KR930017033A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR930017033A
KR930017033A KR1019930000205A KR930000205A KR930017033A KR 930017033 A KR930017033 A KR 930017033A KR 1019930000205 A KR1019930000205 A KR 1019930000205A KR 930000205 A KR930000205 A KR 930000205A KR 930017033 A KR930017033 A KR 930017033A
Authority
KR
South Korea
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semiconductor memory
memory device
memory cell
data line
sense amplifier
Prior art date
Application number
KR1019930000205A
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English (en)
Inventor
킨야 미츠모토
요시카츠 이이다
히로키 미야시타
카즈노리 오노자와
Original Assignee
가나이 스토무
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
    • G11C11/417—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/419—Read-write [R-W] circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices

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Abstract

본 발명은 반도체 기억 장치에 있어서, 메모리 셀에서 상보데이타선 쌍 또는 공통데이타선 으로 판독된 데이타는 센스앰프회로를 통하지 않고 출력회로로 직접적으로 공급된다. 그 때문에 센스앰프 회로를 사용하는 곳의 종래의 반도체 기억장치에 있어서 어드레스 억세스 시간 중에서 센스앰프 회로자체의 지연시간이 생략되기 때문에 본 발명의 반도체 기억장치의 어드레스 억세스 시간은 종래의 반도체 기억장치의 어드레스 억세스 시간에 대해서 고속화된다.

Description

반도체 기억창치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용된 스태이틱형 반도체 기억장치의 일 실시예에 관한 회로도의 개요를 나타낸다. 제 6도는 본 발명의 스태이틱형 반도체 기억장치의 상세한 논리회로의 일부의 회로도. 제 7도는 본 발명의 스태이틱형 반도체 기억장치의 상세한 논리회로도의 일부의 회로도, 제10도는 본 발명의 스태이틱형 반도체 기억장치의 더 상세한 회로도의 일부의 회로도.

Claims (4)

  1. 데이타선에서 출력회로 혹은 차단회로(次段回路)까지 센스애프가 생략되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 선택된 메모리셀에 의해 발생되는 상기 데이타선의 진폭은 상기 출력회로 혹은 상기 차단회로를 직접적으로 동작시킬 수 있는 전위차로 된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 메모리셀은 U자형의 게이트 전극으로 된 구동 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 한 반도체 기억장치.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 메모리셀은 스태이틱형 메모리셀로 된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930000205A 1992-01-17 1993-01-08 반도체 기억장치 KR930017033A (ko)

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JP92-6211 1992-02-17

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS60136084A (ja) * 1983-12-26 1985-07-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH0795395B2 (ja) * 1984-02-13 1995-10-11 株式会社日立製作所 半導体集積回路
US4815038A (en) * 1987-05-01 1989-03-21 Texas Instruments Incorporated Multiport ram memory cell
JP2654548B2 (ja) * 1987-10-02 1997-09-17 株式会社日立製作所 半導体記憶装置

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