KR920701511A - 진공처리 장치 및 이것을 사용한 성막장치와 성막방법 - Google Patents

진공처리 장치 및 이것을 사용한 성막장치와 성막방법

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KR920701511A
KR920701511A KR1019910700879A KR910700879A KR920701511A KR 920701511 A KR920701511 A KR 920701511A KR 1019910700879 A KR1019910700879 A KR 1019910700879A KR 910700879 A KR910700879 A KR 910700879A KR 920701511 A KR920701511 A KR 920701511A
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아끼라 오까모또
시게루 고바야시
히데아끼 시마무라
스스무 쓰즈꾸
에이스께 니시따니
사또시 기시모또
유우지 요네오까
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미따 가쯔시게
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

진공처리 장치 및 이것을 사용한 성막장치의 성막방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예를 나타내는 진공처리 장치의 개략 설명용 일부 단면 블록 구성도, 제2도는 스퍼터링 스테이지의 일례를 나타내는 개략 단면구성도, 제3도는 본 발명의 또 다른 실시예를 나타내는 진공처리 장치의 개략 설명용 일부 단면 블록 구성도.

Claims (31)

  1. 스테이지 위에 위치한 기체를 기지의 설정온도로 가열 또는 냉각하는 수단을 구비한 온도 교정 스테이지와, 상기 기체의 복사열을 측정하는 제1의 적외선 복사 온도계와, 상기 제1의 적외선 복사 온도계의 출력에서 상기 기체의 기지의 온도에 따라 복사율을 구하고, 상기 제1의 적외선 복사 온도계에 의하여 상기 기체의 온도를 바르게 표시하기 위한 적외선 감도 보정치를 연산하는 수단과, 상기 스테이지와 동일하거나 상이한 기체가 위치한 스테이지와, 상기 기체를 소정의 설정온도로 가열 또는 냉각하는 수단과, 상기 기체에 진공처리하는 수단을 구비한 진공처리실과, 상기 기체의 복사열을 측정하는 제2의 적외선 복사 온도계와, 상기 제2의 적외선 복사 온도계의 출력에서 상기 온도 교정실에서 구한 적외선 감도 보정치에 의거하여 진공처리실내에 위치한 기체의 실제 온도를 산출하는 수단으로 구성되는 진공처리장치.
  2. 스테이지 위에 위치한 기체를 기지의 설정 온도로 가열 또는 냉각하는 수단을 구비한 온도 교정 스테이지와, 상기 기체의 복사열을 측정하는 제1의 적외선 복사 온도계와, 상기 제1의 적외선 복사 온도계의 출력에서 상기 기체의 기지의 온도에 따라 복사율을 구하고, 상기 제1의 적외선 복사 온도계에 의하여 상기 기체의 온도를 바르게 표시시키기 위한 적외선 감도 보정치를 연산하는 수단과, 상기 기체가 얹어 놓은 상기 스테이지 또는, 이것과 상이한 스테이지와, 이 기체를 소정의 설정온도를 가열 또는 냉각하는 수단과, 상기 기체의 진공처리하는 수단을 포함하는 진공처리실과, 상기 기체의 복사열을 측정하는 제2의 적외선 복사 온도계와, 상기 제2의 적외선 복사 온도계의 출력에서 상기 온도 교정실에서 구한 적외선 감도 보정치에 의거하여 진공처리실내에 위치한 기체의 실제 온도를 산출하는 수단과, 상기 각각의 스테이지 위의 기체상에 근접하게 각각 설치되고, 적외선 온도계의 측정 파장에 대해서 충분히 경면인 부재로 그 주면이 구성된 셧터기구를 포함하는 진공처리장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 각각의 스테이지에는, 이 적외선 복사 온도계에 의하여 기체의 온도를 관측하기 위하여 설치된 관찰용 구멍 또는, 기체에서의 적외광을 적외선 복사 온도계에까지 인도하기 위한 광로, 기체에 접하는 스테이지의 내면에 있고, 기체와 스테이지가 이루는 공간에 소저의 가스를 소정의 가스압력으로 충만시키기 위한 가스 도입 수단을 구비하고, 이 관찰용 구멍을 막을 수 있는, 가동식 광로 폐쇄용 셧터를 포함하는 기판 온도 제어 수단으로 구성되는 진공처리장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 각각의 스테이지에는, 이 적외선 복사 온도계에 의하여 기체의 온도를 관측하기 위한 관찰용 구멍, 또는 기체로로부터의 적외광을 적외선 온도계에 까지 인도하기 위한 광로, 기체에 접하는 스테이지의 면내에 있고, 기체와 스테이지가 이루는 공간에 소정의 가스를 소정의 압력으로 충만시키기 위한 가스 도입 수단을 구비하고, 이 적외선 복사 온도계의 측정파장에 대해서는 거의 투명인 재료로된 상기 관찰용 구멍의 기판측과 적외선 온도계측과의 진공분위기를 간막이하기 위한 제1의 창판을 포함하는 기판 온도의 제어수단으로 구성되는 진공처리장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 각각의 스테이지는, 상기 제1의 창판과 적외선 온도계와의 사이에 상기 제1의 창판의 두께보다도 얇은 제2의 창판을 포함하는 기판 온도 제어수단으로 구성되는 진공처리장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1의 창판은, 상기 제2의 창판에 비교하여 보다긴 파장의 적외선 복사광 까지를 투과시킬 수 있는 것을 포함하는 기판 온도의 제어수단으로 구성되는 진공처리장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 적외선 복사온도계가 각각 동일한 적외영역의 파장에서 온도를 측정하도록 하는 진공처리장치.
  8. 제1항 내지 제4항중 어느 한항에 있어서, 상기 온도 교정 스테이지 상의 기체를 기지의 소정 온도로 가열 또는 냉각하는 수단을, 상기 진공처리실 밖에 각각 설치하는 진공처리장치.
  9. 제1항 내지 제4항중 어느 한항에 있어서, 상기 온도 교정 스테이지 상의 기체를 기지의 소정 온도로 가열 또는 냉각하는 수단이 대기를 치환한 분위기내에 존재하는 진공처리장치.
  10. 제1항 내지 제5항중 어느 한항에 있어서, 상기 온도 교정 스테이지 위의 기체의 온도를 기지의 소정 온도로 가열 또는 냉각하는 수단은, 기체보다도 열용량이 큰 부재에 상기 기체를 열적으로 접촉시키는 수단에 의해서 형성되는 진공처리장치.
  11. 제6항에 있어서, 상기 기체를 기체 보다도 열용량이 큰 부재에 열적으로 접촉시키는 수단은, 기체와 부재가 접촉하는 공간을 진공으로 배기하는 수단에 의해서 형성되는 진공처리장치.
  12. 제1항 내지 제3항에 있어서, 상기 온도 교정 스테이지 상의 기체의 온도를 기지의 소정 온도로 가열 또는 냉각하는 수단은 진공처리실내에 있고, 기체를 기체보다도 열용량이 큰 부재에 열적으로 접촉시키는 수단과, 이 기체와 부재가 접촉하는 공간에는 5 파스칼 이상의 압력의 기체를 봉입하는 수단을 각각 설치되는 진공처리장치.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기체 온도 교정 스테이지와, 진공처리실과의 사이에 기체 온도 조정 스테이지가 각각 설치되고 상기 기체의 온도 조정 스테이지에는 제3의 적외선 복사 온도계가 설치되는 진공처리장치.
  14. 제1항 내지 제9항중 어느 한항에 있어서, 적어도 상기 진공 처리실내의 기체가 위치한 스테이지를, 기체를 소정 온도로 가열 또는 냉각하는 수단이 설치된 제1의 스테이지와, 온도측정용을 실시하는 제2의 스테이지로 분할하고, 제1의 스테이지에서 기체의 온도를 설정하고, 이어서 제2의 스테이지에 기체를 이동하여 온도 측정을 하는 수단을 더우기 포함하는 진공처리장치.
  15. 제1항 내지 제9항중 어느 한항에 있어서, 적어도 하나의 진공 처리실내의 기체를 가열하는 수단이 램프가열수단인 진공처리장치.
  16. 제1항 내지 제9항중 어느 한항에 있어서, 적어도 상기 온도 교정 스테이지 상의 기체를 가열 또는 냉각 하는 수단의 한쪽을 상기 스테이지에 구비하는 동시에, 상기 기체 상면에 근접하게 제2의 가열 또는 냉각하는 수단을 설치하고, 상기 기판의 양면에서 온도 제어하도록하는 진공처리장치.
  17. 제1항 내지 제12항중 어느 한항에 있어서, 상기 진공처리 장치실내의 각각의 스테이지는, 상기 제2의 적외선 복사 온도계의 출력으로부터 구한 상기 기체 온도에서 상기 진공처리실내의 상기 소정의 설정온도로부터 벗어난 범위의 온도를 조정하는 온도 제어 수단을 포함하는 진공처리장치.
  18. 스테이지상에 위치한 기체를 기지의 설정온도로 가열 또는 냉각하는 수단을 포함하는 온도 교정 스테이지와, 상기 스테이지 위의 기체의 복사열을 측정하는 제1의 적외선 복사 온도계와, 상기 제1의 적외선 복사 온도계의 출력으로 부터 상기 기체의 기지의 온도에 따라서 복사율을 구하고, 상기 제1의 적외선 북사 온도계에 의하여 상기 기체의 온도를 바르게 표시시키기 위한 적외선 감도 보정치를 연산하는 수단과, 상기 교정 스테이지와는 동일 내지 상이한 스테이지와, 상기 기체를 소정의 설정 온도로 가열 또는 냉각하는 수단과, 상기 기체에 진공 성막 처리를 하는 수단을 포함하는 진공성막처리실과, 상기 진공성막처리실 내의 스테이지위에 위치한 상기 기체의 복사열을 측정하는 제2의 적외선 복사 온도계와, 상기 제2의 적욋너 복사 온도계의 출력으로부터 상기 온도 교정 스테이지에서 구한 적외선 감도 보정치에 따라 진공 성막 처리실내에 위치한 기체의 실제 온도를 산출하는 수단과, 상기 제2의 적외선 북사 온도계의 출력에서 구한 기체의 온도가, 진공성막처리실내의 상기 소정의 설정온도로부터 벗어난 범위의 온도를 조정하는 온도 제어 수단과, 상기 각각의 실내의 기체 상에 근접하게 배치되고, 적외선 온도계의 측정 파장에 대해서 충분히 경면인 부재로 그 주면이 형성된 셧터기구를 구성되는 성막장치.
  19. 진공성막처리실을 스퍼터링법에 의해서 소정 조건으로 박막을 형성할 수 있는 진공 성막처리실로 구성되는 제18항 기재의 스퍼터링성막장치.
  20. 진공성막처리실을 CVD법에 의해서 소정 조건으로 박막을 형성할 수 있는 진공 성막처리실로 구성되는 제18항 기재의 CVD 성막장치.
  21. 제18항에 있어서, 상기 기체 온도 교정 스테이지와, 진공성막 처리실과의 사이에 기체 온도 조정 스테이지를 설치하고, 상기 실내에는, 기체의 온도조정용 스테이지와 이 스테이지에 적외선 복사 온도계가 설치되는 성막장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 기체 온도 조정실의 설정 온도가 기체 온도 교정 스테이지 및 기체에의 진공성막 처리실 보다도 저온 또는 고온의 상이한 온도로 유지되는 성막장치.
  23. 제21항 또는 제22항에 있어서, 상기 진공성막실이 스퍼터링성막실 형성되는 성막장치.
  24. 성막처리를 하기 위한 고정의 기체를 기체 온도 교정 스테이지위에 얹어 놓고, 기체를 소정 온도로 가열하는 공정과, 이어서 진공하에서 소정 온도를 냉각하고 기체를 진공성막 처리실내의 스테이지로 반송하여 소정의 제1의 성막설정 온도로 제어하여 성막을 개시하는 공정과, 이어서 기체 온도를 상기 제1의 성막 설정온도 보다도 높은 제2의 설정 온도로 제어하여 소정 두께가 될때까지 성막하는 공정과, 성막 종료후, 상기 제2의 성막 설정 온도 이하로 급냉하는 공정을 포함하는 청구항 18기재의 성막장치에 의한 성막 방법.
  25. 성막처리를 하기 위한 소정의 기체를 기체 온도 교정 스테이지에 얹어 놓고, 기체를 소정 온도로 가열하는 공정과, 이어서 기체를 기체 온도 조정 스테이지로 반송하여 소정 온도로 냉각하는 고정과, 이어서 기체를 진공성막처리실내의 스테이지로 반송하여 제1의 성막 온도로, 제1의 성막을 개시하는 공정과, 일단 성막을 정지하고 이 기체를 상기 기체 온도 조정실내 또는 다른 온도 조정실속의 스테이지로 옮기고, 상기 제1의 성막온도 보다도 높은 제2의 설정 온도 일정시간 유지하여 막의 결정입자를 증대하는 공정과, 기체의 온도를 상기 기체 온도 조정실내의 제2의 설정 온도 보다도 높은 제3의 성막 온도로 제어하는 소정막 두께까지 성막을 실시하는 제2의 성막공정과, 이 기체를 다른 기체 온도 조정 스테이지에 의하여 급냉하는 공정을 포함하는 청구항 16기재의 성막 장치에 의한 성막방법.
  26. 온도를 측정하는 대상의 기체와 그 기체의 온도를 측정하려고 하는 적외선 복사 온도계와 적외선 복사 온도계로 온도의 측정을 실시하는 기체의 표면과는 반대의 표면에, 상기 적외선 복사 온도계로 측정하는 광축과 대략 수직으로, 그 측정하는 적외선 파장에 대해서 충분한 반사율을 갖는 경면을 설치하고, 상기 기체의 온도를 측정하도록한 기체의 온도의 측정방법.
  27. 가열 처리 또는 냉각 처리를 실시하는 대상의 기체와 그 기체의 온도를 측정하려고 하는 적외선 복사 온도계와, 적외선 복사 온도계와는 기체의 반대측에 있는 측정 파장에 있어서 충분한 높은 반사율을 갖는 경면과, 상기 처리를 실시하는 가열 또는 냉각 수단을 포함하는 기체 온도의 제어방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 가열 또는 냉각 수단은 상기 적외선 복사 온도계로 부터의 측정치에 의하여 기체를 소정의 온도로 제어하는 것을 특징으로 하는 기체 온도의 제어방법.
  29. 제27항 내지 제28항에 있어서, 상기 경면은 필요에 따라서 기체의 반대측의 적외선 복사 온도계의 광축에 이동할 수 있는 것을 특징으로한 온도 제어 방법.
  30. 제27항 내지 제29항에 있어서, 상기 가열 수단은 적어도 제1회째와 제2회째의 가열을 실시하고, 제1회째의 가열 후에 상기 경면과 적외선 북사 온도계를 사용하여 기체 온도의 측정을 실시하는, 그 결과로부터 제2의 가열에 의하여 목표의 가역 온도가 얻어지도록 제2의 가열 조건을 설정하는 수단을 더우기 포함하는 특징으로 하는 기체 온도의 제어방법.
  31. 제27항 내지 제39항에 있어서, 경면이 놓이는 장소에는 경면과는 반대로 측정파장으로 충분히 낮은 반사를 갖는 물체를 도입할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 기체 온도의 측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3753525B2 (ja) * 1997-11-28 2006-03-08 宮城沖電気株式会社 スパッタリング方法
US7335260B2 (en) 1999-10-29 2008-02-26 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Laser annealing apparatus
US6514339B1 (en) * 1999-10-29 2003-02-04 Lg. Philips Co., Ltd. Laser annealing apparatus
JP2001274113A (ja) * 2000-03-23 2001-10-05 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US6594446B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
JP4806856B2 (ja) * 2001-03-30 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
CN100416243C (zh) * 2001-12-26 2008-09-03 加拿大马特森技术有限公司 测量温度和热处理的方法及系统
DE10255098A1 (de) * 2002-11-26 2004-06-03 Mattson Thermal Products Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Kalibrationswafers
WO2004057650A1 (en) 2002-12-20 2004-07-08 Mattson Technology Canada, Inc. Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece
WO2004088415A2 (en) * 2003-03-28 2004-10-14 Advanced Technology Materials Inc. Photometrically modulated delivery of reagents
US7063097B2 (en) * 2003-03-28 2006-06-20 Advanced Technology Materials, Inc. In-situ gas blending and dilution system for delivery of dilute gas at a predetermined concentration
JP5630935B2 (ja) * 2003-12-19 2014-11-26 マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド 工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び装置
US7690379B2 (en) * 2004-06-01 2010-04-06 Branch, Banking and Trust Company Pressure indicator for positive pressure protection masks
WO2008058397A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 Mattson Technology Canada, Inc. Systems and methods for supporting a workpiece during heat-treating
US20080121821A1 (en) * 2006-11-27 2008-05-29 Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Techniques for low-temperature ion implantation
US7528391B2 (en) * 2006-12-22 2009-05-05 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for reducing contamination during ion implantation
US20080295764A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Svensson Stefan P Substrate temperature accuracy and temperature control flexibility in a molecular beam epitaxy system
JP2009027100A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Rohm Co Ltd 基板温度計測装置及び基板温度計測方法
KR101610269B1 (ko) 2008-05-16 2016-04-07 맷슨 테크놀로지, 인크. 워크피스 파손 방지 방법 및 장치
KR20160064251A (ko) * 2008-10-07 2016-06-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에칭된 기판으로부터 할로겐 잔류물들의 효율적인 제거 장치
KR101514098B1 (ko) * 2009-02-02 2015-04-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치와 온도 측정 방법 및 장치
US8163089B2 (en) * 2009-12-16 2012-04-24 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
JP5570951B2 (ja) * 2009-12-26 2014-08-13 キヤノンアネルバ株式会社 反応性スパッタリング方法及び反応性スパッタリング装置
US8187386B2 (en) 2010-12-22 2012-05-29 Primestar Solar, Inc. Temporally variable deposition rate of CdTe in apparatus and process for continuous deposition
US8801858B2 (en) 2010-12-23 2014-08-12 First Solar, Inc. Non-wear shutter apparatus for a vapor deposition apparatus
US8728831B2 (en) * 2010-12-30 2014-05-20 Stmicroelectronics Pte. Ltd. Reconstituted wafer warpage adjustment
US8860424B1 (en) * 2011-03-10 2014-10-14 Solar Junction Corporation Apparatus and method for highly accelerated life testing of solar cells
TWI582256B (zh) * 2013-02-04 2017-05-11 愛發科股份有限公司 薄型基板處理裝置
JP6027929B2 (ja) * 2013-03-29 2016-11-16 大陽日酸株式会社 気相成長装置の調整方法
US9093599B2 (en) 2013-07-26 2015-07-28 First Solar, Inc. Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate
JP6449074B2 (ja) 2015-03-25 2019-01-09 住友化学株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN105296952B (zh) * 2015-11-03 2017-08-15 深圳职业技术学院 基片控温方法
TWI647760B (zh) * 2016-03-22 2019-01-11 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理系統中之溫度控制用系統及方法
US20180286719A1 (en) * 2017-03-28 2018-10-04 Nuflare Technology, Inc. Film forming apparatus and film forming method
JP7362258B2 (ja) * 2019-02-08 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び成膜システム
DE102019104260A1 (de) * 2019-02-20 2020-08-20 Stefan Böttger Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung einer Schichtdicke einer auf ein Substrat aufgebrachten Schicht
JP2023509012A (ja) * 2019-12-31 2023-03-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 圧電材料の堆積のための方法及び装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5848915A (ja) 1981-09-18 1983-03-23 Hitachi Ltd 半導体製造装置
US4890245A (en) 1986-09-22 1989-12-26 Nikon Corporation Method for measuring temperature of semiconductor substrate and apparatus therefor
JPS6411966A (en) 1987-07-02 1989-01-17 Fujitsu Ltd High-temperature sputtering method
JPH01129966A (ja) 1987-11-16 1989-05-23 Fujitsu Ltd 高温加熱スパッタリング方法
KR960013995B1 (ko) 1988-07-15 1996-10-11 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 반도체 웨이퍼 기판의 표면온도 측정 방법 및 열처리 장치
JPH0264424A (ja) * 1988-08-31 1990-03-05 Fujitsu Ltd 真空成膜室内における基板温度の測定方法
US4956538A (en) 1988-09-09 1990-09-11 Texas Instruments, Incorporated Method and apparatus for real-time wafer temperature measurement using infrared pyrometry in advanced lamp-heated rapid thermal processors
US4984902A (en) 1989-04-13 1991-01-15 Peak Systems, Inc. Apparatus and method for compensating for errors in temperature measurement of semiconductor wafers during rapid thermal processing
US5155337A (en) 1989-12-21 1992-10-13 North Carolina State University Method and apparatus for controlling rapid thermal processing systems
US5147498A (en) * 1990-04-09 1992-09-15 Anelva Corporation Apparatus for controlling temperature in the processing of a substrate
US5271084A (en) 1990-05-23 1993-12-14 Interuniversitair Micro Elektronica Centrum Vzw Method and device for measuring temperature radiation using a pyrometer wherein compensation lamps are used
JPH0462011A (ja) 1990-06-22 1992-02-27 Mazda Motor Corp 反応射出成形用外部離型剤
JPH0465329A (ja) 1990-07-05 1992-03-02 Nippon Electric Glass Co Ltd 高誘電率ガラス繊維
US5114242A (en) 1990-12-07 1992-05-19 Ag Processing Technologies, Inc. Bichannel radiation detection method
US5180226A (en) 1991-10-30 1993-01-19 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for precise temperature measurement

Also Published As

Publication number Publication date
JP2923008B2 (ja) 1999-07-26
US6171641B1 (en) 2001-01-09
JPH03232968A (ja) 1991-10-16
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