KR940000917A - 포지형 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포지형 포토레지스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR940000917A
KR940000917A KR1019920011293A KR920011293A KR940000917A KR 940000917 A KR940000917 A KR 940000917A KR 1019920011293 A KR1019920011293 A KR 1019920011293A KR 920011293 A KR920011293 A KR 920011293A KR 940000917 A KR940000917 A KR 940000917A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
weight
photoresist composition
paracresol
sulfonic acid
mixture
Prior art date
Application number
KR1019920011293A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950005932B1 (ko
Inventor
서동철
김성주
Original Assignee
김홍기
금호석유화학 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김홍기, 금호석유화학 주식회사 filed Critical 김홍기
Priority to KR1019920011293A priority Critical patent/KR950005932B1/ko
Publication of KR940000917A publication Critical patent/KR940000917A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950005932B1 publication Critical patent/KR950005932B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조에 사용되는 포지헝 포토레지스트 조성물중 잔막율, 내열성이 향상된 조성물에 관한 것이다.
구체적으로는 70∼95중량%의 메타크레졸과 파라크레졸의 혼합물로 합성한 평균분자량 2,000∼20,000의 노볼락 수지 60∼85중량%와 나프토퀴논 디아지드 술폰산에스떼르 15∼40중량%로 조성된 포지형 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 0. 5미크론 이하의 패턴 형성시에도 현상성이 우수한 레지스트 조성물을 제공하는데 있으며, 본 발명의 레지스트 조성물은 비노광부의 잔막율이 우수하고 노광부와 비노광부의 용해도 차이가 커서 패턴의 끝부분(edge)이 잘 깍여 나가지 않아 반도체 집적회로 제조시 우수한 패턴을 얻을 수 있다.

Description

포지형 포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 노볼락 수지와 광증감제로 조성된 포토레지스트 조성물에 있어서, 메타크레졸과 파라크레졸의 혼합물 70∼95중량%와 일반식 ( I )의 페놀유도체 5∼30중량%를 포름알데히드와의 측합반응하여 얻어진 평균 분자량 2,000∼20,000의 노볼락 수지 60-8중량%와 나프토퀴논디아지드 술폰산에스테르 15∼40중량%로 조성된 포지형 포토레지스트 조성물.
    단, Rl, R2는 H또는 Cl-C6인 알킬기, 알케닐기, 아릴기를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 메타크레졸과 파라크레졸의 혼합물이 메타크리졸 30∼35중량%, 파라크레졸 70∼40중량%인 포지형 포토레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 페놀 유도체가 2,6-디메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 3,5-디메틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 2,3,6-트리메틸페놀인 포지형 포토레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 나프토퀴논디아지드 술폰산에스테르가 나프토퀴논디아지드 술폰산과 페놀성 수산기를 2개이상 포함하는 화합물과의 에스테르인 포지형 포토레지스트 조성물.
  5. 제3항에 있어서, 페놀 유도체가 단일 혹은 2종이상의 혼합물인 포지형 포토레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920011293A 1992-06-26 1992-06-26 포지형 포토레지스트 조성물 KR950005932B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920011293A KR950005932B1 (ko) 1992-06-26 1992-06-26 포지형 포토레지스트 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920011293A KR950005932B1 (ko) 1992-06-26 1992-06-26 포지형 포토레지스트 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940000917A true KR940000917A (ko) 1994-01-10
KR950005932B1 KR950005932B1 (ko) 1995-06-07

Family

ID=19335374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920011293A KR950005932B1 (ko) 1992-06-26 1992-06-26 포지형 포토레지스트 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR950005932B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100585303B1 (ko) * 2003-06-03 2006-06-01 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 하나의 기판 위에 집적회로와 액정 디스플레이 부분이형성된 기판제조용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4006815B2 (ja) * 1997-06-11 2007-11-14 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
KR200487707Y1 (ko) 2018-06-27 2018-10-23 이경진 휴대성 및 보관성이 향상된 뜰채형 어구

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100585303B1 (ko) * 2003-06-03 2006-06-01 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 하나의 기판 위에 집적회로와 액정 디스플레이 부분이형성된 기판제조용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR950005932B1 (ko) 1995-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940005999A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물
KR890015070A (ko) 감광성 수지 조성물
KR890005563A (ko) 포지티브 감광성내식막용 노볼락 수지
KR880009291A (ko) 포지티브-작용성 감광성 내식막 조성물
KR910020495A (ko) 포토레지스트 조성물
KR930013869A (ko) 양화 내성 조성물
KR910005098A (ko) 방사선 민감성 포지티브 레지스트 조성물
KR930023769A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물
KR870011505A (ko) 포지티브-워킹(Positive-Working)감광성 내식막 조성물
US5266440A (en) Photoresist composition with aromatic novolak binder having a weight-average molecular weight in excess of 1500 Daltons
KR880000824A (ko) 포지티브형 감광성조성물
KR930024120A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물
KR930006500A (ko) 감광성 수지조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성 방법
KR920015158A (ko) 네거티브 포토레지스트 조성물
KR890014613A (ko) 혼합알데히드 노볼락수지와 이것으로 제조한 고콘트라스트 및 고열안정성의 양성 광레지스트
KR930010615A (ko) 포지티브형 감방사선 레지스트 조성물
KR970022549A (ko) 포지티브 내식막 조성물 및 감광제
KR870007446A (ko) 감광성 조성물
KR940000917A (ko) 포지형 포토레지스트 조성물
KR960034162A (ko) 테트라페놀 화합물 및 이의 제조방법
KR940704014A (ko) 선택된 노볼락 수지 및 선택된 방사선 민감성 조성물(Selected novolak resins and selected radiation-sensitive compositions)
KR870011502A (ko) 감광제 조성물
KR920000010A (ko) 방사선-감작 포지티브 레지스트 조성물
KR930023767A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물
KR930020225A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
G160 Decision to publish patent application
O035 Opposition [patent]: request for opposition
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
O063 Decision on refusal after opposition [patent]: decision to refuse application
J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

Free format text: TRIAL NUMBER: 1996201000737; APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040616

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee