KR930022417A - 단락 보호 회로 - Google Patents

단락 보호 회로

Info

Publication number
KR930022417A
KR930022417A KR1019930007055A KR930007055A KR930022417A KR 930022417 A KR930022417 A KR 930022417A KR 1019930007055 A KR1019930007055 A KR 1019930007055A KR 930007055 A KR930007055 A KR 930007055A KR 930022417 A KR930022417 A KR 930022417A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
semiconductor device
switch circuit
gate
igbt
Prior art date
Application number
KR1019930007055A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970005567B1 (ko
Inventor
나가또시 가도따
Original Assignee
사또 후미오
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사또 후미오, 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 사또 후미오
Publication of KR930022417A publication Critical patent/KR930022417A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970005567B1 publication Critical patent/KR970005567B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0826—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in bipolar transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

반도체 장치의 제어 단자로의 신호통로를 개폐하는 스위칭 수단에는 동작신호 전달에 지연 시간을 두고, 판정회로의 출력에서 스위칭 수단이 통상 동작과 단락 보호 동작을 판단하도록 동작하는 것을 가장 주요한 특징으로 한다. 동작회로(1)은 IGBT(4)를 온, 오프 제어한다. 스위치 회로(3)은 구동회로(1)과, JGBT(4)의 게이트와의 사이의 신호 통로를 개폐한다. AND 게이트 회로(2)는 노드(11 및 12)를 2개의 입력으로 한다. 지연회로(7 및 8)은 AND 게이트 회로(2)의 출력을 지연시켜 각각 스위치 회로(3), IGBT(4)의 단락 보호시에 온하는 스위치 회로(3)으로 공급된다. IGBT(4)의 오프에서 온의 통상 동작시, AND 게이트 회로(2)의 출력은 노드(12)의 변화에 의해 2회 변화한다. 스위치 회로(3)은 순간적으로 오프하나 곧 온으로 된다. IGBT(4)의 제어단자로의 턴온 신호는 이상없이 공급된다. 단락 전류 발생시에는 스위치 회로(3)은 오프인채 곧 스위치 회로(6)이 게이트 전압을 방전한다.

Description

단락 보호 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 제1실시예의 구성을 도시하는 회로도.
제2도는 본 발명에 관한 제2실시예의 구성을 도시하는 회로도.
제3도는 본 발명에 관한 제3실시예의 구성을 도시하는 회로도.
제4도는 제1도의 회로를 보다 구체적으로 구성한 회로도.

Claims (1)

  1. 반도체 장치의 온, 오프를 제어하는 제어신호 발생수단, 상기 제어 신호 발생 수단과 상기 반도체 장치의 제어단자 사이의 신호 통로를 개폐하는 스위칭 수단, 상기 제어 신호 발생 수단으로부터의 제어신호를 검출하는 제1검출 수단. 상기 반도체 장치의 출력 전류 통로 양단의 전위차를 검출하는 제2 검출 수단, 상기 제1, 제2검출 수단의 검출 결과에 따라 상기 스위칭 수단을 제어하는 판정회로, 상기 판정 회로의 출력을 판정 결과로 해서 상기 제어 회로로 전달하기 위한 지연시간을 설정하는 지연ㅎ괴로 및 상기 반도체 장치가 단락 상태일 때 이 반도체 장치의 출력 전류 통로와 제어 단자 사이에 축적되어 있는 전하를 방정시키기 위한 방전회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 단락 보호 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930007055A 1992-04-28 1993-04-27 단락 보호 회로 KR970005567B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4109913A JP2777307B2 (ja) 1992-04-28 1992-04-28 短絡保護回路
JP92-109913 1992-04-28
US92-109913 1992-04-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930022417A true KR930022417A (ko) 1993-11-24
KR970005567B1 KR970005567B1 (ko) 1997-04-17

Family

ID=14522323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930007055A KR970005567B1 (ko) 1992-04-28 1993-04-27 단락 보호 회로

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5365397A (ko)
JP (1) JP2777307B2 (ko)
KR (1) KR970005567B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100705636B1 (ko) * 2003-02-06 2007-04-12 맥그로우-에디슨 컴파니 고전압 조작봉 센서 및 그 제작 방법

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19516208C1 (de) * 1995-05-03 1996-07-25 Siemens Ag Verfahren zur Überwachung einer Leistungsendstufe und Schaltungsanordnung zur Durchführung dieses Verfahrens
US6104149A (en) * 1997-02-28 2000-08-15 International Rectifier Corp. Circuit and method for improving short-circuit capability of IGBTs
JP2001274402A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Toshiba Corp パワー半導体装置
US7132868B2 (en) 2001-06-27 2006-11-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP4531500B2 (ja) * 2004-01-06 2010-08-25 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置モジュール
JP4742828B2 (ja) * 2005-11-18 2011-08-10 日産自動車株式会社 電圧駆動型スイッチング回路
JP4742313B2 (ja) * 2006-03-22 2011-08-10 富士電機株式会社 電力変換装置の保護方式
US20080255574A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-16 Zimmer Technology, Inc. Instrument for insertion of prosthetic components
KR101596223B1 (ko) * 2009-09-07 2016-02-22 삼성전자주식회사 유도 가열을 수행하는 화상형성장치에서 제 1 스위칭부와 제 2 스위칭부가 직렬로 연결된 하프 또는 풀 브리지 회로를 보호하는 장치 및 방법
CN102868149B (zh) * 2012-09-28 2016-03-09 西安永电电气有限责任公司 一种igbt模块的短路保护模块及保护方法
CN104237761B (zh) 2013-06-13 2018-05-04 通用电气公司 绝缘栅双极型晶体管的失效模式检测及保护的系统和方法
JP6071912B2 (ja) * 2014-01-27 2017-02-01 株式会社東芝 過電圧保護装置および電流調整回路
WO2015114788A1 (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 株式会社日立製作所 半導体素子の保護回路
EP2908339A1 (en) * 2014-02-17 2015-08-19 ABB Technology AG Power semiconductor arrangement and method for protecting a power semiconductor module against failures
DE102014210342A1 (de) * 2014-06-02 2015-12-03 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Betreiben einer Treiberschaltung zum Ansteuern einer Feldeffekttransistorstruktur
US9800132B2 (en) 2015-12-29 2017-10-24 General Electric Company Systems and methods for controlling a plurality of power semiconductor devices
CN113922794A (zh) * 2020-07-08 2022-01-11 圣邦微电子（北京）股份有限公司 短路保护电路
CN113890518A (zh) * 2021-10-29 2022-01-04 深圳青铜剑技术有限公司 一种半导体器件短路保护电路及方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2669117B2 (ja) * 1990-07-19 1997-10-27 富士電機株式会社 電圧駆動形半導体素子の駆動回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100705636B1 (ko) * 2003-02-06 2007-04-12 맥그로우-에디슨 컴파니 고전압 조작봉 센서 및 그 제작 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2777307B2 (ja) 1998-07-16
US5365397A (en) 1994-11-15
KR970005567B1 (ko) 1997-04-17
JPH05308717A (ja) 1993-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930022417A (ko) 단락 보호 회로
US4985647A (en) CMOS transfer switch free from malfunction on noise signal
JP2690074B2 (ja) 固体リレー
KR970031145A (ko) 재충전 가능한 전지장치(rechargeable battery apparatus)
KR960039641A (ko) 고내압회로 및 전압레벨 변환회로
KR940012848A (ko) 모스(mos) 전계 효과 트랜지스터를 구동하기 위한 회로
KR19980087505A (ko) 이상 전류 검출 회로 및 이를 포함하는 부하 구동 회로
US5360979A (en) Fast turn-off circuit for solid-state relays or the like
KR950002233A (ko) 노이즈를 감소하는 출력단을 구비한 집적회로
US5250853A (en) Circuit configuration for generating a rest signal
KR960027317A (ko) 반도체 메모리장치의 데이타 출력 버퍼회로
JP2003133926A (ja) 突入電流抑止回路
GB2145593A (en) Self protecting solid state switch
US6018263A (en) Trigger circuit for a field-effect-controlled power semiconductor component
JPH0722851A (ja) 零バイアス電流ローサイドドライバーコントロール回路
US5714898A (en) Power supply control circuit
JPH05146049A (ja) 負荷状態検出回路
JPH02123962A (ja) ゲート駆動回路
JPH11260226A (ja) 電力伝送路開閉装置
JP2002135098A (ja) 短絡保護機能付きスイッチング回路及び半導体リレー
JPH05292686A (ja) 交流スイッチ装置
JPH03210815A (ja) Ｃｍｏｓ型出力回路
ITMI990317A1 (it) Dispositivo a commutazione con due interruttori a semi-ponte e mezzi per mantenere ciascun interruttore in interdizione quando l'altro inter
JPH0661962A (ja) 半導体フライングキャパシタ・マルチプレクサ
JPH088709A (ja) ブリッジ制御回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080725

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee