KR930006924A - 커패시터 셀 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 커패시터 면적을 증가하여 고집적소자에 적당하도록 한 커패시터 셀 제조방법에 관한 것으로, 제조 공정은 실리콘 기판(1)에 필드산화막(2)과 게이트(3) 및 측변산화막(4)을 형성하는 공정과, 불순물 이온주입으로 소오스/드레인을 형성하고 절연용 산화막(5)을 전표면에 증착하고 커패시터 노드 베리드 콘택을 형성하는 공정과, 상기 베리드 콘택 후 제1스토리지 노드와 BPSG를 증착하여 시간을 지연시켜 BPSG표면을 물결모양으로 형성하는 공정과, 그 위에 마스킹을 물질을 증착하여 BPSG의 꼭대리 부분이 들어나도록 에치백하는 공정과, 마스킹용 물질을 마스크로 하여 BPSG를 식각하고 그위에 제2스토리지 노드를 증착하고 계속해서 유전체막과 플레이트 노드를 증착하는 공정으로 이루어졌다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 커패시터 제조공정 단면도.
Claims (2)
- 기판에 필드산화막과 게이트를 형성하고 베리드 콘택을 형성하여 커패시터를 제조함에 있어서, 상기 베리드 콘택후 제1스트리지 노드와 BPSG를 증착하고 시간을 지연시켜 BPSG 표면을 물결모양으로 형성하는 공정과, 그위에 마스크용 물질을 증착하여 BPSG의 톰(Top) 부분이 들어나도록 에치백하는 공정과, 마스크용 물질을 마스크로 하여 BPSG를 식각하고 그위에 제2스토리지 노드를 증착하고 계속해서 유전체막과 플레이트 노드를 증착하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 커패시터 셀 제조방법.
- 제1항에 있어서, BPSG는 P가 3~5w/.로 과도도핑되고, 3,900~4,100Å로하여, 지연시간을 22~26시간으로 함을 특징으로 하는 커패시터 셀 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019910015598A KR940009614B1 (ko) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 커패시터 셀 제조방법 |
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| KR930006924A true KR930006924A (ko) | 1993-04-22 |
| KR940009614B1 KR940009614B1 (ko) | 1994-10-15 |
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| KR1019910015598A KR940009614B1 (ko) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 커패시터 셀 제조방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR940009614B1 (ko) |
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1991
- 1991-09-06 KR KR1019910015598A patent/KR940009614B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940009614B1 (ko) | 1994-10-15 |
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