KR920017283A - 박막 캐패시터 - Google Patents

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KR920017283A
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카즈오 다께무라
하루노부 요시다
히데오 가와하라
에이지 미즈시마
마사나가 기꾸자와
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나까지마 다쯔지
닛폰 이따 가라스 가부시기가이샤
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    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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Abstract

내용 없음

Description

박막 캐패시터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 차후에 기술되는 실시예1에서 제조된 박막 캐패시터(capacitor)용량의 주파수 의존성과 상기 캐패시터의 손실각을 나타내는 그래프이다. 제2도는 차후에 기술되는 실시예1에서 제조된 박막 캐패시터 용량의 온도의존성을 나타내는 그래프이다.

Claims (8)

  1. 전기 전도성 기판, 이 기판에 실리카로 과포화된 하이드로 실리코 플루오르산의 수용액을 접촉시킴으로써 상기 기판상에 형성된 실리카 박막 및 상기 실리카 박막상에 형성된 전기 전도성 필름을 포함하는 박막 캐패시터(capacitor).
  2. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 기판이 내부식성 금속물질, 낮은 전기저항을 갖는 실리콘 웨이퍼, 및 전기 전도성층을 갖는 비전도성 물질의 필름 또는 시이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 캐패시터.
  3. 제2항에 있어서, 상기 내부식성 금속물질이 내부식성 귀금속, 표면에 있는 그의 산화물이 화학적으로 안정한 내부식성 금속 및 내부식성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 캐패시터.
  4. 제2항에 있어서, 상기 내부식성 금속물질이 금, 백금, 팔라듐, 크롬 및 스테인레스 강으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 캐패시터.
  5. 제2항에 있어서, 상기 전기 전도성층을 갖는 비전도성 물질의 필름 또는 시이트가 내부식성 금속물질 및 산화주석으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질의 전기 전도성층을 갖는 유리, 세라믹, 금속 및 플라스틱으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 캐패시터.
  6. 제1항에 있어서, 상기 실리카 박막을 형성시킨 후, 100℃이상의 온도에서 열처리한 캐패시터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기판에서 리이드(lead) 접속부를 제외한 전표면상에 상기 실리카 박막을 형성시키고, 상기 실리카 박막의 일부 또는 전체에 상기 전기 전도성필름을 상부 전극으로서 형성시킨 캐패시터.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 필름을 상기 실리카 박막상에 복수의 독립 전극으로서 형성시킨 캐패시터.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920001459A 1991-02-01 1992-01-31 박막 캐패시터 KR100203728B1 (ko)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2912457B2 (ja) * 1991-02-01 1999-06-28 日本板硝子株式会社 薄膜コンデンサ
JPH06163585A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd 薄膜トランジスタアレイの製造方法
JP4003888B2 (ja) 1995-06-06 2007-11-07 旭化成エレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6433993B1 (en) * 1998-11-23 2002-08-13 Microcoating Technologies, Inc. Formation of thin film capacitors
CA2289239C (en) * 1998-11-23 2010-07-20 Micro Coating Technologies Formation of thin film capacitors
TW477029B (en) * 2001-02-21 2002-02-21 Nat Science Council Method of reducing thick film stress of spin on dielectric and the resulting sandwich dielectric structure
US6757152B2 (en) * 2001-09-05 2004-06-29 Avx Corporation Cascade capacitor
KR100447234B1 (ko) * 2001-12-28 2004-09-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속 배선 형성방법
US20050063136A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-24 Philofsky Elliott Malcolm Decoupling capacitor and method
JP5696024B2 (ja) 2011-11-09 2015-04-08 株式会社東芝 化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2505629A (en) * 1949-06-30 1950-04-25 Rca Corp Method of depositing silica films and preparation of solutions therefor
US3113253A (en) * 1958-09-22 1963-12-03 Nippon Electric Co Capacitors
US4015175A (en) * 1975-06-02 1977-03-29 Texas Instruments Incorporated Discrete, fixed-value capacitor
JPS6021810A (ja) * 1983-07-14 1985-02-04 Nippon Sheet Glass Co Ltd 酸化珪素厚膜被覆体の形成方法
JPS6033233A (ja) * 1983-07-27 1985-02-20 Nippon Sheet Glass Co Ltd 酸化珪素被膜の製造方法
EP0356212B1 (en) * 1988-08-25 1993-04-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin-film capacitor and method of manufacturing a hybrid microwave integrated circuit
JPH0265111A (ja) * 1988-08-30 1990-03-05 Nec Corp 薄膜キャパシタおよびその製造方法
US4914546A (en) * 1989-02-03 1990-04-03 Micrel Incorporated Stacked multi-polysilicon layer capacitor
JPH02222512A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Mitsui Petrochem Ind Ltd 電極構造体
JPH02260621A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Mitsui Petrochem Ind Ltd 薄膜コンデンサ
JP2912457B2 (ja) * 1991-02-01 1999-06-28 日本板硝子株式会社 薄膜コンデンサ

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US5220482A (en) 1993-06-15

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