KR930001475A - 집적 회로 장치 - Google Patents

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KR930001475A
KR930001475A KR1019920009655A KR920009655A KR930001475A KR 930001475 A KR930001475 A KR 930001475A KR 1019920009655 A KR1019920009655 A KR 1019920009655A KR 920009655 A KR920009655 A KR 920009655A KR 930001475 A KR930001475 A KR 930001475A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
integrated circuit
load resistor
collector region
circuit device
circuit devices
Prior art date
Application number
KR1019920009655A
Other languages
English (en)
Inventor
시게토 미주카미
야슈미투 노자와
고우지 나카노
히데끼 야마다
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시기가이샤 도시바
다카다이 마사다카
도시바 마이크로 일렉트로닉스 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아오이 죠이치, 가부시기가이샤 도시바, 다카다이 마사다카, 도시바 마이크로 일렉트로닉스 가부시기가이샤 filed Critical 아오이 죠이치
Publication of KR930001475A publication Critical patent/KR930001475A/ko

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

집적 회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 구조를 도시하는 단면도.
제2도는 제1도의 실시예의 제조 공정을 도시하는 공정단면도.
제3도는 제1실시예의 제조 공정을 도시하는 공정단면도.
제4도는 본 발명의 제2의 실시예의 구조를 도시하는 단면도.
제5도는 제2의 실시예의 제조 공정을 도시하는 공정단면도.
제6도는 제2실시예의 제조 공정을 도시하는 공정단면도.
제7도는 본 발명의 제3실시예의 구조를 도시하는 단면도.
제8도는 제3실시예의 제조 공정을 도시하는 공정단면도.
제9도는 제3실시예의 제조 공정을 도시하는 공정단면도.

Claims (5)

  1. 바이폴라 트랜지스터와 이 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터에 접속되는 부하 저항(10,10′,10″)을 구비하고, 이 부하 저항은 상기 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 영역내에서 기판에 대하여 수직 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 집적 회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 부하 저항(10′,10″)은 상기 콜렉터 영역과는 절연막(20,21)에 의하여 전기적으로 절연되는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 부하 저항(10)은 상기 콜렉터 영역내에 형성되는 상기 콜렉터 영역과는 다른 도전성을 가지는 영역(6)에 형성되는 것을 특징으로 하는 집적 회로 장치.
  4. 제2항 또는 제3항의 어느 한 항에 있어서, 상기 부하 저항(10,10″)은 상기 콜렉터 영역과 동일한 도전성을 가지는 것을 특징으로 하는 집적 회로 장치.
  5. 제2항 또는 제3항의 어느 한 항에 있어서, 상기 부하 저항(10)은 폴리실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 집적 회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019920009655A 1991-06-05 1992-06-04 집적 회로 장치 KR930001475A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP91-134229 1991-06-05
JP3134229A JPH04359433A (ja) 1991-06-05 1991-06-05 集積回路装置

Publications (1)

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KR930001475A true KR930001475A (ko) 1993-01-16

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ID=15123448

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JP (1) JPH04359433A (ko)
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JPH04359433A (ja) 1992-12-11

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