KR920019078A - 신호지연회로 - Google Patents

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KR920019078A
KR920019078A KR1019910004505A KR910004505A KR920019078A KR 920019078 A KR920019078 A KR 920019078A KR 1019910004505 A KR1019910004505 A KR 1019910004505A KR 910004505 A KR910004505 A KR 910004505A KR 920019078 A KR920019078 A KR 920019078A
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Description

신호지연회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도는 본 발명의 NMOS 및 PMOS 캐패시터들을 가지는 CMOS 신호지연 회로의 부하용량수단의 회로도이다,
제3B도는 제3A도의 C-V특성 그래프 선도이다,
제7A도는 본 발명의 NMOS 캐패시터들을 가지는 신호지연회로의 부하용량수단의 회로도이다,
제7B도는 제7A도의 C-V특성 그래프 선도이다,
제11A도는 제7A도에서 제10A도까지의 C-V특성의 변화를 나타낸 그래프 선도이다,
제11B도는 제11A도에 대한 공급전압(VCC)에 대한 유효부하 캐패시턴스 (Ceff)의 변화를 비교한 그래프 선도이다.

Claims (16)

  1. 공급전압과 접지전압사이에 연결되고, 적어도 하나 이상의 입력신호를 접수하여 소정 스레쉬홀드전압을 각각 가지는 풀업수단과 풀다운수단과 그리고, 상기 풀업수단과 상기 풀다운 수단의 공통 드레인 노드를 가지는 구동회로수단과, 상기 풀업수단과, 풀다운수단의 공통 드레인 노드에 상기 구동회로수단의 풀업수단과 풀다운수단의 스레쉬홀드값의 절대값 보다 큰 스레쉬홀드값을 가지는 부하용량수단을 구비하여 상기 부하용량수단의 용량 특성이 제1전압에 도달할때까지 제1용량값을 유지하다가 제2용량값으로 증가하고 제2전압에 도달할때까지 제2용량값을 유지하다가 제3용량값으로 감소하여 계속 제3용량값을 유지하는 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 N+소오스전극(또는 N+드레인전극)이 접지전압에 연결되는 NMOS 캐패시터와, 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 p+소오스전극(또는 p+드레인전극)이 공급전압에 연결되는 PMOS캐패시터를 구비한 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1전압은 상기 NMOS캐패시터의 스레쉬 홀드 전압이고, 상기 제2전압은 상기 공급전압 +상기 PMOS 캐패시터의 스레쉬홀드전압인 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 부하용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트적극이 연결되고 N+소오스전극(또는 N+드레인전극)이 접지전압에 연결되는 제1NMOS 캐패시터와 상기 공통드레인 노드에 N+소오스 전극(또는 N+드레인 전극)이 연결되고 게이트적극이 공급전압에 연결되는 제2NMOS캐패시터 구비한 것을 특징으로한 신호 지연회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1전압은 상기 11NMOS 캐패시터의 스레쉬홀드 전압이고 상기 제2전압은 상기 공급 전압-상기 제2M 캐패시터의 스레쉬홀드전압인 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 부하용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 P+소오스전극(또는 p+드레인 전극)이 공급 전압에 연결되는 제1PMOS 캐패시터와 상기 공통 드레인 노드에 P+소오스전극(또는 p+드레인전극)이 연결되고 게이트전극이 접지전압에 연결되는 제2PMOS캐패시터를 구비한 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1전압은 상기 2PMOS캐패시터의 스레쉬홀드전압의 절대값이고, 상기 제2전압은 상기 공급전압 +상기 제1PMPOS 캐패시터의 스레쉬홀더전압인 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  8. 공급전압과 접지전압시에 연결되고, 적어도 하나 이상의 입력신호를 접수하여 소정스레쉬홀드 전압을 각각 가지는 풀업수단과, 풀다운 수단과 그리고, 상기 풀업수단과, 상기 풀다운 수단의 공통 드레인 노드를 가지는 구동회로수단과, 상기 풀업수단과 풀다운수단의 공통드레인 노드에 상기 구동회로수단의 풀업수단과, 풀다운수단의 스레쉬 홀드값의 절대값 보다 큰 스레쉬홀드값을 가지는 부하용량수단을 구비하여 상기 부하용량 수단의 용량특성이 제1전압에 도달할때 까지 제1용량값을 유지하다가 제2용량값으로 감소하고 제2전압에 도달할때까지 제2용량값을 유지하다가 제3용량값으로 증가하여 계속 제3용량값을 유지하는 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 부하용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 N+소오스전극(또는 N+드레인전극)이 상기 접지전압에 연결되는 제1NMOS 캐패시터와, 상기 공통 드레인 노드에 N+소오스전극(또는 N+드레인전극)이 연결되고 게이트전극이 상기 공급전압에 연결되는 제2NMOS캐패시터를 구비한 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1전압은 상기 공급전압- 상기 제2NMOS캐패시터의 스레쉬홀드전압이고, 상기 제2전압은 제1NMOS 캐패시터의 스레쉬홀드전압인 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  11. 제8항에 있어서, 상기 부하용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 N+소오스전극(또는 N+드레인전극)이 상기 접지전압에 연결되는 NMOS 캐패시터와, 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 p+소오스전극(또는 p+드레인전극)이 상기 공급전압에 연결되는 PMOS캐패시터를 구비한 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1전압은 상기 공급전압+상기 PMOS캐패시터의 스레쉬홀드전압이고 상기 제2전압은 상기 NMOS캐패시터의 스레쉬홀드전압인 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  13. 제8항에 있어서, 상기 부하용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 p+소오스전극(또는 p+드레인전극)이 공급전압에 연결되는 제1PMOS 캐패시터와, 상기 공통 드레인 노드에 p+소오스전극(또는 p+드레인전극)이 연결되고 게이트전극이 접지전압에 연결되는 제2PMOS 캐패시터를 구비한 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1전압은 상기 공급전압+상기 제1PMOS캐패시터의 스레쉬홀드전압이고 상기 제2전압은 상기 제2PMOS 캐패시터의 스레쉬홀드전압의 절대값인 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  15. 제8항에 있어서, 상기 부하용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 p+소오스전극(또는 p+드레인전극)이 연결되고 게이트전극이 상기 공급전압에 연결되는 PMOS 캐패시터와, 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 N+소오스전극(또는 N+드레인전극)에 접지전압에 연결되는 NMOS캐패시터를 구비한 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1전압은 상기 공급전압 + 상기 PMOS 캐패시터의 스레쉬홀드전압이고, 상기 제2전압은 상기 NMOS 캐패시터의 스레쉬홀드전압인 것을 특징으로 하는 신호지연회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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