KR970060674A - 저잡음 증폭기 및 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로 - Google Patents

저잡음 증폭기 및 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로 Download PDF

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KR970060674A
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윌리엄 이. 갈라스
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Abstract

모놀리식 마이크로 웨이브 집적 회로(MMIC)로 구성된 저잡음 증폭기(low noise amplifer :LNA)는, HEMT(high-electron mobility transistor)를 포함하며 동조가능한 HBT(heterojunction bipolar transistor)능동궤환을 이용하여 증폭기의 이득-대역폭 및 선형 성능을 개선하고 HEMT의 자기 바이어싱(self-biasing)를 제공한다. 본 발명에 따른 MMIC는, 자기 바이어싱을 향상시키는 한편, LNA의 주파수 대역폭 및 선형 특성을 MMIC LNA 제조 후 잡음 지수 성능을 현저히 저하시키지 않고 조정할 수 있다.

Description

저잡음 증폭기 및 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도는 본 발명에 따른 HBT 능동 궤환을 갖는 HEMT 저잡음 증폭기의 개략도.

Claims (21)

  1. 게이트, 드레인 및 소스 단자를 갖는 HEMT(high-electron mobility transistor)와, 상기 HEMT의 게이트에 궤한 전류를 제공하는 수단과, 제1DC전원 전압을 갖는 상기 HEMT의 자기 바이어스를 제공하는 수단과, 이득 대역폭과 저잡음 증폭기(LNA)의 선형성을 조정하는 수단으로서, 상기 대역폭 및 선형성 조정 수단이 상기 저잡음 증폭기 외부에 존재하는, 이득 대역폭 및 선형성 조정 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 공칭 이득 및 대역폭을 갖는 저잡음 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제공 수단은 하나 이상의 소정의 바이폴라 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 저잡음증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 소정의 바이폴라 트랜지스터가 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)인 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제공 수단은 상기 HEMT의 게이트와 드레인단자 사이에 캐스코드로 접속된 한 쌍의 HBT를 갖는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 대역폭 조정수단이 상기 저잡음 증폭기의 이득을 조정하기 위한 이득 조정수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 대역폭 조정수단이 상기 궤환 전류를 변화시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 변화시키는 수단은, 상기 HEMT의 게이트와 전기적으로 연결된 제2 DC 전원 전압을 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
  8. 제7항에 있어서, 상기 HEMT의 게이트와 상기 제공 수단간에 전기적으로 연결된 궤환 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
  9. 게이트, 소스 및 드레인 단자를 갖는 HEMT와, 상기 게이트 단자와 상기 드레인 단자 사이에 전기적을 연결된 능동궤환 회로로서, 하나 이상의 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 갖는 능동궤환 회로와, 상기 HENT를 갖는 바이어싱하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로(MMIC).
  10. 제9항에 있어서, 상기 능동 궤환 회로는, 상기 HEMT의 상기 게이트 단자 및 드레인 단자 사이에 전기적으로 연결된, 제1 및 제2 베이스 단자, 제1 에미터 단자 및 제1 콜렉터 단자를 규정하는, 캐스코드 접속된 두 HBT를 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  11. 제10항에 있어서, 상기 능동 궤환 회로는 상기 캐스코드 접속된 HBPT와 상기 HEMT의 상기 게이트 단자간에 전지적으로 연결된 궤환 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 자기 바이어스 수단은, 상기 HEMT의 상기 드레인 단자와 상기 캐스코드 접속된 HBT 사이에 전기적으로 연결된 부하저항을 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  13. 제12항에 있어서, 상기 능동 궤환 회로는, 상기 캐스코드 접속 HBT의 상기 제1베이스 단자와 상기 HEMT의 상기 드레인 단자 사이에 전기적으로 연결된 궤환 동조 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  14. 제13항에 있어서, 상기 자기 바이어스 수단은, 상기 제2베이스 단자와 상기 캐스코드 접속 HBT의 상기 제2콜렉터 단자 사이에 전기적으로 연결된 DC 바이어스 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  15. 제14항에 있어서, 상기 능동 궤환회로는 상기 DC 바이어스 저항과 접지 사이에 전기적으로 연결된 바이패스 커패시터를 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  16. 제9항에 있어서, 상기 MMIC의 외부에 상기 MMIC의 이득 대역폭과 선형 성능을 조정하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  17. 제16항에 있어서, 상기 조정 수단은 제1 DC 전원 전압 및 제2 DC 전원 전압을 수신하는 수단으로서, 상기 제2 DC 전원 전압은 조정가능한, 수신 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  18. 게이트, 드레인 및 소스 단자를 갖는 HEMT와, 상기 게이트 및 드레인 단자 사이에 전기적으로 연결된 능동 궤환 회로와, MMIC 외부에, 상기 능동 궤환 회로의 궤환을 조정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  19. 제18항에 있어서, 상기 능동 궤환 회로는 하나 이상의 헤테로집합 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로 웨이브 집적 회로.
  20. 제19항에 있어서, 상기 조정 수단은 DC 전압의 소스를 수신하는 수단을 포함하고, 상기 DC 전압의 소스는 조정가능한 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로부웨이브 집적 회로.
  21. 제18항에 있어서, 상기 능동 궤환 회로는 상기 HBT 사이에 전기적으로 연결된 저항성 궤환을 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
KR1019970000932A 1996-01-16 1997-01-15 저잡음 증폭기 및 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로 KR970060674A (ko)

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