JPH01192207A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
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- JPH01192207A JPH01192207A JP63018395A JP1839588A JPH01192207A JP H01192207 A JPH01192207 A JP H01192207A JP 63018395 A JP63018395 A JP 63018395A JP 1839588 A JP1839588 A JP 1839588A JP H01192207 A JPH01192207 A JP H01192207A
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- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 6
- 101150015217 FET4 gene Proteins 0.000 description 4
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B28/00—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements
- C04B28/14—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing calcium sulfate cements
- C04B28/142—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing calcium sulfate cements containing synthetic or waste calcium sulfate cements
- C04B28/143—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing calcium sulfate cements containing synthetic or waste calcium sulfate cements the synthetic calcium sulfate being phosphogypsum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
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- C04B2111/0062—Gypsum-paper board like materials
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高速光通信システム等に用いられて好適な光受
信回路に関する。
信回路に関する。
（従来の技術）
光通信システムにおいて、大容量の情報を長距離に渡っ
て伝送するためには、帯域が広く受信感度が高い光受信
回路が必要となる。光受信回路は一般に光検出器と、こ
の光検出器の出力を増幅する増幅器とからなる。
て伝送するためには、帯域が広く受信感度が高い光受信
回路が必要となる。光受信回路は一般に光検出器と、こ
の光検出器の出力を増幅する増幅器とからなる。
帯域と受信感度の向上のためには、増幅器をなす電気的
増幅素子と光検出器とを同一基板上にモノリシックに集
積する方式が有効である。従来から知られているこの種
の光受信回路としてＰＩＮ−フォトダイオードと電界効
果トランジスタ（ＦＥＴ）とを集積化したものがある（
例えば、ワダｆ也の“ＡＱＧａＡｓ／ ＧａＡｓ ｐ−
１−ｎ ）−ｒトダイオ−ド／プリアンプリファイア・
モノリシック・フォトレシーバ・インテグレーテッド・
オン・ア・セミ−インシュレーティングＧａＡｓサブス
トレイト”。
増幅素子と光検出器とを同一基板上にモノリシックに集
積する方式が有効である。従来から知られているこの種
の光受信回路としてＰＩＮ−フォトダイオードと電界効
果トランジスタ（ＦＥＴ）とを集積化したものがある（
例えば、ワダｆ也の“ＡＱＧａＡｓ／ ＧａＡｓ ｐ−
１−ｎ ）−ｒトダイオ−ド／プリアンプリファイア・
モノリシック・フォトレシーバ・インテグレーテッド・
オン・ア・セミ−インシュレーティングＧａＡｓサブス
トレイト”。
アプライド・フィジックス・レター４６（１０）。
１９８５ （“ＡＱにａＡｓ／ＧａＡｓ ｐ−１−ｎ
ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ／ｐｒｅａｍｐｌｉｆｉｅｒ ｍ
ｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｐｈｏｔｏｒｅｃｅｉｖｅｒｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄ ｏｎ ａ ｓｅｍｉ−ｉｎｓｕｌａ
ｔｉｎｇ ＧａＡｓ５ｕｂｓｔｒａｔｅ”、 Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ ４６（１０）
。
ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ／ｐｒｅａｍｐｌｉｆｉｅｒ ｍ
ｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｐｈｏｔｏｒｅｃｅｉｖｅｒｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄ ｏｎ ａ ｓｅｍｉ−ｉｎｓｕｌａ
ｔｉｎｇ ＧａＡｓ５ｕｂｓｔｒａｔｅ”、 Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ ４６（１０）
。
１９８５））。
第３図に前記の光学素子と電気素子との集積回路（Ｏｐ
ｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃ１ｒｃｕｉｔ ：０ＥＩＣ）化された光受信回路の
例を示す、この光受信０ＥＩＣは、負帰還増幅をするト
ランスインピーダンス型増幅回路と光検出器１としての
ｐ−４−ｎフォトダイオードとからなる。そのトランス
インピーダンス型増幅回路は、ＦＥＴ２による初段増幅
回路と、ＦＥＴ４．６による２段の出力バッファ回路と
、ＦＥＴ３．５．７による能動負荷抵抗と、ダイオード
２０，２１による電圧レベルシフト回路と、帰還抵抗１
０とから構成される。
ｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃ１ｒｃｕｉｔ ：０ＥＩＣ）化された光受信回路の
例を示す、この光受信０ＥＩＣは、負帰還増幅をするト
ランスインピーダンス型増幅回路と光検出器１としての
ｐ−４−ｎフォトダイオードとからなる。そのトランス
インピーダンス型増幅回路は、ＦＥＴ２による初段増幅
回路と、ＦＥＴ４．６による２段の出力バッファ回路と
、ＦＥＴ３．５．７による能動負荷抵抗と、ダイオード
２０，２１による電圧レベルシフト回路と、帰還抵抗１
０とから構成される。
この光受信０ＥＩＣでは、素子の集積化を行なう事によ
る回路の小型化、全入力容量の低減化を図っている。こ
の全入力容量と帰還抵抗との積が帯域に大きく影響する
が、光受信０ＥＩＣでは全入力容量の低減分だけ、帰還
抵抗を大きくとる事ができ、それにより帯域を損なわず
に感度を向上きせることができるという特徴がある。
る回路の小型化、全入力容量の低減化を図っている。こ
の全入力容量と帰還抵抗との積が帯域に大きく影響する
が、光受信０ＥＩＣでは全入力容量の低減分だけ、帰還
抵抗を大きくとる事ができ、それにより帯域を損なわず
に感度を向上きせることができるという特徴がある。
（発明が解決しようとする課題）
前記の光受信０ＥｒＣでは、受信器としての帯域は、全
入力容量１層幅回路の開ループ利得および帰還抵抗の大
ききによって決定される。その為、この様な光受信０Ｅ
ＩＣでは、一定の帯域しか持てないので、光通信におい
て使用きれる情報の伝達容量の上限値が決定してしまい
、また上限値以下の使用では雑音成分が大きくて、受信
感度が劣化する。よって、この様な光受信０ＥＩＣでは
、最適に動作するような情報の伝送速度が限られてしま
い、汎用性に欠けるという問題があった。
入力容量１層幅回路の開ループ利得および帰還抵抗の大
ききによって決定される。その為、この様な光受信０Ｅ
ＩＣでは、一定の帯域しか持てないので、光通信におい
て使用きれる情報の伝達容量の上限値が決定してしまい
、また上限値以下の使用では雑音成分が大きくて、受信
感度が劣化する。よって、この様な光受信０ＥＩＣでは
、最適に動作するような情報の伝送速度が限られてしま
い、汎用性に欠けるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、光通信での様々な情報の伝達
速度に対して、常に最適な感度を得られる様に、増幅回
路の開ループ利得および帰還抵抗の調節が可能な光受信
回路を実現することである。
速度に対して、常に最適な感度を得られる様に、増幅回
路の開ループ利得および帰還抵抗の調節が可能な光受信
回路を実現することである。
（課題を解決するための手段）
前述の課題を解決し上記目的を達成するために本発明が
提供する手段は、光検出器と、この光検出器の出力を増
幅する増幅器とからなり、該増幅器は出力端の信号を入
力端に負帰還する抵抗と、利得を決定する負荷抵抗とを
有する光受信回路であって、前記負帰還抵抗と前記負荷
抵抗とが、各々バイポーラトランジスタのエミッタ−コ
レクタ間の抵抗または電界効果トランジスタのソース−
ドレイン間の抵抗でなることを特徴とする。
提供する手段は、光検出器と、この光検出器の出力を増
幅する増幅器とからなり、該増幅器は出力端の信号を入
力端に負帰還する抵抗と、利得を決定する負荷抵抗とを
有する光受信回路であって、前記負帰還抵抗と前記負荷
抵抗とが、各々バイポーラトランジスタのエミッタ−コ
レクタ間の抵抗または電界効果トランジスタのソース−
ドレイン間の抵抗でなることを特徴とする。
（作用）
一般に、光受信０ＥＩＣでは、受信器としての帯域は、
増幅回路の開ループ利得を、受信器の全入力容量と帰還
抵抗とで割ったものに比例する。
増幅回路の開ループ利得を、受信器の全入力容量と帰還
抵抗とで割ったものに比例する。
よって、増幅回路の開ループ利得を決定する増幅回路内
の負荷抵抗および増幅器の帰還抵抗として、固定きれた
抵抗を用いると、受信器としての帯域は固定してしまい
、様々な情報の伝送速度に対する汎用性がない、そこで
本発明では、固定抵抗の代わりとして、バイポーラトラ
ンジスタのコレクターエミッタ間抵抗または電界効果ト
ランジスタのソース−ドレイン間の抵抗を用いる。上記
のバイポーラトランジスタのベース電流、電界効果トラ
ンジスタのゲート電圧を変化させる事により、これらの
能動素子の内部抵抗を制御できる。
の負荷抵抗および増幅器の帰還抵抗として、固定きれた
抵抗を用いると、受信器としての帯域は固定してしまい
、様々な情報の伝送速度に対する汎用性がない、そこで
本発明では、固定抵抗の代わりとして、バイポーラトラ
ンジスタのコレクターエミッタ間抵抗または電界効果ト
ランジスタのソース−ドレイン間の抵抗を用いる。上記
のバイポーラトランジスタのベース電流、電界効果トラ
ンジスタのゲート電圧を変化させる事により、これらの
能動素子の内部抵抗を制御できる。
よって、これらの能動素子を増幅回路内のトランジスタ
に対する負荷抵抗として用いる事により、増幅器として
の開ループ利得を調節する事ができるとともに、併せて
、この能動素子を帰還抵抗として用いる事により、上記
受信器としての帯域を任意に設定できる０以上の事によ
り、本発明の光受信回路は、任意の情報の伝送速度に対
して最適な帯域を設定できるから、汎用性を持つ事が可
能となる。
に対する負荷抵抗として用いる事により、増幅器として
の開ループ利得を調節する事ができるとともに、併せて
、この能動素子を帰還抵抗として用いる事により、上記
受信器としての帯域を任意に設定できる０以上の事によ
り、本発明の光受信回路は、任意の情報の伝送速度に対
して最適な帯域を設定できるから、汎用性を持つ事が可
能となる。
（実施例）
次に、実施例を挙げ、本発明を一層詳しく説明する。
第１図は本発明の第１の実施例である光受信０ＥＩＣの
回路図である０本実施例において光受信０ＥＩＣは、Ｎ
ＲＺ符号の光信号の検出を行うものであり、光検出器１
としてのｐ−４−ｎフォトダイオード、電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）２〜４．９、抵抗１０．電圧レベルシ
フト用ダイオード２０〜２３は全て同一基盤にモノリシ
ック集積されている。
回路図である０本実施例において光受信０ＥＩＣは、Ｎ
ＲＺ符号の光信号の検出を行うものであり、光検出器１
としてのｐ−４−ｎフォトダイオード、電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）２〜４．９、抵抗１０．電圧レベルシ
フト用ダイオード２０〜２３は全て同一基盤にモノリシ
ック集積されている。
光検出器１は、初段増幅回路としてのＦＥＴ２のゲート
に直接に接続きれている。ＦＥＴ２のドレインはＦＥＴ
３のドレイン−ソース間の抵抗を介して電源Ｖａゎに接
続きれ、ＦＥＴ２のソースはグランドに落とされる。こ
のＦＥＴ３はゲート軍、圧ｖ０を調節する事によって、
可変抵抗として使用される。また、ＦＥＴ２のドレイン
はバッファ回路としてのＦＥＴ４のゲートにも接続きれ
る。
に直接に接続きれている。ＦＥＴ２のドレインはＦＥＴ
３のドレイン−ソース間の抵抗を介して電源Ｖａゎに接
続きれ、ＦＥＴ２のソースはグランドに落とされる。こ
のＦＥＴ３はゲート軍、圧ｖ０を調節する事によって、
可変抵抗として使用される。また、ＦＥＴ２のドレイン
はバッファ回路としてのＦＥＴ４のゲートにも接続きれ
る。
ＦＥＴ４のドレインは電源ｖｒ、Ｄに、ＦＥＴ４のソー
スは４つのレベルシフトダイオード２０〜２３を介して
光受信器の出力Ｖ。ヵ、となり、そこから更に抵抗１０
を介して電源ｖｓｉに接続きれている。可変帰還抵抗と
してのＦＥＴ９は、ソースをＦＥＴ２のゲートに、ドレ
インをダイオード２３のカソードに接続されており、こ
のＦＥＴ９のゲートにかかる電圧Ｖ、を制御する事によ
って、ＦＥＴ９のドレイン−ソース間の抵抗の値が調整
されている。
スは４つのレベルシフトダイオード２０〜２３を介して
光受信器の出力Ｖ。ヵ、となり、そこから更に抵抗１０
を介して電源ｖｓｉに接続きれている。可変帰還抵抗と
してのＦＥＴ９は、ソースをＦＥＴ２のゲートに、ドレ
インをダイオード２３のカソードに接続されており、こ
のＦＥＴ９のゲートにかかる電圧Ｖ、を制御する事によ
って、ＦＥＴ９のドレイン−ソース間の抵抗の値が調整
されている。
さて、以上の構成で、この増幅回路の利得・帯域積を２
０ＧＨｚとすると、情報の伝送速度が例えば１．２Ｇｂ
／ｓのときには、最適の帰還抵抗値が３．６にΩでこの
ときの受信感度が一３４ｄＢｍであった。また、伝送速
度が２．４Ｇｂ／ｓのときには最適帰還抵抗値が９２０
Ωで、このときの受信感度が一２９ｄＢｍ程度であった
。このように各ビットレートで良好な感度を実現できた
。
０ＧＨｚとすると、情報の伝送速度が例えば１．２Ｇｂ
／ｓのときには、最適の帰還抵抗値が３．６にΩでこの
ときの受信感度が一３４ｄＢｍであった。また、伝送速
度が２．４Ｇｂ／ｓのときには最適帰還抵抗値が９２０
Ωで、このときの受信感度が一２９ｄＢｍ程度であった
。このように各ビットレートで良好な感度を実現できた
。
第２図は本発明の第２の実施例の光受信０ＥＩＣの回路
図である６本実施例において光受信０ＥＩＣはＮＲＺ符
号の光信号の検出を行うものであり、第１の実施例同様
、光学素子と電気素子を同一の基盤上にモノリシックに
集積したものである。その回路は、光検出器１としての
ｐ−１−ｎフォトダイオード、増幅回路としてのＦＥＴ
２〜８、電圧レベルシフト用ダイオード２０〜２８、抵
抗１０〜１２、そして可変帰還抵抗としてのＦＥＴ９よ
り構成きれている。
図である６本実施例において光受信０ＥＩＣはＮＲＺ符
号の光信号の検出を行うものであり、第１の実施例同様
、光学素子と電気素子を同一の基盤上にモノリシックに
集積したものである。その回路は、光検出器１としての
ｐ−１−ｎフォトダイオード、増幅回路としてのＦＥＴ
２〜８、電圧レベルシフト用ダイオード２０〜２８、抵
抗１０〜１２、そして可変帰還抵抗としてのＦＥＴ９よ
り構成きれている。
光検出器１は直接に第１段増幅回路のＦＥＴ２のゲート
に接続される。ＦＥＴ２のドレインは可変抵抗としての
ＦＥＴ３を介して、電源ｖＤＩ、に接続され、このＦＥ
Ｔ３のゲート電圧のｖｃ、Ｉを変える事により抵抗値を
調節できる。
に接続される。ＦＥＴ２のドレインは可変抵抗としての
ＦＥＴ３を介して、電源ｖＤＩ、に接続され、このＦＥ
Ｔ３のゲート電圧のｖｃ、Ｉを変える事により抵抗値を
調節できる。
また、ＦＥＴ２のソースは直接グランドに落と諮れ、Ｆ
ＥＴ２のドレインは３個のレベルシフトダイオード２０
〜２２を介して次段のＦＥＴ４のゲートに接続されてい
る。第２段、第３段の増幅部分もほぼ第１段と同じであ
るが、各ゲートが抵抗１０．１１を介して電源ｖｓｓに
接続されている点において第１段パとは異なっている。
ＥＴ２のドレインは３個のレベルシフトダイオード２０
〜２２を介して次段のＦＥＴ４のゲートに接続されてい
る。第２段、第３段の増幅部分もほぼ第１段と同じであ
るが、各ゲートが抵抗１０．１１を介して電源ｖｓｓに
接続されている点において第１段パとは異なっている。
ＦＥＴ６のソースはバッファ回路としてのＦＥＴ８のゲ
ートに直接に接続され、このＦＥＴ８のソースは直接に
ｖＤＤに接続きれている。このＦＥＴ８のドレインは３
個のレベルシフトダイオード２６〜２８を介して、増幅
回路の出力Ｖ。Ｕ？となり、更に抵抗１２を介して電源
ＶＳＳに接続きれている。ＦＥＴ９は、ソースをＦＥＴ
２のゲートに、ドレインをダイオード２８のカソードに
接続されている。このＦＥＴ９のゲートにかかる電圧Ｖ
ｔを調節することにより、ソース−ドレイン間の抵抗を
変化させる事が可能である。
ートに直接に接続され、このＦＥＴ８のソースは直接に
ｖＤＤに接続きれている。このＦＥＴ８のドレインは３
個のレベルシフトダイオード２６〜２８を介して、増幅
回路の出力Ｖ。Ｕ？となり、更に抵抗１２を介して電源
ＶＳＳに接続きれている。ＦＥＴ９は、ソースをＦＥＴ
２のゲートに、ドレインをダイオード２８のカソードに
接続されている。このＦＥＴ９のゲートにかかる電圧Ｖ
ｔを調節することにより、ソース−ドレイン間の抵抗を
変化させる事が可能である。
以上の様な構成で、第１の実施例と同様に、この第２Ｕ
９Ａの回路の利得・帯域積を２００ＧＨｚにしたとき、
１．２Ｇｂ／ｓのときは、最適の帰還抵抗値が３．７に
Ωでこのときの受信感度が一３６ｄＢｍであった。また
、伝送速度が２．４Ｇｂ／ｓのときは、最適帰還抵抗が
９．２にΩで、受信感度が−３１ｄＢｍ程度であった。
９Ａの回路の利得・帯域積を２００ＧＨｚにしたとき、
１．２Ｇｂ／ｓのときは、最適の帰還抵抗値が３．７に
Ωでこのときの受信感度が一３６ｄＢｍであった。また
、伝送速度が２．４Ｇｂ／ｓのときは、最適帰還抵抗が
９．２にΩで、受信感度が−３１ｄＢｍ程度であった。
以上、本発明の２つの実施例を説明したが、本発明は以
上の実施例の他にもいろいろな態様で実現できる。
上の実施例の他にもいろいろな態様で実現できる。
例えば、光検出器１としては、ｐ−１−ｎフォトダイオ
ードの他にも、アバランシェフォトダイオード、光導電
検出器や光電子増倍管等の利用が可能である。また、実
施例ではモノリシックな集積回路について説明したが、
もちろん全て、或いは一部の素子をハイブリッド実装し
ても同様の作用をする。また、実施例では全て電界効果
トランジスタを用いた説明をしたが、それらをバイポー
ラトランジスタに置きかえることも可能である。更に、
実施例では増幅回路として２つの例だけを示したが、条
件を満たせば、他のどの様な構成の増幅回路についても
応用できる。
ードの他にも、アバランシェフォトダイオード、光導電
検出器や光電子増倍管等の利用が可能である。また、実
施例ではモノリシックな集積回路について説明したが、
もちろん全て、或いは一部の素子をハイブリッド実装し
ても同様の作用をする。また、実施例では全て電界効果
トランジスタを用いた説明をしたが、それらをバイポー
ラトランジスタに置きかえることも可能である。更に、
実施例では増幅回路として２つの例だけを示したが、条
件を満たせば、他のどの様な構成の増幅回路についても
応用できる。
更に、説明では、電界効果トランジスタを可変抵抗とし
て用いたが、これと並列または直列に抵抗を入れてもよ
いし、複数個の能動素子で置きかえてもよい。
て用いたが、これと並列または直列に抵抗を入れてもよ
いし、複数個の能動素子で置きかえてもよい。
（発明の効果）
以上のように、本発明によれば、伝送速度が変わっても
増幅回路の利得および帰還抵抗値を調節し、最適の帯域
を得られる高感度光受信回路が実現できる。
増幅回路の利得および帰還抵抗値を調節し、最適の帯域
を得られる高感度光受信回路が実現できる。
第１図および第２図は本発表の第１および第２の実施例
の光受信回路をそれぞれ示す回路図、第３図は従来の光
受信回路の回路図である。 １・・・光検出器、２〜９・・・！界効果トランジスタ
、１０〜１２・・・抵抗、２０〜２８・・・ダイオード
、ｖｌＶｅＩ）ｔ ｖ、、、 ＶＪ・・・電源、ｖ２・
・・帰還抵抗調節用電圧、ｖ、、ｖ、、、ｖ、、、ｖ、
、−・・増幅回路利得調節用電圧、ＶＯＬ、？・・・出
力端子。
の光受信回路をそれぞれ示す回路図、第３図は従来の光
受信回路の回路図である。 １・・・光検出器、２〜９・・・！界効果トランジスタ
、１０〜１２・・・抵抗、２０〜２８・・・ダイオード
、ｖｌＶｅＩ）ｔ ｖ、、、 ＶＪ・・・電源、ｖ２・
・・帰還抵抗調節用電圧、ｖ、、ｖ、、、ｖ、、、ｖ、
、−・・増幅回路利得調節用電圧、ＶＯＬ、？・・・出
力端子。
Claims (1)
- 光検出器と、この光検出器の出力を増幅する増幅器とか
らなり、該増幅器は出力端の信号を入力端に負帰還する
抵抗と、利得を決定する負荷抵抗とを有する光受信回路
において、前記負帰還抵抗と前記負荷抵抗とが、各々バ
イポーラトランジスタのエミッタ−コレクタ間の抵抗ま
たは電界効果トランジスタのソース−ドレイン間の抵抗
でなることを特徴とする光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018395A JPH01192207A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018395A JPH01192207A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192207A true JPH01192207A (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=11970515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63018395A Pending JPH01192207A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01192207A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0433646A2 (de) * | 1989-11-16 | 1991-06-26 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Optischer Empfänger |
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