KR930001008A - 포지티브 포토레지스트용 감광성 수지 조성물 - Google Patents
포지티브 포토레지스트용 감광성 수지 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930001008A KR930001008A KR1019910010106A KR910010106A KR930001008A KR 930001008 A KR930001008 A KR 930001008A KR 1019910010106 A KR1019910010106 A KR 1019910010106A KR 910010106 A KR910010106 A KR 910010106A KR 930001008 A KR930001008 A KR 930001008A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin composition
- photosensitive resin
- formula
- diazide
- photoresist
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
내용없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (5)
- 포토레지스트용 감광성 수지 조성물에 있어서, 광활성물질로서 구조식(Ⅰ)의 퀴논 디아지드계 화합물을 조성물 전체 고형분에 대하여 10~50% 함유하고여기서 D는 H또는 벤조퀴논 -1,2 디아지드-4-설포닐기, 나프토퀴논-1,2-디아지드-4-설포닐기, 나프토퀴논-1,2-디아지드-5-설포닐기, 나프토퀴논2,1-디아지드-4-설포닐기, 나프토퀴논 2,1-디아지드-5-설포닐기 중에서 한 가지를 나타내며 D1~C3중 1개 이상은 H가 퀴논디아지드 설포닐기로 치환된다. 바인더 레진으로 구조식(Ⅱ)의 크레졸 노볼락레진과 구조식(Ⅲ)의 폴리하이드록시 스틸렌의 혼합물이 함유되며, 구조식(Ⅳ)의 첨가제 0~10%의 공지의 혼합용제를 혼합함을 특징으로 하는 포토레지스트 감광성 수지 조성물.(상기 식에서, R은 메틸기로서 메타, 파라 위치 중 한 곳에 위치함)여기서 R1은 수소원자, R2는 C1~C4의 알킬리 혹은 알콕시기이다.
- 제1항에 있어서, 크레졸 노블락레진은 메타크레졸이 50~100%이고, 파라크레졸이 50~0% 로 공중합된 무게 평균 중량이 1,000~40,000인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트용 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 폴리하디드록시 스틸렌은 무게 평균 분자량이 5,000~20,000인것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트용 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 바인더레진 중 구조식(Ⅱ)의 노블락레진은 50~100%, 구조식(Ⅲ)의 폴리하이드록시 스틸렌은 50~0% 함유함을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트용 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 포토레지스트용 감광성 성물 중 바인더레진이 전체 고형분에 대하여 20~90% 함유함을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트용 감광성 수지 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910010106A KR940011202B1 (ko) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 포지티브 포토레지스트용 감광성 수지 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910010106A KR940011202B1 (ko) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 포지티브 포토레지스트용 감광성 수지 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930001008A true KR930001008A (ko) | 1993-01-16 |
KR940011202B1 KR940011202B1 (ko) | 1994-11-26 |
Family
ID=19315964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910010106A KR940011202B1 (ko) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 포지티브 포토레지스트용 감광성 수지 조성물 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940011202B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100446683B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-09-01 | 주식회사 포스코 | 가열로의 공급가스 열량 변동에 따른 공연비 제어방법 |
-
1991
- 1991-06-18 KR KR1019910010106A patent/KR940011202B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100446683B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-09-01 | 주식회사 포스코 | 가열로의 공급가스 열량 변동에 따른 공연비 제어방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940011202B1 (ko) | 1994-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO1989004849A1 (en) | Thermally stable phenolic resin compositions and their use in light-sensitive compositions | |
KR930004807A (ko) | 개선된 해상력 및 감소된 결정화 경향을 갖는 포지티브 감광성 내식막 조성물 및 신규 테트라(히드록시페닐)알칸 | |
ES8304672A1 (es) | Procedimiento perfeccionado para la preparacion de un material de copias fotosensible. | |
KR900018746A (ko) | 공중합체 결합제를 사용한 감광성 내식막 | |
KR940005999A (ko) | 포지티브형 레지스트 조성물 | |
KR910005098A (ko) | 방사선 민감성 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR920015158A (ko) | 네거티브 포토레지스트 조성물 | |
KR890002714A (ko) | 포지티브 포토레지스트조성물 | |
KR930010615A (ko) | 포지티브형 감방사선 레지스트 조성물 | |
KR970022549A (ko) | 포지티브 내식막 조성물 및 감광제 | |
KR900002125A (ko) | 내식막 조성물 | |
KR930023769A (ko) | 포지티브형 레지스트 조성물 | |
KR880002050A (ko) | 고내열성 포지티브형 포토레지스트 조성물 | |
KR870007446A (ko) | 감광성 조성물 | |
KR920001243A (ko) | 포지티브 감 방사선성 레지스트 조성물 | |
KR920018040A (ko) | 다가 페놀 화합물 및 그것을 함유하는 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR920000010A (ko) | 방사선-감작 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR920016265A (ko) | 알칼리 현상가능한 감광성 수지 조성물 | |
KR930001008A (ko) | 포지티브 포토레지스트용 감광성 수지 조성물 | |
KR940704014A (ko) | 선택된 노볼락 수지 및 선택된 방사선 민감성 조성물(Selected novolak resins and selected radiation-sensitive compositions) | |
KR910012818A (ko) | 방사선-민감성 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR930022147A (ko) | 네가티브형 감광성 내식막 조성물 | |
KR920702890A (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR970016804A (ko) | 포지티브형 포토레지스트 조성물 | |
KR930020225A (ko) | 포지티브형 레지스트 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
J204 | Request for invalidation trial [patent] | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20011023 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |