KR930010239A - 화학증기 상 성장방법 및 화학증기 상 성장장치 - Google Patents

화학증기 상 성장방법 및 화학증기 상 성장장치 Download PDF

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Abstract

원(source)기체 실란(SiH4)과 텅스텐 육플루오르 화물(WF6)을사용하여 텅스텐 규화물을 증착시키기 위한 화학증기 상 성장방법 및 장치. 이 장치에 있어서, 10-8내지 10-9Torr 차수의 부분압력에서 수증기는 다수배치(batch)의 반도체 기판위에 텅스텐 규화물 필름의 시트 저항은 배치(batch)를 통해 일정하게 될 수 있다.
따라서, 종래장치의 문제 즉, 배치(batch)수가 증가하므로서 규화물 필름의 시트 저항이 증가하는 현상이 해결될 수 있다. 이러한 불변 시트 저항은 모든 배치(batch)공정을 통해 균일한 텅스텐 규화물 필름을 유지하므로서 얻을 수 있다.

Description

화학증기 상 성장방법 및 화학증기 상 성장장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 원칙을 설명하기 위한 화학증기 상 성장장치의 개략단면도.
제2도는 본 발명을 실행하기 위해 사용되는 화학증기 상 성장장치의 개략단면도.

Claims (9)

  1. 기판이 설치되고 배기가 될 수 있는 컨테이너를 배기시키는 단계; 각각의 상기 기판위에 내열금속의 규화물 필름을 성장시키기 위하여 기체 실리콘 화합물과 상기 기체 내열금속을 배기되는 상기 컨테이너에 공급하는 단계; 소정의 범위내에서 부분압력을 나타내는 수증기를 상기 컨테이너에 공급하는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 화학증기 상 성장방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 화합물과 상기 내열금속 화합물은 상기 수증기의 공급과 함께 동시에 공급되는 것을 특징으로 하는 화학 증기 상 성장방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수증기의 공급이 중단된 이후, 상기 규화물 화합물과 상기 내열금속 화합물이 공급되는 것을 특징으로 하는 화학증기 상 성장방법.
  4. 제2항 또는 3항에 있어서, 상기 컨테이너내 수증기의 부분압력을 측정하는 단계와 상기 컨테이너내 수증기의 부분압력이 소정의 범위내에서 유지되도록 부분압력의 측정결과를 기초로 하여 상기 수증기의 공급을 제어하는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 화학증기 상 성장방법.
  5. 제1항에 있어서, 수증기는 게이트 밸브를 통해 상기 컨테이너에 연결된 로드록 챔버내에 중되고 상기 컨테이너와 상기 로드록 챔버사이의 상기 기판을 교환하기 위하여 상기 게이트 밸브가 개방될 때 상기 게이트 밸브를 통해 상기 로드록 챔버로 부터 상기 컨테이너에 공급되는 것을 특징으로 하는 화학증기 상 성장방법.
  6. 규화물 필름을 성장시키기 위해 기판이 설치되는 컨테이너; 기체 실리콘 화합물과 기체 내열금속 화합물 각각을 상기 컨테이너에 공급하기 위한 원 기체 공급관; 상기 컨테이너에 수증기를 공급하기 위한 수증기 공급관을 포함하는 내열금속의 규화물에 대해 화학 증기 상 성장을 위한 화학 증기 상 성장장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 로드록 챔버내에 있는 다수 배치의 상기 기판을 배치단위로 상기 컨테이너에 공급하고 상기 기판을 방출하기 위해 게이트 밸브를 통해 상기 컨테이너에 연결된 로드록 챔버가 포함되는 것을 특징으로 하는 상 성장장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 게이트 밸브를 통해 상기 컨테이너에 수증기를 주입하기 위해 상기 수증기 공급관이 상기 로드록 챔버에 연결된 것을 특징으로 하는 화학증기 상 성장장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 화합물은 실란화합물이고, 상기 내열 금속 화합물은 텅스텐 육플루오르 화물인 것을 특징으로 하는 화학증기 상 성장방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920021232A 1991-11-12 1992-11-12 화학기상성장방법 및 화학기상성장장치 KR960013526B1 (ko)

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