JP2000218151A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
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- JP2000218151A JP2000218151A JP11020819A JP2081999A JP2000218151A JP 2000218151 A JP2000218151 A JP 2000218151A JP 11020819 A JP11020819 A JP 11020819A JP 2081999 A JP2081999 A JP 2081999A JP 2000218151 A JP2000218151 A JP 2000218151A
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- Japan
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- temperature
- absolute
- temp
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に接触することなく、基板表面の絶対温
度を高精度に測定して基板表面の温度管理を行う。 【解決手段】 放射温度計１７によって基板１３の表面
温度を非接触で測定し、相対温度の測定値を得る。他
方、プレートヒーター１２に内蔵された熱電対１５によ
り測温し、そのプレートヒーター１２の絶対温度測定値
を、別途求めておいた校正曲線を用いて基板１３の表面
絶対温度に換算する。この換算された温度値により上記
相対温度の測定値を校正することにより、放射温度計１
７から得られる温度測定値が基板１３の表面の絶対温度
に対応するようにする。
度を高精度に測定して基板表面の温度管理を行う。 【解決手段】 放射温度計１７によって基板１３の表面
温度を非接触で測定し、相対温度の測定値を得る。他
方、プレートヒーター１２に内蔵された熱電対１５によ
り測温し、そのプレートヒーター１２の絶対温度測定値
を、別途求めておいた校正曲線を用いて基板１３の表面
絶対温度に換算する。この換算された温度値により上記
相対温度の測定値を校正することにより、放射温度計１
７から得られる温度測定値が基板１３の表面の絶対温度
に対応するようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造プロ
セス等において用いられる真空装置に関し、とくに基板
表面の温度管理を行う真空装置に関する。
セス等において用いられる真空装置に関し、とくに基板
表面の温度管理を行う真空装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空装置において、処理対象である基板
表面の温度管理を行うためには、その基板表面の温度を
測定することが必要である。この基板表面温度の測定方
式として、従来、熱電対などの絶対温度計を基板表面に
接触させてその絶対温度を計測するという、絶対温度計
・基板接触式や、あるいは、基板表面に異物を直接接触
させることを嫌って、放射温度計等の相対温度計を用い
て基板非接触式で相対温度を計測する相対温度計・基板
非接触式などが採用されている。
表面の温度管理を行うためには、その基板表面の温度を
測定することが必要である。この基板表面温度の測定方
式として、従来、熱電対などの絶対温度計を基板表面に
接触させてその絶対温度を計測するという、絶対温度計
・基板接触式や、あるいは、基板表面に異物を直接接触
させることを嫌って、放射温度計等の相対温度計を用い
て基板非接触式で相対温度を計測する相対温度計・基板
非接触式などが採用されている。
【０００３】この相対温度計・基板非接触式では、基板
表面温度の相対温度しか測定できないため、その温度計
測値を校正する必要がある。すなわち、あらかじめテス
ト基板を用いて相対温度計でその表面温度を計測してみ
る。同時にテスト基板表面に熱電対などの絶対温度計を
接触させてその表面の絶対温度を計測する。そして、こ
れらの計測データをつきあわせて、相対温度計の温度測
定値を校正する。そして、このような校正が終わった
後、実際の基板について相対温度計で表面の相対温度を
計測すれば、その計測値は基板表面の絶対温度を表すこ
とになる。
表面温度の相対温度しか測定できないため、その温度計
測値を校正する必要がある。すなわち、あらかじめテス
ト基板を用いて相対温度計でその表面温度を計測してみ
る。同時にテスト基板表面に熱電対などの絶対温度計を
接触させてその表面の絶対温度を計測する。そして、こ
れらの計測データをつきあわせて、相対温度計の温度測
定値を校正する。そして、このような校正が終わった
後、実際の基板について相対温度計で表面の相対温度を
計測すれば、その計測値は基板表面の絶対温度を表すこ
とになる。
【０００４】また、真空装置においては、基板を加熱す
るためのヒーターの温度をコントロールするため、ヒー
ター内に熱電対などの絶対温度計が組み込まれている構
造をとるものが多い。そこで、この絶対温度計を利用し
て基板非接触式で基板表面の温度を測定する、絶対温度
計・基板非接触式も採用されている。この場合、基板表
面の温度を直接測定しないため、基板表面の実際の温度
とヒーター内の絶対温度計の測定値との対応関係を別途
求める必要がある。テスト基板表面の温度を絶対温度計
で接触式により測定し、ヒーター内絶対温度計の測定値
の校正曲線を求める。そして、ヒーター内絶対温度計の
測定値をモニタリングし、校正曲線によって校正するこ
とによって、基板表面の絶対温度を２次的に測定する。
るためのヒーターの温度をコントロールするため、ヒー
ター内に熱電対などの絶対温度計が組み込まれている構
造をとるものが多い。そこで、この絶対温度計を利用し
て基板非接触式で基板表面の温度を測定する、絶対温度
計・基板非接触式も採用されている。この場合、基板表
面の温度を直接測定しないため、基板表面の実際の温度
とヒーター内の絶対温度計の測定値との対応関係を別途
求める必要がある。テスト基板表面の温度を絶対温度計
で接触式により測定し、ヒーター内絶対温度計の測定値
の校正曲線を求める。そして、ヒーター内絶対温度計の
測定値をモニタリングし、校正曲線によって校正するこ
とによって、基板表面の絶対温度を２次的に測定する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
いずれの方式も問題がある。まず、絶対温度計・基板接
触式の場合は、前にも述べたように、基板表面に異物を
直接接触させなければならず、これが問題である。相対
温度計・基板非接触式では、基板表面条件（膜質・膜厚
等）が変わるごとにテスト基板での校正が必要となり、
煩雑である。さらに、絶対温度計・基板非接触式では、
いったん校正曲線を求めておけば、基板表面条件に依存
せずに絶対温度計の測定値を校正するだけで基板表面の
絶対温度を正確に求めることができるが、基板表面の加
熱にヒーター以外の別の加熱体（たとえばランプヒータ
ー等）を加えて加熱する場合に、校正曲線を用いた校正
では対応不可能となる。
いずれの方式も問題がある。まず、絶対温度計・基板接
触式の場合は、前にも述べたように、基板表面に異物を
直接接触させなければならず、これが問題である。相対
温度計・基板非接触式では、基板表面条件（膜質・膜厚
等）が変わるごとにテスト基板での校正が必要となり、
煩雑である。さらに、絶対温度計・基板非接触式では、
いったん校正曲線を求めておけば、基板表面条件に依存
せずに絶対温度計の測定値を校正するだけで基板表面の
絶対温度を正確に求めることができるが、基板表面の加
熱にヒーター以外の別の加熱体（たとえばランプヒータ
ー等）を加えて加熱する場合に、校正曲線を用いた校正
では対応不可能となる。
【０００６】この発明は、上記に鑑み、基板に接触する
ことなく、基板表面の絶対温度を高精度に測定して基板
表面の温度管理を行うことを可能とする、真空装置を提
供することを目的とする。
ことなく、基板表面の絶対温度を高精度に測定して基板
表面の温度管理を行うことを可能とする、真空装置を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明による真空装置においては、真空チャンバ
と、該真空チャンバ内に配置される処理基板と、該真空
チャンバ内に配置された絶対温度計測装置と、上記基板
の表面の相対温度を該基板に対し非接触で計測し、かつ
その計測値が上記の絶対温度計測装置の計測値によって
校正されている相対温度計測装置とが備えられることが
特徴となっている。
め、この発明による真空装置においては、真空チャンバ
と、該真空チャンバ内に配置される処理基板と、該真空
チャンバ内に配置された絶対温度計測装置と、上記基板
の表面の相対温度を該基板に対し非接触で計測し、かつ
その計測値が上記の絶対温度計測装置の計測値によって
校正されている相対温度計測装置とが備えられることが
特徴となっている。
【０００８】相対温度計測装置で非接触に基板表面温度
を測定する。この計測値は、基板表面の温度を正確に表
すものではあるが、相対的なものとなっている。そこ
で、絶対温度計測装置の計測値を用いて、この相対温度
計測装置の計測値を校正し、これによって相対温度計測
装置の計測値が絶対温度に対応するものとなるようにす
る。この絶対温度計測装置は、基板を加熱するヒーター
の温度調整用のために備えられているのが普通であるか
らこれを利用することができるし、別途設けることもで
きる。相対温度計測装置が上記のようにいったん校正さ
れてしまえばその計測値は基板表面の絶対温度に正確に
対応しているのであるから、別途加熱源を用いる場合で
も、それによって加熱された基板の表面の絶対温度の計
測ができる。
を測定する。この計測値は、基板表面の温度を正確に表
すものではあるが、相対的なものとなっている。そこ
で、絶対温度計測装置の計測値を用いて、この相対温度
計測装置の計測値を校正し、これによって相対温度計測
装置の計測値が絶対温度に対応するものとなるようにす
る。この絶対温度計測装置は、基板を加熱するヒーター
の温度調整用のために備えられているのが普通であるか
らこれを利用することができるし、別途設けることもで
きる。相対温度計測装置が上記のようにいったん校正さ
れてしまえばその計測値は基板表面の絶対温度に正確に
対応しているのであるから、別途加熱源を用いる場合で
も、それによって加熱された基板の表面の絶対温度の計
測ができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１におい
て、真空チャンバ１１内にプレートヒーター１２が配置
され、このプレートヒーター１２に基板１３が保持され
る。すなわち、爪１４によって基板１３がプレートヒー
ター１２に密着するように固定される。この真空チャン
バ１１は、真空処理容器であり、図では省略しているが
処理ソース等が納められており、基板１３の表面が処理
されるようにされている。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１におい
て、真空チャンバ１１内にプレートヒーター１２が配置
され、このプレートヒーター１２に基板１３が保持され
る。すなわち、爪１４によって基板１３がプレートヒー
ター１２に密着するように固定される。この真空チャン
バ１１は、真空処理容器であり、図では省略しているが
処理ソース等が納められており、基板１３の表面が処理
されるようにされている。
【００１０】このプレートヒーター１２は、基板１３を
保持するとともにこれを加熱するものである。その内部
には、温度調節用の絶対温度計である熱電対１５が納め
られている。この熱電対１４によって検出された温度情
報は制御装置１９に送られ、制御装置１９はその検出温
度に応じてプレートヒーター１２における加熱をコント
ロールする。
保持するとともにこれを加熱するものである。その内部
には、温度調節用の絶対温度計である熱電対１５が納め
られている。この熱電対１４によって検出された温度情
報は制御装置１９に送られ、制御装置１９はその検出温
度に応じてプレートヒーター１２における加熱をコント
ロールする。
【００１１】この例では、真空チャンバ１１に設けられ
たのぞき窓１６を通して放射温度計１７が基板１３の表
面温度を測定し、その測定温度情報が制御装置１９に送
られる。また、のぞき窓１６を通してランプヒーター１
８によって基板１３が加熱されるようになっている。す
なわち、この例では、基板１３の加熱は、プレートヒー
ター１２に加えて、ランプヒーター１８により行われる
ようになっている。
たのぞき窓１６を通して放射温度計１７が基板１３の表
面温度を測定し、その測定温度情報が制御装置１９に送
られる。また、のぞき窓１６を通してランプヒーター１
８によって基板１３が加熱されるようになっている。す
なわち、この例では、基板１３の加熱は、プレートヒー
ター１２に加えて、ランプヒーター１８により行われる
ようになっている。
【００１２】この真空チャンバ１１内で実際の基板１３
に対して処理を行う場合、まず、プレートヒーター１２
を動作させて基板１３を加熱する。このとき、プレート
ヒーター１２内の熱電対１５により絶対温度を測定し、
これにより温度コントロールを行ってプレートヒーター
１２の温度を所定のものとする。そして、あらかじめ求
めておいた校正曲線を用いて、基板１３の表面での絶対
温度を算出する。
に対して処理を行う場合、まず、プレートヒーター１２
を動作させて基板１３を加熱する。このとき、プレート
ヒーター１２内の熱電対１５により絶対温度を測定し、
これにより温度コントロールを行ってプレートヒーター
１２の温度を所定のものとする。そして、あらかじめ求
めておいた校正曲線を用いて、基板１３の表面での絶対
温度を算出する。
【００１３】つぎに、放射温度計１７によって基板１３
の表面温度を測定する。この放射温度計１７による温度
の測定値が、上記の算出された絶対温度に一致するよ
う、放射温度計１７を校正する。これにより、放射温度
計１７の温度測定値が基板１３の表面の絶対温度を表す
ようになる。
の表面温度を測定する。この放射温度計１７による温度
の測定値が、上記の算出された絶対温度に一致するよ
う、放射温度計１７を校正する。これにより、放射温度
計１７の温度測定値が基板１３の表面の絶対温度を表す
ようになる。
【００１４】その後、ランプヒーター１８を点灯させ、
その光をのぞき窓１６を通して基板１３に照射すること
によって基板１３を加熱する。このランプヒーター１８
による加熱により、基板１３の表面温度が上昇したと
き、これを放射温度計１７でモニターする。放射温度計
１７は、上記のようにその温度測定値が基板１３の表面
の絶対温度を表すものとなっているため、この放射温度
計１７からの測定温度情報により制御装置１９がランプ
ヒーター１８を制御することにより、基板１３の表面温
度が所望のものに正確に保たれることになる。
その光をのぞき窓１６を通して基板１３に照射すること
によって基板１３を加熱する。このランプヒーター１８
による加熱により、基板１３の表面温度が上昇したと
き、これを放射温度計１７でモニターする。放射温度計
１７は、上記のようにその温度測定値が基板１３の表面
の絶対温度を表すものとなっているため、この放射温度
計１７からの測定温度情報により制御装置１９がランプ
ヒーター１８を制御することにより、基板１３の表面温
度が所望のものに正確に保たれることになる。
【００１５】この状態で基板１３に対する処理が行われ
るので、所望の膜質・膜厚の薄膜を基板１３の表面に形
成することができる。
るので、所望の膜質・膜厚の薄膜を基板１３の表面に形
成することができる。
【００１６】このように、放射温度計１７は相対温度を
測定するものであるにもかかわらず、その温度測定値が
基板１３の表面の絶対温度に対応するよう校正されてい
るため、放射温度計１７の出力で基板１３の表面の絶対
温度そのものの管理を行うことができ、温度管理の信頼
性が向上する。しかも、基板１３が交換されるごとに、
放射温度計１７によって基板１３の表面温度を測定し、
その温度測定値が、上記の算出された絶対温度に一致す
るよう放射温度計１７を校正するだけで、その基板１３
の表面の絶対温度についての校正ができ、その基板１３
の各々についての正確な校正が容易に行える。
測定するものであるにもかかわらず、その温度測定値が
基板１３の表面の絶対温度に対応するよう校正されてい
るため、放射温度計１７の出力で基板１３の表面の絶対
温度そのものの管理を行うことができ、温度管理の信頼
性が向上する。しかも、基板１３が交換されるごとに、
放射温度計１７によって基板１３の表面温度を測定し、
その温度測定値が、上記の算出された絶対温度に一致す
るよう放射温度計１７を校正するだけで、その基板１３
の表面の絶対温度についての校正ができ、その基板１３
の各々についての正確な校正が容易に行える。
【００１７】なお、絶対温度計として熱電対１５を用い
たが、他の絶対温度計を用いることももちろん可能であ
るし、また、これらの絶対温度計はプレートヒーター１
２の内部ではなく、真空チャンバ１１内の適所に設ける
ことができる。また、放射温度計１７の代わりに他の相
対温度計を用いることができる。ランプヒーター１８に
よって基板１３の加熱を行っているが、ランプヒーター
１８の代わりにもう一つのプレートヒーターあるいは電
磁加熱器（図示しない）等を用いて加熱することもでき
る。基板１３をプレートヒーター１２により直接加熱し
ているが、これについても他のランプヒーター（図示し
ない）等を用いて輻射加熱することなどが採用できる。
放射温度計１７やランプヒーター１８は真空チャンバ１
１内に設置することもできる。
たが、他の絶対温度計を用いることももちろん可能であ
るし、また、これらの絶対温度計はプレートヒーター１
２の内部ではなく、真空チャンバ１１内の適所に設ける
ことができる。また、放射温度計１７の代わりに他の相
対温度計を用いることができる。ランプヒーター１８に
よって基板１３の加熱を行っているが、ランプヒーター
１８の代わりにもう一つのプレートヒーターあるいは電
磁加熱器（図示しない）等を用いて加熱することもでき
る。基板１３をプレートヒーター１２により直接加熱し
ているが、これについても他のランプヒーター（図示し
ない）等を用いて輻射加熱することなどが採用できる。
放射温度計１７やランプヒーター１８は真空チャンバ１
１内に設置することもできる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の真空装
置によれば、基板に対して接触することなく基板表面の
絶対温度を高精度に測定することの信頼性を向上させる
ことができ、基板表面の温度管理を正確に行い、処理の
制御性を向上させることができる。基板表面の絶対温度
を高精度に測定することの信頼性が向上したため、目的
温度に対するトライアンドエラー的なアクセスが不要と
なり、作業効率が上がる。基板表面の加熱に、ランプヒ
ーターなどの別の加熱源を用いる場合も、基板に対して
接触することなく、その表面絶対温度を高精度に測定で
きる。膜質、膜厚等の基板表面条件が変化しても、実際
の基板の各々について相対温度計の校正を行うため、テ
スト基板を用いた校正を行う必要がなく、煩雑さがな
い。
置によれば、基板に対して接触することなく基板表面の
絶対温度を高精度に測定することの信頼性を向上させる
ことができ、基板表面の温度管理を正確に行い、処理の
制御性を向上させることができる。基板表面の絶対温度
を高精度に測定することの信頼性が向上したため、目的
温度に対するトライアンドエラー的なアクセスが不要と
なり、作業効率が上がる。基板表面の加熱に、ランプヒ
ーターなどの別の加熱源を用いる場合も、基板に対して
接触することなく、その表面絶対温度を高精度に測定で
きる。膜質、膜厚等の基板表面条件が変化しても、実際
の基板の各々について相対温度計の校正を行うため、テ
スト基板を用いた校正を行う必要がなく、煩雑さがな
い。
【図１】この発明の実施の形態を示す模式図。
１１ 真空チャンバ １２ プレートヒーター １３ 基板 １４ 爪 １５ 熱電対 １６ のぞき窓 １７ 放射温度計 １８ ランプヒーター １９ 制御装置
Claims (1)
- 【請求項１】 真空チャンバと、該真空チャンバ内に配
置される処理基板と、該真空チャンバ内に配置された絶
対温度計測装置と、上記基板の表面の相対温度を該基板
に対し非接触で計測し、かつその計測値が上記の絶対温
度計測装置の計測値によって校正されている相対温度計
測装置とを備えることを特徴とする真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11020819A JP2000218151A (ja) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11020819A JP2000218151A (ja) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000218151A true JP2000218151A (ja) | 2000-08-08 |
Family
ID=12037653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11020819A Pending JP2000218151A (ja) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000218151A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009090808A1 (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 減圧式加熱装置とその加熱方法および電子製品の製造方法 |
| JP2010271310A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Qinghua Univ | 電磁波検出装置及び電磁波検出方法 |
| JP2012230049A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Shimadzu Corp | 真空処理装置 |
| CN103278237A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-09-04 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种光辐射校准装置及方法 |
| CN108168722A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-15 | 贵阳航发精密铸造有限公司 | 一种电子束物理气相沉积测温方法 |
-
1999
- 1999-01-28 JP JP11020819A patent/JP2000218151A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009090808A1 (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 減圧式加熱装置とその加熱方法および電子製品の製造方法 |
| JP2009170705A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Toyota Motor Corp | 減圧式加熱装置とその加熱方法および電子製品の製造方法 |
| US8271124B2 (en) | 2008-01-17 | 2012-09-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Decompressing type heater, its heating method, and electronic product manufacturing method |
| JP2010271310A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Qinghua Univ | 電磁波検出装置及び電磁波検出方法 |
| US8334974B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-12-18 | Tsinghua University | Method and apparatus for detecting polarizing direction of electromagnetic wave |
| JP2012230049A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Shimadzu Corp | 真空処理装置 |
| CN103278237A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-09-04 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种光辐射校准装置及方法 |
| CN103278237B (zh) * | 2013-05-30 | 2015-03-25 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种光辐射校准装置及方法 |
| CN108168722A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-15 | 贵阳航发精密铸造有限公司 | 一种电子束物理气相沉积测温方法 |
| CN108168722B (zh) * | 2017-12-28 | 2021-10-08 | 贵阳航发精密铸造有限公司 | 一种电子束物理气相沉积测温方法 |
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