KR940004729A - 반도체 장치의 콘택형성방법 - Google Patents

반도체 장치의 콘택형성방법 Download PDF

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KR940004729A
KR940004729A KR1019920014003A KR920014003A KR940004729A KR 940004729 A KR940004729 A KR 940004729A KR 1019920014003 A KR1019920014003 A KR 1019920014003A KR 920014003 A KR920014003 A KR 920014003A KR 940004729 A KR940004729 A KR 940004729A
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forming
contact hole
insulating film
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vapor deposition
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KR1019920014003A
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배대록
박선후
박영욱
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체장치의 콘택형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 반도체기판상에 절연막을 형성하고 상기 절연막상에 배리어막을 형성한 후 상기 배리어막 및 절연막을 건식식각하여 콘택홀을 형성하는 공정, 상기 절연막을 습식식각하여 콘택홀 하부를 넓히는 공정, 상기 콘택홀내에 콘택플러그를 형성하는 공정, 및 상기 콘택홀상부에 금속배선을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택형성방법이 제공된다.
이에 따라 본 발명에 의하면 반도체장치의 고집적화가 가능하며 같은 금속배선 선폭에서 콘택저항을 개선할 수 있다.

Description

반도체 장치의 콘택형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제7도는 본 발명에 의한 콘택플러그 형성방법의 일실시예를 나타낸 도면.

Claims (10)

  1. 반도체기판상에 절연막을 형성하고 상기 절연막상에 배리어막을 형성한 후 상기 배리어막 및 절연막을 건식식각하여 콘택홀을 형성하는 공정, 상기 절연막을 습식식각하여 콘택홀 하부를 넓히는 공정, 상기 콘택홀내에 콘택플러그를 형성하는 공정, 및 상기 콘택홀 상부에 금속배선을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 배리어막은 질화막으로 형성함을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 습식식각은 상기 절연막과 배리어막과의 식각선택비가 높은 식각용액을 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 식각용액은 BOE 또는 100:l HF임을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 콘택플러그는 선택적 텅스텐 화학기상증착, 선택적 알루미늄 화학기상증착 또는 선택적 구리 화학기상증착에 의해 형성함을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 금속배선은 상기 콘택플러그의 폭보다 좁은 선폭으로 형성함을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택형성방법.
  7. 반도체기판상에 절연막을 형성한 후 상기 절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정, 상기 콘택홀의 절반가량을 도전물질로 매립하는 공정, 상기 결과물상에 절연막을 증착한 후 건식식각하여 콘택홀 내벽의 상부에 스페이서를 형성하는 공정, 및 상기 콘택홀 상부에 금속배선을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택형성방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 스페이서를 형성하는 공정후에 도전물질을 증착하여 콘택홀을 완전히 매립시키는 공정이 더 포함됨을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택형성방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 도전물질로 콘택홀을 매립하는 공정은 선택적 텅스텐 화학기상증착, 선택적 알루미늄 화학기상증착 또는 선택적 구리 화학기상증착에 의해 행해짐을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택형성방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 금속배선은 콘택홀 폭보다 좁은 선폭으로 형성함을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920014003A 1992-08-04 1992-08-04 반도체 장치의 콘택형성방법 KR940004729A (ko)

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