KR930003246A - 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법 - Google Patents
플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 증착온도와 비저항값의 관계를 보인 그래프,
제2도는 WF6-H2반응계에서 H2:WF6분압비 변화에 따른 비저항값의 변화를 보인 그래프,
제3도는WF6-SiH4-H2반응계에서 SiH4:WF6분압비 변화에 따른 비저항값의 변화를 보인 그래프.
Claims (2)
- 플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착함에 있어서, 반응기체인 WF6-H2반응계의 H2:WF6의 분압비를 15:1 이상으로 유지하고 0.1∼1Torr의 증착압력으로 250-500℃의 증착온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법.
- 플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착함에 있어서, 반응기체인 WF6-SiH4-H2반응계의 SiH4:WF6의 분압비를 0.5∼1.5:1로 유지하고 0.1∼1Torr의 증착압력으로 250-500℃의 증착온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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