KR920005089Y1 - 밴드 갭 회로 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제 1 도는 종래의 밴드갭 회로도.
제 2 도는 온도계수가 제로가 되는 기준 전압을 보인 그래프.
제 3 도는 본 고안의 밴드갭 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
Qa1－Qan, A11－Q14 :트랜지스터 R11－R14 : 저항
본 고안은 온도계수가 제로가 되는 기준전압을 상승 시킬 수 있는 밴드갭(Band－Gap)회로에 관한 것으로, 특히 높은 기준전압을 필요로 하는 회로에 적당하도록 한 밴드갭회로에 관한 것이다.
제 1 도는 종래의 밴드갭 회로도로서 이에 도시한 바와 같이, 전원단자(Vcc)가 전류원(Is)을 통한후 저항(R1)을 통해 트랜지스터 (Q1)의 콜렉터 및 베이스, 트랜지스터(Q2)의 베이스에 공통접속되고, 저항(R2)을 통해서는 상기 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 및 트랜지스터(Q3)의 베이스에 접속되며, 상기 전류원(Is) 및 저항(R2)의 접속점이 트랜지스터(Q3)의 콜렉터와 기준전압단자(Vref)에 공통접속되어 구성되었다.
이와같이 구성된 종래의 회로에 있어서, 전원단자(Vcc)에 전원이 인가되면 전류원(Is)으로 부터 제공되는 전류가 저항(R1)을 통해 트랜지스터(Q1, Q2)의 베이스로 흐르게 되어 그들이 온되고, 저항(R2)을 통해서는 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가되어 이 트랜지스터(Q3)가 온된다.
이에따라 상기 트랜지스터(Q1－Q3)을 각기 통하는 전류(I1－I3)루프가 형성되고 이때 기준전압단자(Vref)에 기준전압이 설정되는데, 온도계수가 제로가 되는 기준전압(Vref)을 구하면 다음과 같다.
즉, 기준전압 ref＝Eg일 때이 된다. 그러므로 온도계수가 제로가 되는 기준전압을 Eg[V]이다.
그러나 이와같은 종래의 회로에 있어서는 온도계수가 제로가 되는 기준전압이 Eg(1.25V)로써 너무 낮기 때문에 기준전압을 이용하여 출력전압을 유도하는 회로에 적용할 때 저항값을 크게 해야 되므로 집적도가 저하되는 문제점이 있었다.
본 고안은 이와같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 온도계수를 변화시키지 않고 기준전압을 상승시킬 수 있는 회로를 안출한 것으로 이를 첨부한 도면에 의하여 상세히 설명한다.
제 2 도는 본 고안의 밴드 갭 회로도로서 이에 도시한 바와같이, 전원단자(Vcc)가 전류원(Is)을 통해 기준전압단자(Vref)에 접속됨과 아울러 저항(R11) 및 트랜지스터(Q11), 트랜지스터(Q12)를 각기 통해 접지단자에 접속되어 구성된 밴드갭회로에 있어서 상기 전류원(Is)단자를 콜렉터와 베이스가 공통접속된 트랜지스터(Qa1－Qan)를 통해 기준전압단자(Vref')에 접속한 후, 그 기준전압단자(Vref')를 저항(R12)을 통해 트랜지스터(Q13)의 베이스에 접속함과 아울러 이 접속점을 저항(R13)을 통해 상기 트랜지스터(Q13)의 콜렉터 및 트랜지스터(Q14)의 베이스에 접속하고, 상기 기준전압단자(Vref')를 저항(R14)을 통해 상기 트랜지스터(Q14)의 콜렉터 및 트랜지스터(Q14)의 베이스에 공통접속하여 구성한 것으로 이와같이 구성된 본 고안의 작용 및 효과를 제 2 도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
전원단자(Vcc)에 전원이 인가되면 전류원(Is)으로 부터 제공되는 전류가 다이오드 결합된 트랜지스터(Qa1－Qan)를 통해 기준전압단자(Vref')에 인가되고, 이는 다시 트랜지스터(Q13)의 베이스에 인가되어 그 트랜지스터(Q13)가 온되고, 이때 상기 트랜지스터(Q13)가 완전히 포화되지 않으므로 트랜지스터(Q14)의 순바이어스전압이 공급되어 그가 온되며, 상기 트랜지스터(Q14)로 완전히 포화되지 않아 트랜지스터(Q11)에 순바이어스전압이 인가되어 그가 온되는데, 이때 상기 트랜지스터(Q11)는 완전히 포화상태로 되어 트랜지스터(Q12)도 순바이어스 되어 결국 트랜지스터(Q11－Q14) 모두 온되어 전류 루프(IA－IC) 형성된다.
이에 따라 기준전압(Vref)이 설정되는데, 여기서 온도 계수가 제로가 되는 기준 전압(Vref)을 구해보면 다음과 같다.
즉, Vref'단과 Vref단 사이에 n개의 다이오드를 접속하면 온도계수가 제로가 되는 기준전압(Vref)을 높일 수 있게 되며, 이때 Vref'의 전압을 종래의 Eg[V]가 아니라 nEg－nVBE[V]가 된다.
이상에서 상세히 설명한 바와같이 저항값을 크게 하지 않고, 다이오드수에 따라 기준전압을 상승시킬 수 있게 함으로써 온도 특성을 향상시키고, 집적도를 높일 수 있는 이점이 있다.
Claims (1)
- 전원단자(Vcc)가 전류원(Is)을 통해 기준전압단자(Vref)에 접속됨과 아울러 저항(R11) 및 트랜지스터(Q11), 트랜지스터(Q12)를 각기 통해 접지되어 구성된 밴드갭회로에 있어서, 상기 전류원(Is) 및 기준전압단자(Vref) 접속점을 콜렉터와 베이스가 공통접속된 트랜지스터(Qa1－Qan)를 통해 기준전압단자(Vref')에 접속한 후, 그 기준전압단자(Vref')를 저항(R12)을 통해 트랜지스터(Q13)의 베이스에 접속함과 아울러 저항(R13)을 통해 상기 트랜지스터(Q13)의 콜렉터 및 트랜지스터(Q14)의 콜렉터 및 트랜지스터(Q14)의 콜렉터 및 트랜지스터(Q11)의 베이스에 공통 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 밴드 갭 회로.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019900008377U KR920005089Y1 (ko) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 밴드 갭 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019900008377U KR920005089Y1 (ko) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 밴드 갭 회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920001219U KR920001219U (ko) | 1992-01-28 |
| KR920005089Y1 true KR920005089Y1 (ko) | 1992-07-27 |
Family
ID=19299877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019900008377U KR920005089Y1 (ko) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 밴드 갭 회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920005089Y1 (ko) |
-
1990
- 1990-06-14 KR KR2019900008377U patent/KR920005089Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920001219U (ko) | 1992-01-28 |
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