KR920015499A - 웨이퍼 번인 및 검사 시스템 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

웨이퍼 번인 및 검사 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 다수의 디바이스를 갖는 반도체 웨이퍼를 나타낸 도면, 제2도는 웨이퍼상의 3개 디바이스의 확대도, 제3도는 제1도체층을 갖는 3개의 디바이스를 나타낸 도면, 제4도는 제2도체층을 갖는 제3동의 3개의 디바이스를 나타낸 도면, 제5도는 상호접속부의 단일층을 나타낸 도면, 제6도는 반도체 디바이스 상의 도체로부터 본드 패드로의 휴즈 링크 접속부를 나타낸 도면.

Claims (19)

  1. 반도체 웨이퍼로부터 분리시키기 전에 반도체 디바이스를 번인하고 검사하기 위한 상호접속 시스템에 있어서, 다수의 본드 패드를 각각 가지고 웨이퍼 상에 행과 열로 배열된 다수의 반도체 디바이스를 갖고 있는 반도체 웨이퍼, 상기 디바이스 및 상기 본드 패드로부터 절연된 상기 웨이퍼 상의 다수의 전기적으로 절연된 도체들 중 최소한 1개의 층, 열 내의 각각의 상기 디바이스 상의 상기 다수의 전기적으로 분리된 각각의 도체와 대응 본드 패드 사이의 전기 접속부, 및 상기 다수의 전기적으로 분리된 도체의 각각의 접속된 상기 웨이퍼 상의 다수의 검사점을 포함하는 것을 특징으로 하는 상호접속시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열내의 각 디바이스 상의 상기 다수의 분리된 각각의 도체와 대응 본드 패드 사이가 휴즈 링크인 것을 특징으로 하는 상호접속 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 다수의 전기적으로 분리된 도체들 중 상기 최소한 1개의 층으로부터 절연된 다수의 접속층들 중 제2층을 포함하고, 상기 제2상호 접속부 레벨의 각각의 도체가 비아 패드에 의해 상기 제1층의 상기 다수의 전기적으로 분리된 접속기들 중의 1개의 접속되는 것을 특징으로 하는 상호접속 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 다수의 상기 상호접속층들 중 상기 제2층의 각 도체가 휴즈 링크에 의해 상기 웨이퍼 상의 본드 패드에 접속되는 것을 특징으로 하는 상호접속 시스템.
  5. 반도체 웨이퍼로부터 분리시키기 전에 반도체 디바이스를 번인하고 검사하기 위한 상호접속 시스템에 있어서, 다수의 본드 패드를 각각 가지고 웨이퍼 상에 행과 열로 배열된 다수의 반도체 디바이스를 갖고 있는 반도체 웨이퍼, 상기 디바이스 및 상기 본드 패드로부터 절연된 상기 웨이퍼 상의 다수의 전기적으로 절연된 도체들 중 1개의 층, 상기 다수의 전기적으로 분리된 도체층들 중 제1층으로부터 절연된 웨이퍼 상의 다수의 전기적으로 분리된 도체층들 제2층, 상기 전기적으로 분리된 각각의 도체들중 상기 제1층과 상기 다수의 전기적으로 분리된 도체층들 제2층중 1개의 도체사이의 상호접속부, 및 상기 다수의 전기적으로 분리된 도체층들중 제2층 내의 상기 각각의 도체에 접속된 상기 웨이퍼 상의 다수의 접촉 검사점을 포함하는 것을 특징으로 하는 상호접속 시스템.
  6. 제5항에 있어서, 상기 다수의 검사점의 각각의 본드 패드 사이의 상호접속부가 휴즈 링크인 것을 특징으로 하는 시스템.
  7. 제5항에 있어서, 상기 디바이스로부터 절연되고 상기 디바이스 상의 상기 본드 패드 및 상기 웨이퍼상의 상기 접촉 검사점에 접속된 상기 웨이퍼 상에 다수의 전기적으로 분리된 도체층들 중 1개의 층만이 형성되는 것을 특징으로 하는 상호접속 시스템.
  8. 반도체 웨이퍼로부터 분리시키기 전에 반도체 디바이스를 번인하고 검사하기 위한 상호접속 시스템을 형성하기 위한 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면 상에 절연층을 형성하고, 반도체 디바이스를 상기 웨이퍼 상에 형성하는 단계, 상기 절연층 상에 제1금속층을 피착하고 개구가 있는 절연층을 통해 연장시키며 반도체 디바이스상의 본드 패드를 접촉시키는 단계, 다수의 도체를 형성하기 위해 상기 제1금속층을 에칭하는 단계, 상기 반도체 디바이스를 포함하지 않는 반도체 웨이퍼 외변 상의 위치에 검사점을 형성하는 단계, 및 상기 본드 패드에 접속된 다수의 도체들 중의 하나에 검사점 접촉부를 각각 하나씩 상호 접속하는 단계를 포함하고, 상기 반도체 디바이스 각각이 다수의 본드 패드를 갖고 있고, 절연층이 본드 패드상에 개구를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 반도체 디바이스상의 본드 패드를 다수의 도체들에 접속시키기 위해 휴즈 링크를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 금속층이 에칭된 후에 금속층 위에 제2절연물질층을 형성하는 단계, 비아를 형성한후 제2절연물질층 위해 제2금속층을 피착하는 단계, 제2의 다수의 도체를 형성하기 위해 제2금속측응 에칭하는 단계, 및 상기 제2금속층의 도체에 상기 제1금속층의 상기 도체를 접속하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1금속층으로 형성될 도체가 비아가 있는 상기 제2금속층으로 형성된 상기 도체에 접속되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 절연 물질을 피착하기 전에 접착 물질층을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 휴즈 링크가 번인중 과부하가 발생할 때 개방하는 전전력 반송 도체인 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제8항에 있어서, 열 내의 각 반도체 디바이스 상에 다수의 대응하는 본드 패드를 병렬로 접속시키는 단계를 포함하고, 상기 반도체 디바이스가 반도체 웨이퍼의 양단에 열로 배열되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 반도체가 반도체 웨이퍼의 표면의 양단에 다수의 열로 형성되고, 반도체 디바이스가 형성되는 반도체 웨이퍼로부터 반도체 디바이스를 분리하기 전에, 각 반도체 상에 다수의 본드 패드를 갖고 있고 다수의 반도체 디바이스를 검사하고 번인하는 방법에 있어서, 반도체 디바이스의 각 열로 대해 상기 반도체 디바이스 상에 대응하는 본드패드를 병렬로 상호 접속하는 단계, 상기 반도체 디바이스 행의 병렬 접속 본드 패드의 각 셋트를 상기 반도체 웨이트 상의 검사점 접촉부에 접속시키는 단계, 및 상기 각 반도체 디바이스를 검사고 번인하는 방식으로 각 검사점 접촉부에 검사 및 번인 전압을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다수개 반도체 디바이스를 검사하고 번인하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 병렬 접속부로부터 결함이 검사된 각 반도체를 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 휴즈 링크에 의해 상기 병렬 접속부에 접속되는 각 반도체 입력신호 본드 패드가 번인전에 결함이 있는 디바이스를 절단하기 위해 레이저 빔으로써 휴즈 링크를 개방하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제15항에 있어서, 웨이퍼로 부터 상기 디바이스를 분리시키기 전에 상기 웨이퍼로부터 상호접속 회로를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제2항에 있어서, 상기 휴즈 링크가, 번인중 과부하가 발생할 때 개방되는 저전압 반송물질인 것을 특징으로 하는 상호접속 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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