KR920008772A - 판독전용 메모리 - Google Patents

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KR920008772A
KR920008772A KR1019910018586A KR910018586A KR920008772A KR 920008772 A KR920008772 A KR 920008772A KR 1019910018586 A KR1019910018586 A KR 1019910018586A KR 910018586 A KR910018586 A KR 910018586A KR 920008772 A KR920008772 A KR 920008772A
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line
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야수히로 호따
미끼로 오까다
Original Assignee
쓰지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/08—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
    • G11C17/12—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices
    • G11C17/126—Virtual ground arrays

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

판독전용 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도와 제2도는 본 발명의 마스크 ROM의 등가회로의 배치도.

Claims (3)

  1. 메모리셀어레이의 열과 그열을 따르는 메모리셀어레이의 각열을 분활하여 형성되는 복수의 뱅크와, 행에 따라 위치하는 인근뱅크사이에 배치되고 그리고 각 인근뱅크에서 메모리셀의 트랜지스터에 접속되는 서브비트선과, 메모리셀어레이의 모든 2개의 다른 열 사이에 배치되고 그열에 따라 늘어나는 메인비트선을 포함하고, 그 서브비크선은 행을 따라 위치되는 한쌍의 인근뱅크에 접속되는 n개 서브비트선의 세트로 분할되고 그리고 각 센터서브비트선의 한 단부는 제1세렉터트랜지스터를 통하여 제1메인비트선에 접속되고, 그리고 서브비트선의 다른 단부는 제2세렉터트랜지스터를 통하여 제2메인비트선에 접속되고, 제2메인비트선은 센터서브비트선이 속하는 세트의 다른쪽을 통하여 통과하고, 2개의 외부서브비트선은 뱅크의 세트에 인접한 메인비트선에 각각 직접 접속되고, 뱅크의 세트의 특수메모리트랜지스터를 선택하는데 있어 제1세게터트랜지스터는 턴오프되고 그리고 제2세렉터 트랜지스터는 턴온되고, 뱅크의 세트의 다른쪽에 속하는 특수 메모리트랜지스터를 선택하는데 있어 제1세렉터트랜지스터는 턴온되고 그리고 제2세렉터 트랜지스터는 턴오프되는 판독전용메모리.
  2. 제1항에 있어서, 서브비트선과, 그리고 메인비트선과 서브비트선의 노드는 둘다 확산층으로 구성되고, 그리고 서브비트선의 한쪽과 뱅크세렉트선, 그리고 메모리셀을 선택하는 워드선은 폴리실리콘층으로 형성되고 그리고 메인비트선은 금속으로 형성되는 판독전용 메모리.
  3. 제2항에 있어서, 제1과 제2세렉터트랜지스터는 MOSFT이고, 그리고 확산층의 노드와 서브비트선의 한쪽사이, 그리고 확산층이 노드와 서브비트선의 다른쪽 사이에 배치되는 판독전용 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019910018586A 1990-10-22 1991-10-22 판독전용메모리 KR950011966B1 (ko)

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