JP2013225847A - 増幅形光電変換素子のゲイン可変方法、およびゲイン可変光電変換素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】増幅形光電変換部分は、光電変換要素101と、ダーリントン回路を構成する増幅用トランジスタ100−1,100−2とを含む。各増幅用トランジスタのベースには電界効果トランジスタ10−1,10−2の各ソースが、エミッタには各ドレインがそれぞれ接続される。電界効果トランジスタ10−1,10−2の各ゲートはゲイン制御部として機能する。
【選択図】図1
Description
前記光電変換要素は、前記、複数のトランジスタの中から選択されたトランジスタのベースに接続され、
前記光電変換要素は、光強度または光波長の光入力情報を、電流、電荷、電圧の電気量に光電変換する素子であり、
前記、複数のトランジスタのコレクタの少なくとも1つが第1出力部であり、
前記、複数のトランジスタのエミッタの1つが第2出力部であり、
前記、複数のトランジスタの第2出力部ではない他のエミッタは、光電変換要素がベースに接続されている前記選択されたトランジスタ以外の前記、複数のトランジスタのベースに接続され、
前記光電変換された電気量が、増幅された電流または電荷からなる電気信号として、前記第1出力部または第2出力部から得られるように構成された増幅形光電変換素子において、
各ゲートにゲイン制御電位を与えることにより、前記第1出力部または前記第2出力部から得られる前記電気信号のゲインが変化する、
ことを特徴とする増幅形光電変換素子のゲイン可変方法。
前記光電変換要素は、前記、複数のトランジスタの中から選択されたトランジスタのベースに接続され、
前記光電変換要素は、光強度または光波長の光入力情報を、電流、電荷、電圧の電気量に光電変換する素子であり、
前記、複数のトランジスタのコレクタの少なくとも1つが第1出力部であり、
前記、複数のトランジスタのエミッタの1つが第2出力部であり、
前記、複数のトランジスタの第2出力部ではない他のエミッタは、光電変換要素がベースに接続されている前記選択されたトランジスタ以外の前記、複数のトランジスタのベースに接続され、
前記光電変換された電気量が、増幅された電流または電荷からなる電気信号として、前記第1出力部または第2出力部から得られるように構成された増幅形光電変換素子において、
各ゲートにゲイン制御電位を与えることにより、前記第1出力部または前記第2出力部から得られる前記電気信号のゲインが変化する、
ことを特徴とするゲイン可変光電変換素子。
ソース・ドレイン・ゲートが設けられた複数の電界効果トランジスタとを備え、
前記コレクタが、第1出力部であり、
前記複数のエミッタの1つが第2出力部であり、
前記複数のベースの1つのベースと前記コレクタは、光強度または光波長の光入力情報を、電流、電荷、電圧変換の電気量に光電変換し、前記光電変換に係るベースと前記第2出力部に係るエミッタを除いた、前記複数のベースと前記複数のエミッタがそれぞれ相互接続され、前記光電変換された電気量が、増幅された電流または電荷からなる電気信号として、前記第1出力部または第2出力部から得られ、
前記ソースおよび前記ドレインの一方は、前記ベースまたはエミッタと接続され、
前記ソースおよび前記ドレインの他方は、前記ベースまたはエミッタと接続され、
前記ゲートにゲイン制御電位を与えることで、前記第1出力部または前記第2出力部から得られる前記電気信号のゲインが変化する、
ことを特徴とするゲイン可変光電変換素子。
前記第2出力部は、前記第2電界効果トランジスタのソースおよびドレインの一方と接続され、
前記第2電界効果トランジスタのソースおよびドレインの他方は、セル出力部であり、
前記第2電界効果トランジスタのゲートは、セル選択部であり、
前記第2電界効果トランジスタが遮断される電位である第1選択電位から、前記第2電界効果トランジスタが導通する電位である第2選択電位を前記セル選択部に印加することにより当該ゲイン可変光電変換セルの選択を行う、
ことを特徴とするゲイン可変光電変換セル。
9−1、9−2、9−3:ゲイン制御部
10−1、10−2、10−3、11:電界効果トランジスタ
23、24:セル出力部
32:セル選択部
100−1、100−2、100−3:増幅用トランジスタ
101:光電変換要素
102:入力光
103:増幅用トランジスタ(増幅度A)
104:増幅用トランジスタ(増幅度B)
105:増幅用トランジスタ(増幅度C)
106:センサーセル
107:フィードバック回路
108:IV変換回路
109:差動アンプ
110:ADコンバーター
111−1、111−2:コンパレータ
Claims (11)
- 光電変換要素とコレクタ・ベース・エミッタを有する複数のトランジスタから構成される増幅形光電変換部分と、ソース・ドレイン・ゲートを有する複数の電界効果トランジスタとを備え、前記複数のトランジスタは、各々のトランジスタのエミッタとベース間には電界効果トランジスタのソースとドレインが接続され、
前記光電変換要素は、前記、複数のトランジスタの中から選択されたトランジスタのベースに接続され、
前記光電変換要素は、光強度または光波長の光入力情報を、電流、電荷、電圧の電気量に光電変換する素子であり、
前記、複数のトランジスタのコレクタの少なくとも1つが第1出力部であり、
前記、複数のトランジスタのエミッタの1つが第2出力部であり、
前記、複数のトランジスタの第2出力部ではない他のエミッタは、光電変換要素がベースに接続されている前記選択されたトランジスタ以外の前記、複数のトランジスタのベースに接続され、
前記光電変換された電気量が、増幅された電流または電荷からなる電気信号として、前記第1出力部または第2出力部から得られるように構成された増幅形光電変換素子において、
各ゲートにゲイン制御電位を与えることにより、前記第1出力部または前記第2出力部から得られる前記電気信号のゲインが変化する、
ことを特徴とする増幅形光電変換素子のゲイン可変方法。 - 光電変換要素とコレクタ・ベース・エミッタを有する複数のトランジスタから構成される増幅形光電変換部分と、ソース・ドレイン・ゲートを有する複数の電界効果トランジスタとを備え、各トランジスタのエミッタとベース間には電界効果トランジスタのソースとドレインが接続され、
前記光電変換要素は、前記、複数のトランジスタの中から選択されたトランジスタのベースに接続され、
前記光電変換要素は、光強度または光波長の光入力情報を、電流、電荷、電圧の電気量に光電変換する素子であり、
前記、複数のトランジスタのコレクタの少なくとも1つが第1出力部であり、
前記、複数のトランジスタのエミッタの1つが第2出力部であり、
前記、複数のトランジスタの第2出力部ではない他のエミッタは、光電変換要素がベースに接続されている前記選択されたトランジスタ以外の前記、複数のトランジスタのベースに接続され、
前記光電変換された電気量が、増幅された電流または電荷からなる電気信号として、前記第1出力部または第2出力部から得られるように構成された増幅形光電変換素子において、
各ゲートにゲイン制御電位を与えることにより、前記第1出力部または前記第2出力部から得られる前記電気信号のゲインが変化する、
ことを特徴とするゲイン可変光電変換素子。 - 前記光電変換要素がフォトダイオードであることを特徴とする請求項2記載のゲイン可変光電変換素子。
- 前記光電変換要素が、前記選択されたトランジスタのコレクタとベースを含むフォトダイオードであることを特徴とする請求項2記載のゲイン可変光電変換素子。
- 前記のゲイン可変光電変換素子において各トランジスタの増幅度が異なり、任意のゲートにゲイン制御電位を与えることにより前記第1出力部または前記第2出力部から得られる前記電気信号のゲインが変化することを特徴とする請求項1記載のゲイン可変方法。
- 前記のゲイン可変光電変換素子において各トランジスタの増幅度が異なり、任意のゲートにゲイン制御電位を与えることにより前記第1出力部または前記第2出力部から得られる前記電気信号のゲインが変化することを特徴とする請求項2記載のゲイン可変光電変換素子。
- 連続したまたは相互接続されたコレクタにそれぞれ設けられた複数のベース、該複数のベースにそれぞれ設けられた複数のエミッタを有する増幅形光電変換部分と、
ソース・ドレイン・ゲートが設けられた複数の電界効果トランジスタとを備え、
前記コレクタが、第1出力部であり、
前記複数のエミッタの1つが第2出力部であり、
前記複数のベースの1つのベースと前記コレクタは、光強度または光波長の光入力情報を、電流、電荷、電圧変換の電気量に光電変換し、前記光電変換に係るベースと前記第2出力部に係るエミッタを除いた、前記複数のベースと前記複数のエミッタがそれぞれ相互接続され、前記光電変換された電気量が、増幅された電流または電荷からなる電気信号として、前記第1出力部または第2出力部から得られ、
前記ソースおよび前記ドレインの一方は、前記ベースまたはエミッタと接続され、
前記ソースおよび前記ドレインの他方は、前記ベースまたはエミッタと接続され、
前記ゲートにゲイン制御電位を与えることで、前記第1出力部または前記第2出力部から得られる前記電気信号のゲインが変化する、
ことを特徴とするゲイン可変光電変換素子。 - 請求項1〜7のゲイン可変光電素子を用いて、前記ゲイン可変用電界効果トランジスタ以外にソース・ドレイン・ゲートを有する第2電界効果トランジスタを更に備え、
前記第2出力部は、前記第2電界効果トランジスタの前記ソースおよび前記ドレインの一方と接続され、
前記第2電界効果トランジスタの前記ソースおよび前記ドレインの他方は、セル出力部であり、
前記第2電界効果トランジスタの前記ゲートは、セル選択部であり、
前記第2電界効果トランジスタが遮断される電位である第1選択電位から、前記第2電界効果トランジスタが導通する電位である第2選択電位を前記セル選択部に印加することにより当該ゲイン可変光電変換セルの選択を行う、
ことを特徴とするゲイン可変光電変換セル。 - 請求項1〜8のゲイン可変方法、ゲイン可変光電変換素子、ゲイン可変光電変換セルに関して、前記第1出力部または前記第2出力部から出力された電気信号を監視し、監視結果に基づいて各ゲートへの印加電圧を制御する事により適切なゲイン調整を行うゲイン可変光電変換セル。
- 前記第1出力部または前記第2出力部から出力された電気信号を参照電圧と比較し、その差分をデジタル信号に変換し、差分がなくなる方向のゲイン制御電位を供給することによりゲイン調整を行う事を特徴とする請求項9記載のゲイン可変光電変換セル。
- 前記第1出力部または前記第2出力部から出力された電気信号が複数のコンパレータに入力され、そのコンパレータ出力をゲイン制御電位として各ゲートへ供給することによりゲイン調整を行う事を特徴とする請求項9の記載のゲイン可変光電変換セル。
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