KR910000689Y1 - 앰프의 온도 보상 바이어스 회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

앰프의 온도 보상 바이어스 회로

제1도는 본 고안에 따른 앰프의 온도 보상 바이어스 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 온도 보상회로 2 : 써미스터

3 : 포지스터 R1∼R6 : 저항

Q1,Q2 : 트랜지스터 VR1 : 가변 저항

본 고안은 전자기기의 앰프에 관한 것으로 특히 출력 트랜지스터에 과대한 열 방출로 인해 주변 반도체 부품들의 바이어스(Bias)가 불안정해지는 것을 온도보상으로 방지시키도록 한 온도보상 바이어스 회로에 관한 것이다.

종래의 전자기기에 있어 앰프는 출력 트랜지스터의 과대한 열방출에 따라 프리앰프 및 드라이브 트랜지스터와 같은 주변 반도체 부품들의 바이어스가 불안정해져 온도 드리프트(Drift) 현상이 나타나게 됨으로 중점 전위가 자주 변동하게 되어 음질에 악영향을 끼치게 되었는데, 이는 앰프의 출력이 큰 것일수록 더욱 심하게 됨으로 앰프의 출력에 많은 제약이 뒤따르게 되는 문제점이 있었다.

이에 본 고안은 상기한 문제점을 개선시키기 위해 안출된 것으로서 온도가 올라갈수록 저항값이 증가하는 포지스터(Pisistor)와 온도가 올라갈수록 저항값이 감소하는 써미스터 및 트랜지스터에 의한 간단한 회로를 연결 구성시켜 온도의 증감에 따라서도 출력을 안정하게 하도록 한 것으로, 이하 그의 기술구성을 첨부된 도면에 따라 설명하면 다음과 같다. 제1도는 본 고안에 따른 앰프의 온도 보상 바이어스 회로를 나타낸 것으로서 그의 연결구성을 살펴보면, 전원단(B+)이 온도 보상회로(1)의 저항(R1)(R2)을 거쳐 트랜지스터(Q1)의 베이스에 접속되고 저항(R1)(R2)의 연결점은 콘덴서(C1)를 거쳐 접지접속되며 트랜지스터(Q1)의 베이스는 가변저항(VR1)과 포지스터(3)를 순차거쳐 접지접속되고, 상기 트랜지스터(Q1)의 에미터는 저항(R3)을 거쳐 접지접속되며 그의 콜렉터는 써미스터(2)와 저항(R4)을 순차거쳐 전원단(B+)에 접속되고, 써미스터(2)와 저항(R4)의 연결점은 트랜지스터(Q2)의 베이스에 접속되고 트랜지스터(Q2)의 콜렉터는 저항(R5)을 거쳐 전원단(B+)에 접속되며 그의 에미터는 접지된 저항(R6)에 접속됨과 동시에 앰프의 파워 구동 트랜지스터의 베이스에 연결되는 구성으로서, 상기 회로구성의 동작상태 및 작용효과를 첨부된 도면에 따라 설명하면 다음과 같다.

제1도에서, 포지스터(3)와 써미스터(2)를 출력 트랜지스터 히트싱크(Heat Sink)에 연결합시켜 주고 초기에 파우어를 “온”시키면, 온도 보상회로(1)의 포지스터(3)는 저항값이 매우 작고 써미스터(2)는 저항값이 크기 때문에 트랜지스터(Q1)의 베이스 바이어스 전류는 전원(B+)의 전압이 저항(R1)을 통해 콘덴서(C1)에 출력되면서 저항(R2)과 가변저항(VR1)의 설정값에 의해 트랜지스터(Q1)를 바이어스하게 된다.

따라서, 써미스터(2)와 트랜지스터(Q1) 및 저항(R3)으로 구성된 직렬회로의 저항값은 매우 크게 되어 트랜지스터(Q2)의 베이스로 흐르는 전류는 큰값이 되어 트랜지스터(Q2)의 컬렉터에서 에미터를 통해 앰프의 파워 구동 트랜지스터의 베이스 단자에 인가되는 전류 또한 큰 값이 되어 앰프는 완전하게 동작한다.

시간이 경과하여 출력 트랜지스터의 열 방출로 히트 싱크의 온도가 서서히 증가하면 포지스터(3)의 저항값은 온도에 의해 서서히 증가됨으로 트랜지스터(Q1)의 베이스로 인가되는 전류도 증가하고, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 전류는 써미스터(2)의 저항값이 온도에 의해서 상대적으로 작아짐으로 트랜지스터(Q1)의 콜렉터로 흐르는 전류는 증가하여 트랜지스터(Q2)의 베이스에 인가되는 전류는 감소하며, 이에따라 트랜지스터(Q2)의 컬렉터에서 에미터를 통해 앰프의 파워 구동 트랜지스터의 베이스 단자에 인가되는 전류는 감소하여 앰프는 최대출력을 발생하지 않아 열방출이 감소하게 된다.

또한 온도가 극단적으로 증가하게 되면 써미스터(2)의 저항값은 거의 무시되고, 포지스터(3) 저항값 증가로 트랜지스터(Q1)는 포화상태가 되어 전원단(B+)으로부터 저항(R4)을 통해 흐르는 전류는 거의 써미스터(2)와 트랜지스터(Q1) 및 저항(R3)을 통해 흐르므로 트랜지스터(Q2)의 베이스단에는 전류가 흐르지 않아 트랜지스터(Q2)의 컬렉터단에서 에미터단을 통해 앰프의 파워 구동 트랜지스터의 베이스단에 인가되는 전류도 거의 흐르지 않아 AMP의 파워 구동 트랜지스터는 오프가 된다.

따라서, 본 고안에 따른 앰프의 온도 보상 바이어스 회로는 이상의 설명에서와 같이, 출력 트랜지스터의 과대한 열방출로 인해 주변 부품의 바이어스가 불안정해지는 것을 온도 보상으로 방지시켜 온도의 증감에 따라 출력이 안정되게 되며 트랜지스터(Q2)의 베이스 전류가 온도에 따라 증가함으로 효율이 높아지는 효과를 갖게 된다.

Claims (1)

1. 전자기기의 앰프 회로에 있어서, 앰프의 히트 싱크에 부착되어 앰프의 온도 증감에 따라 트랜지스터(Q2)의 베이스 전류를 증감시키는 온도 보상회로(1)와, 상기 온도 보상회로(1)에 직렬 연결되어 앰프의 온도 증감에 따라 트랜지스터(Q2)의 베이스 전류를 증감시키는 써미스터(2)와, 상기 온도 보상회로(1)와 써미스터(2)에 의해 AMP의 파워 구동 트랜지스터의 베이스 단자에 인가하는 전류를 제어하는 트랜지스터(Q2)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 앰프의 온도 보상 바이어스회로.