KR930004495A - 스퍼터링 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

스퍼터링 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명에 의한 스퍼터링장치의 일실시예의 내부구성을 도신한 단면도,
제2도는 본원 발명에 의한 마그네트론 캐소드전극의 제1실시예를 도시한 단면도,
제3도는 제1의 자석유니트를 설명하기 위한 단면도.

Claims (15)

  1. 내부를 진공상태로 하는 배기계(排氣系)를 구비한 진공용기와, 이 진공용기의 내부에 배치되고, 성막 (成膜)처리되는 기판을 장착한 기판지지부재와, 상기 기판에 대하여 대향하는 위차관계로 배치되고, 상기 기판의 면에 성막하는 방형 평면형상 타켓을 구비한 최소한 하나의 마그네트론 캐소드전극과, 상기 진공용기의 내부에 가스를 유통시켜서 내부압력을 적절히 유지하는 가스제어계(制御系)와, 상기 마그네트론 캐소드전극에 전력을 공급하는 전원계(電源系)를 포함하는 스퍼터링장치에 있어서, 상기 하나의 마그네트론 캐소드전극은 N극 및 S극에 관한 자극의 배치가 서로 반대인 제1 및 제2의 2종류의 자석유니트를 교대로 인접시켜 배치한 자석조립체를 구비하고,상기 타겟면상에 제1 및 제2의 상기 자석유니트에 의해 드리프트전자의 운동방향이 반대인 2종류의 환상(環狀)궤적이 교대로 인접되어, 서로 인접하는 드리프트전자(電子)의 궤도가 혼성되어 형성되는 스퍼터링장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마그네트론 캐소드전극의 상기 자석조립체에서, 상기 제1 및 제2의 2종류의 상기 자석 유니트는 제2종류의 상기 자석유니트는 재1자석유니트와제2자석유니트의 각각에서 생성되는 이온전류발생영역이 공유될 정도로 근접한 위치에서 배치되는 스퍼터링장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마그네트론 캐소드전극은 상기 자석조립체를 왕복이동시키는 이동기구를 구비하고, 이 이동기구에 의한 상기 자석조립체의 왕복이동에 수반하여 상기 환상궤적이 왕복이동하는 스퍼터링장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 자석유니트의 각각은 요크와, 이 위에 배설되는 중심자석과, 상기 요크의 위이며 상기 중심자석의 주위에 배설되는 주변자석으로 구성되고, 상지 중심자석과 상기 주변자석의 각각에는 상기 요크측과 반대측의 각 위치에 각각 상기 타겟면과 평행한 자극면이 배설되는 스퍼터링장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 자석유니트는 접근상태로 배치되고, 그들 인접부의 사이에는 스페이서가 개재설치되는 스퍼터링장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 자석유니트는 요크와 이 위에 배설되는 환상자석으로 구성되고, 상기 환상자석에는 그 내주면과 외주면에 상기 타겟면에 수직의 자극면이 배설되는 스퍼터링장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제 1 및 제2의 자석 유니트의 사이에서는 각 자석유니트의 각 환상자석을 접촉시키는 스퍼터링장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 자석조립체는 상기 마그네트론 캐소드전극의 전극하우징에 형성된 요형(凹形)공간에 고정상태로 배설되는 스퍼터링장치.
  9. 제3항에 있어서, 상기자석조립체는 상기 마그네트론 캐소드전극의 전극하우징에 형성된 요형공간에 그 이동을 허용하는 공간을 형성하여 배치되고, 이 요형공간내에서 상기 이동이 행해지는 스퍼터링장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 기판지지부재는 상기 기판을 반송하기 위해 이동할 수 잇고, 또한 상기 진공용기내에서 상기 기판에 박막을 형성할 때, 상기 기판이 상기 마그네트론 캐소드전극의 타겟면에 대향하는 위치에서 상기 기판지지부재는 정지(靜止)되도록 구성되는 스퍼터링장치.
  11. 제3항에 있어서, 상기 이동기구는 회전구동장치와, 이 회전구동장치에 한 회전운동을 상기 자석조립체의 왕복운동으로 변화하는 변환기구와, 상기 자석조립체의 왕복운동을 가이드하는 가이드 부재로 구성되는 스퍼터링장치.
  12. 제1항에 있어서, 인접한 상기 2개의 환상궤적에 있어서의 인접하는 2개의 드리프트 전자궤도의 전자운동방향이 같은 방향이고, 또한 평행인 스퍼터링방치.
  13. 제12항에 있어서, 인접하는 상기 2개의 드리프트전자의 궤도는 혼성된 상태에서 형성되고, 상기 혼성상태에서 생성되는 이온전류 발생영역을 상기 각 드리프트전자궤도가 단독으로 형성되고, 또한 합성되었을 때에 생성되는 이온전류발생영역에 비교하여, 타겟면상의 에칭영역의 점에서 넓게 하는 스퍼터링장치.
  14. 제5항에 있어서, 상기 스페이서의 재질은 연철(軟鐵)인 스퍼터링장치.
  15. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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