, 및 상기 접촉구 상부에 도전층을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제20항에 있어서, 상기 습식식각은 상기 절연막과 배리어막과의 식각선택비가 높은 식각용액을 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제21항에 있어서, 상기 식각용액은 BOE 또는 100 : 1 HF임을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제20항에 있어서, 상기 콘택플러그를 형성하는 공정은 선택적 텅스텐 화학기상증착, 선택적 알루미늄 화학기상증착 또는 선택적 구리 화학기상증착에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제21항에 있어서, 상기 도전층은 상기 접촉구 크기보다 좁은 선폭으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 반도체 기판상에 절연막을 형성한 후 상기 절연막을 식각하여 접촉구를 형성하는 공정, 상기 접촉구의 내부를 1/3-2/3도전물질로 매립하는 공정, 상기 결과물상에 절연막을 증착한 후 건식식각하여 접촉구 내벽의 상부에 스페 이서를 형성하는 공정, 및 상기 접촉구 상부에 도전층을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제25항에 있어서, 상기 스페이서를 형성하는 공정후에 도전물질을 증착하여 접촉구를 완전히 매립하는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제25항에 있어서, 상기 도전물질로 접촉구를 매립하는 공정은 선택적 텅스텐 화학기상증착, 선택적 알루미늄 화학기상증착 또는 선택적 구리 화학기상증착에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제25항에 있어서, 상기 도전층은 접촉구크기보다 좁은 선폭으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019920013528A KR960000368B1 (ko) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100473157B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-05-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
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1992
- 1992-07-28 KR KR1019920013528A patent/KR960000368B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| KR100473157B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-05-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의콘택홀형성방법 |
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| KR960000368B1 (ko) | 1996-01-05 |
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