KR930022541A - 단종 다층 보호막 - Google Patents

단종 다층 보호막

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KR930022541A
KR930022541A KR1019920006890A KR920006890A KR930022541A KR 930022541 A KR930022541 A KR 930022541A KR 1019920006890 A KR1019920006890 A KR 1019920006890A KR 920006890 A KR920006890 A KR 920006890A KR 930022541 A KR930022541 A KR 930022541A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protective film
film
forming
discontinued
semiconductor device
Prior art date
Application number
KR1019920006890A
Other languages
English (en)
Inventor
이우봉
홍상기
손기근
장영암
고재완
현일선
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Publication of KR930022541A publication Critical patent/KR930022541A/ko

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 구성에 있어서, 최종적으로 증착되는 보호막에 관한 것으로, 한 종류의 필름을 다층으로 형성하기 때문에 보호막 형성 공정을 단순화 시킬 수 있으며, 또한 종래의 보호막 형성시 문제가 되었던 필름밀도,스트레스,균일성,스텝 커버리지(step-coverage),수소포함,핀홀(pin hole), 금속노치 및 보이드(notch 및 void), 문턱전압(threshold voltage) 변화 등의 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.

Description

단종 다층 보호막
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 단종다층 보호막 형성 단면도.

Claims (1)

  1. 반도체 소자(2)의 보호막에 있어서, 상기 반도체 소자(2)상에 최대15층 다층 보호막을 형성하되, 각각의 보호막 층은 실리콘 질화막(3)의 단일재료로 구성하며, 하부층의 실리콘 질화막(3)층이 최하위의 스트레스와 최고의 수소밀도를 갖고 상부층으로 갈수록 단계적으로 높은 스트레스와 단계적으로 낮은 수소밀도를 갖는 실리콘 질화막층이 형성되도록 한 것을 특징으로 하는 단종 다측 보호막.
    ※ 참고사항 : 본 발명에 따른 단종다층 보호막 형성 단면도.
KR1019920006890A 1992-04-23 단종 다층 보호막 KR930022541A (ko)

Publications (1)

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KR930022541A true KR930022541A (ko) 1993-11-24

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990081277A (ko) * 1998-04-28 1999-11-15 윤종용 절연막의 응력 제어 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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