KR940000917A - 포지형 포토레지스트 조성물 - Google Patents

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KR940000917A
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서동철
김성주
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김홍기
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
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Abstract

본 발명은 반도체 제조에 사용되는 포지헝 포토레지스트 조성물중 잔막율, 내열성이 향상된 조성물에 관한 것이다.
구체적으로는 70∼95중량%의 메타크레졸과 파라크레졸의 혼합물로 합성한 평균분자량 2,000∼20,000의 노볼락 수지 60∼85중량%와 나프토퀴논 디아지드 술폰산에스떼르 15∼40중량%로 조성된 포지형 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 0. 5미크론 이하의 패턴 형성시에도 현상성이 우수한 레지스트 조성물을 제공하는데 있으며, 본 발명의 레지스트 조성물은 비노광부의 잔막율이 우수하고 노광부와 비노광부의 용해도 차이가 커서 패턴의 끝부분(edge)이 잘 깍여 나가지 않아 반도체 집적회로 제조시 우수한 패턴을 얻을 수 있다.

Description

포지형 포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 노볼락 수지와 광증감제로 조성된 포토레지스트 조성물에 있어서, 메타크레졸과 파라크레졸의 혼합물 70∼95중량%와 일반식 ( I )의 페놀유도체 5∼30중량%를 포름알데히드와의 측합반응하여 얻어진 평균 분자량 2,000∼20,000의 노볼락 수지 60-8중량%와 나프토퀴논디아지드 술폰산에스테르 15∼40중량%로 조성된 포지형 포토레지스트 조성물.
    단, Rl, R2는 H또는 Cl-C6인 알킬기, 알케닐기, 아릴기를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 메타크레졸과 파라크레졸의 혼합물이 메타크리졸 30∼35중량%, 파라크레졸 70∼40중량%인 포지형 포토레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 페놀 유도체가 2,6-디메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 3,5-디메틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 2,3,6-트리메틸페놀인 포지형 포토레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 나프토퀴논디아지드 술폰산에스테르가 나프토퀴논디아지드 술폰산과 페놀성 수산기를 2개이상 포함하는 화합물과의 에스테르인 포지형 포토레지스트 조성물.
  5. 제3항에 있어서, 페놀 유도체가 단일 혹은 2종이상의 혼합물인 포지형 포토레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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