Изобретение относитс к импульс ной технике, а именно к цифровым логическим элементам с инжекционным питанием. Известен источник питани инжек ционных элементов, содержащий два токовых зеркала и токозадающий резистор Со. Недостатком данного устройства вл етс низкий КПД. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому вл етс элемент инжекционной логики со стабилизацией тока питани , содержащи первый транзистор первого типа проводимости , база которого подключена к общей шине, эмиттер - к колле topy второго транзистора первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине питани , первьй коллектор первого транзистора первого типа проводимости подключе через резистор общей шины и к базе первого транзистора второго типа пр водимости, эмиттер которого подклю чен к общей шине, а коллектор - к второму коллектору первого транзистора первого типа проводимости и базе второго транзистора второго типа проводимости, эмиттер которог подключен к общей шине, остальные коллекторы первого транзистора первого типа проводимости подключены соответственно к входам элемента и базам выходных транзисторов второго типа проводимости, эмиттеры которых подключены к общей вмне, а коллекторы - к соответствукищм выходам элемента С2 . Недостатком известного элемента вл етс малый коэффициента стабили зации тока питани из-за узкого допустимого диапазона изменени напр жени питани . Целью изобретени вл етс увели чение коэффициента стабилизации тока питани . Поставленна цель достигаетс тем, что в элемент инжекционной лог ки со.стабилизацией тока питани , содержащий первый транзистор первог типа проводимости, база которого подключена к общей шине, эмиттер - к коллектору второго транзистора пе вого типа .проводимости, эмиттер которого подключен к шине питани , пе вый коллектор первого транзистора первого типа проводимости подключен через резистор к общей шине и к базе первого транзистора второго типа проводимости , эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор - к второму коллектору первого транзистора первого типа проводимости и базе второго транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, остальные коллекторы первого транзистора первого типа проводимости подключены соответственно к входам элемента и базам выходных транзисторов второго типа проводимости, эмиттеры которых подключены к общей шине, а коллекторы к соответствующим выходам элемента, введен дополнительный транзистор второго типа проводимости,коллектор и база которого подключены соответственно к базе и коллектору второго транзистора первого типа проводимости , а эмиттер подключен к коллектору второго транзистора второго типа проводимости. На чертеже представлена принципиальна электрическа схема предложенного элемента. Элемент инжек1Ц1онной логики со стабилизацией тока питани содержит первый транзистор 1 первого типа проводимости, база которого подключена к общей шине 2, эмиттер - к коллектору второго транзистора первого типа проводимости 3, эмиттер которого подключен к шине 4 питани , первый коллектор первого транзистора I первого типа проводимости подключен через резистор 5 к общей шине 2 и к базе первого транзистора второго типа проводимости 6, эмиттер которого подключен к общей шине 2, а коллектор - по второму коллектору первого транзистора 1 первого типа проводимости и базе второго транзистора второго типа проводимости 7, эмиттер которого подключен к общей шине 2, остальные коллекторы первого транзистора первого типа проводимости 1, подключены соответственно ко входам 8 и 9 элемента и базам выходных транзисторов 10 и 11 второго типа проводимости,эмиттеры которых подключены к общей птне 2, а коллекторы - к соответствующим выходам 12 и 13 элемента, коллектор и база дополнительного транзистора 14 второго типа проводимости подключены соответственно к базе и коллектору второго транзистора 3 первого типа проводимости 3, а эмиттер подключен к коллектору второго транзистора второго типа проводимости 7. В некоторых случа х дл устранени возможных паразитных колебаний дп задани начального тока в стабилизатор могут быть введены соответственно конденсатор 15 и дополни тельный резистор 16. Коллекторы первого транзистора 1 первого типа проводимости подключены к базам выходных транзисторов 10 и 11, используемых дл реализаци произвольных логических функций. Пр подаче напр жени питани на ши у 4 питани через дополнительный резистор 16 начинает протекать начальный ток I. Транзисторы первого типа проводимости 1 и 3, второй транзистор второго типа проводимости 7, дополнительный транзистор второго типа проводимости 14 открываютс , нарастание тока I первого коллектора первого транзистора первого типа проводимости из-за положительной обратной св зи будет происходить до тех пор, пока не откроетс первый транзистор второго типа про284 водимости 6. при этом нарастание тока 1° прекратитс на уровне то U6, где U-. - напр жение отпирани первого транзистора второго типа пррводимости 6; R - величина резистора 5. Так как все koллeктopы первого транзистора 1 первого типа проводимости одинаковы, то и токи питани выходных транзисторов 10 и 11 .будут стабильны при изменении напр жени питани . При изменении температуры будет происходить стабилизаци быстродействи указанных выходных транзисторов (tj {ТС)сл H|i R const).- . Обычно максимально допустимое напр жение на коллекторе инжекционных транзисторов составл ет 2-5 В. Введение дополнительного транзистора 14, включенного в нормальном режиме, позвол ет увеличить максимальное напр жение питани до 15-20 В и более. Технико-экономический эффект в предложенном элементе заключаетс в увеличении коэффициента стабилизации тока питани , увеличении диапазона изменени напр жени питани .