KR930005186A - 이득제어회로 및 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 이득제어회로의 구성도,
제2도는 본 발명의 제2실시예의 이득제어회로의 회로 구성도,
제3도는 본 발명의 제3실시예의 이득제어회로의 회로구성도.

Claims (6)

  1. 능동부하로서 사용하는 제1의 전계효과형 트랜지스터(이하 「FET」라고 함.)와, 이 제1의 FET와 동일한 마스크패턴을 가지고 동일한 과정조건에서 작성된 증폭기로서 사용하는 제2의 FET와, 상기 제1의 FETT 및 상기 제2의 FET와 동일한 마스크 턴을 가지고 동일한 과정 조건에서 작성된 정전류원으로서 사용하는 제3의 FET와, 가변능동부하로서 사용되는 제4의 FET와, 바이어스 설정용 덤핑저항과, 고주파 접지용 콘텐서를 가지고, 상기 제1의 FET의 드레인 전극을 전원에 접속하고 상기 제1의 FET의 소오스전극 및 게이트전극을 상기 제2의 FET의 드레인 전극에 접속하고, 상기 바이어스 설정용 덤핑저항을 상기 제2의 FET의 게이트전극과 소오스전극과의 사이에 접속하고, 상기 제2의 FET의 소오스전극을 상기 제3의 FET의 드레인전극 및 상기 제4의 FET의 드레인 전극에 접속하고, 상기 제3의 FET의 게이트전극 및 소오스전극을 접지하고, 상기 고주파접지용 콘덴서를 상기 제4의 FET의 소오스전극과 접지와의 사이에 접속하고, 또한, 상기 제2의 FET의 게이트전극을 입력단자로 하고, 상기 제2의 FET의 드레인 전극을 출력 단자로하고, 상기 제4의 FET의 게이트전극을 이득제어단자로하여, 상기 이득제어 단자에의 인가전압을 변화시키므로서 증폭기가 되는 상기 제2의 FET의 이득을 변화시키도록한 이득제어회로.
  2. 능동부하로서 사용하는 제1의 전계효과형 트랜지스터(이하 「FET」라고 함.)와, 이 제1의 FET와 동일한 마스크패턴을 가지고 동일한 과정조건하에서 작성된 증폭기로서 사용하는 제2의 FET와, 가변 능동부하로서 사용하는 제3의 FET와, 바이어스 설정용 덤핑저항과, 초우크코일과, 고주파접지용 콘덴서를 가지고, 상기 제1의 FET의 드레인전극을 전원에 접속하고, 상기 제1의 FET의 게이트전극 및 소오스전극을 상기 제3의 FET의 드레인전극에 접속하고, 상기 고주파접지용콘덴서를 상기 제1의 FET의 소오스와 접지 또는 전원과의 사이에 접속하고, 상기 제3의 FET의 소오스전극을 상기 제2의 FET의 드레인전극에 접속하고, 상기 초우크코일을 상기 제3의 FET의 드레인전극과 소오스전극과의 사이에 접속하고, 상기 바이어스설저용 덤핑 저항을 상기 제2의 FET의 게이트전극과 접지와의 사이에 접속하고, 상기 제2의 FET의 소오스전극을 접지하고, 또한, 상기 제2의 FET의 게이트전극을 입력단자로하고, 상기 제2의 FET의 드레인전극을 출력단자로하고, 상기 제3의 FET의 게이트전극을 이득제어단자로하여, 이 이득제어단자의 인가전압을 변화시키므로서 증폭기가 되는 상기 제2의 FET의 이득을 변화시키도록한 이득제어회로.
  3. 능동부하로서 사용하는 제1의 전계효과형 트랜지스터(이하 「FET」라고 함.)와, 이 제1의 FET와 동일한 마스크패턴을 가지고 동일한 과정조건에서 작성된 증폭기로서 사용하는 제2의 FET와, 가변능동부하로서 사용하는 제3의 FET와, 바이어스설정용 덤핑저항과, 결합콘덴서를 가지고, 상기 제1의 FET의 드레인전극을 전원에 접속하고, 상기 제1의 FET의 소오스전극 및 게이트전극을 상기 제2의 FET의 드레인전극에 접속하고, 상기 제2의 FET와 게이트 전극과 접지와의 사이에 상기 바이어스설정용 덤핑저항을 접속하고, 상기 제2의 FET의 소오스전극을 접지하고, 상기 제3의 FET의 드레인전극을 상기 제2의 FET의 드레인전극에 접속하고, 상기 결합콘덴서를 상기 제3의 FET의 소오스전극 및 상기 제2의 FET의 게이트전극에 접속하고, 또한, 상기 제2의 FET에 게이트전극을 입력단자로하고, 상기 제2의 FET의 드레인 전극은 출력단자로하고, 상기 제3이 FET의 게이트전극을 이득제어단자로하여, 이 이득제어단자의 인가접압을 변화시키므로서 증폭기가 되는 상기 제2의 FET의 이득 변화시키도록한 이득제어회로.
  4. 능동부하로서 사용하는 제1의 전계효과형 트랜지스터(이하 「FET」라고 함.)와, 이 제1의 FET와 동일한 마스크패턴을 가지고 동일한 과정조건에서 작성된 증폭기로서 사용하는 제2의 FET와, 상기 제1의 FET 및 상기 제2의 FET와 동일한 마스크패턴을 가지고 동일 과정조건에서 작성된 정전류원으로 사용하는 제3의 FET와, 가변능동부하로서 사용하는 제4의 FET와, 소오스폴로우어로서 사용하는 제5의 FET와 정전류원으로서 사용하는 제6의 FET와, 바이어스설정용 덤핑저항과, 이득크램프용 저항과 전류크램프용저항을 가지고, 상기 제1의 FEI의 드레인전극을 전원단자에 접속하고, 상기 제1의 FET의 소오스 전극 및 게이트전극을 상기 제2의 FET의 드레인전극에 접속하고, 상기 바이어스 설정용 덤핑저항을 상기 제2의 FET외 게이트전극과 소오스전극과의 사이에 접속하고, 상기 제2의 FET의 소오스전극을 상기 제3의 FET의 드레인전극 및 제4의 FET의 드레인 전극에 접속하고, 상기 제3의 FET의 게이트전극 및 소오스전극을 접지단자에 접속하고, 상기 이득 크램프용저항을 상기 제4의 FET의 드레 인전극과 소오스전극와의 사이에 접속하고 상기 전류크램프용저항을 상기 제4의 FET의 게이트전극과 이득제어단자와의 사이에 접속하고, 상기 제5의 FET의 드레인전극을 전원단자에 접속하고, 상기 제5의 FET의 게이트전극을 상기 제2의 FET의 드레인전극에 접속하고, 상기 제5의 FET의 소오스전극을 상기 제6의 FET의 드레인전극에 접속하고, 상기 제6의 FET의 게이트전극 및 소오스전극을 상기 접지단자에 접속하고, 또한, 상기 제2의 FET의 게이트전극을 입력단자로하고, 상기 제5의 FET의 소오스전극을 출력단자로하고, 상기 제4의 FET의 소오스전극을 고주파 접지단자로하고, 이 고주파 접지단자와 접지 또는 전원등의 고주파접지점과의 사이에 고주파접지용 콘덴서를 외부부착하여, 상기 이득제어단자와 인가전압을 변화시키므로서 증폭기가 되는 상기 제2의 FET의 디긍르 변화시키도록한 반도체 장치.
  5. 능동부하로서 사용하는 제1의 전계효과형 트랜지스터(이하 「FET」라고 함.)와, 이 제1의 FET와 동일한 마스크패턴을 가지고 동일한 과정조건에서 작성된 증폭기로서 사용하는 제2의 FET와, 가변능동부하로서 사용하는 제3의 FET와, 소오스폴로우어로서 사용하는 제4의 FET와, 정전류원으로서 사용하는 제5외 FET와, 바이어스설정용 덤핑저항과, 전류크램프용저항을 가지고 상기 제1의 FET의 드레인 전극을 전원단자에 접속하고, 상기 제1의 FET의 게이트전극 및 소오스전극을 상기 제3의 FET의 드레인 전극에 접속하고, 상기 제1의 FET의 소오스전극을 고주파 접지단자에 접속하고, 상기 전류 크램프용 저항을 상기 제3의 FET게이트전극과 이득제어단자와의 사이에 접속하고, 상기 제3의 FET의 소오스전극을 상기 제2의 FET의 드레인 전극에 접속되고, 상기 제3의 FET의 소오스전극을 상기 초우크코일용단자에 접속하고, 상기 바이어스 설정용 덤핑저항을 상기 제2의 FET의 게이트전극과 접지단자와의 사이에 접속하고, 상기 제2의 FET의 소오스전극을 상기 접지단자에 접속하고, 상기 제4의 FET의 드레인 전극을 전원단자에 접속하고, 상기 제2의 FET의 드레인 전극을 상기 제4의 FET의 게이트전극에 접속하고, 상기 제4의 FET의 소오스전극을 상기 제5의 FET의 드레인 전극에접속되고, 상기 제5FET의 게이트전극 및 소오스전극을 접지단자에 접속하고, 또한, 상기 제2의 FET의 게이트전극을 입력단자로하고, 상기 제4의 FET의 소오스전극을 출력단자로하고, 상기 고주파접지용 콘덴서를 상기 고주파접지단자와 접지 또는 전원등의 고주파접지점와의 사이에 외부부착하고, 상기 초우크코일은 상기 고주파접지단자와 상기 초우크코일용단자와의 사이에 외부부착하여, 상기 이득제어단자의 인가전압을 변화시키므로서 증폭기가 되는 제2의 FET의 이득을 변화시키도록 한 반도체 장치.
  6. 능동부하로서 사용하는 제1의 전계효과형 트랜지스터(이하 「FET」라고 함.)와, 이 제1의 FET와 동일한 마스크패턴을 가지고 동일한 과정조건에서 작성한 증폭기로서 사용하는 제2의 FET와, 가변능등부하로서 사용하는 제3의 FET와, 소오스폴로우어로서 사용되는 제4의 FET와 정전류원으로서 사용하는 제5의 FET와, 바이어스설정용 덤핑저항과, 이득크램프용저항과, 전류크램프용 저항을 가지고, 상기 제1의 FET의 드레인전극을 전원단자에 접속하고, 상기 제1의 FET의 게이트전극 및 소오스전극을 상기 제2의 FET의 드레인 전극에 접속하고, 상기 제2의 FET의 게이트전극과 접지단자와의 사이에 상기 바이어스 설정용 덤핑저항을 접속하고, 상기 제2의 FET의 소오스전극을 상기 접지단자에 접속하고, 상기 제3의 FET의 드레인전극을 상기 제2의 FET의 드레인 전극에 접속하고, 상기 이득크램프용 저항을 상기 제3의 FET의 드레인 전극과 소오스전극과의 사이에 접속하고, 상기 제3의 FET의 소오스 전극을 결함콘덴서용 단자에 접속하고, 상기 전류크램프용저항을 상기 제3의 FET의 게이트전극과 상기 이득제어단자와의 사이에 접속하고, 상기 제4의 FET의드레인 전극을 상기 전원단자에 접속하고, 상기 제2의 FET의 드레인 전극을 상기 제4의 FET의 게이트전극에 접속하고, 상기 제4의 FET의 소오스 전극을 상기 제5의 FET의 드레인전극에 접속하고, 상기 제5의 FET의 게이트 전극 및 소오스전극을 접지단자에 접속하고, 또한, 상기 제2의 FET외 게이트 전극을 입력단자로하고, 상기 제4의 FET의 소오스전극을 출력단자로하고, 상기 결합콘덴서를 상기 결합콘덴서용 단자와 입력단자와의 사이에 외부부착하여, 상기 이득제어단자와 인가전압을 변화시키므로서 증폭기가 되는 제2의 FET의 이득을 변화시키도록한 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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